JPS6067661A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS6067661A JPS6067661A JP17477283A JP17477283A JPS6067661A JP S6067661 A JPS6067661 A JP S6067661A JP 17477283 A JP17477283 A JP 17477283A JP 17477283 A JP17477283 A JP 17477283A JP S6067661 A JPS6067661 A JP S6067661A
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- thin film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明は薄膜形成装置に関するものである。
２、従来技術
従来、多数の開口（特に、微細なメック５．状開口）を
有する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電
荷像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制
御して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）
に所定の静電荷像な形成する多色電子写真複写方式が知
られている。
有する感光性スクリーンに静電荷像を形成し、この静電
荷像によりイオン流（例えば正イオン粒子）の通過を制
御して、帯電可能な層（例えば感光体ドラムの感光層）
に所定の静電荷像な形成する多色電子写真複写方式が知
られている。
第１図には１例えば白地に黒色画像部と赤色画像部とか
らなる２色原稿から画像を再現するための２色刷り用複
写機が示されている。 この装置本体の上部には往復動
する原稿台４１が設けられており、この原稿台４１上に
載置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される
。 ４１４４はミラー、４５は固定ンンズ、４６は光路
中に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシ
アン色は通過させる可動式のダイクｐイククフィルター
であり、光路中に出入れし得るように構成されている。
らなる２色原稿から画像を再現するための２色刷り用複
写機が示されている。 この装置本体の上部には往復動
する原稿台４１が設けられており、この原稿台４１上に
載置された原稿２５は照明ランプ４２により照明される
。 ４１４４はミラー、４５は固定ンンズ、４６は光路
中に出入れし得るように構成された可動の赤色フィルタ
ー、４７は赤色光を反射させ、赤色と補色関係にあるシ
アン色は通過させる可動式のダイクｐイククフィルター
であり、光路中に出入れし得るように構成されている。
第５図では赤色フィルター４６は光路からはずれ、ダ
イクｐイックフィルター４７は光路中に配置されている
状態を示して（・・る。 ドラム状をなした感光体５３
の表面に感光層１Ｂが設けられ、感光体５３が時計方向
に回転すると感光層１Ｂがフーナ帯電器２４によって均
一に帯電される。 感光層１Ｂは七／ンあるしＸは有機
半導体などにより作られる。
イクｐイックフィルター４７は光路中に配置されている
状態を示して（・・る。 ドラム状をなした感光体５３
の表面に感光層１Ｂが設けられ、感光体５３が時計方向
に回転すると感光層１Ｂがフーナ帯電器２４によって均
一に帯電される。 感光層１Ｂは七／ンあるしＸは有機
半導体などにより作られる。
感光体５３の周辺には、感光層１８を均一に帯電する帯
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１Ｂ上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
電器５４と、正に帯電された黒色トナーを有する黒色現
像器４８と、正に帯電された赤色トナーを有する赤色現
像器４９と、感光層１Ｂ上に残留するトナーおよび電荷
を除去するクリーニング装置３０とが配置されている。
、 ３１は感光体５３と同径で、感光層１Ｂと接触して
従動するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである
。
従動するか又は反時計方向に回転する転写ドラムである
。
６３はコｐす放電器からなる転写電極、３２は複写紙給
紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された複写紙・５
２を一枚ずつ給紙する給紙ｐ−ラ、３４は複写紙を転写
ドラム３１に搬送する第１搬送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電な行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。 また、３７はヒーター内蔵
の定着装置である。 但、実際には複写紙５２を案内す
るガイド板を設けるが、この図示は省略されている。
紙皿、３３は複写紙給紙皿３２に収納された複写紙・５
２を一枚ずつ給紙する給紙ｐ−ラ、３４は複写紙を転写
ドラム３１に搬送する第１搬送ローラ、３５は転写後に
複写紙をドラム３１から分離し易くするための除電な行
なう静電分離器、３６は複写紙をドラム３１から強制的
に分離する分離爪である。 また、３７はヒーター内蔵
の定着装置である。 但、実際には複写紙５２を案内す
るガイド板を設けるが、この図示は省略されている。
一方、感光層１８の外側には、光導電層が面するように
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。 −
また、このドラム１７の外側周送洗は、スクリーン帯電
器２８と、感光スクリーンドラム１７上九残留する電荷
を除去するＫＬ（エレクト−ルミネセンス）板マたはＡ
Ｃコロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３に対向
する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（）ｐす放電
器）１９とが設けられている。
円筒状をなした感光性スクリーンドラム１７が配され、
このドラム１７は原稿台４１および感光層１８と同期し
て反時計方向に回転し得るように配置されている。 −
また、このドラム１７の外側周送洗は、スクリーン帯電
器２８と、感光スクリーンドラム１７上九残留する電荷
を除去するＫＬ（エレクト−ルミネセンス）板マたはＡ
Ｃコロナ除電器などで作ったスクリーン除電器３９と、
感光性スクリーンドラム１７の内側で感光体５３に対向
する位置に荷電粒子を投射する荷電粒子源（）ｐす放電
器）１９とが設けられている。
この感光性スクリーン１７は、第２図に示す如く、多数
の微細開口ｌＯを有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口ｌＯ内
の壁面忙も設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のＡ、！ｉ等の導電膜１４と
、光導電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによっ
て構成されている。 導電性スクリー７１１はステンレ
ス、ＡＪ等の金属メツシュで、絶縁ｒ＠１３はポリエチ
レン等で、感光層１５及び電荷輸送層重６は有機光半導
体で夫々形成される。
の微細開口ｌＯを有しかつ一方の面が露出したドラム状
導電性スクリーン１１と、この導電性スクリーンの少な
くとも他方の面に設けられた（図示の例では開口ｌＯ内
の壁面忙も設けられている）絶縁層１３と、この絶縁層
上に設けられたバイアス用のＡ、！ｉ等の導電膜１４と
、光導電性（感光）層１５と、電荷輸送層１６とによっ
て構成されている。 導電性スクリー７１１はステンレ
ス、ＡＪ等の金属メツシュで、絶縁ｒ＠１３はポリエチ
レン等で、感光層１５及び電荷輸送層重６は有機光半導
体で夫々形成される。
この感光性スクリーン１７の製作忙際し、特化上記導電
膜１４は第３図に示す如＜ＡＪ蒸発源２゜の蒸着によっ
て形成される。 ところがこの場合。
膜１４は第３図に示す如＜ＡＪ蒸発源２゜の蒸着によっ
て形成される。 ところがこの場合。
蒸発源２０からのＡＩ！蒸気２１のうち、スクリーン基
体１１に対し斜め方向に入射する部分２１′は矢印で示
すよう忙開口１ｏを通して基体１１の裏側へ廻り込み易
いか、或いは基体１１の裏面へ直接付着してしまう。
この結果、第４図のように裏面に付着したＡ１部分によ
って導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしまい
、その作用を発揮できなくなる。 従って従来は、電流
を流すとと九よって、基体１１上のＡＡ’Ｍ１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａに
薄く付着した部分）を焼切って、基体１１に対する短絡
を防いでいる。 しかしながら−そのための作業工程が
必要である上に、上記焼切化よるダメージがＡＩ膜膜種
４残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
体１１に対し斜め方向に入射する部分２１′は矢印で示
すよう忙開口１ｏを通して基体１１の裏側へ廻り込み易
いか、或いは基体１１の裏面へ直接付着してしまう。
この結果、第４図のように裏面に付着したＡ１部分によ
って導電膜１４と基体１１とが導通（短絡）してしまい
、その作用を発揮できなくなる。 従って従来は、電流
を流すとと九よって、基体１１上のＡＡ’Ｍ１４の比較
的薄い部分１４ａ（特に基体１１のエツジ部分１１ａに
薄く付着した部分）を焼切って、基体１１に対する短絡
を防いでいる。 しかしながら−そのための作業工程が
必要である上に、上記焼切化よるダメージがＡＩ膜膜種
４残り、その耐圧が低下するという欠点がある。
３、発明の目的
本発明の目的は１作業容易忙して上記導電機の如き薄膜
を精度良く形成で評る装置を提供することにある。
を精度良く形成で評る装置を提供することにある。
４、発明の構成及びその作用効果
即ち１本発明は、薄膜構成物質の粒子（例えばＡＩ）を
飛翔させ、対向配置された基体上に堆請させる薄膜形成
装置において、基体近傍に配した粒子流制御手段のスリ
ット状粒子流通過口を介して前記粒子が前記基体上に導
びかれ、かつこの場合の前記粒子流通過口のスリット幅
が小さめに設定されていることを特徴とする薄膜形成装
置に係るものである。
飛翔させ、対向配置された基体上に堆請させる薄膜形成
装置において、基体近傍に配した粒子流制御手段のスリ
ット状粒子流通過口を介して前記粒子が前記基体上に導
びかれ、かつこの場合の前記粒子流通過口のスリット幅
が小さめに設定されていることを特徴とする薄膜形成装
置に係るものである。
本発明によれば、薄膜構成物質の粒子を基体に対し粒子
流制御手段で制御しながら入射させるようにしているの
で、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如き
廻り込みや裏面への直接付着を阻止するようにできる。
流制御手段で制御しながら入射させるようにしているの
で、粒子が基体の表面上にて順次堆積し、既述した如き
廻り込みや裏面への直接付着を阻止するようにできる。
従って、得られた薄膜は何らの後処理を加えることな
く、そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供する
ことが可能である。 しかも、この際１粒子流通過口の
スリット幅を小さめ罠していることによって１粒子流制
御手段の粒子流通過口から粒子が横方向へ拡散する幅を
小さくでき、所定の決められた領域九のみ粒子を基体上
に堆積させることができる。
く、そのまま次の工程（例えば感光層の形成）に供する
ことが可能である。 しかも、この際１粒子流通過口の
スリット幅を小さめ罠していることによって１粒子流制
御手段の粒子流通過口から粒子が横方向へ拡散する幅を
小さくでき、所定の決められた領域九のみ粒子を基体上
に堆積させることができる。
コノことは１本発明者によりてはじめて見出された新規
で有用な事実であり、後記において詳細に説明する。
で有用な事実であり、後記において詳細に説明する。
５、実施例
以下１本発明を第５図〜第１５図忙示す実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第５図には、既述した感光性スクリーンの導電性スクリ
ーン基体ｌｌ（実際にはその表面又は外面上に絶縁層重
３が既に形成されている。）と。
ーン基体ｌｌ（実際にはその表面又は外面上に絶縁層重
３が既に形成されている。）と。
４−１
ＡＪ蒸発源２０とを１０ −１０ Ｔｏｒｒの真空度に
引かれたペルジャー（図示省略）内に配し９．基体１１
上にＡノ蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸着方法
又はその装置を示す。 スクリーン基体１１は、マンド
レル２２の周りにセットされ。
引かれたペルジャー（図示省略）内に配し９．基体１１
上にＡノ蒸着膜（既述の１４）を形成する真空蒸着方法
又はその装置を示す。 スクリーン基体１１は、マンド
レル２２の周りにセットされ。
共に例えばｌ ５ ｒｐｍの速度で回転し得るように配
されている。
されている。
ここで注目すべきことは、基体１１と蒸発源２゜との間
の領域において、＾体１１の近傍にスリット２３付きの
遮蔽板２４を設けていることである。
の領域において、＾体１１の近傍にスリット２３付きの
遮蔽板２４を設けていることである。
そしてこの場合、第６図に明示する如く、蒸発源２０か
らのへ！蒸気は、一点鎖線２１’で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によって完全に遮断され。
らのへ！蒸気は、一点鎖線２１’で示す斜め方向の成分
は遮蔽板２４によって完全に遮断され。
基体１１に対してその垂直方向成分２１のみがスリット
２３を通して導びかれ、絶縁層１３上忙順次堆積するよ
うに構成している。 スリット２３を通過するへ！蒸気
２１の蒸発源からの角度αは例えば０．５炭化設定され
る。 また実際圧は、スリット２３の幅を５ｍとすれば
、このスリット幅内には第６図に示すように基体１１の
メツシュ構成部分が多数個（例えば２０個）分収まるよ
うに構成される。
２３を通して導びかれ、絶縁層１３上忙順次堆積するよ
うに構成している。 スリット２３を通過するへ！蒸気
２１の蒸発源からの角度αは例えば０．５炭化設定され
る。 また実際圧は、スリット２３の幅を５ｍとすれば
、このスリット幅内には第６図に示すように基体１１の
メツシュ構成部分が多数個（例えば２０個）分収まるよ
うに構成される。
このように、スリット２３付きの遮蔽板２４によりて、
ＡＪ蒸気（又は分子）の垂直方向成分２１のみを選択し
て基体１１上に導びいているから。
ＡＪ蒸気（又は分子）の垂直方向成分２１のみを選択し
て基体１１上に導びいているから。
基体１１の表面又は外面上にのみＡノが堆積し。
以上と高く保持される）ことが分る。 絶縁層が厚めの
ときは、いずれの場合も良好な結果が得られる。
ときは、いずれの場合も良好な結果が得られる。
次に、下記の条件を一定にして操作したところ、表−２
釦示す結果が得られた。
釦示す結果が得られた。
ＤＢＭ＝５肛
Ｉ）Ｉｌ＋ ＝ ３００ ｍｍ
Ｗ＝ １０ ｍｍ
ＲＡ ４１−１ ｇ ／順
絶縁層１３の塗布回数＝４回（層は薄め）表 −２
※電圧を印加してＡｌ蒸着膜のダメージの有無を観察。
この結果から、Ａｌ膜厚を目標とするａｏｏＸ程度とし
ても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリークが生じ
易くなることが分る。、Ａ、ｌ膜厚（ま薄めの方が、ｋ
ｌＮＡり込みの影響を軽減できる。
ても抵抗値は充分に保持できるが、電流のリークが生じ
易くなることが分る。、Ａ、ｌ膜厚（ま薄めの方が、ｋ
ｌＮＡり込みの影響を軽減できる。
また、上記臨、（遮・蔽板−基体間の距離）を選択する
こと忙よって、拡散幅ｄを低めに抑え、Ａ１粒子流の平
行度を充分にし得ることを確認して（・る。 即ち、第
８図に示すように（但、 １）Ｉｌ、＝３００鵬、Ｗ＝
５ ｉｎ、 ＲＡｅ＝＝ Ｉ Ｅｌ ／ Ｍ） −０８
Ｍを４０ｍｍ以下として基体と遮蔽板の距離を短かくす
ると。
こと忙よって、拡散幅ｄを低めに抑え、Ａ１粒子流の平
行度を充分にし得ることを確認して（・る。 即ち、第
８図に示すように（但、 １）Ｉｌ、＝３００鵬、Ｗ＝
５ ｉｎ、 ＲＡｅ＝＝ Ｉ Ｅｌ ／ Ｍ） −０８
Ｍを４０ｍｍ以下として基体と遮蔽板の距離を短かくす
ると。
付着拡散幅を２５順以下と小さくシ、目的とするＡＪ蒸
着膜が得易くなる。
着膜が得易くなる。
上記ＤＩｌｌｌとｄとの間には、第９図に示す関係が得
られ、Ｄｌｌ、を６０ｍ以上の範囲で適切に設定（特に
１００ｍ＋ｎ以上）することが望ましし・（但、第９図
の条件は、ＤＩＩＭ ＝＝ ５ ｍｍ−Ｗ＝ ５ ｍｍ
−１１，Ｂ ＝’−＝ １１！／ｗｉｎ＞。
られ、Ｄｌｌ、を６０ｍ以上の範囲で適切に設定（特に
１００ｍ＋ｎ以上）することが望ましし・（但、第９図
の条件は、ＤＩＩＭ ＝＝ ５ ｍｍ−Ｗ＝ ５ ｍｍ
−１１，Ｂ ＝’−＝ １１！／ｗｉｎ＞。
スリット幅Ｗについては、第１Ｏ図のように拡散幅ｄを
左右し、Ｗを２０数順以下とすればよいことが分る。
また、第１１図のように、スリット幅Ｗ−拡散＠ｄは％
Ｄ、Ｍのとり方によっても変化しＳ ＤＩＩＭを５伽
と小さくする方が拡散幅を少なくできることが分る（但
−Ｄｌｌｓ ＝３００胴、Ｄｌｌ＆ｌ−５＋ｎｍ又は４
０ｍｍ、ＲＡ、＝ｌ、 ２．４〜６１／ ／１ｎｉｓ
）。
左右し、Ｗを２０数順以下とすればよいことが分る。
また、第１１図のように、スリット幅Ｗ−拡散＠ｄは％
Ｄ、Ｍのとり方によっても変化しＳ ＤＩＩＭを５伽
と小さくする方が拡散幅を少なくできることが分る（但
−Ｄｌｌｓ ＝３００胴、Ｄｌｌ＆ｌ−５＋ｎｍ又は４
０ｍｍ、ＲＡ、＝ｌ、 ２．４〜６１／ ／１ｎｉｓ
）。
ここで本発明者は、上記した如くに遮蔽板２４を用いて
Ａ７！蒸気を蒸着させる釦際し、スリット幅Ｗを小さめ
に設定することが極めて重要であることを見出したので
ある（Ｍｌ ０図、ＩＪＩＩ図参照）。 特に、基体１
１の直径Ｒに対し、スリット幅Ｗを％以下（望ましくは
１７１０以下）とすることがよい、具体的にはＲ＝１２
０＋ｎｍψのときにはＷ＝３０〜１２ｍｍ以下とするの
が望ましい。
Ａ７！蒸気を蒸着させる釦際し、スリット幅Ｗを小さめ
に設定することが極めて重要であることを見出したので
ある（Ｍｌ ０図、ＩＪＩＩ図参照）。 特に、基体１
１の直径Ｒに対し、スリット幅Ｗを％以下（望ましくは
１７１０以下）とすることがよい、具体的にはＲ＝１２
０＋ｎｍψのときにはＷ＝３０〜１２ｍｍ以下とするの
が望ましい。
このように１本発明に基いて、上述の遮蔽板の使用によ
っ【粒子流を制御しながら、そのスリット幅を小さめに
設定すれば、拡散幅を小さくシ。
っ【粒子流を制御しながら、そのスリット幅を小さめに
設定すれば、拡散幅を小さくシ。
平行粒子流を多くして、基体の表面（外面）上にのみＡ
ＪＩ’蒸着膜を請度良く形成することができるのである
。
ＪＩ’蒸着膜を請度良く形成することができるのである
。
上述したマンドレル２２について、第１２図を用いてよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
このマンドレル２２は、基体１１の内周に近接して設け
られているので、基体１１のメツシュを通過した１１粒
子はマンドレル２２で阻止され。
られているので、基体１１のメツシュを通過した１１粒
子はマンドレル２２で阻止され。
基体１１の他の内面への付着が効果的に防止される。
この場合、マンドレル２２は実際には、追加ノスリーブ
２５と接合、一体化され、このスリーブ２５上の両端に
嵌め込まれたりング２６に対し上述した基体１１が固定
される。
この場合、マンドレル２２は実際には、追加ノスリーブ
２５と接合、一体化され、このスリーブ２５上の両端に
嵌め込まれたりング２６に対し上述した基体１１が固定
される。
第１３図は、他の蒸着装置を示すが、この場合には、基
体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源２０からの粒
子２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくは
イオン化することにより。
体１１にバイアス電圧２７をかけ、蒸発源２０からの粒
子２１を電子銃２８からの電子によって活性化若しくは
イオン化することにより。
粒子２１０基体ｌｌ上への吸着効率を高めている。
第１４図は、コイル電極２９に高周波３８を加え、公知
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
のＲＦイオンブレーティングと同様の原理で、Ａｒガス
を導入しながら蒸着を行なう例である。
第１５図は、スパッタ法によりＡＪＩ’膜を形成する例
な示し、Ａツタ−ゲット４０をＡｒガスによるプラズマ
でスパッタし、叩き出されたＡ４粒子又はクラスターを
スリット２３を介して基体１１上忙はぼ垂直に入射させ
、上述したＡＪ導′ｒＩＬ膜１４を形成する。
な示し、Ａツタ−ゲット４０をＡｒガスによるプラズマ
でスパッタし、叩き出されたＡ４粒子又はクラスターを
スリット２３を介して基体１１上忙はぼ垂直に入射させ
、上述したＡＪ導′ｒＩＬ膜１４を形成する。
なお１本発明は、上述の感光性スクリーンに限らず、他
の薄膜１例えば垂直磁気記録ｍｃ例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であり、その用途は広範である。
また、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリッ）
Ｋ対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作用させ
てもよい、 また、基体の断面形状は矩形環、他の形状
であってよい。
の薄膜１例えば垂直磁気記録ｍｃ例えばＣｏ−Ｃｒ膜）
の形成にも適用可能であり、その用途は広範である。
また、上述の遮蔽板は複数板組合せてよいし、スリッ）
Ｋ対し粒子流が収束するような電界又は磁界を作用させ
てもよい、 また、基体の断面形状は矩形環、他の形状
であってよい。
第１図〜第４図は従来例を示すものであって。
第１図は２色刷り用電子写真複写機の概略断面図。
第２図は感光性スクリーンの一部拡大断面図。
第３図は蒸着時の断面図。
第４図は蒸着後の感光性スクリーンの断面図である。
第５図〜第１５図は本発明の実〃−例を示すものであり
て。 第５図は蒸着時の断面図− 第６図は第５図の要部拡大図。 第７図は各部の位置関係を説明するための第６図と同様
の図。 第８図は遮蔽板と基体との距離による粒子拡散幅を示す
グラフ。 第９図は蒸発源と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示
すグラフ、 第１０図は遮蔽板のスリット幅と粒子拡散幅との関係を
示すグラフ。 第１１図は同スリット幅と粒子拡散幅との関係を遮蔽板
−基体間の距離との関連で示すグラフ。 第１２図は基体保持構造を示す断面図。 第１３図、第１４図、第１５図は他の製造装置の各概略
図 である。 なお１図面に示した符号において。 １１−−−−−−−−−−−−−−−−一導電性スクリ
ーン基体１３・−−−−−−−−・−・−・−−ｍ−絶
縁層１４・−・−・−−−−−−−−一−・−−−−−
（ＡＪ）導電膜１５−−−−−−−・・−−−−−一・
−・−・−・感光層１６−−−−−・・・−−−−−−
・−・−電荷輸送層１７−−−−−−＝−−−−−−−
・−感光性スクＩノーン２０−−−−−−一・−−一一
−−−−−−−−−−−−蒸発源２１−−−＝−−−−
−−−−−−ＡＪ蒸気２２ ＝−−−−−一・−−−−
−−−−−−・−−−−−−マンドンル２３−−−−−
・−−−−−−・−・−・スリット２４−−−−−一・
・−−−−−−・−遮蔽板である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 （イ也１名）第５図 第６図 第７図 第８図 ＤｓＭ１ｍｍｌ ）哩■ｉ ζｎ 転 転 呂 容 呂 呂 胃 な癖城漆？震 第１１図 スリットや吊１ｍｍ１ 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 ４０ 丁
て。 第５図は蒸着時の断面図− 第６図は第５図の要部拡大図。 第７図は各部の位置関係を説明するための第６図と同様
の図。 第８図は遮蔽板と基体との距離による粒子拡散幅を示す
グラフ。 第９図は蒸発源と遮蔽板との距離による粒子拡散幅を示
すグラフ、 第１０図は遮蔽板のスリット幅と粒子拡散幅との関係を
示すグラフ。 第１１図は同スリット幅と粒子拡散幅との関係を遮蔽板
−基体間の距離との関連で示すグラフ。 第１２図は基体保持構造を示す断面図。 第１３図、第１４図、第１５図は他の製造装置の各概略
図 である。 なお１図面に示した符号において。 １１−−−−−−−−−−−−−−−−一導電性スクリ
ーン基体１３・−−−−−−−−・−・−・−−ｍ−絶
縁層１４・−・−・−−−−−−−−一−・−−−−−
（ＡＪ）導電膜１５−−−−−−−・・−−−−−一・
−・−・−・感光層１６−−−−−・・・−−−−−−
・−・−電荷輸送層１７−−−−−−＝−−−−−−−
・−感光性スクＩノーン２０−−−−−−一・−−一一
−−−−−−−−−−−−蒸発源２１−−−＝−−−−
−−−−−−ＡＪ蒸気２２ ＝−−−−−一・−−−−
−−−−−−・−−−−−−マンドンル２３−−−−−
・−−−−−−・−・−・スリット２４−−−−−一・
・−−−−−−・−遮蔽板である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 （イ也１名）第５図 第６図 第７図 第８図 ＤｓＭ１ｍｍｌ ）哩■ｉ ζｎ 転 転 呂 容 呂 呂 胃 な癖城漆？震 第１１図 スリットや吊１ｍｍ１ 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 ４０ 丁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、薄膜構成物質の粒子を飛翔させ、対向配置された基
体上に堆積させる薄膜形成装置において。 基体近傍に配した粒子流制御手段のスリット状粒子流通
過口を介して前記粒子が前記基体上に導びかれ、かつ前
記粒子流通過口のスリット幅が小さめに設定されている
ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477283A JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
| US06/649,858 US4601922A (en) | 1983-09-21 | 1984-09-12 | Method of forming a layer of thin film on a substrate having a multiplicity of mesh-like holes |
| DE19843434433 DE3434433A1 (de) | 1983-09-21 | 1984-09-19 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer duennen schicht auf einem substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17477283A JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067661A true JPS6067661A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0346544B2 JPH0346544B2 (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=15984396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17477283A Granted JPS6067661A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764185B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 방법 및 ｅｌ 표시장치 제작방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536585B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2010-09-01 | 株式会社ツバキエマソン | 過負荷保護装置付中空軸減速機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS53117559U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17477283A patent/JPS6067661A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS53117559U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764185B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 방법 및 ｅｌ 표시장치 제작방법 |
| KR100764178B1 (ko) | 2000-03-06 | 2007-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 형성 장치 |
| US7564054B2 (en) | 2000-03-06 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346544B2 (ja) | 1991-07-16 |
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