JPS61174138A - 光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光ファイバ特にシングルモードファイバの製造
方法に係わる。

（従来の技術） 光ファイバは、中心部に屈折率の高い活性領域と、その
周辺を取シま〈該活性領域よりも屈折率の低い非活性領
域から形成される。このような光ファイバの製造方法と
しては、従来よシ種々の方法が開発され実用に供されて
おり、例えば、Ｍ−Ｃ’ｌＤ法（Ｍｏ１ｆｌｅｄ　Ｃｈ
ｅｍｌｃａｌ　ｖａｐｏｒＤｅｐｏｓｌｔｌｏｎ　　内
付けｃｖｎ法）、ＷＡＤ法（Ｖ’ａｐｏｒＰｈａｓ＠Ａ
ｘｌａｌ　Ｄｅｐｏｓｌｔｌｏｎ　Ｍ＠ｔｈｏｄ気相軸
付は法）、ｏｖ’ｎ法（０ｕｔｓｌａｅ　Ｖａｐｏｒ　
Ｄｒｐｏｓｌｔｌｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ外付は法）等がそ
の代表例である。これらの製造方法において、活性領域
を構成する材料としては、主として８１ｏｇ　／　Ｇ・
０３系ガラスが用いられ、非活性領域構成材料としては
主として８１０．が用いられている。

ところで、光は活性領域において集中伝送され、この部
分の材料としては、最も光損失の小さな材料、即ちＳｔ
Ｏ，を用いるのがむしろ理想的である。一方、非活性領
域の屈折率は活性領域のそれよ）も小さくする必要があ
るため、ＳｔＯ。

に添加剤としてＢ、Ｏ，、ＩＦ等屈折率低下用ドーパン
トを加える。光７アイパの用途によってはＢ、０３を使
用することもできるが、長波長帯すなわち１　ｐｍ以上
の光を伝送する場合には、Ｂ−０ボンド存在による遠赤
外領域での光吸収のために１使用が好ましくない場合が
ある。その点において、光ファイバの使用波長帯では特
別な吸収ピークのないアは、添加剤として理想的である
。

従って、活性領域は主としてＳｔＯ，を、非活性領域は
主として８１０２　／　Ｆ系ガラスを用いて、屈折率を
調整することが好ましい。このようなファイバ構造とし
ては、例えば特公昭５５−１５６８２号公報に詳細に記
載されている。

また上記構造のファイバを製造する方法としては、例え
ば石英棒の周囲に熱プラズマによって、ｒを添加した石
英ガラスを、半径方向くガラス状態にて堆積する方法、
石英棒のまわシに、ｒを添加した石英微粉末を半径方向
に堆積させ、これを焼結しガラス母材とする方法、およ
びＭ−ｃｖｎ法により、石英管内面にまず１を添加した
石英ガラス層を堆積せしめて非活性領域に相当する部分
を作った後、無添加の石英ガラス層を堆積し、ついで中
空部をつぶして中実な棒としてガラス母材とする方法等
がある。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の熱プラズマによる方法では、石英
棒と、積層する１添加の石英との間の汚染および、１添
加石英自体のＯＨ基による汚染によって、充分に低損失
の光ファイバを得ることは困難である。を九石英棒のま
わシに火炎加水分解法によシ１添加ガラス微粉末をつけ
てゆく方法では、石英棒表面に最初から吸着されている
水分および、火炎加水分解法によシ１添加ガラス微粉末
を堆積させるときに石英棒表面からのＯＨ基の侵入（微
粉末の水分はとれやすいか、ガラス表面から入る水分を
取ることは極めて困難である。）により、やはシ充分に
低損失の光ファイバは得難い。Ｍ−ＯＶＤ法によれば比
較的特性の良いファイバを得ることができるが、生産性
に乏しいという欠点があった。、本発明は、以上に述べ
た従来の製法が有する０１１　基による光ファイバの特
性の劣化および生産性の低さという問題を克服した、活
性領域が主として石英、非活性領域が弗素を添加した石
英ガラスからなる光ファイバを得ることのできる全く新
規な光ファイバ用母材の製造方法を提供することを目的
とする。

（問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、中心孔を有し、半径方向にがさ密度
分布を有する多孔質母材を、弗素又は弗素を含む雰囲気
中にさらして加熱することによシ、半径方向に屈折率分
布を有する透明ガラス母材を得ることを特徴とする光フ
ァイバ用母材の製造方法、である。

本発明の特に好ましい実施態様としては、上記の方法に
おいて長手方向一対向して、互の一端が隣り合うように
配置された２本の種棒の隣接する付近より多孔質母材を
形成し、該多孔質母材の種棒長手方向成長とともに少く
とも一方の種棒を該長手方向に移動せしめることにより
形成される、中心孔を有し、半径方向にかさ密度分布を
有する多孔質母材を、弗素又は弗素を含む雰囲気中にさ
らして加熱することによシ、半径方向に屈折率分布を有
する透明ガラス母材を得ることがあげられる。

以下本発明の方法について詳細に説明する。

本発明者らは石英への弗素添加のメカニズムについて鋭
意研究の結果、以下の如き知見を得た。すなわち、弗素
を添加された石英の屈折率ｎは石英のそれより小さくな
るが、この時の石英の屈折率に対する減少率を百分率に
て表したものを１戊１とすると、１−１は下記（１）式
にて与えられる。

ここで１Ｆ日ＩＰＩＩは雰囲気ガスとしてｓ−ｙ＠を用
ｔｎた場合の８Ｆ、ガスの分圧、Ｒはボルツマン定数（
１，９８７ｃｌＬ”ｄｅｇ＊ｍｏｌ　）、およびＴは雰
囲気の絶対温度を表す。

（１）式によればし鵠１は雰囲気温度に対して極めて敏
感であることがわかる。

第１図は、火炎加水分解反応により生成せしめた石英微
粉末を、温度条件を変えながら、分圧α０２の８Ｆｇ雰
囲気中に３時間曝し、次いで雰囲気中からｓｙ−を除去
し、温度１６５０℃、Ｈｅ１ＧＧ容量チ雰囲気にて該石
英微粉末を透明化して得た、弗素添加ガラスの、石英に
対する屈折率の低下率（チ）を示す。この場合のカサ密
度は約０３であった。なお図中の○印は、８１Ｆｇを含
む雰囲気中で各温度条件で処理し、１６５０℃で透明ガ
ラス化した場合に得られたガラスの屈折率低下率の実験
値である。なおグラフ中’Ｉ’　（Ｃ）は温度を、１ｏ
ａ／　Ｔ　（’Ｋ）は絶対温度の逆数を示す。

ことで石英に対する弗素の添加率は、下記の化学式（２
）に従う可逆反応である。

４８１０！　＋　８Ｐ＠　＃４８１０１．５　ｙ＋ｓｏ
、ｙ、　　　＋＊＋（２）（−）　　（ｇ）　　　（−
）　　　（ｇ）Ｓ：固体 ｇ：気体 上記（２）弐において、反応の右辺への進行の程度は、
（１）式によってきまる（ｙ添加量はすなわち４８１０
．．５１Ｆの生成量であって、これは（１）式により決
まる）が、このことはほぼ雰囲気温度により決定される
ことを意味する。すなわち、弗素の石英への添加の度合
は（１）式でもわかるように濃度依存性と共に著しい温
度依存性を持っている。

次に、弗素の石英への添加量は、石英微粉末のかさ密度
に依存する。第２図に、石英微粉末のかさ密度と比屈折
率差１．Ｍ（Ｆ）Ｉ　　との関係を示す。これは、温度
１２００℃、Ｂ１＃の分圧α０２（残はＨｅ　）　　の
炉中に、かさ密度の異なる石英の多孔質母材（石英微粉
末の集ったもの）を３時間入れた後、１６５０℃で透明
ガラス化した後に、石英の屈折率に対する屈折率変化を
測定したものを示す。

第２図から明らかなように、同じ温度、時間、８１Ｆ＠
分圧雰囲気中に曝しても、多孔質母材のかさ密度によっ
て、添加される弗素量には大きな差が生じる。すなわち
弗素添加量は、著しいかさ密度依存性を持つことがわか
る。

ところで、多孔質母材の脱水性、すなわち、一定の脱水
剤を含むある温度雰囲気に多孔質母材をさらし、該多孔
質母材をさらに高温で透明ガラス化した場合の残留ＯＨ
量は、多孔質母材のかさ密度に大きく依存し、かさ密度
が高いほど残留ＯＨ量の多いことはよく知られている。

したがって、石英多孔質母材への適切な弗素添加を行う
ためには、特に、温度、がさ密度の選択と共に１脱水の
方法についても考慮する必要がある。

本発明者らは以上の諸点を考慮し、残留。■量が極めて
少なく実質的に石英を活性領域とし、弗素が添加された
石英を非活性領域とする、伝送損失の極めて小さな光フ
ァイバの製法に到達した。

以下、具体的に説明するが、以下に述べる方法及び実施
例は、あくまで本発明の例示にすぎず、また各図におけ
る各部の位置、相対的配置関係、大きさ、形状等はこれ
に限定されるものではないことは、言うまでもない。

第３図は本発明に係わる多孔質母材形成の方法を説明す
る図である。図中３−１は引き上げ用種棒、５−２は下
部種棒、３−４は内層用トーチであり、高かさ密度多孔
質母材（以下内層多孔質母材という）３−６を形成する
。３−５は外層用トーチであり、低かさ密度多孔質母材
（以下外層多孔質母材という）５−７を形成する。内層
、外層各トーチ３−４．３−５には、少くとも■雪を含
む可燃性ガス、０．および５ＩＯ１４等の、化学反応に
より８１０．を生じる原料等が供給される。なお、内層
用トーチでは、かさ密度を高くするため火炎の温度が外
層用トーチよシ高く々つている。内１外層各トーチ５−
４および３−５の出口の火炎中で加水分解反応が起こり
、ＥｉｌＯ，微粒子が形成され、該微粒子は夫々内層お
よび外層多孔質母材３−６および５−７となって長手方
向に成長してゆく。５−８．５−９は多孔質母材に付着
しなかった８１０鵞粒子等を排気する排気管であり、５
−１０は系全体を覆うマツフルである。

さて、多孔質母材形成の出発時には、引き上げ上種棒３
−１は、下部種棒３−２と隣接状態にあり、この状態で
まず内層用トーチ３−４によって、内層多孔質母材３−
６を形成する。多孔質母材はその成長とともに回転しな
がら上部に引き上げられてゆく。なお、下部種棒は、下
部に位置は固定されているが、引上げ用種棒とほぼ同じ
回転速度で自由に回転し得るようになっており、多孔質
母材成長とともに下部種棒が抜けてゆく状態となる。し
たがって、そのあとに多孔質母材中心部に中心孔３−１
１ができる。

なお下部種棒は回転可能ではあるが、必ずしも引上用種
棒とともに回転させなくてもよい。

以上の方法によシ、内外層を有する多孔質母材を長手方
向に形成することができる。なお、多孔質母材の把持を
よくするため、引き上げ用種棒の先端を３−３のように
加工したものを用いてもよい。

本発明方法に用いる引上げ用種棒として、例えば石英管
、また下部種棒としては例えばアルミナ、ジルコニア棒
等が用いられるが、これ等に限定されるものではない。

通常行われている方法では、細長い一本の出発棒の上に
、半径方向に多孔質母材を形成し、その後多孔質母材か
ら該出発棒を引きぬく方法がとられるが、この従来法で
は多孔質母材が長尺になると出発棒が引き抜き難くなシ
、引き抜きの際に多孔質母材が破壊されたり、中心孔表
面に傷がついたりして長尺の母材を得るのが難かしいと
いう欠点がある。

しかし、本発明の方法は、長手方向に対向して互の一端
が隣接するように配置された２本の種棒の該隣接部分付
近より、ガラス微粒子の集合体よりなる多孔質母材を形
成し、該多孔質母材の長手方向成長とともに、少なくと
も一方の種棒をその長手方向に移動せしめることにより
、中心孔を有し、半径方向にがさ密度分布を有する多孔
質母材を製造するので、上記の従来法の欠点は解消され
、長尺の内外層を有する多孔質母材を得ることができる
。

なお、内層多孔質母材３−６のかさ密度を調整するため
、トーチ３−４だけでなく、図示されていないが加熱の
ためのトーチを用いてもよいし、その他の補助加熱手段
を用いてもよい。

次に以上のようＫして得られた多孔質母材に、弗素添加
、脱水、焼結を行う本発明方法の１例につき述べる。

第４図は、脱水及び弗素添加の一実施態様を説明する図
である。４−１は加熱炉であシ、多孔質母材４−２を加
熱する。４−３はマツフル、４−５は雰囲気ガスの排気
孔である。引上げ用種棒をそのインレット４−６を通し
て、非弗素の脱水ガス及び希釈ガス、例えばＣ４及びＨ
ｅ等を流入せしめる。また、マツフル４−３の下部よジ
インレット４−４を通じて、Ｐ富ガス又は高温で分解し
て弗素となる気体化合物及び希釈−ガス並びに場合によ
れば０４など脱水ガスを流入せしめる。

このとき、多孔質母材４−２の下部をあらかじめ閉じて
おくと、多孔質母材の内層の脱水に関してよシ有効であ
るが、開口しておいてもかまわない。

この状態で、引き上げ用種棒を、回転しながら引き下し
、加熱炉４−１の高温部を、該多孔質母材４−２が通過
するようＫしてやる。表お、適当な速度で多孔質母材を
引き下すととＫよシ高温部を通過する多孔質母材の断面
内温変分布を適当に調整することが可能である。このよ
うＫ、内層多孔質母材はＣＩ４等の脱水ガスに常時直接
さらされておシ、かつ多孔質母材の下部を閉じることＫ
よシ、加圧して脱水ガスを内層多孔質母材に送ることも
可能となり、脱水が極めて効果的に行われる。

即ち、中心孔を有しない多孔質母材の場合、中心部分に
高かさ密度の部分、その周辺に低かさ密度の部分がある
が、この場合、脱水の困難な部分が多孔質母材の中心に
存在することになり、多孔質母材の周辺より侵入するＣ
Ｉ４等の脱水ガスによってしか脱水されない。本発明の
方法では多孔質母材に中心孔があり、この中心孔附近が
高かさ密度であるため、上述したようＫ　　・直接脱水
ガスに常時さらされ、かつまた多孔質母材の下部を閉じ
ることにより、中心孔の一方の開口部より脱水ガスを圧
力により強制侵入せしめることによって、脱水効果がさ
らに高まるととＫなる。

以上により、かさ密度の高さによる脱水効果の低減とい
う問題が克服できる。

一方、多孔質母材外部より弗素が浸入し、外層多孔質母
材への弗素添加が有効に行われる。

すなわち、内層多孔質母材は、殆んど弗素雰囲気にさら
されず、さらに、かさ密度が高いために弗素添加が殆ん
ど起らず、かつ、前述の如く脱水が効果的に行われるた
め、低損失でかつ、所定の屈折率分布が得られる。

効果的な脱水と、弗素添加量の温度依存性を更に効果的
に行う他の実施態様を以下に述べる。

第４図の構成において、多孔質母材４−２の中心孔の下
方を開放しておき、まず第１ステツプとしてインレット
４−４及び４−６よシ、脱水ガスと希釈ガスを流しなが
ら、多孔質母材４−２を加熱炉４−１の高温部を通過せ
しめる。

このときインレット４−６を通すガスの流量は極めて小
さくシ、中心孔が冷却され々いように注意する。多孔質
母材４−２が加熱炉４−１を全部通過し終って後、母材
を炉の上部に−たん引上げる。

次に第２ステツプとして、インレット４−６から以前よ
りも大きい流速で、脱水ガスと希釈ガスを流し、かつイ
ンレット４−４から弗素添加用ガスおよび希釈ガスおよ
び必要に応じて脱水ガスからなる混合ガスを流入せしめ
る。このとき、インレット４−４から流入されるガスが
中心孔に入らないようにインレット４−６に流入させる
ガスの流速をより大きくする必要がある。との状態で、
再び多孔質母材を引き下げ、加熱炉高温部を通過させる
。

かくすることＫよシ、第１ステツプで脱水が行われ、第
２ステツプで中心孔付近が冷却されることによる弗素添
加抑制効果が可能となり、効果的な弗素添加及び脱水が
共に行われることに表る。

第５図は、本発明方法によシ、脱水及び弗素添加された
多孔質母材４−２′を、焼結して透明ガラス化する方法
の１例を示すものである。多孔質母材４−２′をマツフ
ル４−３の上部に引上げ、加熱炉４−１の温度を上昇せ
しめる。所定の温度に到達後、インレット４−４より■
・　を主体とするガスを流しながら、引上げ用種棒３−
１を回転しながら下降せしめる。かくすることにより、
多孔質母材４−２′は全体に透明化し、半径方向に屈折
率分布のついた透明母材となる。

なお、多孔質母材４−２′を透明化しながら、引き上げ
用種棒３−１から■・　ガスを流してもよい。また中心
孔が大きく孔が閉じＫ〈い場合には、引き上げ用種棒３
−１から真空引きを行ってもよい。かくすることＫよシ
、多孔質母材４−２′中に残留していたｃ４ガスが完全
に排気され、気泡のない透明母材が得やすくなる。

以上詳述した、本発明の多孔質母材の脱水、弗素添加及
び焼結の方法は、これを要するに１中心孔を有し半径方
向にかさ密度分布を有する多孔質母材を、少なくとも弗
素を含む化合物ガス含有雰囲気中にさらし、しかる後こ
れを透明化して、半径方向に屈折率分布を有する透明母
材を得ることを特徴とするものである。

なお弗素含有ガスとして、上記では８１Ｆ＠を例に述べ
たが、これに限らず、例えば８１１Ｐ４．００！４’ｌ
’＊、ｃ　ｃｔＩＦ、、ＳＯＷ、、８ｅｌＦｇ、ｃｙ４
、ｍ、ｙ、　Ｆ、ｌｉ、　　等を用いることもできる。

（実施例） 以下、本発明の方法の実施例について述べる。

実施例１ 直径５ｆａの中心孔を有し、外径１１　Ｑ＋ｗの多孔質
母材をａｒｃｔ４を原料として第３図に示す方法にて作
製した。内層多孔質母材の厚さは約１露、かさ密度は１
．５　ｆ　／　ａｍ　”であった。また外層多孔質母材
すかさ密度は約０．５　？　／　５１　”であった。

該多孔質母材の下端を閉じ、温度１２００℃の加熱炉の
中へ入れ、炉内雰囲気ガスとして、マツフル内にＳｉＦ
４、Ｈｅ５ｃ４の混合ガスを５ｔ／−１また引上げ用種
棒よ’）　Ｃｋ、”の混合ガスをｌ０ＣＣ／−で流しな
がら、２　ｔｍ　／　ｍ　（Ｄ速度で多孔質母材を加熱
炉内に挿入した。

次いで多孔質母材を引き上げて、炉温を１６３０℃にし
、マツフル内雰囲気としてＨｅ　　を５ｔ／−流し、か
つ引上げ用種棒よシ真空に引いて、多孔質母材を２露／
−の速度で加熱炉内に挿入し、全体を透明化した。得ら
れた母材の外径は約４０■であった。

該母材に石英管をかぶせて縮径線引し、活性領域外径約
１０ｐｍ、外径１２５μｍのファイバを得た。得られた
ファイバの屈折率差は１３チ、減衰量は１．３μｍの波
長において、１８ｄＢ／ｋｍであった。

実施例２ 直径５ｍの中心孔を有し、外径的１１０■の多孔質母材
をｅｔｃ４を原料として第５図に示す方法で作製した。

内層多孔質母材の厚さは約１雪、かさ密度は１．５ｔ／
ｅｘ”、また外層多孔質母材のかさ密度は約αＳｔ／ａ
ｍ”であった。

該多孔質母材を温度１２５０℃の加熱炉の中へ入れ、炉
内雰囲気ガスとしてＨｅ１Ｃ１４の混合ガスを５ｔ／−
また先端開口した多孔質母材に引上げ用種棒よシＨｅ１
Ｃ１４の混合ガスを２０ＣＣ／−で流しながら３　ｗｍ
　／―の速度で多孔質母材を加熱炉内に挿入した。

次に全体の雰囲気を流量５ｔ７−〇Ｈｅ　　のみとし、
多孔質母材をマツフル上部に引き上げ、炉内温度を１６
５０℃にし、多孔質母材の開口端を閉じるためしばらく
その状態に留めたのち、２−／―の速度にて炉内に挿入
し、全体を透明化した。得られた母材の外径は約４０■
であった。

該母材に石英管をかぶせて縮径線引し、活性領域外径的
１０ＰＷ＠、外径１２５μ惰のファイバを得た。得られ
たファイバの屈折率差はＩＩＬ３ｔｓ１また減衰量は１
．５μｍの波長においてＱ、　５　ａＢ／ｉであった。

以上の実施例の結果から明らかなごとく、得られたファ
イバは石英に弗素が適切に添加され伝送損失が極めて小
さく、残留ＯＨ基量も少ないことがわかる。

〔発明の効果〕

本発明の光ファイバ用母材の製造方法は、中心孔を有し
、半径方向にがさ密度分布を有する多孔質母材を用いる
ことにより、下記の利点を有する。

■　高かさ密度部分が直接脱水用ガスにさらされるため
、中心孔のない母材では脱水困難であった、該高かさ密
度部分の脱水が効果的に行われる。

■　多孔質母材への弗素添加量の温度依存性及びかさ密
度依存性という性質を巧みに利用することにより、弗素
添加が効率良く行え、理想的な低損失光ファイバ用母材
が得られる。

■　従来法による中心孔を有する多孔質母材の製法では
出発棒の引き抜きが困難で長尺母材を得難かったが、本
発明は多孔質母材成長と同時に糧棒が順次抜かれてゆく
ため、上記の困難はなく、長手方向に均一な寸法及びか
さ密度分布を有する長尺の母材を得ることができる。

以上のように、本発明は低損失で長手方向に均一な長尺
の光ファイバ用母材を容易に得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は石英への弗素の添加率と温度条件との関係を示
すグラフ、第２図は石英微粉末への゛　弗素添加率と該
石英微粉末のかさ密度との関係を示すグラフ、第３図な
いし第５図は本発明の実施態様例を説明４であって、第
３図は多孔質母材の形成方法、第４図は該多孔質母材の
脱水および弗素添加の方法、第５図は多孔質母材を焼結
、透明ガラス化する方法を示す。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）中心孔を有し、半径方向にかさ密度分布を有する
   多孔質母材を、弗素又は弗素を含む雰囲気中にさらして
   加熱することにより、半径方向に屈折率分布を有する透
   明ガラス母材を得ることを特徴とする光ファイバ用母材
   の製造方法。
2. （２）長手方向に対向して、互の一端が隣り合うように
   配置された２本の種棒の隣接する付近より多孔質母材を
   形成し、該多孔質母材の種棒長手方向成長とともに少く
   とも一方の種棒を該長手方向に移動せしめることにより
   形成される、中心孔を有し、半径方向にかさ密度分布を
   有する多孔質母材を、弗素又は弗素を含む雰囲気中にさ
   らして加熱することにより、半径方向に屈折率分布を有
   する透明ガラス母材を得ることを特徴とする光ファイバ
   用母材の製造方法。
3. （３）多孔質母材が実質的に石英微粉末からなる特許請
   求の範囲第（１）項または第（２）項に記載の光ファイ
   バ用母材の製造方法。
4. （４）かさ密度分布は中心孔をとりまく部分のかさ密度
   がその他の部分よりも大きくなつている特許請求の範囲
   第（１）項、第（２）項または第（３）項記載の光ファ
   イバ用母材の製造方法。
5. （５）多孔質母材の中心孔には非弗素系脱水ガスを含む
   ガスを流し、多孔質母材外周は弗素又は弗素を含む高温
   雰囲気中にさらす特許請求の範囲第（１）項、第（２）
   項、第（３）項または第（４）項記載の光ファイバ用母
   材の製造方法。
6. （６）非弗素系脱水ガスが塩素又は塩素を含む化合物ガ
   スである特許請求の範囲第（５）項記載の光ファイバ用
   母材の製法。
7. （７）弗素を含む高温雰囲気がＳｉＦ＿４、ＣＣｌ＿２
   Ｆ＿２、ＣＣｌＦ＿３、ＳｉＦ＿２、ＳＦ＿６、ＳｅＦ
   ＿６、ＣＦ＿４、Ｎ＿３Ｆ、Ｆ＿２Ｎ＿４のうちの少な
   くとも一つを含有する特許請求の範囲第（５）項記載の
   光ファイバ用母材の製造方法。