JPS61174650A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、竪固な配線取付構造を有する半導体装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来の半導体装置の断面構造を示す斜視図であ
る。この図において、１は半導体素子形成に用いられる
半導体基板である。２はこの半導体基板１上に形成され
た電極である。３はこの電極２と接合されている配線で
ある。・４は前記半導体基板１と配線３を電気的に分離
する絶縁膜である。

第４図（ａ）〜（ｄ）は第３図の従来の半導体装置の加
工方法を順、なおって示した図である。５は前記絶縁膜
４の除去すべき部分を形成するために用いられる塗布感
光液である。

従来の半導体装置は上記のように構成され、その加工方
法は、たとえは半導体基板１上に、第４図（ａ）のよう
にリンゲラフィブロセスを使用して。

電極２を形成する。亀＆２を形成後、全面に絶縁膜４を
形成する。

次に第４図（ｂ）のように配１ｗ３と電極２との接合部
分をつくるために、絶縁膜４上に塗布感光液５を絶縁膜
４の除去部分を除いて塗布する。その後、第４図＜ｅ＞
のようＫ例えば異方性エツチング技術などを用い、絶縁
膜４の一部分を除去し、電極２と配線３との接合部分と
なる穴をあげる。蛾後に第４図（ｄ）のように配線３を
絶縁膜４上に形成し、電極２との接合をとる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のよ５な従来の半導体装置では、電極２上の絶縁１
［４部分に段差を生じ１次の配線３を形成すると、配線
３のくびれ、断線を発生してしまい、また多層配線を行
う場合、この段差が上層の配線にも、くびれ、断線を発
生してしまうなどという問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、配線３のくびれ、断線を生じない平坦化構造を持
つ半導体装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明Ｋかかる半導体装置は半導体基板と電極上の、
全面に形成された絶縁膜を電極上と電極周辺部のみ除去
し、電極周辺部の絶縁膜を除去した部分に塗布絶縁膜を
充填して平坦部を構成口。

この平坦部に配線を設ける構造としたものである。

〔作用〕

この発明においては塗布絶縁膜は、゛塗布することによ
り穴、みぞ等に入り込み、高温処理することで熱誠化や
気相成長方式等によつ工形成される絶縁膜と同等の絶縁
耐圧をもつ膜となる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施的による半導体装置の断面構
造を示す斜視図で、１〜４は第３図の従来例と同一のも
のであり、第２図（ａ）〜（・）は第１図の半導体装置
を加工プロセスのＪｉａＫ示した断面図で、５は電極２
周辺の絶縁膜４を、異方性エツチングなどで除去するた
めに用いられる塗布感光液、６は前記電極２周辺の絶縁
膜４の除去後の溝を埋めるための塗布絶縁膜である。

上記のように構成された半導体装置においては。

その加工方法として、第２図（＆）に示すように。

半導体基板１上を金属層で覆い、リングラフィプル七ス
な用いて電極２を形成する。この後、半導体基板１の表
面全面を絶縁膜４で覆い、第２図（ｂ）のように、除去
部分以外に塗布感光液５を塗布し亀１に２上と、その周
辺絶縁膜をリングラフィプルセスを経て後、たとえは異
方性ドライエツチングにより除去する。この状−が第２
図（ｃ）である。

このとき、［ｉｋ２と絶縁膜４に使用する材料はエツチ
ング用ガスに対するエツチングＶ−）が違うこととする
。加えて、電極２より絶縁膜４が朝するエツチングガス
に対するエツチングＶ−）は高い。次に、第２図（ｄ）
のように絶縁膜４が除去されて形成された溝を埋め、半
導体基板１上を平坦化するため、塗布絶縁膜６を使用す
る。塗布絶縁膜６は、通常、溶液状態であり、高温処理
を行５と凝固し、絶縁膜を形成する特徴をもつ溶液であ
る。このため、凸凹な表面に塗布すると溝や穴などに入
り込み、この部分を埋めることができる。

当然、塗布絶縁膜６を塗布後、半導体基板１を高温処理
し、塗布絶縁膜６を凝固しておく。この状態が第２図（
ｄ）である。最後に第２図（ｅ）Ｋ示すよ５に、　リン
グラフイプジセスを用いて、配線３を形成し、’＊電極
とＷ！続する。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、半導体基板上の電極周
辺にお１する絶縁膜の除去部分Ｋｍ塗布絶縁膜充填して
平坦部を構成し、この平坦部に配縁を設けて、この配線
と電極とをｆｆ１Ｉ絖したので、上層の配線と電極のコ
ンタクト部分で、配線のくびれ、所縁を生じないだけで
なく、多層配線を行う場合、凸凹がすくなくでき、上層
の配縁も、くびれ、断線が生じＫ＜くなる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の断面構
造を示す斜視図、第２図（ａ）〜（・）は第１図の半導
体装置の加工プロセスな順に示した断面図、第３図は従
来の半導体装置の断面構造を示す斜視図、第４図（ａ）
〜（ｄ）は従来の半導体装置の加工プロセスを順に示し
た断面図である。 図において、１は半導体基板、２は劃１３は配線、４は
絶縁膜、５は墓布感元液、６は塗布絶縁膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または和尚部分を示す。 代塩入　大巻　増ＪｌｋＣ外２名） 第１図 １：半ｌ！４板 ２：を掻 ６：里％舵林咲 第２図 １５：塗布歪虎液 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に形成された絶縁膜のうち電極上と電極
   周辺における絶縁膜を除去し、この電極周辺の絶縁膜を
   除去した部分に塗布絶縁膜を充填して平坦部を構成し、
   この平坦部に配線を設けて、この配線と前記電極とを接
   続したことを特徴とする半導体装置。