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JPS607720A - エピタキシヤル成長方法 - Google Patents

エピタキシヤル成長方法

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Publication number
JPS607720A
JPS607720A JP58116341A JP11634183A JPS607720A JP S607720 A JPS607720 A JP S607720A JP 58116341 A JP58116341 A JP 58116341A JP 11634183 A JP11634183 A JP 11634183A JP S607720 A JPS607720 A JP S607720A
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JP
Japan
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substrate
layer
diffraction grating
inp
growth
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Pending
Application number
JP58116341A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Mito
郁夫 水戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58116341A priority Critical patent/JPS607720A/ja
Priority to US06/625,052 priority patent/US4561915A/en
Priority to GB08416424A priority patent/GB2144337B/en
Publication of JPS607720A publication Critical patent/JPS607720A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は凹凸を有する基板の表面形状の変形を抑制しな
がらエピタキシャル成長を行う方法に関する。
近年光フアイバ通信システムの伝送技術向上に伴い革−
軸モードで発振する半導体レーザが要求サレ、分布帰還
形半導体レーザ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａ
ｃｋ　Ｌａ５ｅｒ　Ｄｉｏｄｅ　、略してＤＦＢ　ＬＤ
）、あるいは分布反射形半導体レーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂ
ｕｔｅｄＢｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ　Ｌａ５ｅｒ
　Ｄｉｏｄｅ、略してＤＢＲＬＤ）の研究・開発が急速
に進められている。この様な半導体レーザを作製するに
は表面に数１０００＾の周期で凹凸が形成された回折格
子基板へのエピタキシャル成長が必要となる。この様な
エピタキシャル成長を行う場合には、回折格子基板上の
凹凸形状を変形させないことが重要であるが、一般にエ
ピタキシャル成長前の高温保持中に熱変形を生じたり、
あるいは、液相エピタキシャル成長で表面をメルトバッ
クして融かし凹凸形状を変形させてしまうといった現象
が起きる。％に光フアイバ通信用として重要な発光波長
１．１μｍから１．６μｍの領域の半導体レーザを形成
できる１ｎＰを基板とするＩｎＧａＡｓＰ系材料の場合
においては、ＩｎＰ半導体層表面、あるいはＩｎＧａＡ
ｓＰ半導体層表面からのＰの解離が著しいために、エピ
タキシャル成長前の回折格子をいかにして保護しておく
かが重要な問題となっている。従来はＩｎＰ結晶基板あ
るいはＱａＡｓ結晶基板を回折格子基板に密着させて被
せておく、Ｓｎ溶液にはＩｎＰが多量に融解することを
利用して、５ｎ−Ｐ　溶液から蒸発するＰ雰囲気で回折
格子基板を保護する、あるいは反応管中にＰＨ３を導入
しＰ圧を高め回折格子基板を保護する等の方法がとられ
て来た。しかしながら、上記の方法はそれぞれ一長一短
があり、更に簡便で効果のある方法が望まれていた。
本発明ハＩ　ｎＧａＡｓＰ／Ｉ　ｎＰ系半導体基板表面
に形成された凹凸形状を変形を抑制しながらエピタキシ
ャル成長させる方法を提供するものである。
本発明によればＩｎＰを基板とし表面のＩｎ１−ｚＧａ
ｚＡｓｙＰ　１−ｙ　（ｘ≧ｏ、ｙ≧０）に凹凸が形成
された半導体基板の上に少なくとも単層のＩｎｌ　ｚｌ
Ｇａｚ’Ａｓｙ’Ｐ１−７１層（ｘ／≧０．ｙ′≧０）
をエピタキシャル成長開始直前まで前記半導体基板の表
面に密着させてＧａＡＳｌ−ＺＰｚ　（０，１≦２≦０
．８）基板を配置させることを特徴トスルエビタキシャ
ル成長方法が得られる。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は横形カーボンスライドボードを用いた液相エピ
タキシャル成長装置のカーボンスライドボート１００を
含む反応管系の断面模式図を示すものである。カーボン
スライドボード１ｏｏはメルトホルダ１１、スライダ１
２およびベースブロック１３がら構成される。スライダ
１２に成長基板１を入れる溝Ｉ４が形成されている。メ
ルトホルダ１１に形成されたメルト溜め２０　、２１　
、２２　、２３　、２４の中に所望の数の融液３０　、
３１　、３２を入れ、高温で保持した後、冷却し所定の
温度において、引き棒２００を紙面に対し左側へ引くこ
とにより、成長基板１を融液３゜に接触させ半導体層を
エピタキシャル成長させる。
引き続き３１　、３２の融液にも接触させることにより
成長基板１の上に複数層の半導体層をエピタキシャル成
長させることができる。成長基板１の表面の熱変形を防
止するのに最も簡便で作業性に優れ再現性のある方法は
エピタキシャル成長前に成長基板１の上部に密着させて
保護基板５ｏを配置させる方法である。この装置を用い
て成長基板ｌとして、表面に＜　ｉｉｏ　＞方向に周期
３９５ｏ＾で深さ２０００Ａのほぼ三角形の形状を有す
る回折格子が形成されている（　００１　）面のＩｎＰ
回折格子基板（Ｓｎドープ、ｎ形、キャリア濃度２　Ｘ
　１０”ｃＩｒＬ−３）　（７，）上に、融液３０　、
３１　、３２から第２図の断面模式図に示ず様にｎ形Ｉ
ｎＧａＡ、ｓＰ　光ガイド層２、ノンドープＩｎ（ｈＡ
ｓＰ活性層３、ｐ形ＩｎＰクラッド層４を成長させる実
験を行った。まずエピタキシャル成長を行う前に、成長
前の高温保持中にＩｎＰ回折格子基板１がどのように熱
変形されるかを実験した。一般にＩｎＰ結晶基板からは
５００〜５５０℃以上の高温域においてＰの熱解離が激
しくなり、これを防止するために、この実験では保護基
板５０として同じＩｎＰ結晶基板を用いている。確かに
成長基板ｌの表面が平坦な場合、もしくは１０μｍ程度
以上の大きさの凹凸に対してはｌｎＰの保護基板で十分
表面形状を保護できた。しかしながら、表面の３０００
〜４０００　Ａの小さな凹凸に関しては様子が異なった
。第３図は、保護基板１として（００１）面のＩｎＰ基
板を用いて実験した結果である。縦軸および横軸は高温
保持実験を行った温度および時間である。雰囲気は純化
された水素を毎分３００ωの割合で流している。
６６０℃で保持した場合ＩｎＰ回折格子１の表面の回折
格子は熱で消失し表面に周期的な凹凸は全く見られなか
った。６３０℃でも１時間以上保持した場合には回折格
子はほとんど消失していた。３０分の保持時間では回折
格子が保持さイ′１、た。またこれ以下の温度６１５℃
、６００℃でもＩｎＰ回折格子基板１上の回折格子が保
存された。結晶成長の観点からは、一般に１ｎＰ基根上
に格子整合させてＩｎＧａＡｓＰ層をエピタキシャル成
長させる場合には、成長した結晶の品質が誦温で成長す
る方が良くなる傾向にある。従って６３０℃で３０分間
保持するという条件で第４図に示す構造の多層膜を連続
成長させた。
冷却速度は毎分０．８℃であり成長の間一定の値とした
。最初のｎ形１ｎＧａＡｓＰ　光ガイド層２の成長開始
温度は６１５℃である。ｎ形Ｉｎ（）ａＡｓＰ　光ガイ
トノ傅２（発光波長にして１，１５μｆ７Ｚ組成、８ｎ
ド一プキヤリア纜度１×１０′８ａｒＬ−３）、ノンド
ープＩｎ１ＪａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．３
μｍ組成）およびｐ形１ｎＰクラッド層４　（Ｚｎドー
プ、キャリアＳ度１　×ｌＱ”ｃｍ　３）を各々０．４
　ｉｔｍ、　０．１５　μｍ　および１μｍの厚さで成
長させた。この断面を走査形電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、　ＩｎＰ回折格子基板１とｎ形ＩｎＧａＡｓＰ　光
ガイド層２との境界に見られる周期構造４０の深さは初
期の２０００＾に比べ２００〜３００Ａと大きく減少し
ていた。これはエピタキシャル成長前の熱変形によるの
ではな（、ＩｎＰ回折格子基板１がｎ形ＩｎＧａＡｓＰ
　光ガイド層２を成長させるための融液３ｏに接触した
際にメルトバックされることによるものである。融液の
過飽和度を変えて１５℃程度までの高い過飽和度にして
もメルトバックの様子はほとんど変ることがなかった。
従ってＩｎＰ保護基板を用いては深い回折格子を残して
成長することが難しいことがわかった。
次に昭和５８年度春季応用物理全国大会４ａ−Ｈ−２で
木下等が、ＩｎＰ回折格子基板の変形保護のためにＧａ
Ａｓ保護基板が有効であることを報告しているので（Ｚ
ｏｏ）面のＧａＡｓ保護基板を用いて、実験を行った。
６３０℃３０分という条件で高温保持を行ったところ、
回折格子の深さは初期の２０００＾から５００　Ａ程度
まで減少しており、　ＧａＡｓ基板から蒸発するＡｓ圧
だけではＩｎＰ回折格子基板１の熱変形を防止するのに
不十分であることがわかった。しかしながら、実際にエ
ピタキシャル成長させた場合にもこの深さは変らず、ｎ
形１　ｎ　ＵａＡｓ　Ｐ光ガイド層２を成長させる際に
メルトバックは生じていないことがわかった。これは１
．ｎＰ回折格子基板１の表面にＡｓの薄膜が形成されて
いることに倚る結果と考えられる。
以上の様に、従来用いられていたＩｎＰ保護基板、（）
ａＡｓ保護基板とも、ＩｎＰ回折格子基板上の回折格子
の変形を十分に抑制することが難しかった。
次に本発明の実施例の方法であるＧａＡＳｏ、６Ｐ０４
保霞基板を用いる実験を行った。実験には第５図の断面
図に示すＧａＡｓ基板８０の上に気相成長により次第に
Ｐを多く含むＧａＡｓ１　、Ｐｘ　（ｘ（１）Ｍｔ８１
が積層され最上層がＧａＡｓｇ、ｓ　Ｐ　Ｏ，４７％　
８２となっている（ｏｏｉ）面の（）ａＡｓｏ、ｓＰｏ
、４保護基板を用いた。６３０℃で３０分間保持した前
後でのＩｎＰ回折格子基板１上の回折格子の深さは測定
誤差の１００Ａ以内でしか変わっておらず２０００＾程
度でありた。これはｏａＡｓｏ、６ｐ０．４保護基板５
０から蒸発するＰおよびＡｓが回折格子の熱変形を有効
に防止しているためと考えられる。
また実際にエピタキシャル成長させた場合でも、ＩｎＰ
回折格子基板１の表面に積層したＡｓの薄膜の効果によ
り、　ＩｎＰ保護基板を用いた場合より小メルトバック
の量が少なく　１５００　Ａ程度の深さの回折格子が残
されていた。即ちＧａＡＳｇ、ｓ　Ｐｏ、４保握基板を
用いた場合では、蒸発するＰが熱変形を防止させ、また
蒸発し、ＩｎＰ回折格子基板表面に積層するＡｓがメル
トバックを抑制するという２つの効果が有効に作用する
ことがわかった。
この様にしてＧａＡＳｏ、ｅ　Ｐ・ｏ４　保護基板を用
いて第２図に示す構造の多層膜基板を形成した後に、発
振横モードを制御しまた発振閾１ｔｈ電流を小さくする
ため第６図の斜視図に示す構造の埋め込み形構造の分布
帰還形半導体レーザを作製したところ、約５００μｍの
共振器長の素子で発振閾値３Ｑ　ｆｎＡ。
また微分量子効率が片側２５％、発振閾値の３倍程度ま
で単一軸モードで発振するという良好な特性を有する素
子を得ることができた。
以上の実施例ではＧａＡＳ＋−ｘＰｘ保護基板としてｘ
＝０．４のものを用いたが、ｘ＝０．１程度まで小さく
しても同じ効果があることが確かめられた。これ以上率
さなＸのＧａＡｓＩ　ＸＰＸ基板では熱変形が大きく有
効ではなかった。またＸの値が大きなものではＧａＡｓ
０２ＰＯＪＩ程度まで有効であった。また本実施例では
（００１）面のＧａＡｓ１　ＸＰＸ基板を用いたが、（
００１）面近傍、または（１１０）面、（１１１）Ａ面
（１１１）　８面およびその近傍の面のＧａＡＳｌ−ｘ
Ｐｙ　基板でも有効である。また本実施例では回折格子
はＩｎＰ半導体層に形成されていたが、ＩｎＧａＡｓＰ
　）曽に形成されている回折格子基板に対しても有効で
ある。また本実施例は、液層エピタキシャル成長装置に
関して説明したが、ハイドライド気相エピタキシャル成
長装置、有機金属を用いた気相エピタキシャル成長装置
においても液相エピタキシャル成長装置の場合と同様に
有効に実施可能である。
以上本発明の特徴をまとめると、ＧａＡｓＩ　ＸＰＸ保
護基板を用いることにより回折格子等の微小な凹凸が形
成されたＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰ　層の表面を保護
し、かつエピタキシャル成長に伴う表面形状の変形を抑
制できることである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、液相エピタキシャル成長装置を示す断面模式
図、第２図は多層膜半導体基板の断面模式図、第３図は
回折格子基板を高温中に保持しＩｎＰ保護基板を用い熱
変形の実験を行った結果をまとめた図、第４図はエピタ
キシャル成長させた多層膜半導体基板、第５図は実施例
で用いたＧａＡＳｏ６Ｐｏ４保護基板の断面図、第６図
は本発明により作成した埋め込み形の分布帰還形半導体
レーザの斜視図である。図中、１は成長基板、２はｎ形
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、３はノンドープＩｎ（Ｊａ
ＡｓＰ活性層、４はｐ形１ｎＰクラッド層、１１はメル
トホルダ、１２はスライダ、１３はベースブロック、１
４は溝、２０　、２］、　、　２２　、２３　、２４は
メルト溜め、３０　、３１　。 ３２は融液、４０は周期構造、８０はＧａＡｓ基板、８
１はＱａＡｓｌ−ＸｐＸ層、８２はＧａＡｓｏ、ｓ　Ｐ
ｏ、４層、１００はカーボンスライドボード、２００は
引き棒である。 第１図 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＩｎＰを基板とし表面の１ｎ１−＞（Ｇａ）（ＡｓｙＲ
    −）’　（ｘ≧０゜ｙ≧０）に凹凸が形成された半導体
    基板の上に１ｎ１−ｚ’ＧａＸ’ＡＳｙ’Ｐ１　ｙ／層
    （ｘ／≧０．ｙ′≧０）をエピタキシャル成長させる際
    に、エピタキシャル成長開始直前まで前記半導体基板の
    表面に密着させてＧａＡＳｌ−１Ｐｚ　（０，１≦２≦
    ０．８）基板を配置させることを特徴とするエピタキシ
    ャル成長方法。
JP58116341A 1983-06-28 1983-06-28 エピタキシヤル成長方法 Pending JPS607720A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58116341A JPS607720A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 エピタキシヤル成長方法
US06/625,052 US4561915A (en) 1983-06-28 1984-06-26 Process for epitaxial growth on a corrugated wafer
GB08416424A GB2144337B (en) 1983-06-28 1984-06-28 Process for epitaxial growth

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58116341A JPS607720A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 エピタキシヤル成長方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS607720A true JPS607720A (ja) 1985-01-16

Family

ID=14684546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58116341A Pending JPS607720A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 エピタキシヤル成長方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4561915A (ja)
JP (1) JPS607720A (ja)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01281571A (ja) * 1988-05-09 1989-11-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> シンボル図形配置方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6184827A (ja) * 1984-10-02 1986-04-30 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US4777148A (en) * 1985-01-30 1988-10-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for making a mesa GaInAsP/InP distributed feedback laser
JPS61291491A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Mitsubishi Monsanto Chem Co りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシヤルウエハ
JPS62163385A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Sony Corp 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法
US4902644A (en) * 1986-03-28 1990-02-20 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Preservation of surface features on semiconductor surfaces
US4805178A (en) * 1986-03-28 1989-02-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Preservation of surface features on semiconductor surfaces
US4701995A (en) * 1986-10-29 1987-10-27 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making a nonplanar buried-heterostructure distributed-feedback laser
US4859628A (en) * 1988-04-11 1989-08-22 Northern Telecom Limited Interrupted liquid phase epitaxy process
US6399182B1 (en) 2000-04-12 2002-06-04 Cmc Wireless Components, Inc. Die attachment utilizing grooved surfaces
US6670651B1 (en) 2000-05-04 2003-12-30 Osemi, Inc. Metal sulfide-oxide semiconductor transistor devices
US6936900B1 (en) * 2000-05-04 2005-08-30 Osemi, Inc. Integrated transistor devices
US6445015B1 (en) 2000-05-04 2002-09-03 Osemi, Incorporated Metal sulfide semiconductor transistor devices
US6451711B1 (en) * 2000-05-04 2002-09-17 Osemi, Incorporated Epitaxial wafer apparatus
JP2003008138A (ja) * 2001-06-13 2003-01-10 Motorola Inc レーザーダイオード制御装置
JP4043844B2 (ja) * 2002-05-24 2008-02-06 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 発光素子駆動装置
US6989556B2 (en) * 2002-06-06 2006-01-24 Osemi, Inc. Metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices with a gate insulator structure
US7187045B2 (en) * 2002-07-16 2007-03-06 Osemi, Inc. Junction field effect metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices
FR2857983B1 (fr) * 2003-07-24 2005-09-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
US20070138506A1 (en) * 2003-11-17 2007-06-21 Braddock Walter D Nitride metal oxide semiconductor integrated transistor devices
US20080282983A1 (en) * 2003-12-09 2008-11-20 Braddock Iv Walter David High Temperature Vacuum Evaporation Apparatus
JP2005340931A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Freescale Semiconductor Inc バースト信号受信装置
US20080157073A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Walter David Braddock Integrated Transistor Devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346594B2 (ja) * 1974-02-18 1978-12-14
US4023993A (en) * 1974-08-22 1977-05-17 Xerox Corporation Method of making an electrically pumped solid-state distributed feedback laser
US4227962A (en) * 1979-03-12 1980-10-14 Varian Associates, Inc. Prevention of decomposition of phosphorous containing substrates during an epitaxial growth sequence
DE3129449A1 (de) * 1981-07-25 1983-02-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches"

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01281571A (ja) * 1988-05-09 1989-11-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> シンボル図形配置方法
JP2641249B2 (ja) * 1988-05-09 1997-08-13 日本電信電話株式会社 シンボル図形配置方法

Also Published As

Publication number Publication date
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GB2144337A (en) 1985-03-06
GB2144337B (en) 1986-08-06

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