JPS61176934A - フオトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクブランクの製造方法Info
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- JPS61176934A JPS61176934A JP60016976A JP1697685A JPS61176934A JP S61176934 A JPS61176934 A JP S61176934A JP 60016976 A JP60016976 A JP 60016976A JP 1697685 A JP1697685 A JP 1697685A JP S61176934 A JPS61176934 A JP S61176934A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
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- G—PHYSICS
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- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はフォトマスクブランクの製造方法に係り、特に
スパッタリングにより透明基板上に可視光での透過率の
高い窒化クロムと酸化クロムの２種を主成分とする薄膜
層を形成するシースルーマスクブランクの製造方法に関
する。
スパッタリングにより透明基板上に可視光での透過率の
高い窒化クロムと酸化クロムの２種を主成分とする薄膜
層を形成するシースルーマスクブランクの製造方法に関
する。
（従来技術）
ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路装置の製造など、種々
の′広範囲な用途に用いられ℃いるフォトマスクの中で
、マスクパターンを半透明層で形成したシースルーマス
クと呼ばれるものがある。このシースルーマスクは、通
常の遮光パターンを有−ｊるマスクパターンによっては
、遮光パターンと位置合せマークとが重なった場合に位
置合せが困難となることから、遮光パターンとして、可
視光は通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さない
半透四重な用いたものである。
の′広範囲な用途に用いられ℃いるフォトマスクの中で
、マスクパターンを半透明層で形成したシースルーマス
クと呼ばれるものがある。このシースルーマスクは、通
常の遮光パターンを有−ｊるマスクパターンによっては
、遮光パターンと位置合せマークとが重なった場合に位
置合せが困難となることから、遮光パターンとして、可
視光は通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さない
半透四重な用いたものである。
上述のシースルーブランクとしては特開昭５７−１４７
６３４号によって提案されたように、透明基板上に窒素
を含む雰囲気中でスパッタリングなどの手段により、ク
ロムの窒化物からなる薄膜を形成したものが知られてい
る。
６３４号によって提案されたように、透明基板上に窒素
を含む雰囲気中でスパッタリングなどの手段により、ク
ロムの窒化物からなる薄膜を形成したものが知られてい
る。
しかしながらこの提案によるスパッタリングの被膜は窒
化クロム膜のみで形成されているため、可視光領域にお
ける透過率が３〜５％と非常に小くなる欠点があった。
化クロム膜のみで形成されているため、可視光領域にお
ける透過率が３〜５％と非常に小くなる欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、可視光の
透過率の高いフォトマスクブランクの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
透過率の高いフォトマスクブランクの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
（発明の構成）
すなわち、本発明は、透明基板上にスパッタリ蔽
ングにより感光性レジストの感光領域の光を遮騨する薄
膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法において
、ターゲットとして金属クロムを用い、少なくともアル
ゴン等の不活性ガス、窒素カスおよび分子中に酸素原子
を有する酸化性ガスの三成分を含むガス雰囲気下でスパ
ッタリングを行なうことを特徴とするフォトマスクブラ
ンクの製造方法である。
膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法において
、ターゲットとして金属クロムを用い、少なくともアル
ゴン等の不活性ガス、窒素カスおよび分子中に酸素原子
を有する酸化性ガスの三成分を含むガス雰囲気下でスパ
ッタリングを行なうことを特徴とするフォトマスクブラ
ンクの製造方法である。
（発明の詳細な
説明は、スパッタリングにより透明基板上にシースルー
マスクに適する薄膜を形成するものであり、スパッタリ
ングの選択的条件につき、さらに説明すると、酸化性ガ
スとしては、分子中に酸素原子を有するものであって、
具体的には酸素ガス（０，）、炭酸ガス（Ｃｏｔ）、一
酸化炭素（ＣＯ）等が適当である。これらの三成分のガ
ス雰囲気の適当なモル比は、得られる薄膜の物性、やス
パッター状態が良好であること等の要請から、アルゴン
ガス等の不活性ガスｌに対して窒素ガスが１〜５、酸化
性ガスが０，０５〜０．５程度の範囲ということができ
る。
マスクに適する薄膜を形成するものであり、スパッタリ
ングの選択的条件につき、さらに説明すると、酸化性ガ
スとしては、分子中に酸素原子を有するものであって、
具体的には酸素ガス（０，）、炭酸ガス（Ｃｏｔ）、一
酸化炭素（ＣＯ）等が適当である。これらの三成分のガ
ス雰囲気の適当なモル比は、得られる薄膜の物性、やス
パッター状態が良好であること等の要請から、アルゴン
ガス等の不活性ガスｌに対して窒素ガスが１〜５、酸化
性ガスが０，０５〜０．５程度の範囲ということができ
る。
スパッタリングの際のガス全圧は１．６〜２．４ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒ程度が良く、スパッタリング方式が直
流マグネトロン方式の場合は、放電電流１〜５Ａ、放電
電圧が３００〜５００■の範囲に設定した。
１０−５Ｔｏｒｒ程度が良く、スパッタリング方式が直
流マグネトロン方式の場合は、放電電流１〜５Ａ、放電
電圧が３００〜５００■の範囲に設定した。
（実施例）
以下、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法な
一実施例につき説明する。
一実施例につき説明する。
直流マグネトロンスパッター装置によりＩＣフォトマス
ク用ガラス基板にＡｒ＋Ｎ２＋ＣＯ，の雰囲気中で種々
の条件でスパッターした結果、下表に示す条件において
可視光領域の分光透過率が２０％になることを見出した
。
ク用ガラス基板にＡｒ＋Ｎ２＋ＣＯ，の雰囲気中で種々
の条件でスパッターした結果、下表に示す条件において
可視光領域の分光透過率が２０％になることを見出した
。
全 圧： １．８−２．２ＸＩＯ’ｆ：ｏｒｒ放
電電流：３Ａ 放電電圧： ４７０Ｖ ガスモル比Ａｒ：Ｉ Ｎ、＝２ Ｃｏ、： ０．１５ 上記のスパッター条件によってＡｒ十Ｎｔ＋ ＣＯ，の
雰囲気中でガラス基板上にクロムをスパッターすると、
窒化クロムと酸化クロムの混合物の薄膜が形成された。
電電流：３Ａ 放電電圧： ４７０Ｖ ガスモル比Ａｒ：Ｉ Ｎ、＝２ Ｃｏ、： ０．１５ 上記のスパッター条件によってＡｒ十Ｎｔ＋ ＣＯ，の
雰囲気中でガラス基板上にクロムをスパッターすると、
窒化クロムと酸化クロムの混合物の薄膜が形成された。
第１図Ｋ、こうして得られたフォトマスクブランクの分
光透過率の変化を示す。
光透過率の変化を示す。
なお、ガラス基板上の薄膜の厚さは２０００オングスト
ロームである。図中Ａは、本発明によるフォトマスクブ
ランクを示し、Ｂは従来のアルゴンガ、ス〜窒素ガス雰
囲気でスパッターしたマスクブランクの分光透過率を示
す。図から明らかなように、本発明のフォトマスクブラ
ンクは可視光領域特に波長５５０〜７００ｍ１において
透過率が２０％程度と高く、位置合わせアラインメント
適性が良好であることがわかる。しかも、感光性レジス
トの感光領域の紫外線領域では十分な遮光性を示した。
ロームである。図中Ａは、本発明によるフォトマスクブ
ランクを示し、Ｂは従来のアルゴンガ、ス〜窒素ガス雰
囲気でスパッターしたマスクブランクの分光透過率を示
す。図から明らかなように、本発明のフォトマスクブラ
ンクは可視光領域特に波長５５０〜７００ｍ１において
透過率が２０％程度と高く、位置合わせアラインメント
適性が良好であることがわかる。しかも、感光性レジス
トの感光領域の紫外線領域では十分な遮光性を示した。
またこのフォトマスクブランクは通常のクロム系腐食液
に対して均一な腐食特性を示し、フォトマスクとしても
非常にシャープなパターンが得られた。さらにまた窒化
クロムに酸化クロムを混合したため、窒化クロムのみの
場合忙比べて腐食速度を高め、表面反射率を低くする効
果もある。
に対して均一な腐食特性を示し、フォトマスクとしても
非常にシャープなパターンが得られた。さらにまた窒化
クロムに酸化クロムを混合したため、窒化クロムのみの
場合忙比べて腐食速度を高め、表面反射率を低くする効
果もある。
（発明の効果）
本発明によれば、スパッタリングのガスとして少なくと
もアルゴン等の不活性ガス、窒素ガスおよび酸化性ガス
の三成分系を用いたので、ガラス基板上に窒化クロムと
酸化クロムの混合物からなる薄膜を形成したものである
から、可視光の透過率を著るしく高くすることができ、
良好なフォトマスクブランクを得ることができる。
もアルゴン等の不活性ガス、窒素ガスおよび酸化性ガス
の三成分系を用いたので、ガラス基板上に窒化クロムと
酸化クロムの混合物からなる薄膜を形成したものである
から、可視光の透過率を著るしく高くすることができ、
良好なフォトマスクブランクを得ることができる。
第１図は、本発明により得られるフォトマスクブランク
および従来のフォトマスクブランクの分光透過率を示す
グラフ図である。
および従来のフォトマスクブランクの分光透過率を示す
グラフ図である。
Claims (5)
- （１）透明基板上にスパッタリングにより感光性レジス
トの感光領域の光を遮蔽する薄膜を形成するフォトマス
クブランクの製造方法において、ターゲットとしてクロ
ムを用い、少なくともアルゴン等の不活性気体、窒素ガ
スおよび分子中に酸素原子を有する酸化性ガスの三成分
を含むガス雰囲気下でスパッタリングを行なうことを特
徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - （２）酸化性ガスが、酸素ガス、炭酸ガス、一酸化炭素
から選択される少なくとも一種である特許請求の範囲第
１項記載のフォトマスクブランクの製造方法。 - （３）ガス雰囲気が、モル比で不活性ガス１に対して、
窒素ガス１〜５、酸化性ガス０．０５〜０．５である特
許請求の範囲第１項または第２項記載のフォトマスクブ
ランクの製造方法。 - （４）スパッタリングのガス全圧が１．６〜２．４×１
０＾−＾５Ｔｏｒｒである特許請求の範囲第１項記載の
フォトマスクブランクの製造方法。 - （５）スパッタリングが直流マグネトロン方式であり、
放電電流１〜５Ａ、放電電圧が３００〜６００Ｖである
特許請求の範囲第１項記載のフォトマスクブランクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016976A JPS61176934A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | フオトマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016976A JPS61176934A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | フオトマスクブランクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176934A true JPS61176934A (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=11931096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016976A Pending JPS61176934A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | フオトマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1130466A2 (en) * | 2000-02-16 | 2001-09-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| EP1241524A2 (en) | 2001-02-13 | 2002-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS6033557A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子線露光用マスク素材の製造方法 |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60016976A patent/JPS61176934A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| KR20010088332A (ko) * | 2000-02-16 | 2001-09-26 | 카나가와 치히로 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법 |
| EP1130466A3 (en) * | 2000-02-16 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| EP1241524A2 (en) | 2001-02-13 | 2002-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
| EP1241524A3 (en) * | 2001-02-13 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
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