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JPS61156779A - 発光表示装置用電極部材の製造方法 - Google Patents

発光表示装置用電極部材の製造方法

Info

Publication number
JPS61156779A
JPS61156779A JP59274620A JP27462084A JPS61156779A JP S61156779 A JPS61156779 A JP S61156779A JP 59274620 A JP59274620 A JP 59274620A JP 27462084 A JP27462084 A JP 27462084A JP S61156779 A JPS61156779 A JP S61156779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display device
electrode member
lead
light emitting
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59274620A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Takeshita
篤史 竹下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59274620A priority Critical patent/JPS61156779A/ja
Publication of JPS61156779A publication Critical patent/JPS61156779A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は発光表示装置用電極部材の製造方法に係り、特
に反射効率を上げるために頂部に反射板構造(凹部)を
有する素子配置用リードの製造方法に関する。
[発明の技術的背景] 一般に、発光表示装置に於いては、各発光素子の発光効
率を高めるため及び発光素子の接着性を高めるため、さ
らにはボンディング性を上げるために、リードに部分的
にめっき処理が施されている。
すなわち、第8図に示すようなコイル状に巻かれた例え
ば銅(Cu)fi母材11を使って、順送型プレス加工
法により、連続的にプレス成形し、その後、素子配置用
リードの凹部(マウント面及び光反射面)と、ボンディ
ングワイヤ接続用リードの先端部(ボンディング面)に
例えば銀(AQ)のめつき処理を施していた。
[背景技術の問題点] 前述のように、従来の場合、反射構造を有するリードの
製造には、材料をプレス加工して成形した後、めっき処
理を施す方法が採用されていた。
従って、リードフレームをプレス加工後短尺の状態とし
、この状態でめっき処理する必要があり、このため製造
工程が複雑となる欠点があった。その上、プレス加工後
のめつき処理であるため、作業性が悪く、また運搬の際
等に変形など起こし易いため取扱いにも十分な注意が必
要であった。また、光沢めっきを施す場合、従来添加材
を使用していたが、このような方法ではめっきが不安定
となり、不良品がでる確率が高かった。
[発明の目的] 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、工程を簡素化できると共に、反射効率の良い反射面が
得られる発光表示装置用電極部材の製造方法を提供する
ことにある。
[発明の概要] 本発明は、頂部に発光素子を配置するための凹部を有す
る素子配置用リードと、この素子配置用リードに対応す
るボンディングワイヤ接続用リードからなる発光表示装
置用電極部材の当該素子配置用リードの凹部を形成する
方法に於いて、リード形成用素材の凹部を形成する側に
のみめっき処理を施した後、そのめっき処理面にプレス
加工を行ない、凹部を形成させるものである。
[発明の実施例] 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
1図は発光表示装置用リードを形成するために用いられ
る例えば銅(Cl)で形成されたコイル状のプレス加工
用素材21を示すものである。
このプレス加工用素材21には、あらかじめ素子配置用
リードの凹部(マウント面及び反射面)を形成する側の
端面にのみ例えば銀(AQ)のめつき22処理が施され
る。その後、このプレス加工用素材21は、第2図に示
すように展開されてめっき22処理部を含む端面部に凹
部を形成するようにプレス加工される。その結果、第3
図に示すようなリードフレーム23が得られる。第4図
はその一部を拡大して示すものである。すなわち、素子
配置用リード24の頂部には素子配置用の凹部25が形
成され、この凹部25にはマウント面25a及びその周
囲に光反射面25bが形成されている。一方、この素子
配置用リード24にはボンディングワイヤ接続用リード
26が対向配置されている。上記素子配置用リード24
の凹部25の全面すなわちマウント面25a及び光反射
面25b1またボンディングワイヤ接続用リード26の
上端のボンディング面26aにはめつき22が施されて
いる。
上記方法に於いては、 (1)予め凹部25を形成する側の端面部にめっき22
処理を施した素材を用いることができる。従って、めっ
き22処理面をそのまま利用してプレス加工を行なうと
、マウント面25a及び光反射面25bを有する凹部2
5を形成させることができる。すなわち、従来のような
プレス加工後の煩雑なめつき処理が不要であり、従来工
程に比べて製造工程が簡素化される。
(2めっき処理後、プレス加工を施すため、光反射面2
5bには、プレス加工による加工光沢をもたせることが
できる。従って、従来のような添加剤を使用することな
く、発光素子からの射出光を効率良く反射させることが
できるので品質が向上する。
■ プレス加工前にめっき作業を行なうため、各′リー
ドの変形を防止する効果も得られる。
(イ) 凹部25を形成する側の端面にのみめっき処理
された母材を用いるため、従来方法よりもめっき金属を
節約することができる。
上記実施例に於いては、プレス加工用素材21の端面部
に凹部25を形成するタイプのものについて説明したが
、プレス加工用素材の表面の一側部に凹部を形成するタ
イプの場合には、第5図乃至第7図に示すように、プレ
ス加工用素材21の片面の一側部にのみめっき22処理
を施し上記実施例と同様の工程を行なえばよい。
[発明の効果] 以上のように本発明の製造方法によれば、従来工程に比
較して工程が簡素化されると共に、反射効率の良い反射
面を有し、品質の向上した発光表示装置用電極部材を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の一実施例に係る発光表示装
置用電極部材の素材を示すもので、第1図は巻回図、第
2図は展開図、第3図は同発光表示装置用電極部材のフ
レーム状態を示す斜視図、第4図は第3図の一部を拡大
して示す斜視図、第5図は本発明の他の実施例に係る発
光表示装置用電極部材の素材を示す展開図、第6図は同
電極部材のフレーム状態を示す斜視図、第7図は第6図
の一部を拡大して示す斜視図、第8図は従来の発光表示
装置用電極部材の素材を示す斜視図である。 21・・・プレス加工用素材、22・・・めっき、24
・・・素子配置用リード、25・・・凹部、25a・・
・マウント面、25b・・・光反射面、26・・・ボン
ディングワイヤ接続用リード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 頂部に発光素子を配置するための凹部を有する素子配置
    用リードと、この素子配置用リードに対応するボンディ
    ングワイヤ接続用リードからなる発光表示装置用電極部
    材の当該素子配置用リードの凹部を形成する方法に於い
    て、リード形成用素材の凹部を形成する側にのみめつき
    処理を施す工程と、前記めつき処理面にプレス加工を行
    ない、凹部を形成させる工程とを具備したことを特徴と
    する発光表示装置用電極部材の製造方法。
JP59274620A 1984-12-28 1984-12-28 発光表示装置用電極部材の製造方法 Pending JPS61156779A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59274620A JPS61156779A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 発光表示装置用電極部材の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

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JP59274620A JPS61156779A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 発光表示装置用電極部材の製造方法

Publications (1)

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JPS61156779A true JPS61156779A (ja) 1986-07-16

Family

ID=17544259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59274620A Pending JPS61156779A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 発光表示装置用電極部材の製造方法

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JP (1) JPS61156779A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0381652U (ja) * 1989-12-08 1991-08-21
JPH0563238A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
WO2011158811A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012023355A (ja) * 2010-06-15 2012-02-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 高反射率化させためっき皮膜を有するled用部品材料およびled用部品
JP2012028757A (ja) * 2010-06-23 2012-02-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012033919A (ja) * 2010-07-09 2012-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0381652U (ja) * 1989-12-08 1991-08-21
JPH0563238A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
WO2011158811A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012023355A (ja) * 2010-06-15 2012-02-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 高反射率化させためっき皮膜を有するled用部品材料およびled用部品
CN102844897A (zh) * 2010-06-15 2012-12-26 古河电气工业株式会社 光半导体装置用引线框架、光半导体装置用引线框架的制造方法以及光半导体装置
KR20130077811A (ko) * 2010-06-15 2013-07-09 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치
EP2584621A4 (en) * 2010-06-15 2015-12-16 Furukawa Electric Co Ltd PCB FOR AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING THE PCB FOR AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP2012028757A (ja) * 2010-06-23 2012-02-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2012033919A (ja) * 2010-07-09 2012-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置

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