JPS61209438A - レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特定波長のＸ線を用いるリソグラフィーに適
用するネガ型レジストに関するものである。

従来の技術 半導体集積回路製造工程において、レジストは半導体集
積回路の集積度と生産性を左右する重大な因子とされて
いる。近年、半導体集積回路の集積度が増加する傾向の
中で、紫外線を用いて露光し、現像することによりレジ
スト像を形成し、次いでレジスト像部以外の基板をウェ
ットエツチングするという従来の方法から、回折現象に
よる解像度の低下が少ない電離放射線を線源に用いてレ
ジスト像を形成し、プラズマエツチングや反応性イオン
エツチングを用いるドライエツチングによりエツチング
するという方法に変遷しようとしている。このような技
術の変遷の中で、線源としては電子線、遠需外線、Ｘ線
などが考えられている。

しかしながら、電子線を用いる場合には、回折現象によ
る解像度の低下は問題とならないが、細く絞った電子ビ
ームを走査することにより大面積にパターンを描くため
、半導体回路を量産するに際し生産性に劣るという欠点
がある。

一方、遠紫外線は、一括露光できるため生産性に問題は
ないが、波長がせいぜい２５０ｎｍ程度であるため、光
の回折現象による解像度の限界が問題となる。

しかしｘＮａは、波長が０．１〜１００人と短く、一括
露光できるという利点がある。

従来、Ｘ線照射用レジストとしては、例えばポリグリシ
ジルメタクリラートなどが知られているが、Ｘ線の吸収
効率が低いために感度が低く、また耐ドライエツチング
性がないなどの多くの欠点を有している。

このため、近年、ハロゲン化アルキル基を有するビニル
芳香族化合物の重合体をＸ線レジストとして採用するこ
とが提案されるようになった。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記ハロゲン化アルキル基を有するビ
ニル芳香族化合物の重合体からなるレジストを最適化す
ることにより、主波長が５人未満のＸ線を用いるリソグ
ラフィーに適用する際に、Ｘ線に対する感度およびコン
トラストが高く、微細レジス像を高精度に形成させるこ
とができ、かつドライエツチングに対して高い耐性を有
するレジストを提供することにある。

問題点を解決するための手段 即ち本発明は、下記一般式（Ｉ） （式中、Ａ　ｒ　ｌ　はハロアルキル基を有する芳香族
炭化水素基を示し、Ｒは水素原子またはアルキル基を示
す。）で示される繰り返し構造単位、および下記一般式
（ＩＩ） （式中、Ａｒ”は芳香族炭化水素基を示し、Ｒは一般式
（Ｉ）と同じである。）で示される繰り返し構造単位を
有し、総ハロゲン含量が１０〜４０重量％であり、標準
ポリスチレン換算数平均分子量（以下、単に「数平均分
子量」という）が８．０００〜１，５００．ＯＯＯであ
る重合体からなることを特徴とする主波長が５人未満の
ｘｖＡを照射することによって潜像を形成させるための
レジストを提供するものである。

一般式（１）で示される繰り返し構造単位において、Ａ
ｒ’で示されるハロアルキル基を有する芳香族炭化水素
基としては、例えば （ここでＲ′は炭素数１〜４のハロアルキル基を示し、
ｎは１〜３の整数を示す。）を挙げることができ、Ｒの
アルキル基としては、例えばメチル基を挙げることがで
きる。

また一般式（■）で示される繰り返し構造単位において
、Ａ　ｒ　！で示される芳香族炭化水素基としては、例
えば （ここでＲ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル
基を示し、ｎは一般式（１）と同じである。）を挙げる
ことができる。

Ｒ１で示されるハロアルキル基を構成するハロゲン原子
としては、塩素原子、臭素原子、沃素原子、弗素元素を
挙げることができ、かかるハロアルキル基の具体例とし
ては、塩化メチル基、臭化メチル基、沃化メチル基、弗
化メチル基、塩化エチル基、塩化プロピル基、塩化ブチ
ル基、二塩化メチル基、三臭化メチル基、二沃化メチル
基、二塩化エチル基、三臭化エチル基、二塩化プロピル
基、二臭化プロピル基、二塩化ブチル基、三塩化メチル
基、三臭化メチル基、三塩化エチル基、三臭化エチル基
などを挙げることができる。

特に好ましいＡｒ、で示されるハロアルキル基を有する
芳香族炭化水素基としては、塩化メチルフェニル基、弗
化メチルフェニル基、臭化′メチルフェニル基、沃化メ
チルフェニル基、塩化メチルナフチル基、臭化メチルナ
フチル基、弗化メチルナフチル基、沃化メチルナフチル
基、塩化エチルフェニル基、弗化エチルフェニル基、臭
化エチルフェニル基、沃化エチルフェニル基、弗化エチ
ルナフチル基、塩化エチルフェニル基、臭化エチルナフ
チル基、沃化エチルナフチル基、塩化プロピルフェニル
基、弗化プロピルフェニル基、臭化プロピルフェニル基
、塩化プロピルナフチル基、弗化プロピルナフチル基、
沃化プロピルナフチル基、三臭化メチルフェニル基、二
塩化メチルフェニル基、クロロメチルトリル基、弗化メ
チルトリル基、臭化メチルトリル基、沃化メチルトリル
基などを挙げることができ、最も好ましくは、０−ｌｍ
−もしくはｐ−クロロメチルフェニル基、０−ｌｍ−も
しくはｐ−ブロモメチルフェニル！、２−（ｌ−クロロ
メチル）ナフチル基、２−（３−クロロメチル）ナフチ
ル基、１−（２−クロロメチル）ナフチル基または１−
（４−クロロメチル）ナフチル基である。

かかる一般式（１）で示される繰り返し構造単位は、重
合体中の全繰り返し構造単位数の好ましくは５０〜９５
％、特に好ましくは４５〜９５％であり、５０％未満で
は総ハロゲン含量が少なくなりＸ線に対する感度が低下
し、一方９５％を超えると総ハロゲン含量が多くなりす
ぎて現像後のコントラストが低下するようになる。

次に、一般式（ｎ）で示される繰り返し構造単位におい
て、Ｒｚで示されるアルキル基は、通常、前記一般式（
１）のＲ′の炭素数と同一の炭素数を有するものであり
、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基などを挙げることができ、特にＡｒ
２がフェニル基、ナフチル基、クメニル基、ブチルフェ
ニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基、プロピ
ルナフチル基またはブチルナフチル基であることが好ま
しく、最も好ましくはフェニル基、ナフチル基またはト
リル基である。

一般式（ＩＩ）で示される繰り返し構造単位は、重合体
中の全繰り返し構造単位数の好ましくは５〜５０％、特
に好ましくは５〜４５％である。５％未満では相対的に
一般式（１）で示される繰り返し構造単位が多くなりす
ぎて総ハロゲン含量が増大しすぎる傾向にあり、また、
Ｒ２で示されるアルキル基が減少し、Ｘ線照射時に該ア
ルキル基の水素原子引き抜きによる架橋反応が生起し難
くなる。一方、５０％を超えると相対的に一般式（ｒ）
で示される繰り返し構造単位が少なくなり好ましくない
。

一般式（１）および（Ｉｆ）で示される繰り返し構造単
位とともに重合体を形成することができる他の繰り返し
構造単位としては、（メタ）アクリル酸エチル単位、（
メタ）アクリル酸ブチル単位、（メタ）アクリル酸グリ
シジル単位などの（メタ）アクリル酸ニステルル単位、
２−ビニルピリジン単位、４−ビニルピリジン単位など
の前記以外の芳香族ビニル化合物単位、ブタジェン単位
、イソプレン単位などの共役ジエン化合物単位、無水マ
レイン酸単位、酢酸ビニル単位などの不飽和エチレン化
合物単位を例示することができる。

Ｘ線に対する感度およびドライエツチングに対する耐性
のためには、これらの繰り返し構造単位は、共重合体中
の全繰り返し構造単位数の５０％未満が好ましく、特に
２０％未満が好ましい。

本発明のレジストにおける重合体中の総ハロゲン含量は
、１０〜４０重量％、好ましくは１４〜４０重量％であ
る。総ハロゲン含量が１０重量％未満の場合には、ＸＬ
Ａに対する吸収効率が低下し、一方、２５重量％を超え
る場合には、コントラストが低下し微細レジストパター
ンを形成した際にパターン間に現像残りやブリッジが生
じ、解像度の低下を招（。

本発明のレジストにおける重合体の分子量は、Ｘ線に対
して高感度という性能を維持するためには分子量が高い
方が好ましく、レジストとしての塗膜形成のための取扱
面からは分子量が低い方が好ましい。この二つの相反す
る要求を充たす数平均分子量の範囲は、８．０００〜１
，５００，０００　、特に好ましくは１０．０００〜１
，０００，０００である。数平均分子量が８，０００未
満の場合はＸ線に対する感度が低く、１．５００，００
０を超えると現像時の膨潤が大きくなり形成されるレジ
ストパターンの解像度が低下するようになる。

更に、本発明のレジストにおける重合体の分子量分布（
重量平均分子量／数平均分子りは、好ましくは１．５以
下、特に好ましくは１．３以下、更に好ましくは１．１
以下であり、これにより解像度が更に向上するようにな
る。

以上のように、本発明のレジストを構成する重合体は、
前記一般式（Ｉ）および（ｎ）で示される繰り返し構造
単位を特定量有し、かつ高ハロゲン含量で、しかも特定
の分子量からなるものであり、かかる重合体によっては
じめて主波長が５人未満好ましくは３以上５人未満のＸ
線に対し高感度かつ現像後に良好なるコントラストを生
起し得るものとなる。このように、本発明のレジストは
、波長が５人未満のＸ線用であり、５Å以上のＸ線に本
発明のレジストを適用してもＸ線に対し特に高感度、高
コントラストのレジストとはならない。

本発明のレジストに用いる重合体は、例えば下記の（１
）または（２）の方法で得ることができる。

（１）一般式（１）で示される単量体 （式中、Ｒは一般式（１）と同じであり、Ｒ３−Ｒ７は
同一または異なり、水素原子、アルキル基、ハロアルキ
ル基を示し、Ｒ３−Ｒ７の少なくとも１つがハロアルキ
ル基である。）および一般式（ＩＶ）で示される単量体 （式中、Ｒは一般式（１）と同じであり、Ｒ１１〜Ｒ′
１は同一または異なり、水素原子またはアルキル基であ
る。）で示される単量体を含有する単量体を重合するこ
とにより得ることができる。

上記一般式において、一般式（ＩＩ［）で示される単量
体としては、例えば、Ｏ−クロロメチルスチレン、ｍ−
クロロメチルスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、０
−クロロメチル−α−メチルスチレン、ｍ−クロロメチ
ル−α−メチルスチレン、ｐ−クロロメチル−α−メチ
ルスチレン、０−クロロメチル−ｐ−メチルスチレン、
ｐ−クロロメチル−〇−メチルスチレン、０−ブロモメ
チルスチレン、ｍ−ブロモメチルスチレン、ｐ−ブロモ
メチルスチレン、ｍ−クロロエチルスチレン、ｍ−クロ
ロエチル−α−メチルスチレン、ｐ−クロロプロピルス
チレン、ｐ−クロロプロピル−α−メチルスチレン、４
−クロロメチル−１−ビニルナフタレン、２−クロロメ
チル−１−ビニルナフタレン、５−クロロメチル−１−
ビニルナフタレン、１−クロロメチル−２−ビニルナフ
タレンなどを挙げることができ、これらを２種以上併用
してもよい。

また、一般式（ＩＶ）で示される単量体としては、例え
ば、０−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メ
チルスチレン、０−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレ
ン、ｐ−エチルスチレン、ｍ−プロピルスチレン、ｐ−
メトキシスチレン、α。

ｍ−ジメチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、ｐ
−メトキシスチレン、ｐ−メチル−α−メチルスチレン
、ｐ−エチル−α−メチルスチレン、スチレン、α−ビ
ニルナフタレン、β−ビニルナフタレンなどを挙げるこ
とができ、これらの単量体を２種以上併用してもよい。

これらの単量体を重合するための重合開始剤としては、
例えば４，４′−アゾビスイソブチロニトリル、過酸化
ベンゾイル、過酸化ラウロイルなどのラジカル重合開始
剤を用いることができる。

ラジカル重合開始剤の使用量は、通常、単量体１、　Ｏ
０重量部に対して０．０１〜１０重量部である。また、
重合溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、エチ
ルベンゼン、テトラリンなどの芳香族炭化水素、シクロ
ヘキサン、デカリンなどの脂環式炭化水素、ヘキサン、
ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、あるいはこ
れらの混合物が好適に用いられる。これらの重合溶媒は
、通常、単量体の濃度が１〜５０重量％になるように使
用する。重合温度は特に限定するものではないが、反応
の経済性から、一般には室温以上であり、上限は溶媒の
沸点以下である。好適な重合温度は、４０℃〜１００℃
である。

（２）一般式（ＩＶ）で示される単量体とスチレン、α
−メチルスチレン、ビニルナフタレン、α−メチルビニ
ルナフタレンなどを含有する単量体混合物を重合し、次
いで得られた重合体のベンゼン環をハロアルキル化する
ことにより得ることができる。

これらの単量体を重合するための重合開始剤としては、
リチウムナフタレン、ナトリウムナフタレン、カリウム
ナフタレンのような電荷移動錯体、ｎ−ブチルリチウム
、５ｅｃ−ブチルリチウム、ベンジルカリウム、クミル
カリウム、ジエチル亜鉛、ジブチルマグネシウムのよう
な有機金属化合物などのアニオン重合開始剤または（１
）の方法と同様なラジカル重合開始剤を用いることがで
きる。アニオン重合開始剤の使用量は、通常、単量体１
モルに対して２　Ｘ　１０−’〜５Ｘ１０−２モルであ
り、ラジカル重合開始剤の使用量は、（１）の方法の場
合と同様である。また重合溶媒および重合温度も（１）
の方法と同様の溶媒および温度を挙げることができる。

重合体をハロアルキル化するためには、重合体を三弗化
硼素、塩化亜鉛、四塩化路、四塩化チタンなどのフリー
ゾルタラフッ触媒の存在下、クロロメチルメチルエーテ
ル、クロロメチルエチルエーテルなどのハロアルキルエ
ーテルによりハロアルキル化し、次いで必要に応じて第
４級アンモニウム塩、ホスホニウム塩の存在下、臭化カ
リウム、沃化カリウム、臭化ナトリウム、沃化ナトリウ
ムなどによりハロゲン交換反応を行う。

ハロアルキル化する際のハロアルキルエーテルは、反応
系の溶媒としても使用することができ、通常、重合体の
濃度が１〜５０重量％となるように使用する。その際、
ハロアルキル化に対して不活性である溶媒で希釈しても
よい。また、フリーゾルタラフッ触媒の使用量は、重合
体を構成する単量体単位１モルに対して０．０１〜１モ
ルが一般的である。更に、ハロアルキル化反応を行う際
の温度は一１０〜４０℃が好ましい。

ハロアルキル化終了後、通常は反応を停止するために触
媒を分解するが、これには反応系に水を添加する方法が
一般的である。反応系に水を添加する場合には、水をジ
オキサンなどの有機溶媒と混合して添加することもでき
る。

上記方法（１）および（２）において上記の単量体と共
重合可能な単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸
エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル
酸グリシジルなどの（メタ）アクリル酸エステル、２−
ビニルピリジン、４−ビニルピリジンなどの前記以外の
芳香族ビニル化合物、ブタジェン、イソプレンなどの共
役ジエン化合物、無水マレイン酸、酢酸ビニルなどの不
飽和エチレン化合物を挙げることができる。

本発明のレジストは、安定剤などの添加剤を加えること
ができる。安定剤としては、例えばヒドロキノン、メト
キシフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２．２′
−メチレンビス（６−ｔ　−ブチル−４−エチルフェノ
ール）などのヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン、
ｐ−トルキノン、ｐ−キシロキノンなどのキノン類、フ
ェニル−α−ナフチルアミン、ｐ、ｐ’−ジフェニルフ
ェニレンジアミンなどのアミン類、ジラウリルチオジプ
ロピオナート、４，４−チオビス（６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノール）、２．２’−チオビス（４−メチ
シバ６−ｔ−ブチルフェノール）、２−　（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニリノ）−４，６−ビ
ス（Ｎ−オクチルチオ）−δ−トリアジンなどの硫黄化
合物などが挙げられる。これらの添加量は、通常、０３
５〜５重量％程度である。

本発明のＸ線レジストは、通常、キシレン、エチルベン
ゼン、トルエンなどの石油留分、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタンなどの塩素系溶媒、メチルイソブチル
ケトン、セロソルブアセテートなどの極性溶媒に溶解さ
せた形で取り扱われる。この場合のレジストの濃度は、
−概に規定できないが、塗布した場合の膜厚に対応して
決められ、一般には５〜３０重量％の溶液として用いら
れる。

実施例 次に本発明を実施例により更に詳細に説明する。

実施例１ 内容積１００ｍｎのガラスアンプル内を窒素で置換し、
窒素気流下にシクロヘキサン１５．３ｇ。

ｐ−メチルスチレン１１．８ｇ、ｐ−クロロメチルスチ
レン１５．６ｇおよびアゾビスイソブチロニトリル０．
０１ｇを入れ、アンプルを封じた。

次いで、アンプルを湯浴に浸漬し震盪した。

１２時間震盪した後、取り出して重合率を測定したとこ
ろ、６０％であった。

この反応溶液を２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ　−クレゾ
ールを含むメタノール中に入れ、重合体を回収し、４０
℃で１６時間、減圧乾燥した。このようにして得られた
重合体のゲルパーミェーションクロマトグラフィー（以
下ｒＧＰＣＪという）によって測定した数平均分子量は
、２０Ｘ１０’であり、分子量分布は２．５であった。

上記により得られた重合体の塩素含量を求めたことろ１
４．３％であった。また、得られた重合体のＩＨ核磁気
共鳴スペクトル（以下、単にｒ　’Ｈ−ＮＭＲＪという
）を求めたところ、δ＝４．５ｐｐｎ＋に芳香環に付い
た塩化メチル基のプロトンの吸収が観察され、全繰り返
し構造単位中のｐ−クロロメチルスチレンの繰り返し構
造単位とｐ−メチルスチレンの繰り返し構造単位の割合
がおのおの５５％と４５％であることが分かった。

上記により得られた生成物をキシレンに溶解して固形分
濃度が８．８重量％の溶液とし、この溶液を０．７μｍ
の熱酸化層のついたシリコンウェーハ上に回転塗布し、
９０℃の循環式クリーンオーブンで３０分間熱処理した
後、膜厚を測定したところ、ウェーハ上に０９８μｍの
塗膜が形成されていた。このウェーハをアルゴン気流下
で線源をパラジウムとするＸ線（主波長；Ｌα、４．４
人）照射装置を用いて０．７μｍのマスクを通して照射
した後、セロソルブアセテートで１分間現像し、メチル
エチルケトン／イソプロパツール（１：　１）混合溶液
を用いて１分間リンスした。

この結果、５５ｍＪ／ｃｄの照射エネルギーで０．８μ
ｍのパターンがマスクに忠実に解像できることが分かっ
た。

更に、このパターンを、平行平板型ドライエツチング装
置によって、エツチングガスとしてＣＦ。

１０、（９５１５容量比）混合ガスを用い、出力１００
Ｗ、ガス圧１０Ｐａで処理し、耐ドライエツチング性を
調べたところ、レジストのエツチング速度は、ポリメタ
クリル酸メチルでの速度の０．３５倍であり、良好な耐
ドライエツチング性の結果が得られた。

比較例１ 実施例１と同様の方法でｐ−メチルスチレン９．４ｇお
よびｐ−クロロメチルスチレン３．１ｇを重合した。１
２時間震盪した後、取り出して重合率を測定したところ
、６５％であった。

実施例１と同様の方法で数平均分子量を求めたところ、
２１Ｘ１０’であった。また、塩素含量は、５．１重量
％、全繰り返し構造単位中のｐ−クロロメチルスチレン
の繰り返し構造単位とｐ−メチルスチレンの繰り返し構
造単位の割合がおのおの１８％と８２％であることが分
かった。

上記で得られた重合体を用い、実施例１と同様の条件で
シリコンウェーハに塗布膜を形成し、パラジウムを線源
とするＸｖＡを照射したところ、１６０ｍＪ／ｃ＋ａＯ
Ｘ線照射エネルギーでようやく１．０μｍのパターンを
解像することができた。

実施例２ 内容積２１の四つ目丸底フラスコに磁気攪拌子を入れ、
系内を窒素置換し、窒素気流下にシクロヘキサン３２０
ｇおよびスチレン３１．２ｇを入れ、系内を均一溶液と
した後、内温を６０℃に保った。次いでこの溶液に窒素
気流下に、ｎ−ブチルリチウムの０．５０モル／ｌシク
ロヘキサン溶液０１５ｍ１を加えて重合を開始させた。

６０分後に重合率は９９％になった。この反応溶液をメ
タノール中に入れて重合体を回収し、４０℃で１６時間
、減圧乾燥した。

このようにして得られた重合体１４．０ｇおよびクロロ
メチルメチルエーテル１４４ｍｌを窒素置換したｌｌ丸
底フラスコに入れ、磁気攪拌子を入れて攪拌し均一な溶
液とした。

次に水浴に入れて撹拌下、内温を０℃に保ちながら、２
．０モル／ｌの四塩化錫のクロロメチルメチルエーテル
溶液を１５分間で６．’Ｉｍ１滴下した。更に、１２０
分間攪拌を続けた後、ジオキサン／水＝１／１　　（容
量比）混合溶液を５０ｍ１加えて反応を停止させた。

次いで、反応溶液をメタノール中に入れて重合体を回収
し、更にメタノールで洗浄後、４０℃で１６時間、減圧
乾燥した。このようにして得られた重合体のＧＰＣによ
って測定した数平均分子量は、３０Ｘ１０’であり、分
子量分布は１．２であった。また、得られた重合体の’
Ｈ−ＮＭＲを分析したところ、原料の重合体に認められ
るδ＝１．８ｐｐｍ付近のメチン基の水素に由来するピ
ークには変化がなく、δ＝４．５ｐｐｍ付近に核置換の
クロロメチル基の水素に由来するピークが新たに認めれ
た。このことから、重合体のベンゼン環にクロロメチル
基が導入されていることが分かった。−Ｉ　Ｈ−Ｎ　Ｍ
　Ｒを解析し、重合体のベンゼン環のクロロメチル化率
を測定したところ、６２％であった。

上記で得られた重合体を用い、実施例１と同様の条件で
シリコンウェーハに塗布膜を形成し、パラジウムを線源
とするＸ線を照射したところ、３７　ｍ　Ｊ　／　ｃｊ
の照射エネルギーで０．６μｍレジストパターンがマス
クに忠実に解像されていた。

このパターンを実施例１と同様の方法でレジストのエツ
チング速度を調べたところ、ポリメタクリル酸メチルで
の速度の０．３６倍であり、良好な耐ドライエツチング
性の結果が得られた。

発明の効果 本発明のレジストは、高ハロゲン含量で、かつその有す
る特定の構造、分子量とあいまって、主波長が５人未満
の範囲にあるＸ線、例えばパラジウム（Ｌα；４．４人
）、ロジウム（Ｌα；４．６人）などをＸ線源とするＸ
線に対し、従来のレジストと同様に高感度で不溶化し、
しかも従来のものに比し極めてコントラストの優れたレ
ジストパターンを得ることが可能である。

従って本発明は、高感度で、ドライエツチングに対し高
い耐性を有し、かつ解像度が格段に改善、され、コント
ラストの優れたレジストパターンが得られるレジストを
提供することができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・（
   I ） （式中、Ａｒ＾１はハロアルキル基を有する芳香族炭化
   水素基を示し、Ｒは水素原子またはアルキル基を示す。 ）で示される繰り返し構造単位、および下記一般式（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・（
   II） （式中、Ａｒ＾２は芳香族炭化水素基を示し、Ｒは一般
   式（ I ）と同じである。）で示される繰り返し構造単
   位を有し、総ハロゲン含量が１０〜４０重量％であり、
   標準ポリスチレン換算数平均分子量が８，０００〜１，
   ５００，０００である重合体からなることを特徴とする
   主波長が５Å未満のＸ線を照射することによって潜像を
   形成させるためのレジスト。