JPH0730042A - 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0730042A JPH0730042A JP5173112A JP17311293A JPH0730042A JP H0730042 A JPH0730042 A JP H0730042A JP 5173112 A JP5173112 A JP 5173112A JP 17311293 A JP17311293 A JP 17311293A JP H0730042 A JPH0730042 A JP H0730042A
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3421—Leaded components
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リード先端面に半田フィレットが確実に形成
される半導体装置を得ること。 【構成】 予め外部リード５Ａの先端に当たる部分に上
方より溝６を形成したリードフレームＬａを用いるか、
または半田メッキ前に外部リード５Ｂの先端に当たる部
分に上方より溝１２を形成するという製造工程を経るこ
とにより、半導体装置Ｓａの外部リード先端上方面に半
田メッキ７されている部分を形成するように構成してい
る。 【効果】 各外部リードの先端の前記半田メッキ層７
と、配線基板上の半田ペースト１０とが引き合い、リー
ド先端面に半田フィレット１１を形成することができる
ので、両者の半田接続の確認作業が容易になると同時
に、接続強度が向上するという効果がある。
される半導体装置を得ること。 【構成】 予め外部リード５Ａの先端に当たる部分に上
方より溝６を形成したリードフレームＬａを用いるか、
または半田メッキ前に外部リード５Ｂの先端に当たる部
分に上方より溝１２を形成するという製造工程を経るこ
とにより、半導体装置Ｓａの外部リード先端上方面に半
田メッキ７されている部分を形成するように構成してい
る。 【効果】 各外部リードの先端の前記半田メッキ層７
と、配線基板上の半田ペースト１０とが引き合い、リー
ド先端面に半田フィレット１１を形成することができる
ので、両者の半田接続の確認作業が容易になると同時
に、接続強度が向上するという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置がプリン
ト配線基板上に良好に半田付けできるように構成した半
導体装置用リードフレーム、それを用いた複数のガルウ
ィング型外部リードを備えた半導体装置及びその製造方
法に関するものである。
ト配線基板上に良好に半田付けできるように構成した半
導体装置用リードフレーム、それを用いた複数のガルウ
ィング型外部リードを備えた半導体装置及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図７乃至図１１を用いて従来技術
の半導体装置用リードフレーム（以下、単に「リードフ
レーム」と記す）及びそれを用いた半導体装置及びその
製造方法を説明する。
の半導体装置用リードフレーム（以下、単に「リードフ
レーム」と記す）及びそれを用いた半導体装置及びその
製造方法を説明する。
【０００３】図７は従来技術の一素子単位のリードフレ
ームの平面図であり、図８は図７のリードフレームに半
導体チップを搭載し、モールド樹脂で封止した状態を示
した平面図であり、図９は図８に示した封止状態の半製
品の半導体装置からダムレジンとタイバーとを切除した
状態の、やはり半製品の半導体装置の平面図であり、図
１０は図９に示した半製品の半導体装置の複数の外部リ
ードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封止型半
導体装置の斜視図であり、そして図１１は図１０に示し
た樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板に半田付け
した状態の一部拡大断面図である。
ームの平面図であり、図８は図７のリードフレームに半
導体チップを搭載し、モールド樹脂で封止した状態を示
した平面図であり、図９は図８に示した封止状態の半製
品の半導体装置からダムレジンとタイバーとを切除した
状態の、やはり半製品の半導体装置の平面図であり、図
１０は図９に示した半製品の半導体装置の複数の外部リ
ードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封止型半
導体装置の斜視図であり、そして図１１は図１０に示し
た樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板に半田付け
した状態の一部拡大断面図である。
【０００４】先ず、図７に示した従来技術のリードフレ
ームから説明する。この種のリードフレームＬｂは、通
常、並行に離間して延在する２本のフレーム枠１と、こ
れらのフレーム枠１と吊りリード２によって連結された
ダイパッド３と、先端部分がダイパッド３の周辺部に近
接し包囲するように設けられ、かつタイバー４に支持さ
れた複数のリード５などで構成されている。
ームから説明する。この種のリードフレームＬｂは、通
常、並行に離間して延在する２本のフレーム枠１と、こ
れらのフレーム枠１と吊りリード２によって連結された
ダイパッド３と、先端部分がダイパッド３の周辺部に近
接し包囲するように設けられ、かつタイバー４に支持さ
れた複数のリード５などで構成されている。
【０００５】そして、通常、樹脂封止型半導体装置はこ
のような構成のリードフレームＬｂを用いて製造され
る。その製造方法を図８乃至図１０を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームＬｂのダイパッド３上に半導
体チップ（図示していない）をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード５の
内端部とをワイヤー（図示していない）で結線し、モー
ルド樹脂Ｍで半導体チップ、ダイパッド３、ワイヤー、
各リード５の内端部を封止する（図８）。
のような構成のリードフレームＬｂを用いて製造され
る。その製造方法を図８乃至図１０を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームＬｂのダイパッド３上に半導
体チップ（図示していない）をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード５の
内端部とをワイヤー（図示していない）で結線し、モー
ルド樹脂Ｍで半導体チップ、ダイパッド３、ワイヤー、
各リード５の内端部を封止する（図８）。
【０００６】次に、図９に示したように、リード加工の
第１の工程でダムレジン１３とタイバー４を切除し、そ
の次の工程でリードフレームＬｂの全表面に半田メッキ
を施した後（図示省略）、更に次の工程において、フレ
ーム枠１とリード５の先端部の切り離し及びリードの曲
げ加工を施し、樹脂封止型半導体装置Ｓｃを完成させて
いた（図１０）。
第１の工程でダムレジン１３とタイバー４を切除し、そ
の次の工程でリードフレームＬｂの全表面に半田メッキ
を施した後（図示省略）、更に次の工程において、フレ
ーム枠１とリード５の先端部の切り離し及びリードの曲
げ加工を施し、樹脂封止型半導体装置Ｓｃを完成させて
いた（図１０）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来のリードフ
レームＬｂ及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置Ｓｃ
の製造方法では、半田メッキ後に各リード５の先端部が
切り離されるため、図１０に示したように、その切断面
１４には半田メッキが施されていない。
レームＬｂ及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置Ｓｃ
の製造方法では、半田メッキ後に各リード５の先端部が
切り離されるため、図１０に示したように、その切断面
１４には半田メッキが施されていない。
【０００８】その結果、図１１に示したように、半田ペ
ースト１０を盛ったプリント配線基板９へ前記樹脂封止
型半導体装置Ｓｃを半田付けした際に、前記の各リード
先端の切断面１４に半田フィレット１１が形成されない
ことがしばしば見受けられた。
ースト１０を盛ったプリント配線基板９へ前記樹脂封止
型半導体装置Ｓｃを半田付けした際に、前記の各リード
先端の切断面１４に半田フィレット１１が形成されない
ことがしばしば見受けられた。
【０００９】一般に、半導体装置の外部リードとプリン
ト配線基板とが半田で確実に接続されているか否かを確
認するためには、リード先端面に半田フィレットが形成
されているか否かを確認しているため、前記のように半
田フィレットができない場合は、接続の確認作業が困難
であるという問題点があった。従って、この発明はリー
ド先端面に半田フィレットが確実に形成される半導体装
置を得ることを課題としたものである。
ト配線基板とが半田で確実に接続されているか否かを確
認するためには、リード先端面に半田フィレットが形成
されているか否かを確認しているため、前記のように半
田フィレットができない場合は、接続の確認作業が困難
であるという問題点があった。従って、この発明はリー
ド先端面に半田フィレットが確実に形成される半導体装
置を得ることを課題としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端面上方に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端面上方に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
【００１１】
【作用】従って、この半導体装置をプリント配線基板に
半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施され
ている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペース
トとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを形成
することができる。
半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施され
ている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペース
トとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを形成
することができる。
【００１２】
【実施例】図１乃至図４を用いて、この発明の第１の実
施例であるリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型
半導体装置を説明する。図１はこの発明の一素子単位の
リードフレームを示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図２
は図１のリードフレームに半導体チップを搭載し、モー
ルド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーとを
切除して半田メッキを施した状態の第１の実施例である
半製品の半導体装置を示していて、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図３は図２に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた第１の実
施例の半導体装置を示していて、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の一部拡大図であ
り、そして図４は図３に示した第１の実施例の半導体装
置をプリント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断
面図である。なお、図７乃至図１１に示した従来技術の
リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置などと同一の
部分には同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省略
する。
施例であるリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型
半導体装置を説明する。図１はこの発明の一素子単位の
リードフレームを示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図２
は図１のリードフレームに半導体チップを搭載し、モー
ルド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーとを
切除して半田メッキを施した状態の第１の実施例である
半製品の半導体装置を示していて、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図３は図２に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた第１の実
施例の半導体装置を示していて、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の一部拡大図であ
り、そして図４は図３に示した第１の実施例の半導体装
置をプリント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断
面図である。なお、図７乃至図１１に示した従来技術の
リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置などと同一の
部分には同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省略
する。
【００１３】図１に示した一素子単位のリードフレーム
Ｌａは、平行に離間して延在する２本のフレーム枠１
と、これらのフレーム枠１と吊りリード２によって連結
されたダイパッド３と、先端部分がダイパッド３の周辺
部に近接し包囲するように設けられ、かつタイバー４に
支持された複数のリード５Ａなどで構成されていて、外
部リードのリード先端に当たる部分に、予め上方より凹
型の溝６（図１Ｂ）を形成する。
Ｌａは、平行に離間して延在する２本のフレーム枠１
と、これらのフレーム枠１と吊りリード２によって連結
されたダイパッド３と、先端部分がダイパッド３の周辺
部に近接し包囲するように設けられ、かつタイバー４に
支持された複数のリード５Ａなどで構成されていて、外
部リードのリード先端に当たる部分に、予め上方より凹
型の溝６（図１Ｂ）を形成する。
【００１４】この溝６の深さはリードフレームＬａの厚
さによって変わってくるが、厚さ０．１２５ｍｍのリー
ドフレームの場合は０．０６〜０．０７ｍｍ程度とし
た。
さによって変わってくるが、厚さ０．１２５ｍｍのリー
ドフレームの場合は０．０６〜０．０７ｍｍ程度とし
た。
【００１５】このようなリードフレームＬａを用いて、
従来と同じ方法で樹脂封止型半導体装置Ｓａを製造す
る。つまり、ダイパッド３上に半導体チップ（図示して
いない）をダイボンドし、その半導体チップ表面に形成
された電極パッドと各リード５Ａの内端部とをワイヤー
（図示していない）で結線し、モールド樹脂Ｍで半導体
チップ、ダイパッド３、ワイヤー、リード５Ａの内端部
を封止し、リード加工の１工程でダムレジン１３とタイ
バー４とを切除する（図８参照のこと）。
従来と同じ方法で樹脂封止型半導体装置Ｓａを製造す
る。つまり、ダイパッド３上に半導体チップ（図示して
いない）をダイボンドし、その半導体チップ表面に形成
された電極パッドと各リード５Ａの内端部とをワイヤー
（図示していない）で結線し、モールド樹脂Ｍで半導体
チップ、ダイパッド３、ワイヤー、リード５Ａの内端部
を封止し、リード加工の１工程でダムレジン１３とタイ
バー４とを切除する（図８参照のこと）。
【００１６】そして、次の半田メッキ工程において、図
２のようにリードフレームＬａの全表面に半田メッキ７
を施す。この時、前記凹型の溝６にも半田メッキ７が施
されるため（図２Ｂ）、次のリード加工の工程におい
て、フレーム枠１とリード５Ａの先端部の切り離し及び
リード曲げを施されると、図３のように完成した樹脂封
止型半導体装置Ｓａの各リード５Ａの先端上方面８には
半田メッキ７が施されることになる。
２のようにリードフレームＬａの全表面に半田メッキ７
を施す。この時、前記凹型の溝６にも半田メッキ７が施
されるため（図２Ｂ）、次のリード加工の工程におい
て、フレーム枠１とリード５Ａの先端部の切り離し及び
リード曲げを施されると、図３のように完成した樹脂封
止型半導体装置Ｓａの各リード５Ａの先端上方面８には
半田メッキ７が施されることになる。
【００１７】この樹脂封止型半導体装置Ｓａを、図４に
示したように、半田ペースト１０が塗布されたプリント
配線基板９に半田付けすると、リード５Ａの先端上方面
８の半田メッキ７とプリント配線基板９上の半田ペース
ト１０とが引き合って半田フィレット１１が形成され
る。
示したように、半田ペースト１０が塗布されたプリント
配線基板９に半田付けすると、リード５Ａの先端上方面
８の半田メッキ７とプリント配線基板９上の半田ペース
ト１０とが引き合って半田フィレット１１が形成され
る。
【００１８】この実施例の溝６は凹型の溝で形成した
が、この溝は凹型でなくてもよく、Ｖ型でもよい。凹型
の溝はハーフエッチングで形成することができ、Ｖ型の
溝はＶノッチ加工で形成することができる。従って、こ
の発明のリードフレームＬａは、従来のリードフレーム
Ｌｂの製造工程を何ら変更することなく製造することが
できる。
が、この溝は凹型でなくてもよく、Ｖ型でもよい。凹型
の溝はハーフエッチングで形成することができ、Ｖ型の
溝はＶノッチ加工で形成することができる。従って、こ
の発明のリードフレームＬａは、従来のリードフレーム
Ｌｂの製造工程を何ら変更することなく製造することが
できる。
【００１９】次に、図５及び図６を用いて、第２の実施
例である半導体装置Ｓｂの製造方法を説明する。図５は
従来技術のリードフレームに半導体チップを搭載し、モ
ールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーと
を切除した状態の、この発明の第２の実施例である半製
品の半導体装置を示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図６
は図５に示した半製品の半導体装置の複数の外部リード
をガルウィング状に曲げて完成させた、この発明の第２
の実施例の半導体装置を示していて、同図Ａはその斜視
図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の一部拡大図で
ある。
例である半導体装置Ｓｂの製造方法を説明する。図５は
従来技術のリードフレームに半導体チップを搭載し、モ
ールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーと
を切除した状態の、この発明の第２の実施例である半製
品の半導体装置を示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であり、図６
は図５に示した半製品の半導体装置の複数の外部リード
をガルウィング状に曲げて完成させた、この発明の第２
の実施例の半導体装置を示していて、同図Ａはその斜視
図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の一部拡大図で
ある。
【００２０】この実施例では、従来のリードフレームＬ
ｂを用い、従来の製造方法にてモールド樹脂Ｍによる封
止までを行う（図面省略）。そして、次のリード加工の
第１の工程において、図５に示したように、ダムレジン
とタイバーの切除に加えて、リード５Ｂの先端に当たる
部分へ上方よりＶ型の溝１２を形成する加工を行う。こ
の溝１２は、リード加工の第１の工程の金型にＶノッチ
加工用のパンチを付加することにより形成できるので、
従来のリード加工技術で対応することができる利点があ
る。
ｂを用い、従来の製造方法にてモールド樹脂Ｍによる封
止までを行う（図面省略）。そして、次のリード加工の
第１の工程において、図５に示したように、ダムレジン
とタイバーの切除に加えて、リード５Ｂの先端に当たる
部分へ上方よりＶ型の溝１２を形成する加工を行う。こ
の溝１２は、リード加工の第１の工程の金型にＶノッチ
加工用のパンチを付加することにより形成できるので、
従来のリード加工技術で対応することができる利点があ
る。
【００２１】この後、リードフレームの全表面に半田メ
ッキを施せば、前記Ｖ型の溝１２にも半田メッキ７が施
されるので、更に次の工程において、フレーム枠１とリ
ード５Ｂの先端部の切り離し及びリード曲げを施すと、
図６に示したように完成した樹脂封止型半導体装置Ｓｂ
の各リード５Ｂの先端上方面８には半田メッキ７が施さ
れたことになる。従って、図４に示した半田付け状態と
同様に、或いはそれ以上に、この樹脂封止型半導体装置
Ｓｂをプリント配線基板９に良好に半田付けすることが
できる。
ッキを施せば、前記Ｖ型の溝１２にも半田メッキ７が施
されるので、更に次の工程において、フレーム枠１とリ
ード５Ｂの先端部の切り離し及びリード曲げを施すと、
図６に示したように完成した樹脂封止型半導体装置Ｓｂ
の各リード５Ｂの先端上方面８には半田メッキ７が施さ
れたことになる。従って、図４に示した半田付け状態と
同様に、或いはそれ以上に、この樹脂封止型半導体装置
Ｓｂをプリント配線基板９に良好に半田付けすることが
できる。
【００２２】前記各実施例では、ＳＯＰ型半導体装置を
例示して説明してきたが、この発明はそれに限定される
ものではなく、ＱＦＰ型半導体装置にも適用できること
は言うまでもない。
例示して説明してきたが、この発明はそれに限定される
ものではなく、ＱＦＰ型半導体装置にも適用できること
は言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、予め外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を
形成したリードフレームを用いるか、もしくは半田メッ
キ前に外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を形
成するという製造工程を経ることにより、半導体装置の
各外部リードの先端上方面に半田メッキされた部分を形
成することができる。
ば、予め外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を
形成したリードフレームを用いるか、もしくは半田メッ
キ前に外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を形
成するという製造工程を経ることにより、半導体装置の
各外部リードの先端上方面に半田メッキされた部分を形
成することができる。
【００２４】従って、この半導体装置をプリント配線基
板に半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施
されている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペ
ーストとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを
形成することができるので、外部リードとプリント配線
基板との半田接続の確認作業が容易になると同時に、接
続強度が向上するという効果がある。
板に半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施
されている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペ
ーストとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを
形成することができるので、外部リードとプリント配線
基板との半田接続の確認作業が容易になると同時に、接
続強度が向上するという効果がある。
【図１】 この発明の第１の実施例である一素子単位の
リードフレームを示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図である。
リードフレームを示していて、同図Ａはその平面図、同
図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図である。
【図２】 図１のリードフレームに半導体チップを搭載
し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイ
バーとを切除して半田メッキを施した状態の半製品の半
導体装置を示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡーＡ線上における断面図である。
し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイ
バーとを切除して半田メッキを施した状態の半製品の半
導体装置を示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡーＡ線上における断面図である。
【図３】 図２に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置を示し、同図
Ａはその斜視図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の
一部拡大図である。
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置を示し、同図
Ａはその斜視図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示したＢ部の
一部拡大図である。
【図４】 図３に示した樹脂封止型半導体装置をプリン
ト配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図であ
る。
ト配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図であ
る。
【図５】 従来技術のリードフレームに半導体チップを
搭載し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンと
タイバーとを切除した状態の、この発明の第２の実施例
である半製品の半導体装置を示していて、同図Ａはその
平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図で
ある。
搭載し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンと
タイバーとを切除した状態の、この発明の第２の実施例
である半製品の半導体装置を示していて、同図Ａはその
平面図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図で
ある。
【図６】 図５に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装置を示してい
て、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示し
たＢ部の一部拡大図である。
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装置を示してい
て、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図Ａの矢印で示し
たＢ部の一部拡大図である。
【図７】 従来技術の一素子単位のリードフレームの平
面図である。
面図である。
【図８】 図７のリードフレームに半導体チップを搭載
し、モールド樹脂で封止した状態を示した平面図であ
る。
し、モールド樹脂で封止した状態を示した平面図であ
る。
【図９】 図８に示した封止状態の半製品の半導体装置
からダムレジンとタイバーとを切除した状態の、やはり
半製品の半導体装置の平面図である。
からダムレジンとタイバーとを切除した状態の、やはり
半製品の半導体装置の平面図である。
【図１０】 図９に示した半製品の半導体装置の複数の
外部リードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封
止型半導体装置の斜視図である。
外部リードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封
止型半導体装置の斜視図である。
【図１１】 図１０に示した樹脂封止型半導体装置をプ
リント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図で
ある。
リント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図で
ある。
１ フレーム枠 ２ 吊りリード ３ ダイパッド ４ タイバー ５ リード ５Ａ リード ６ 凹型の溝 ７ 半田メッキ ８ リード５Ａの先端上方面 ９ プリント配線基板 １０ 半田ペースト １１ 半田フィレット １２ Ｖ型の溝 Ｌａ この発明の半導体装置用リードフレーム Ｌｂ 従来技術の半導体装置用リードフレーム Ｓａ この発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装
置 Ｓｂ この発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装
置 Ｓｃ 従来技術の樹脂封止型半導体装置 Ｍ モールド樹脂
置 Ｓｂ この発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装
置 Ｓｃ 従来技術の樹脂封止型半導体装置 Ｍ モールド樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】そして、通常、樹脂封止型半導体装置はこ
のような構成のリードフレームＬｂを用いて製造され
る。その製造方法を図８乃至図１０を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームＬｂのダイパッド３上に半導
体チップ（図示していない）をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード５の
内端部とをワイヤー（図示していない）で結線し、モー
ルド樹脂Ｍで半導体チップ、ダイパッド３、ワイヤー、
各リード５の内端部を封止する（図８）。符号Ｐはその
モールドラインである。
のような構成のリードフレームＬｂを用いて製造され
る。その製造方法を図８乃至図１０を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームＬｂのダイパッド３上に半導
体チップ（図示していない）をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード５の
内端部とをワイヤー（図示していない）で結線し、モー
ルド樹脂Ｍで半導体チップ、ダイパッド３、ワイヤー、
各リード５の内端部を封止する（図８）。符号Ｐはその
モールドラインである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端上方面に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端上方面に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の外部リードを備えた半導体装置用
リードフレームにおいて、リード加工後の各リード先端
に当たる部分へ、上方より溝を形成したことを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置用リードフ
レームを用いた半導体装置において、各リード先端部が
上方からの溝により薄く形成されていることを特徴とす
る複数のガルウィング型外部リードを備えた半導体装
置。 - 【請求項３】 複数のガルウィング型外部リードを備え
た半導体装置の製造工程において、外部リードメッキ工
程より前に、リード加工後の各リード先端に当たる部分
へ、上方より溝を形成する工程を付加したことを特徴と
する製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の製造工程を経て組立ら
れ、各リード先端部が上方からの溝により薄く形成され
ていることを特徴とする複数のガルウィング型外部リー
ドを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173112A JPH0730042A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173112A JPH0730042A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730042A true JPH0730042A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15954382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173112A Pending JPH0730042A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730042A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7757375B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-07-20 | Nec Electronics Corporation | Lead cutter and method of fabricating semiconductor device |
| KR20140040026A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2017022258A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| CN109962050A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-02 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于元器件上的引脚 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5173112A patent/JPH0730042A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7757375B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-07-20 | Nec Electronics Corporation | Lead cutter and method of fabricating semiconductor device |
| US7795060B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-09-14 | Nec Electronics Corporation | Lead cutter and method of fabricating semiconductor device |
| KR20140040026A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2017022258A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| CN109962050A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-02 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于元器件上的引脚 |
| CN109962050B (zh) * | 2019-04-19 | 2024-04-26 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于元器件上的引脚 |
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