JPS61187406A - 低電圧用カレントミラ−回路 - Google Patents
低電圧用カレントミラ−回路Info
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- JPS61187406A JPS61187406A JP60027383A JP2738385A JPS61187406A JP S61187406 A JPS61187406 A JP S61187406A JP 60027383 A JP60027383 A JP 60027383A JP 2738385 A JP2738385 A JP 2738385A JP S61187406 A JPS61187406 A JP S61187406A
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- JP
- Japan
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- transistor
- collector
- current source
- diode
- voltage
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野]
本発明は集積回路化に適し、かつ低電圧で使用できる低
電圧用カレントミラー回路に関する。
電圧用カレントミラー回路に関する。
[j!!明の技術的背景とその問題点]音響機器などの
特にボータプル形に使用される集積回路にあっては年々
低電圧かが進み、最近では、1.5v、すなわち、乾電
池1本で動作する回路が要求され、これに答えるものも
回路によっては実現し、現に電池1本で使用するラジオ
が市販されている。この様な電子機器に使用される集積
回路のもつとも基本となる回路構成の1つにカレントミ
ラー回路がある。
特にボータプル形に使用される集積回路にあっては年々
低電圧かが進み、最近では、1.5v、すなわち、乾電
池1本で動作する回路が要求され、これに答えるものも
回路によっては実現し、現に電池1本で使用するラジオ
が市販されている。この様な電子機器に使用される集積
回路のもつとも基本となる回路構成の1つにカレントミ
ラー回路がある。
第3図は従来のカレントミラー回路の基本回路である。
すなわら、ベースを共通に接続したトランジスタQ+
、Q2 、それに定電流源1 inからなり、定電流源
I inは第4図に示すように抵抗R1、トランジスタ
Q3により構成されいる。しかしトランジスタQ3のエ
ミッタおよびコレクタがほぼ同電位となり、エミッタお
よびコレクタl!1llFi圧が確保できず、この様な
回路構成では低電源電圧化を図ることができなかった。
、Q2 、それに定電流源1 inからなり、定電流源
I inは第4図に示すように抵抗R1、トランジスタ
Q3により構成されいる。しかしトランジスタQ3のエ
ミッタおよびコレクタがほぼ同電位となり、エミッタお
よびコレクタl!1llFi圧が確保できず、この様な
回路構成では低電源電圧化を図ることができなかった。
そこで低電圧での駆動を実現するため、第5図に示すよ
うな構成のものが考えられていた。この回路ではトラン
ジスタQ1のコレクタ電位、すなわち、電流入力端子は
抵抗R2と電流源[eの電流I8との電圧降下により0
.7vより低くなり第4図に示すカレントミラー回路に
も適用できる。
うな構成のものが考えられていた。この回路ではトラン
ジスタQ1のコレクタ電位、すなわち、電流入力端子は
抵抗R2と電流源[eの電流I8との電圧降下により0
.7vより低くなり第4図に示すカレントミラー回路に
も適用できる。
ところが、第5図に示す構成のものは温度特性に問題が
あった。つまり通常SI!積回路にあってはバンドギャ
ップ電流源が使用されていることが多い。
あった。つまり通常SI!積回路にあってはバンドギャ
ップ電流源が使用されていることが多い。
そしてこの電流源Isの温度特性は正の温度特性を持っ
ている。またトランジスタQ+のベースおよびエミッタ
間電圧Vaεは負の濃度係数をもっている。この様なこ
とからトランジスタQ1のベースおよびエミッタ電圧V
EIE、抵抗R2を流れる電流を11とした時のトラン
ジスタQ1のコレクタおよびエミッタ間電圧VctはV
c E −V日E −R1・I1となる。この式の第1
項および第2項は上述したように逆の温度係数を持って
いることから、トランジスタQ+のコレクタおよびエミ
ッタljn’ill圧Vcεは大きな濃度係数を持って
いる。従って温度による変化幅の大きなものとなり、そ
れをなくすためには電流源■θの電流reをトランジス
タQIのベースおよびエミッタ間電圧VBEに比例した
ものとしな番プればならない。このため回路構成が複雑
なものとなり、ひいては低電圧源での駆動が困難なもの
となる。
ている。またトランジスタQ+のベースおよびエミッタ
間電圧Vaεは負の濃度係数をもっている。この様なこ
とからトランジスタQ1のベースおよびエミッタ電圧V
EIE、抵抗R2を流れる電流を11とした時のトラン
ジスタQ1のコレクタおよびエミッタ間電圧VctはV
c E −V日E −R1・I1となる。この式の第1
項および第2項は上述したように逆の温度係数を持って
いることから、トランジスタQ+のコレクタおよびエミ
ッタljn’ill圧Vcεは大きな濃度係数を持って
いる。従って温度による変化幅の大きなものとなり、そ
れをなくすためには電流源■θの電流reをトランジス
タQIのベースおよびエミッタ間電圧VBEに比例した
ものとしな番プればならない。このため回路構成が複雑
なものとなり、ひいては低電圧源での駆動が困難なもの
となる。
[発明の目的1
本発明は上記した欠点を除去した低電圧用カレントミラ
ー回路を提供する。
ー回路を提供する。
[発明の概要]
本発明の低電圧用カレントミラー回路は、たがいにベー
スが共通接続された第1および第2のトランジスタを有
し、この第1および第2のトランジスタの共通ベースと
入力側となる第のトランジスタのコレクタ間にレベルシ
フト用のダイオードを介挿接続するとともに前記第1お
よび第2のトランジスタの共通ベースに低N流源を接続
してなり、前記ダイオードのエミッタ面積を前記第1の
トランジスタよりも大とし、前記ダイオードの電圧降下
と第1のトランジスタのベースおよびエミッタ間電圧と
の差により、前記第1のトランジスタのコレクタおよび
エミッタra++電圧を与えてレベルシフトするように
したものである。
スが共通接続された第1および第2のトランジスタを有
し、この第1および第2のトランジスタの共通ベースと
入力側となる第のトランジスタのコレクタ間にレベルシ
フト用のダイオードを介挿接続するとともに前記第1お
よび第2のトランジスタの共通ベースに低N流源を接続
してなり、前記ダイオードのエミッタ面積を前記第1の
トランジスタよりも大とし、前記ダイオードの電圧降下
と第1のトランジスタのベースおよびエミッタ間電圧と
の差により、前記第1のトランジスタのコレクタおよび
エミッタra++電圧を与えてレベルシフトするように
したものである。
[発明の実施例〕
以下本発明の一実施例につき図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例を承り回路構成図、第2図は
本発明の他の実施例をよ示す回路構成図である。
本発明の他の実施例をよ示す回路構成図である。
すなわち、図において互いにベースが共通に接続された
トランジスタQl、Q2の共通ベースに定電流源11を
接続し、さらにこの定電流源11からダイオードQ3を
介して入力側となるトランジスタQ1のコレクタに接続
している。またI2は入力電流源でトランジスタQ+の
コレクタに供給している。またトランジスタQ2のコレ
クタと電源Vce間には出力抵抗R1それにこの抵抗R
に一ψ列に補正用の定電流源I3を介挿接続している。
トランジスタQl、Q2の共通ベースに定電流源11を
接続し、さらにこの定電流源11からダイオードQ3を
介して入力側となるトランジスタQ1のコレクタに接続
している。またI2は入力電流源でトランジスタQ+の
コレクタに供給している。またトランジスタQ2のコレ
クタと電源Vce間には出力抵抗R1それにこの抵抗R
に一ψ列に補正用の定電流源I3を介挿接続している。
ここでトランジスタ01には電流源11との電流11と
入力電流源I2からの入力電流I2を加えたII+12
の電流が流れるため、トランジスタQ2のコレクタに流
れる電流はf++Izとなる。しかし、抵抗Rに流れる
出力電流1oを入力電流■2と等しくするために補正用
の定電流源13から電流■3を流している。このため電
流源11と電流源I3の電流■3はr+=r3に設定す
る。またトランジスタQ1のベースおよびコレクターに
挿入したダイオードQ3とトランジスタQ1のエミツタ
面積比はトランジスタQ3の方をN倍に設定しである。
入力電流源I2からの入力電流I2を加えたII+12
の電流が流れるため、トランジスタQ2のコレクタに流
れる電流はf++Izとなる。しかし、抵抗Rに流れる
出力電流1oを入力電流■2と等しくするために補正用
の定電流源13から電流■3を流している。このため電
流源11と電流源I3の電流■3はr+=r3に設定す
る。またトランジスタQ1のベースおよびコレクターに
挿入したダイオードQ3とトランジスタQ1のエミツタ
面積比はトランジスタQ3の方をN倍に設定しである。
ところでトランジスタQ1のコレクタに印加する入力電
圧VinはトランジスタQ1のエミッタおよびコレクタ
間電圧Vcε1に等シイ。従ツTV+N=Vc E I
−V8 E I −V。
圧VinはトランジスタQ1のエミッタおよびコレクタ
間電圧Vcε1に等シイ。従ツTV+N=Vc E I
−V8 E I −V。
E 3−VrAn ([2+I+ > ・N/r+
トfニル。
トfニル。
但しVOEIはトランジスタQ1のベースおよびエミッ
タ間電圧、Veε3はダイオードQ3のベースおよびエ
ミッタ間電圧である。そこで11−I2とし、N=10
0とするとVCEI÷120mVとなる。また出力端子
OUTに出力する出力電流をIoとしたときの入出力の
関係はIo=[1+r2となる。
タ間電圧、Veε3はダイオードQ3のベースおよびエ
ミッタ間電圧である。そこで11−I2とし、N=10
0とするとVCEI÷120mVとなる。また出力端子
OUTに出力する出力電流をIoとしたときの入出力の
関係はIo=[1+r2となる。
以上のことからトランジスタQIのコレクタ電圧は電流
源12およびItが温度特性を持たなければ全体として
温度特性を持たないこととなる。
源12およびItが温度特性を持たなければ全体として
温度特性を持たないこととなる。
そしてこれは一般に使用される温度特性の極めて小さい
バンドギャップ電流源により可能である。
バンドギャップ電流源により可能である。
また第1図に示す実施例では補正用の電流源■コを設け
たが、第2図に示すようにダイオードトランジスタを定
電流源■1とトランジスタQ2のコレクタ間に挿入する
ことにより、トランジスタQ4を介してトランジスタQ
2のコレクタに流しこむことで電流源■3と同様の効果
を有する。
たが、第2図に示すようにダイオードトランジスタを定
電流源■1とトランジスタQ2のコレクタ間に挿入する
ことにより、トランジスタQ4を介してトランジスタQ
2のコレクタに流しこむことで電流源■3と同様の効果
を有する。
[発明の効果]
以上記載したように本発明の低電圧用カレントミラー回
路によれば、カレントミラーを構成する入力側のトラン
ジスタのコレクタに低7【5流源から接続したダイオー
ドのエミッタ面積を入力側のトランジスタのエミッタ面
積より大きくしたことだけにより、低電圧の入力を可能
とし、温度特性の向上を計ることができる。
路によれば、カレントミラーを構成する入力側のトラン
ジスタのコレクタに低7【5流源から接続したダイオー
ドのエミッタ面積を入力側のトランジスタのエミッタ面
積より大きくしたことだけにより、低電圧の入力を可能
とし、温度特性の向上を計ることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第2図は
本発明の他の実施例をよ示す回路構成図、第3図および
第4図はそれぞれ従来の回路構成図、第5図は他の従来
の回路構成図である。 Q+ 、Q2・・・トランジスタ Q3・・・・・・・・・・・・ダイオード11・・・・
・・・・・・・・低電流源12・・・・・・・・・・・
・入力電流源代理人弁理士 須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
本発明の他の実施例をよ示す回路構成図、第3図および
第4図はそれぞれ従来の回路構成図、第5図は他の従来
の回路構成図である。 Q+ 、Q2・・・トランジスタ Q3・・・・・・・・・・・・ダイオード11・・・・
・・・・・・・・低電流源12・・・・・・・・・・・
・入力電流源代理人弁理士 須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 互いにベースが共通接続された第1および第2のトラン
ジスタを有し、この第1および第2のトランジスタの共
通ベースと入力側となる第1のトランジスタのコレクタ
間にレベルシフト用のダイオードを介挿接続するととも
に前記第1および第2のトランジスタの共通ベースに低
電流源を接続してなり、前記ダイオードのエミッタ面積
を前記第1のトランジスタよりも大とし、前記ダイオー
ドの電圧降下と第1のトランジスタのベースおよびエミ
ッタ間電圧との差により、前記第1のトランジスタのコ
レクタおよびエミッタ間電圧を与えてレベルシフトした
ことを特徴とする低電圧用カレントミラー回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60027383A JPS61187406A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 低電圧用カレントミラ−回路 |
KR1019860000360A KR900001169B1 (ko) | 1985-02-14 | 1986-01-21 | 전류 미러회로 |
US06/828,701 US4647840A (en) | 1985-02-14 | 1986-02-12 | Current mirror circuit |
DE19863604530 DE3604530A1 (de) | 1985-02-14 | 1986-02-13 | Stromspiegelschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60027383A JPS61187406A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 低電圧用カレントミラ−回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61187406A true JPS61187406A (ja) | 1986-08-21 |
JPH0367366B2 JPH0367366B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12219524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60027383A Granted JPS61187406A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 低電圧用カレントミラ−回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4647840A (ja) |
JP (1) | JPS61187406A (ja) |
KR (1) | KR900001169B1 (ja) |
DE (1) | DE3604530A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3545039A1 (de) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh | Spannungsbegrenzungsschaltung |
JPH065493B2 (ja) * | 1986-02-25 | 1994-01-19 | 株式会社東芝 | 定電流供給回路 |
US4975632A (en) * | 1989-03-29 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Stable bias current source |
US5502406A (en) * | 1995-03-06 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | Low power level shift circuit and method therefor |
US6885239B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mobility proportion current generator, and bias generator and amplifier using the same |
DE10219003B4 (de) * | 2002-04-27 | 2004-07-08 | Xignal Technologies Ag | Stromspiegel für eine integrierte Schaltung |
US20050263021A1 (en) | 2004-05-31 | 2005-12-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Platemaking method for lithographic printing plate precursor and planographic printing method |
US7522002B2 (en) * | 2007-01-04 | 2009-04-21 | Atmel Corporation | Biasing current to speed up current mirror settling time |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53139163A (en) * | 1977-05-12 | 1978-12-05 | Toshiba Corp | Constant voltage generator circuit |
JPS5639608A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Hitachi Ltd | Current miller circuit |
US4297646A (en) * | 1980-01-25 | 1981-10-27 | Motorola Inc. | Current mirror circuit |
US4329639A (en) * | 1980-02-25 | 1982-05-11 | Motorola, Inc. | Low voltage current mirror |
JPS5767447A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-24 | Kazufumi Kachi | Cutting and winding device in toilet paper winder |
US4414502A (en) * | 1981-07-20 | 1983-11-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Current source circuit |
JPS6033717A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Toshiba Corp | カレントミラ−回路 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60027383A patent/JPS61187406A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-21 KR KR1019860000360A patent/KR900001169B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-02-12 US US06/828,701 patent/US4647840A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-13 DE DE19863604530 patent/DE3604530A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3604530C2 (ja) | 1988-07-28 |
DE3604530A1 (de) | 1986-08-21 |
KR900001169B1 (ko) | 1990-02-27 |
KR860006870A (ko) | 1986-09-15 |
US4647840A (en) | 1987-03-03 |
JPH0367366B2 (ja) | 1991-10-22 |
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