JPS6033503A - ブレ−ズド格子の製造方法 - Google Patents
ブレ−ズド格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6033503A JPS6033503A JP14256783A JP14256783A JPS6033503A JP S6033503 A JPS6033503 A JP S6033503A JP 14256783 A JP14256783 A JP 14256783A JP 14256783 A JP14256783 A JP 14256783A JP S6033503 A JPS6033503 A JP S6033503A
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- JP
- Japan
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- film
- photoresist
- ion beam
- ion
- polymer film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
回折格子は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理崗上１００９６の光を回折できる特徴があるが、
格子溝の形状を制御して製作しなければならないため製
作が困難である。現在環も現実的と思われるのは、あら
かじめ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板
を斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方
法である。この手法で現在知られているのは、基板をガ
リウム砒素、又はガラス板上に塗布したポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）としたものであるが、前者は結
晶であるため高価で、又不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者はガラス板上に塗布した
Ｐ ＭＭＡを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でＰ
ＭＭＡ膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができず、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点があった。
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理崗上１００９６の光を回折できる特徴があるが、
格子溝の形状を制御して製作しなければならないため製
作が困難である。現在環も現実的と思われるのは、あら
かじめ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板
を斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方
法である。この手法で現在知られているのは、基板をガ
リウム砒素、又はガラス板上に塗布したポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）としたものであるが、前者は結
晶であるため高価で、又不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者はガラス板上に塗布した
Ｐ ＭＭＡを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でＰ
ＭＭＡ膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができず、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点があった。
この発明の目的は、上述の欠点を除去した、透過型の高
品質のブレーズド格子の製造方法を提供することにある
。
品質のブレーズド格子の製造方法を提供することにある
。
この発明のブレーズド格子の製造方法は基板に有機高分
子膜を塗布する工程と、塗布された前記有機高分子膜に
イオンビームを照射する工程と、イオンビームを照射し
た前記有機高分子ｌ摸に前記有機高分子膜よシもイオン
エツチング速度の遅いホトレジストを塗布する工程と、
塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回折格子に形
成する工程と、前記回折格子をシャドウマスクとして、
基板に対して斜め方向からイオンビームによってイオン
エツチングする工程とを含むことを特徴とするブレーズ
ド格子の製造方法である。
子膜を塗布する工程と、塗布された前記有機高分子膜に
イオンビームを照射する工程と、イオンビームを照射し
た前記有機高分子ｌ摸に前記有機高分子膜よシもイオン
エツチング速度の遅いホトレジストを塗布する工程と、
塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回折格子に形
成する工程と、前記回折格子をシャドウマスクとして、
基板に対して斜め方向からイオンビームによってイオン
エツチングする工程とを含むことを特徴とするブレーズ
ド格子の製造方法である。
次に図面を参照して、この発明の詳細な説明する。
第１図から第６図までは、この発明の一実施例を、工程
の順に説明するための断面図である。第１図は、基板１
に有機高分子膜２を塗布した状態を示す断面図である。
の順に説明するための断面図である。第１図は、基板１
に有機高分子膜２を塗布した状態を示す断面図である。
基板としてはガラス板及びアクリル板を用いた。有機高
分子膜としては、種々実験した結果、イオンエツチング
速度の早いソマール工業製の電子線レジスト５ＥＬ−Ｎ
タイプＡを用いた。５ＥＬ−ＮタイプＡはメタクリル酸
グリシジルとアクリル酸エチルの共１合体である。イオ
ンエツチング速度は１ｍＡ／ｉのアルゴンイオンビーム
に対し６６０オングストロ一ム／分であった。基板には
スピナーで回転塗布した。塗布厚は約１μｍである。そ
の後、ガラス基板の時は８０℃で３０分間焼きしめを行
なった。アクリル板の時は５０して６０分間焼きしめを
行なった。次に、この廂機高分子膜を加速量ＪｆＥ５０
０Ｖ、イオン電流密度０．５ｍＡ／ｃ−のアルゴンイオ
ンビーム、で約１分間イオンエツチングした。この結果
、第２図に示すように有機高分子膜の表面にホトレジス
トＡＺ−１３５０Ｊの溶媒に対して不溶な層３ができた
。
分子膜としては、種々実験した結果、イオンエツチング
速度の早いソマール工業製の電子線レジスト５ＥＬ−Ｎ
タイプＡを用いた。５ＥＬ−ＮタイプＡはメタクリル酸
グリシジルとアクリル酸エチルの共１合体である。イオ
ンエツチング速度は１ｍＡ／ｉのアルゴンイオンビーム
に対し６６０オングストロ一ム／分であった。基板には
スピナーで回転塗布した。塗布厚は約１μｍである。そ
の後、ガラス基板の時は８０℃で３０分間焼きしめを行
なった。アクリル板の時は５０して６０分間焼きしめを
行なった。次に、この廂機高分子膜を加速量ＪｆＥ５０
０Ｖ、イオン電流密度０．５ｍＡ／ｃ−のアルゴンイオ
ンビーム、で約１分間イオンエツチングした。この結果
、第２図に示すように有機高分子膜の表面にホトレジス
トＡＺ−１３５０Ｊの溶媒に対して不溶な層３ができた
。
、第３図は、不溶層３の上にホトレジスト４を塗布した
状態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレ
ー社製ＡＺ−１３５０Ｊを使用した。イオンエツチング
速度は１ｍＡ／ｄのアルゴンイオンに対しａＯＯ！１５
） であった。電子線レジストｇ上にはスピナーで回転
塗布した。Ｉ！ｉｇ！ｉきしめは電子線レジストと同じ
条件で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチ
により異な、９０．３μｍ〜１ｐｍとした。
状態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレ
ー社製ＡＺ−１３５０Ｊを使用した。イオンエツチング
速度は１ｍＡ／ｄのアルゴンイオンに対しａＯＯ！１５
） であった。電子線レジストｇ上にはスピナーで回転
塗布した。Ｉ！ｉｇ！ｉきしめは電子線レジストと同じ
条件で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチ
により異な、９０．３μｍ〜１ｐｍとした。
次に、ホトレジスト膜にレリーフ格子を形成するために
、Ｈｅ−Ｃｄレーザを光源とする干渉計で干渉縞をホト
レジスト膜に蕗光し、現像液で現像した。第４図は、現
像後の状態を示す断面図である。レーザ干渉計を用いる
かわシに乳剤マスクを用いて密着焼付によっても第４図
に示すようなレリーフ格子を形成できる。次に、第４図
に示すような試料をイオンエツチング装置を用いて、斜
め入射のアルゴンイオンビームでイオンエツチングした
。第５図は、イオンエツチングを途中で中断した状態を
示す。さらにイオンエツチングを進めると、第６図に示
すようなブレーズド格子が得られる。アルゴンイオンビ
ームとしては、加速電圧３００〜７００Ｖ、イオン電流
密度０．３〜０．７ｍｋ／ｃ−で５− 行なった。
、Ｈｅ−Ｃｄレーザを光源とする干渉計で干渉縞をホト
レジスト膜に蕗光し、現像液で現像した。第４図は、現
像後の状態を示す断面図である。レーザ干渉計を用いる
かわシに乳剤マスクを用いて密着焼付によっても第４図
に示すようなレリーフ格子を形成できる。次に、第４図
に示すような試料をイオンエツチング装置を用いて、斜
め入射のアルゴンイオンビームでイオンエツチングした
。第５図は、イオンエツチングを途中で中断した状態を
示す。さらにイオンエツチングを進めると、第６図に示
すようなブレーズド格子が得られる。アルゴンイオンビ
ームとしては、加速電圧３００〜７００Ｖ、イオン電流
密度０．３〜０．７ｍｋ／ｃ−で５− 行なった。
本実施例では、有機高分子膜として５ＥＬ−ＮタイプＡ
を用いた場合を説明したが、本方法に適する他の有ｈ＝
分子ノ莫材料としては、５ＥＬ−ＮタイプＡと同じ様な
電子線レジストＥＲＲ−９、又はメタクリの２つのメチ
ル基をＣ４およびＣＩ（、ＣＦ、で置換した電合体（電
子線レジストＣ０Ｐ）、又はポリメチルメタアクリレー
ト（ＰＭＭＡ） 、又はポリ方法でブレーズド格子を製
造できる。
を用いた場合を説明したが、本方法に適する他の有ｈ＝
分子ノ莫材料としては、５ＥＬ−ＮタイプＡと同じ様な
電子線レジストＥＲＲ−９、又はメタクリの２つのメチ
ル基をＣ４およびＣＩ（、ＣＦ、で置換した電合体（電
子線レジストＣ０Ｐ）、又はポリメチルメタアクリレー
ト（ＰＭＭＡ） 、又はポリ方法でブレーズド格子を製
造できる。
以上述べた様に本発明により、透過型の高品質に示す断
面図である。
面図である。
図において、１は基板、２は有機高分子膜、３６−
は不音層、４はホトレジストを各々表わす。
−７−
１１−
Claims (1)
- 基板に有機高分子膜を塗布する工程と、塗布された前記
有機高分子膜にイオンビームを照射する工程と、イオン
ビームを照射した前記有機高分子膜に前記有機高分子膜
よシもイオンエツチング速度の遅いホトレジストヲ塗布
する工程と、塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の
回折格子に形成する工程と、前記回折格子をシャドウマ
スクとして、基板に対して斜め方向からイオンビームに
よってイオンエツチングする工程とを含むことを特徴と
するブレーズド格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14256783A JPS6033503A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14256783A JPS6033503A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033503A true JPS6033503A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0217001B2 JPH0217001B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=15318324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14256783A Granted JPS6033503A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033503A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490402A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Kuraray Co | Transmission type diffraction grating |
| WO2021031111A1 (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | 诚瑞光学(常州)股份有限公司 | 表面浮雕光栅结构的制作方法 |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP14256783A patent/JPS6033503A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490402A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Kuraray Co | Transmission type diffraction grating |
| WO2021031111A1 (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-25 | 诚瑞光学(常州)股份有限公司 | 表面浮雕光栅结构的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217001B2 (ja) | 1990-04-19 |
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