JPS6074517A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS6074517A JPS6074517A JP18193483A JP18193483A JPS6074517A JP S6074517 A JPS6074517 A JP S6074517A JP 18193483 A JP18193483 A JP 18193483A JP 18193483 A JP18193483 A JP 18193483A JP S6074517 A JPS6074517 A JP S6074517A
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- JP
- Japan
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- wafer
- chamber
- heater
- heat
- heating unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明は、ウェハー上に膜を生成するスパッタリング装
置に関するものである。
置に関するものである。
＜ａ）技術の背景
配線用金属膜をウェハー上に形成する技術の１つとして
スパッタ法があり、現在スパッタ装置と他の処理装置を
連続してインライン化することが進められている。
スパッタ法があり、現在スパッタ装置と他の処理装置を
連続してインライン化することが進められている。
（ハ）従来技術と問題点
第１図は、スパッタリングの前処理としてウェハーを加
熱する従来装置を示したものである。この装置は、ウェ
ハー６を予め加熱して金属原子の付着の効率を高めるた
め開発されたもので、チャンバー１の前後に前予備室２
と後予備室３とを設け、この前後予備室２．３とチャン
バー１との間および前予備室２のウェハー搬入口と後予
備室３の搬出口にそれぞれゲート４ａ、４ｂ、４ｃ、４
ｄを設けてなるものである。前予備室２内にはヒータ５
が設けられており、この中で両側のゲート４ａ、４ｃを
閉じてウェハー６を加熱し、一定の加熱状態に達した時
にチャンバー１側のゲート４ａを開いてウェハー６を載
せたコンベアー７を駆動させウェハー６をチャンバー１
内に送り込むのである。そして、載置台８にウェハー６
を載せると共に、チャンバー１と前予備室２との間のゲ
ート４ａを閉じ、チャンバ−１上部のターゲット９から
スパッタリングを行なった後、後予備室３のチャンバー
１側のゲート４ｂを開いてウェハー６をコンベアー７に
より後予備室３に送り込むのと同時に、次のウェハー６
が載置台８に載るように構成されている。ゲート４ａ〜
４ｄは、ウェハー６の移動時以外は閉じており、真空状
態のチャンバー１．加熱状態の前予備室２の環境保全が
行なわれる。また、載置台８には、ウェハー６の突上げ
欅ｌＯが取り付けられ、その上下動作によってウェハー
６の載置台８とコンベアー７間の受け渡しを行なってい
る。
熱する従来装置を示したものである。この装置は、ウェ
ハー６を予め加熱して金属原子の付着の効率を高めるた
め開発されたもので、チャンバー１の前後に前予備室２
と後予備室３とを設け、この前後予備室２．３とチャン
バー１との間および前予備室２のウェハー搬入口と後予
備室３の搬出口にそれぞれゲート４ａ、４ｂ、４ｃ、４
ｄを設けてなるものである。前予備室２内にはヒータ５
が設けられており、この中で両側のゲート４ａ、４ｃを
閉じてウェハー６を加熱し、一定の加熱状態に達した時
にチャンバー１側のゲート４ａを開いてウェハー６を載
せたコンベアー７を駆動させウェハー６をチャンバー１
内に送り込むのである。そして、載置台８にウェハー６
を載せると共に、チャンバー１と前予備室２との間のゲ
ート４ａを閉じ、チャンバ−１上部のターゲット９から
スパッタリングを行なった後、後予備室３のチャンバー
１側のゲート４ｂを開いてウェハー６をコンベアー７に
より後予備室３に送り込むのと同時に、次のウェハー６
が載置台８に載るように構成されている。ゲート４ａ〜
４ｄは、ウェハー６の移動時以外は閉じており、真空状
態のチャンバー１．加熱状態の前予備室２の環境保全が
行なわれる。また、載置台８には、ウェハー６の突上げ
欅ｌＯが取り付けられ、その上下動作によってウェハー
６の載置台８とコンベアー７間の受け渡しを行なってい
る。
この装置は、前予備室２において加熱を行なうため、ウ
ェハー６の下方に位置するコンベアー７まで加熱されて
しまい、コンベアー７の材質が大所金属であることから
その熱膨張が起こり、コンベアー７の駆動に支障が生じ
、かつウェハーの搬出に支障を来たすほか、ウェハーへ
の膜生成効率が低下することがあった。また、ウェハー
６は前予備室２で加熱するものであるため、熱効率も悪
い欠点がある。
ェハー６の下方に位置するコンベアー７まで加熱されて
しまい、コンベアー７の材質が大所金属であることから
その熱膨張が起こり、コンベアー７の駆動に支障が生じ
、かつウェハーの搬出に支障を来たすほか、ウェハーへ
の膜生成効率が低下することがあった。また、ウェハー
６は前予備室２で加熱するものであるため、熱効率も悪
い欠点がある。
仁）発明の目的
本発明は、前記従来例の問題点に鑑み、装置の各部に不
必要な熱影響を与えることなく、ウェハーを効率よく加
熱し、かつ有効な膜形成を可能にしたスパッタリング装
置を提供することを目的とする。
必要な熱影響を与えることなく、ウェハーを効率よく加
熱し、かつ有効な膜形成を可能にしたスパッタリング装
置を提供することを目的とする。
（ト）発明の構成
本発明の目的は、チャンバー内にウェハー載置により閉
塞される加熱室を設け、この加熱室内にウェハーを加熱
するヒータを設けてなるスパッタリング装置を提供する
ことによって達成される。
塞される加熱室を設け、この加熱室内にウェハーを加熱
するヒータを設けてなるスパッタリング装置を提供する
ことによって達成される。
（へ）発明の実施例
以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳説する。
第２図〜第４図は本発明にかかるスパッタリング装置の
一例を示すもので、第１図と同一符号は同一部分を表わ
し、第１図と異なる点は、ウェハー加熱用のヒータ５を
チャンバー１内に設けた点にある。
一例を示すもので、第１図と同一符号は同一部分を表わ
し、第１図と異なる点は、ウェハー加熱用のヒータ５を
チャンバー１内に設けた点にある。
チャンバー１内のウェハー６の載置台８の下部を囲繞し
て加熱室１１を設け、この加熱室１１の内部に一対のヒ
ータ５を設置し、このヒータ５により載置台８上のウェ
ハー６を下面側から加熱するようにしたものである。上
記ヒータ５はハロゲンランプ等から構成され、熱線をウ
ェハー６の下面に向は反射させる反射板５ａを備えてい
る。加熱室１１は、載置台上にウェハー６を載置するこ
とにより閉塞されるが、必ずしも完全密封状態が要求さ
れるものではなく、若干の通気性を有していても差し支
えないものである。また、ウェハー載置台８の中央部は
開口され、この開口８ａに対応して突上げ棒１０が加熱
室１１の底部中央に上下作動可能に設けられており、突
き上げ棒１０の加熱室間突出先端にはコンベアー７と載
置台８間でのウェハー６の受け取り、受は渡しを行なう
受台１０ａが取り付けられている。加熱室１１内に設置
されるヒータ５の形状は、図面に示すような直線状のも
のに限らず、載置台８上のウェハー６を下面から有効に
加熱し得るものであれば如何なる形状のものであっても
・よく、例えばリング状のヒータとしても良い。
て加熱室１１を設け、この加熱室１１の内部に一対のヒ
ータ５を設置し、このヒータ５により載置台８上のウェ
ハー６を下面側から加熱するようにしたものである。上
記ヒータ５はハロゲンランプ等から構成され、熱線をウ
ェハー６の下面に向は反射させる反射板５ａを備えてい
る。加熱室１１は、載置台上にウェハー６を載置するこ
とにより閉塞されるが、必ずしも完全密封状態が要求さ
れるものではなく、若干の通気性を有していても差し支
えないものである。また、ウェハー載置台８の中央部は
開口され、この開口８ａに対応して突上げ棒１０が加熱
室１１の底部中央に上下作動可能に設けられており、突
き上げ棒１０の加熱室間突出先端にはコンベアー７と載
置台８間でのウェハー６の受け取り、受は渡しを行なう
受台１０ａが取り付けられている。加熱室１１内に設置
されるヒータ５の形状は、図面に示すような直線状のも
のに限らず、載置台８上のウェハー６を下面から有効に
加熱し得るものであれば如何なる形状のものであっても
・よく、例えばリング状のヒータとしても良い。
図示した実施例では、突上げ棒１０が加熱室１１に位置
することになるため、この突上げ棒１０が金属性である
のが一般的であることから、熱膨張による作動低下が予
想されるので、突上げ棒１０の軸回りに冷却室１２を形
成し、この冷却室１２内にチャンバー１外から冷媒を供
給して突上げ棒１０を冷却するようになっている。
することになるため、この突上げ棒１０が金属性である
のが一般的であることから、熱膨張による作動低下が予
想されるので、突上げ棒１０の軸回りに冷却室１２を形
成し、この冷却室１２内にチャンバー１外から冷媒を供
給して突上げ棒１０を冷却するようになっている。
上記のように構成された本実施例において、ウェハー６
は、前予備室２からコンベアー７によりチャンバー１内
に搬入され、突上げ棒１０によって載置台８上に載置さ
れる。次にヒータ５を駆動することによってウェハー６
を裏面から加熱する。
は、前予備室２からコンベアー７によりチャンバー１内
に搬入され、突上げ棒１０によって載置台８上に載置さ
れる。次にヒータ５を駆動することによってウェハー６
を裏面から加熱する。
この加熱は、囲繞された加熱室１１内で行なわれるので
、熱の拡散が防止され、ウェハーの加熱を効率よくでき
、ヒータの小容量化、小型化ができる。また、載置台８
にウェハー６が載置されると加熱室が完全に閉塞される
ので、ヒータ５にターゲット９から飛散する金属原子が
付着せず、ヒータ５の汚損及び加熱効率の低減を防止で
きるほか、ウェハー６の裏面（膜形成面の反対の面）へ
の蒸着も防止できる。また、ウェハー６が載置台８上に
セントされたとき、加熱室１１内は閉塞されるのでター
ゲット９を作動させた膜生成中においてもウェハー６の
加熱を行なうことができ、極めて多種多様の膜生成が可
能となる。また、ウエハー６のチャンバー１内への搬入
ＩＭ出に際してゲート４ａ〜４ｄを開いても、従来前予
備室２で行なっていた加熱に比べ熱の放散が防止される
。
、熱の拡散が防止され、ウェハーの加熱を効率よくでき
、ヒータの小容量化、小型化ができる。また、載置台８
にウェハー６が載置されると加熱室が完全に閉塞される
ので、ヒータ５にターゲット９から飛散する金属原子が
付着せず、ヒータ５の汚損及び加熱効率の低減を防止で
きるほか、ウェハー６の裏面（膜形成面の反対の面）へ
の蒸着も防止できる。また、ウェハー６が載置台８上に
セントされたとき、加熱室１１内は閉塞されるのでター
ゲット９を作動させた膜生成中においてもウェハー６の
加熱を行なうことができ、極めて多種多様の膜生成が可
能となる。また、ウエハー６のチャンバー１内への搬入
ＩＭ出に際してゲート４ａ〜４ｄを開いても、従来前予
備室２で行なっていた加熱に比べ熱の放散が防止される
。
（ト）発明の詳細
な説明したように本発明によれば、チャンバー内にウェ
ハー加熱用のヒータをスパッタの影響を受けない状態に
設けたものであるから、ウェハーを集中的に効率よく加
熱することができ、従来装置の有する欠点を一掃できる
。
ハー加熱用のヒータをスパッタの影響を受けない状態に
設けたものであるから、ウェハーを集中的に効率よく加
熱することができ、従来装置の有する欠点を一掃できる
。
第１図は従来例を示す概略図、第２図は本発明のスパッ
タリング装置の一例を示す概略図、第３図は本発明にお
けるウェハー加熱機構部分の拡大断面図、第４図は同部
分の平面図である。 １・・・チャンバー、５・・・ヒータ、６・・・ウェハ
ー、７・・・コンベアー、８・・・載置台、１１・・・
加熱室。 第１図 第２図
タリング装置の一例を示す概略図、第３図は本発明にお
けるウェハー加熱機構部分の拡大断面図、第４図は同部
分の平面図である。 １・・・チャンバー、５・・・ヒータ、６・・・ウェハ
ー、７・・・コンベアー、８・・・載置台、１１・・・
加熱室。 第１図 第２図
Claims (1)
- チャンバー内にウェハー載置により閉塞される加熱室を
設け、この加熱室内にウェハー加熱用のヒータを設けて
なるスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18193483A JPS6074517A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18193483A JPS6074517A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074517A true JPS6074517A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16109446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18193483A Pending JPS6074517A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074517A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255931A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 金属ケイ化物接点の形成方法及びそのためのスパツタリング装置 |
| JPS63318139A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜配線 |
| JPH0192361A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-11 | Ulvac Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS499972A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-01-29 | ||
| JPS5644770A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18193483A patent/JPS6074517A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS499972A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-01-29 | ||
| JPS5644770A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255931A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 金属ケイ化物接点の形成方法及びそのためのスパツタリング装置 |
| JPS63318139A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜配線 |
| JPH0192361A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-11 | Ulvac Corp | 半導体装置の製造方法 |
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