JPS60247933A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS60247933A JPS60247933A JP10268184A JP10268184A JPS60247933A JP S60247933 A JPS60247933 A JP S60247933A JP 10268184 A JP10268184 A JP 10268184A JP 10268184 A JP10268184 A JP 10268184A JP S60247933 A JPS60247933 A JP S60247933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- combustion chamber
- mixing chamber
- oxygen
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 2
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 2
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は半導体製造装置に関し、詳しくはシリコンウ
ェハ表面に酸化シリコン膜を形成する装置において、水
素ガスを燃焼させて水蒸気を得る装置に関するものであ
る。
ェハ表面に酸化シリコン膜を形成する装置において、水
素ガスを燃焼させて水蒸気を得る装置に関するものであ
る。
（従来技術）
水素・酸素ガス燃焼方法で水蒸気を得る従来の装置全第
２図に示す。この装置においては、まず、酸素流入口ｌ
から燃焼室ＩＫあらかじめ酸素を流すとともに、着火用
ヒータ３をオンさせて、このヒータ３が水素の着火温度
以上になるようにする。
２図に示す。この装置においては、まず、酸素流入口ｌ
から燃焼室ＩＫあらかじめ酸素を流すとともに、着火用
ヒータ３をオンさせて、このヒータ３が水素の着火温度
以上になるようにする。
次に、水素流入口４から水素を燃焼室２に流入させ、着
火用ヒータ３で着火、燃焼させることによシ水蒸気を発
生させ、その水蒸気を電気炉５内のプロセスチューブ６
に供給する。このプロセスチューブ６内にはシリコンウ
ェハ７が収容されてＡる。このシリコンウェハ７が前記
水蒸気の供給を受けながら熱酸化処理される。
火用ヒータ３で着火、燃焼させることによシ水蒸気を発
生させ、その水蒸気を電気炉５内のプロセスチューブ６
に供給する。このプロセスチューブ６内にはシリコンウ
ェハ７が収容されてＡる。このシリコンウェハ７が前記
水蒸気の供給を受けながら熱酸化処理される。
ところで、上記燃焼方法において、水素対酸素の流量比
が２：１の場合においては、燃焼が緩やかに起るため、
水素炎（第２図において符号８け、その水素炎を示す）
は比較的低温（約１９００℃）である。しかしながら、
燃焼室２における水素−酸素の混合比はシリコンウェハ
の酸化条件によυ異なシ、酸素過剰雰囲気での燃焼条件
が必要な場合が多く、その場合は、水素炎８は、酸素過
剰炎となＱ１炎の温度は２８００℃にも到達することに
なる。そして、このように炎の温ｉが筒温になると、水
素流入口４のノズル部の石英が軟化蒸発して、第３図（
ａ）に示す正常なノズル部が同図（ｂ）に示すように変
形したり、前記蒸発した石英の不純物がシリコンウェハ
１７に態形＊を及はしてシリコンウェハ７の信頼性を落
とす原因となるという欠点があっに０ （発明の目的） この発明は上記の点に纜みなされたもので、その目的は
、水素流入口のノズル部の石英の軟５Ｌ′＃発を防止し
、かつ酸化条件に適した任意の雰囲気を作ることができ
る半導体製造装ａｔ−提供することにある。
が２：１の場合においては、燃焼が緩やかに起るため、
水素炎（第２図において符号８け、その水素炎を示す）
は比較的低温（約１９００℃）である。しかしながら、
燃焼室２における水素−酸素の混合比はシリコンウェハ
の酸化条件によυ異なシ、酸素過剰雰囲気での燃焼条件
が必要な場合が多く、その場合は、水素炎８は、酸素過
剰炎となＱ１炎の温度は２８００℃にも到達することに
なる。そして、このように炎の温ｉが筒温になると、水
素流入口４のノズル部の石英が軟化蒸発して、第３図（
ａ）に示す正常なノズル部が同図（ｂ）に示すように変
形したり、前記蒸発した石英の不純物がシリコンウェハ
１７に態形＊を及はしてシリコンウェハ７の信頼性を落
とす原因となるという欠点があっに０ （発明の目的） この発明は上記の点に纜みなされたもので、その目的は
、水素流入口のノズル部の石英の軟５Ｌ′＃発を防止し
、かつ酸化条件に適した任意の雰囲気を作ることができ
る半導体製造装ａｔ−提供することにある。
（発明の桁壁）
この発明の要点は、水素燃廟室と、゛過剰酸素やその他
の不燃性ガスとの混合室とを分熱したことにある。
の不燃性ガスとの混合室とを分熱したことにある。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す断ｉ！０ＤＫＪである
。この図において、】１は燃焼室で、外壁部に着火用ヒ
ータ１２が設けられ、かつ酸素流入口１３と水素流入口
１４が内部に開口している。
１図はこの発明の一実施例を示す断ｉ！０ＤＫＪである
。この図において、】１は燃焼室で、外壁部に着火用ヒ
ータ１２が設けられ、かつ酸素流入口１３と水素流入口
１４が内部に開口している。
１５は混合室で、分離板１６によシ前記燃焼￥１１と分
離して設けられる。ただし、分離板１６には５ｓｍφ程
贋の穴１７が形成されておシ、前記燃焼室１１で発生し
た水蒸気がこの穴１７を介して混合室１５に供給される
ようになっている。このような混合室１５には希釈用酸
素流入口１８が開口する。すなわち、水素流入口１４の
水素流量°と酸素流入口１３の酸素流軸比を２：】とし
た時、シリコンウェハの酸化に必爽な過剰酸素、つまり
水蒸気を希釈するｆｃ、めの酸素が希釈用酵素流入口Ｉ
８から混合ｍ＜ｙｓのみＩｃ流入さｈ７るようになって
いる。この混合室１５の前記分離板１６と反対側はプロ
セスナ二一’７’ ］ ９に接続ざわる。このプロセス
チューブ］９の外周に電気炉２０が設けられる。
離して設けられる。ただし、分離板１６には５ｓｍφ程
贋の穴１７が形成されておシ、前記燃焼室１１で発生し
た水蒸気がこの穴１７を介して混合室１５に供給される
ようになっている。このような混合室１５には希釈用酸
素流入口１８が開口する。すなわち、水素流入口１４の
水素流量°と酸素流入口１３の酸素流軸比を２：】とし
た時、シリコンウェハの酸化に必爽な過剰酸素、つまり
水蒸気を希釈するｆｃ、めの酸素が希釈用酵素流入口Ｉ
８から混合ｍ＜ｙｓのみＩｃ流入さｈ７るようになって
いる。この混合室１５の前記分離板１６と反対側はプロ
セスナ二一’７’ ］ ９に接続ざわる。このプロセス
チューブ］９の外周に電気炉２０が設けられる。
また、このプロセスチューブ１９内にシリコンウェハ２
１が収容される。
１が収容される。
このように構成さ力た装置ｅこおいてＵ」、まず酸素流
入口１３および希釈用酵素流入口１８より酸素を流入さ
せ、燃焼室１】と混合室１５を酸素で充たすとともに、
着火用ヒータ１２をオンさせて水素の発火点の６００℃
以上にする。次に、水素流入口１４よシ水素を流入させ
る。燃焼室１１に流入した水素は、着火用ヒータ１２の
熱により着火し、燃焼を開始する。水素の燃焼が確認さ
れたら着火用ヒータ１２をオフする。この時、水素流入
口１４からの水素流量と酸素流入口１３からの飄素流人
量比を、水蒸気分子の構成比である２：１となるように
設定する。このような流量比における水素燃焼は緩やか
であり、水素炎２２は約１９００℃で６Ｄ、比較的低温
な炎となる。この燃焼により燃焼室１１で発生した水蒸
気は、分離板１６の穴１７よシ混合室１５に流れ、希釈
用酸素流入口】８より流入し７’（酸素と混合された上
で、プロセスチューブ１９に供給される。プロセスチュ
ーブ１９内にはシリコンウェハ２１が収容“されておｐ
、このシリコンウェハ２１が、前記酸素と水蒸気の混合
雰囲気中で酸化処理される。
入口１３および希釈用酵素流入口１８より酸素を流入さ
せ、燃焼室１】と混合室１５を酸素で充たすとともに、
着火用ヒータ１２をオンさせて水素の発火点の６００℃
以上にする。次に、水素流入口１４よシ水素を流入させ
る。燃焼室１１に流入した水素は、着火用ヒータ１２の
熱により着火し、燃焼を開始する。水素の燃焼が確認さ
れたら着火用ヒータ１２をオフする。この時、水素流入
口１４からの水素流量と酸素流入口１３からの飄素流人
量比を、水蒸気分子の構成比である２：１となるように
設定する。このような流量比における水素燃焼は緩やか
であり、水素炎２２は約１９００℃で６Ｄ、比較的低温
な炎となる。この燃焼により燃焼室１１で発生した水蒸
気は、分離板１６の穴１７よシ混合室１５に流れ、希釈
用酸素流入口】８より流入し７’（酸素と混合された上
で、プロセスチューブ１９に供給される。プロセスチュ
ーブ１９内にはシリコンウェハ２１が収容“されておｐ
、このシリコンウェハ２１が、前記酸素と水蒸気の混合
雰囲気中で酸化処理される。
以上のようにこの発明の一実施例では、燃焼室１１と混
合ｇｌｓを分離したため、酸化に最適な雰囲気を供給し
つつ、燃焼室１１における水素と酸素量を水蒸気分子の
構成比と同一にすることができる。したかつて、水素炎
２２は酸素過剰炎の２８００℃という高温にならす、緩
やかな燃焼となシ、約１９００℃に抑えることができる
。このため、水素流入口１４のノズル部の石英の軟質蒸
発が防止され、ノズル部が変形したシ、蒸発した石英の
不純物かシリコンウェハ２１に慾影ｅを及ばしてシリコ
ンウェハ２１の信頼性を低下させるといったことをなく
すことができる。
合ｇｌｓを分離したため、酸化に最適な雰囲気を供給し
つつ、燃焼室１１における水素と酸素量を水蒸気分子の
構成比と同一にすることができる。したかつて、水素炎
２２は酸素過剰炎の２８００℃という高温にならす、緩
やかな燃焼となシ、約１９００℃に抑えることができる
。このため、水素流入口１４のノズル部の石英の軟質蒸
発が防止され、ノズル部が変形したシ、蒸発した石英の
不純物かシリコンウェハ２１に慾影ｅを及ばしてシリコ
ンウェハ２１の信頼性を低下させるといったことをなく
すことができる。
なお、上記一実施例でに、混合室１５での水蒸気との混
合を希釈酸素としたが、酸化条件によっては、混合室１
５での混合ガスを、電果あるいはその他の不燃性のカス
とすることができる。
合を希釈酸素としたが、酸化条件によっては、混合室１
５での混合ガスを、電果あるいはその他の不燃性のカス
とすることができる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明の装置によれば、水素燃焼
室と、該室で発生した水蒸気と不燃性カスと全混合はせ
る混合室と全分離したので、配化条件ＩＣ適した任意の
雰囲気を供給しつつ、ノズルの変形およびウェハに対す
る悪影響を防止でき、安定した酸化を行える。
室と、該室で発生した水蒸気と不燃性カスと全混合はせ
る混合室と全分離したので、配化条件ＩＣ適した任意の
雰囲気を供給しつつ、ノズルの変形およびウェハに対す
る悪影響を防止でき、安定した酸化を行える。
第１図はこの発明の半轡体製造装置の一実施例を示す断
面図、第２図は従来の装置の断面図、第３図は従来の装
置における水素流入口のノズル部を取出して示す斜視図
である。 １１・・・燃焼室、１２・・・着火用ヒータ、１３・・
・酸素流入口、１４・・・水素流入口、１５・・・混合
室、１６・・・分離板、１７・・・穴、１８・・・希釈
用酸素流入口。 特許出願人 沖霜気工業株式会社 第１図 ２ 第２図 第３図 （０）ｐ （ｂす：ンコ
面図、第２図は従来の装置の断面図、第３図は従来の装
置における水素流入口のノズル部を取出して示す斜視図
である。 １１・・・燃焼室、１２・・・着火用ヒータ、１３・・
・酸素流入口、１４・・・水素流入口、１５・・・混合
室、１６・・・分離板、１７・・・穴、１８・・・希釈
用酸素流入口。 特許出願人 沖霜気工業株式会社 第１図 ２ 第２図 第３図 （０）ｐ （ｂす：ンコ
Claims (1)
- 水素ガスと酸素ガスを混合燃焼させて連続的に水蒸気を
得る燃焼室と、核室で発生した水蒸気と不燃性ガスとを
混合させる混合室とを分離して設けたことを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268184A JPS60247933A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268184A JPS60247933A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247933A true JPS60247933A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14333974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268184A Pending JPS60247933A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0171442U (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-12 | ||
| JPH01319940A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Kimmon Mfg Co Ltd | 外部燃焼酸化装置 |
| EP1160838A3 (en) * | 2000-05-31 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| US7250376B2 (en) | 1997-03-05 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP10268184A patent/JPS60247933A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0171442U (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-12 | ||
| JPH01319940A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Kimmon Mfg Co Ltd | 外部燃焼酸化装置 |
| US7250376B2 (en) | 1997-03-05 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7799690B2 (en) | 1997-03-05 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| EP1160838A3 (en) * | 2000-05-31 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| US6863732B2 (en) | 2000-05-31 | 2005-03-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2902012B2 (ja) | 低圧酸化装置 | |
| JPS60247933A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2017501957A (ja) | 熱回収が改善された燃焼 | |
| JP2017501957A5 (ja) | ||
| JPS63210501A (ja) | 蒸気発生方法及びその装置 | |
| JPH0442916Y2 (ja) | ||
| JP3126487B2 (ja) | 酸化処理装置 | |
| JPS62123041A (ja) | レ−ザ−ガラスから白金インクル−ジヨンを消去する方法 | |
| JPH1167750A (ja) | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 | |
| JPS6218039A (ja) | 半導体ウエフアの酸化装置 | |
| US6824757B2 (en) | Method and arrangement for generating ultrapure steam | |
| JPS63200536A (ja) | 酸化シリコン膜形成装置 | |
| JPH0729839A (ja) | 熱処理装置及びこれを用いた熱処理方法 | |
| JPS61268025A (ja) | ウエハ−の熱処理装置 | |
| JPH06151386A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US6726468B2 (en) | Pre-heating dilution gas before mixing with steam in diffusion furnace | |
| JP3689363B2 (ja) | 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法 | |
| JPS6191934A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2001068464A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0355843A (ja) | 半導体基板酸化装置 | |
| JPS63200538A (ja) | 酸化シリコン膜形成方法 | |
| JPH01319940A (ja) | 外部燃焼酸化装置 | |
| JPS62273734A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3687695B2 (ja) | 雰囲気ガス供給方法及び装置 | |
| JP3068050B2 (ja) | 水蒸気流量の制御方法 |