JPS6024545A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- JPS6024545A JPS6024545A JP13310883A JP13310883A JPS6024545A JP S6024545 A JPS6024545 A JP S6024545A JP 13310883 A JP13310883 A JP 13310883A JP 13310883 A JP13310883 A JP 13310883A JP S6024545 A JPS6024545 A JP S6024545A
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- JP
- Japan
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- naphthoquinonediazide
- sulfonic acid
- solvent
- photosensitive resin
- resin composition
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
さらに詳述すれば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を素
材とし、シリコンウェハー等の基板上にスピンコーティ
ングしたのちのストリエーションが極めて小さい、ポジ
型感光性樹脂組成物に関する。
材とし、シリコンウェハー等の基板上にスピンコーティ
ングしたのちのストリエーションが極めて小さい、ポジ
型感光性樹脂組成物に関する。
現在、集積回路作製のために最も多く使用されているレ
ジストは、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配
合したネガ型ホトレジストである。このタイプのホトレ
ジストは非常圧使用しやすいが、パターンを解像する能
力忙限界があり、年を追って高くなってゆく集積回路の
集積度に対応しきれなくなってきている。この環化イソ
プレンゴム系ネガ型ホトレジストに取って替わろうとし
ているのが、アルカリ可溶性ノボラック樹脂系ポジ型ホ
トレジストである。
ジストは、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配
合したネガ型ホトレジストである。このタイプのホトレ
ジストは非常圧使用しやすいが、パターンを解像する能
力忙限界があり、年を追って高くなってゆく集積回路の
集積度に対応しきれなくなってきている。この環化イソ
プレンゴム系ネガ型ホトレジストに取って替わろうとし
ているのが、アルカリ可溶性ノボラック樹脂系ポジ型ホ
トレジストである。
このポジ型ホトレジストは、アルカリ可溶性ノボラック
樹脂に１，２−キノンジアジド化合物を添加したものが
大部分であり、光照射することＫよって１，２−キノン
ジアジド化合物が分解してカルボン酸が生成する反応を
利用している。
樹脂に１，２−キノンジアジド化合物を添加したものが
大部分であり、光照射することＫよって１，２−キノン
ジアジド化合物が分解してカルボン酸が生成する反応を
利用している。
また現像液としてアルカリ水溶液を使用するので、現像
中のパターンの膨潤が極めて少なく高解偉度を実現する
ことができる。しかし、環化イソプレンゴム系ネガ型ホ
トレジストと比較し【■感度が低い、■シリコンウニノ
ーーに対する接着性が乏しい、■脆く割れやすい等の欠
点がアル他、■シリコンウェハー上にスピンコーティン
グした時レジスト表面が波をうったように不均一になる
欠点もある。このような欠点がある忙もかかわらず、前
記ポジ型ホトレジストの使用比率が高くなってゆく理由
はひとえに前記ポジ型ホトレジストが高解像性であるこ
とによる。上記■の現象を「ストリエーション」と呼ぶ
が、現象後、さら忙ストリエーションが拡大されること
もある。このストリエーションが大きいとレジストパタ
ーンの寸法精度が損われ、またポジ型ホトレジストの利
点である高解像性を失なう恐れがある。ところが現在市
販されているポジ型ホトレジストでストリエーションに
関して満足すべき水準にあるものはない。
中のパターンの膨潤が極めて少なく高解偉度を実現する
ことができる。しかし、環化イソプレンゴム系ネガ型ホ
トレジストと比較し【■感度が低い、■シリコンウニノ
ーーに対する接着性が乏しい、■脆く割れやすい等の欠
点がアル他、■シリコンウェハー上にスピンコーティン
グした時レジスト表面が波をうったように不均一になる
欠点もある。このような欠点がある忙もかかわらず、前
記ポジ型ホトレジストの使用比率が高くなってゆく理由
はひとえに前記ポジ型ホトレジストが高解像性であるこ
とによる。上記■の現象を「ストリエーション」と呼ぶ
が、現象後、さら忙ストリエーションが拡大されること
もある。このストリエーションが大きいとレジストパタ
ーンの寸法精度が損われ、またポジ型ホトレジストの利
点である高解像性を失なう恐れがある。ところが現在市
販されているポジ型ホトレジストでストリエーションに
関して満足すべき水準にあるものはない。
本発明者らはかかる欠点を改良するため鋭意研究の結果
、上記ポジ型ホトレジストの溶剤として沸点の異なる有
機溶剤を混合した混合溶剤を使用すると、ストリエーシ
ョンが改良されることを見出し、本発明に違した。
、上記ポジ型ホトレジストの溶剤として沸点の異なる有
機溶剤を混合した混合溶剤を使用すると、ストリエーシ
ョンが改良されることを見出し、本発明に違した。
すなわち本発明は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂およ
び１．２−キノンジアジド化合物を、沸点が６０〜１７
０Ｃである有機溶剤（Ａ）と沸点が１８０〜３５０Ｃで
ある有機溶剤（Ｂ）とを（Ａ）／（Ｂ）＝５０１５０〜
９９／１（重量比）の割合で混合した混合溶剤に溶解さ
せてなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物であ
る。
び１．２−キノンジアジド化合物を、沸点が６０〜１７
０Ｃである有機溶剤（Ａ）と沸点が１８０〜３５０Ｃで
ある有機溶剤（Ｂ）とを（Ａ）／（Ｂ）＝５０１５０〜
９９／１（重量比）の割合で混合した混合溶剤に溶解さ
せてなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物であ
る。
本発明で使用する沸点が６０〜１７０ｔ：’である有機
溶剤（Ａ）としては、例えばエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサン等のケトン類、酢酸エ
チル、酢酸ブチル等のエステル類を挙げることができる
−０これ等の溶剤を２種類以上混合して使用することも
できる。有機溶剤（Ａ）の好ましい沸点は１１０〜１７
０Ｃである。
溶剤（Ａ）としては、例えばエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサン等のケトン類、酢酸エ
チル、酢酸ブチル等のエステル類を挙げることができる
−０これ等の溶剤を２種類以上混合して使用することも
できる。有機溶剤（Ａ）の好ましい沸点は１１０〜１７
０Ｃである。
沸点が１８０〜３５０Ｃである有機溶剤（Ｂ）としては
、例えばベンジルエチルエーテル、 １．２−ジブトキ
シエタン、ジヘキシルエーテル等のエーテル類、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモツプ
チルエーテル、ジエチレングリコールジプチルエーテル
等のグリコールエーテル類、アセトニルアセトン、アセ
トフェノン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カ
プリル酸等の脂肪酸類、１−オクタツール、１−ノナノ
ール、１−デカノール、１−ドデカノール、ベンジルア
ルコール等のアルコール類、２−エチルへキジルア七ｆ
−）、酢酸ヘンシル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジ
エチル、酒石酸ジプチル、マレイン酸ジメチル、マレイ
ン酸ジエチル、マレイン酸ジプチル、フタル酸ジメチル
、炭酸エチレン１炭酸プロピレン、ブチルセロソルブア
セテート、フェニルセロソルブアセテート等のエステル
類を挙げ゛ることができる。
、例えばベンジルエチルエーテル、 １．２−ジブトキ
シエタン、ジヘキシルエーテル等のエーテル類、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモツプ
チルエーテル、ジエチレングリコールジプチルエーテル
等のグリコールエーテル類、アセトニルアセトン、アセ
トフェノン、イソホロン等のケトン類、カプロン酸、カ
プリル酸等の脂肪酸類、１−オクタツール、１−ノナノ
ール、１−デカノール、１−ドデカノール、ベンジルア
ルコール等のアルコール類、２−エチルへキジルア七ｆ
−）、酢酸ヘンシル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジ
エチル、酒石酸ジプチル、マレイン酸ジメチル、マレイ
ン酸ジエチル、マレイン酸ジプチル、フタル酸ジメチル
、炭酸エチレン１炭酸プロピレン、ブチルセロソルブア
セテート、フェニルセロソルブアセテート等のエステル
類を挙げ゛ることができる。
有機溶剤（Ｂ）の沸点は１８０〜３５０Ｃの範囲である
が、２００〜３００ＣＫ沸点を有する有機溶剤（Ｂ）を
使用することが好ましい。また、有機溶剤（Ｂ）を２種
類以上混合して使用することもできる。
が、２００〜３００ＣＫ沸点を有する有機溶剤（Ｂ）を
使用することが好ましい。また、有機溶剤（Ｂ）を２種
類以上混合して使用することもできる。
本発明における有機溶剤（Ａ）と有機溶剤（Ｂ）との混
合割合（Ａ）／（Ｂ）は、５０１５０〜９９／１（重量
比）であり、好ましくは７０／３０〜９５１５（重量比
）である。有機溶剤（Ｂ）の割合が５０を超えると、感
光性樹脂組成物をシリコンウェハー等の基板上に塗布し
たのちのプレベーク工程で有機溶剤（Ｂ）が十分蒸発せ
ずに感光性樹脂膜内に残存するので、感光性樹脂表面が
粘着性を有することとなりスティッキングの原因となる
。
合割合（Ａ）／（Ｂ）は、５０１５０〜９９／１（重量
比）であり、好ましくは７０／３０〜９５１５（重量比
）である。有機溶剤（Ｂ）の割合が５０を超えると、感
光性樹脂組成物をシリコンウェハー等の基板上に塗布し
たのちのプレベーク工程で有機溶剤（Ｂ）が十分蒸発せ
ずに感光性樹脂膜内に残存するので、感光性樹脂表面が
粘着性を有することとなりスティッキングの原因となる
。
また基板として表面にシリコン酸化膜を有するシリコン
ウェハー等を用いた場合、その上に形成したパターンが
現像中和剥離したり、感光性樹脂の耐熱性を低下させる
原因にもなる◎有機溶剤（Ｂ）の割合が１未満の場合、
本発明の目的である感光性樹脂組成物のストリエーショ
ンの改善が達成されない。
ウェハー等を用いた場合、その上に形成したパターンが
現像中和剥離したり、感光性樹脂の耐熱性を低下させる
原因にもなる◎有機溶剤（Ｂ）の割合が１未満の場合、
本発明の目的である感光性樹脂組成物のストリエーショ
ンの改善が達成されない。
本発明で用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェ
ノール類とアルデヒド類とを好ましくはフェノール類１
モルに対し【アルデヒド類を０．７〜１モルの割合で酸
触媒下で付加縮合して作られる。フェノール類としては
フェノール、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−ル
ゾール、０−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール
、ｐ−エチルフェノール、Ｏ−ブチルフェノール、ｍ−
ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キ
シレノール、２．４−キシレノール、２，５−キシレノ
ール、２，６−キシレノール、３．４−キシレノール、
３，６−キシレノール、ｐ−フェニルフェノール等ヲ挙
ケることができる。これらのフェノール類祉アルカリ溶
解性を考慮しつつ、１種または２種以上混合して使用で
きる。また、アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、
パラホルムアルデヒド、フルフラール等を例示すること
ができる。酸触媒には塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ
酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用される。
ノール類とアルデヒド類とを好ましくはフェノール類１
モルに対し【アルデヒド類を０．７〜１モルの割合で酸
触媒下で付加縮合して作られる。フェノール類としては
フェノール、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−ル
ゾール、０−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール
、ｐ−エチルフェノール、Ｏ−ブチルフェノール、ｍ−
ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キ
シレノール、２．４−キシレノール、２，５−キシレノ
ール、２，６−キシレノール、３．４−キシレノール、
３，６−キシレノール、ｐ−フェニルフェノール等ヲ挙
ケることができる。これらのフェノール類祉アルカリ溶
解性を考慮しつつ、１種または２種以上混合して使用で
きる。また、アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、
パラホルムアルデヒド、フルフラール等を例示すること
ができる。酸触媒には塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ
酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用される。
本発明で使用される１、２−キノンジアジド化合物は、
例えば１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
、ｌ、２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、１
，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドなとであ
り、公知の１．２−キノンジアジド化合物をそのまま使
用することができる。さらに具体的にはＪ、Ｋｏａａｒ
著′″Ｌｉｇｈｔ −５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ ’ ３３９〜３５２ 。
例えば１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
、ｌ、２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、１
，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミドなとであ
り、公知の１．２−キノンジアジド化合物をそのまま使
用することができる。さらに具体的にはＪ、Ｋｏａａｒ
著′″Ｌｉｇｈｔ −５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅ
ｍｓ ’ ３３９〜３５２ 。
（１９６５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉ ｌｅｙ ＆ ５ｏｎ８
社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ）やＷ、 Ｓ、 ［）ｅ Ｆｏ
ｒｅｓｔ著″Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ″５０ 、 （１
９７５）、Ｍｃ Ｇｒａｗ−Ｈｉｌｌ 、 ｉｎｃ、
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に記載されている１、２−キノン
ジアジド化合物を挙げることができる。即ち、１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸フェニルエステ
ル、ジー（１’。
社（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ）やＷ、 Ｓ、 ［）ｅ Ｆｏ
ｒｅｓｔ著″Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ″５０ 、 （１
９７５）、Ｍｃ Ｇｒａｗ−Ｈｉｌｌ 、 ｉｎｃ、
（Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に記載されている１、２−キノン
ジアジド化合物を挙げることができる。即ち、１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸フェニルエステ
ル、ジー（１’。
２′−ベンゾキノンジアジド−４１−スルホニル）−４
，４’−ジヒドロキシピフェニル、１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−β−ナフチル）−
スルホンアミド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸シクロヘキシルエステル、１−（１’、２’
−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）−３，５
−ジメチルピラゾール、１．２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸−４’−ヒドロキシジフェニル−４’
−７ゾーβ−ナフトールエステル、Ｎ、Ｎ−ジー（１゜
２−ナフトキノンジアジド−５−スルボニル）−アニリ
ン、２−（１’、２’−ナフトキノンジアジド−５７−
スルホニルオキシ）−１−ヒドロキシアントラキノン、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸りロリ
ド２モルト４．４’−ジアミノベンゾフェノン１モルの
縮合物、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸クロリド２モルと４，４′−ジヒドロキシ−１，１′
−ジフェニルスルホン１モルの縮合物、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸クロリド１モルとプル
ブロガリン１モルの縮合物、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−（Ｎ−ジヒドロアビエチル）−スルホンアミ
ド等を例示することができる。
，４’−ジヒドロキシピフェニル、１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−β−ナフチル）−
スルホンアミド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸シクロヘキシルエステル、１−（１’、２’
−ナフトキノンジアジド−５′−スルホニル）−３，５
−ジメチルピラゾール、１．２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸−４’−ヒドロキシジフェニル−４’
−７ゾーβ−ナフトールエステル、Ｎ、Ｎ−ジー（１゜
２−ナフトキノンジアジド−５−スルボニル）−アニリ
ン、２−（１’、２’−ナフトキノンジアジド−５７−
スルホニルオキシ）−１−ヒドロキシアントラキノン、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸りロリ
ド２モルト４．４’−ジアミノベンゾフェノン１モルの
縮合物、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸クロリド２モルと４，４′−ジヒドロキシ−１，１′
−ジフェニルスルホン１モルの縮合物、１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸クロリド１モルとプル
ブロガリン１モルの縮合物、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−（Ｎ−ジヒドロアビエチル）−スルホンアミ
ド等を例示することができる。
また２、３．４− ）ジヒドロキシフェニル−ｎ−ブチ
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸モノエステル、２，３．４−）リヒドロキシフェニ
ルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸モノエステル等のトリヒドロキシフ
ェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸モノエステル類、２，３．４− ）
ＩＪヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３１４．５−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１゜２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル等のトリヒドロ
キシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸モノエステル類、２．３．４−
）リヒドロキシフェニルベンジルケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３．
４．５−トリヒドロキシフェニルベンジルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル等のトリヒドロキシフェニルアラルキルケト；−Ｘ、
Ｚ−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル類等も例示することができる。
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸モノエステル、２，３．４−）リヒドロキシフェニ
ルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸モノエステル等のトリヒドロキシフ
ェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸モノエステル類、２，３．４− ）
ＩＪヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３１４．５−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１゜２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸モノエステル等のトリヒドロ
キシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸モノエステル類、２．３．４−
）リヒドロキシフェニルベンジルケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル、３．
４．５−トリヒドロキシフェニルベンジルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル等のトリヒドロキシフェニルアラルキルケト；−Ｘ、
Ｚ−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル類等も例示することができる。
また特公昭３７−１９５３、同３７−３６２７、同３７
−１３１０９、同４０−２６１２６、同４０−３８０１
、同４５−５６０４、同４５−２７３４５、同５１−１
３０１３、特開昭４８−９６５７５、同４８−６３８０
２、同４８−６３８０３ 等に記載された１、２−キノ
ンジアジド化合物も使用することができる。
−１３１０９、同４０−２６１２６、同４０−３８０１
、同４５−５６０４、同４５−２７３４５、同５１−１
３０１３、特開昭４８−９６５７５、同４８−６３８０
２、同４８−６３８０３ 等に記載された１、２−キノ
ンジアジド化合物も使用することができる。
さらに特開昭５８−７５１４９、特願昭５７−６５７５
９、同５８−４０４７８ ＆Ｃ記載された１、２−キノ
ンジアジド化合物、すなわち下記一般式（Ｉ）で示され
る１、２−キノンジアジド化合物、 （式中、Ｒ１〜Ｒ，は同一または異なり、水素、アルキ
ル基、アルコキシ基、水酸基またｔｉ−ＯＲ？であり、
Ｒ６はアルキル基、アリール基、アラルキル基であり、
Ｒ１は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル
基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基
、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基で
ある。また、Ｒ３〜Ｒ３の少くとも１つは−ＯＲ，であ
り、かつ−〇Ｒ，の数は３つを超えない。） 下記一般式（ＩＩ）で示される１、２−キノンジアジド
化合物および下記一般式（Ｉｌｌ）で示される１、２−
キノンジアジド化合物を１〜９：９〜１（モ 。
９、同５８−４０４７８ ＆Ｃ記載された１、２−キノ
ンジアジド化合物、すなわち下記一般式（Ｉ）で示され
る１、２−キノンジアジド化合物、 （式中、Ｒ１〜Ｒ，は同一または異なり、水素、アルキ
ル基、アルコキシ基、水酸基またｔｉ−ＯＲ？であり、
Ｒ６はアルキル基、アリール基、アラルキル基であり、
Ｒ１は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル
基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基
、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基で
ある。また、Ｒ３〜Ｒ３の少くとも１つは−ＯＲ，であ
り、かつ−〇Ｒ，の数は３つを超えない。） 下記一般式（ＩＩ）で示される１、２−キノンジアジド
化合物および下記一般式（Ｉｌｌ）で示される１、２−
キノンジアジド化合物を１〜９：９〜１（モ 。
ル比）の割合で混合した１、２−キノンジアジド混合物
、 Ｃ式中、Ｒ８およびＲ１゜は同一または異なりアルキル
基、フェニル基、アラルキル基であり％ Ｒ，、Ｒ，、
およびｎｔｔは同一または異なり１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニル基、１，２−す７トキノンジ
アジドー５−スルホニル基、１．２−ベンゾキノン−４
７スルホニル基でアル。）下記一般式（ＩＶ）で示され
る１、２−キノンジアジド化合物および下記一般式（Ｖ
）で示され、る１゜２−キノンジアジド化合物を６〜９
：４〜１（モル比）の割合で混合した１、２−キノンジ
アジド混合物、 ０Ｒ１６ Ｈ （式中、Ｒ１３およびＲ１７は同一または異なり、アル
キル基、アリール基また酸アラルキル基であり、Ｒ，、
、Ｒ工、Ｒ８６、Ｒ１８およびＲ１゜は同一または異な
り、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基
、１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基ま
たは１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基
である。） をも挙げることができる。
、 Ｃ式中、Ｒ８およびＲ１゜は同一または異なりアルキル
基、フェニル基、アラルキル基であり％ Ｒ，、Ｒ，、
およびｎｔｔは同一または異なり１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニル基、１，２−す７トキノンジ
アジドー５−スルホニル基、１．２−ベンゾキノン−４
７スルホニル基でアル。）下記一般式（ＩＶ）で示され
る１、２−キノンジアジド化合物および下記一般式（Ｖ
）で示され、る１゜２−キノンジアジド化合物を６〜９
：４〜１（モル比）の割合で混合した１、２−キノンジ
アジド混合物、 ０Ｒ１６ Ｈ （式中、Ｒ１３およびＲ１７は同一または異なり、アル
キル基、アリール基また酸アラルキル基であり、Ｒ，、
、Ｒ工、Ｒ８６、Ｒ１８およびＲ１゜は同一または異な
り、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基
、１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基ま
たは１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基
である。） をも挙げることができる。
上記一般式（Ｉ）で示される１、２−キノンジアジド化
合物としては、例えばｍ−ヒドロキシ安息香酸ノニル−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸ノニル−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−す７トキノンジアジドー５−スルホン酸
エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２′
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル岬の
ヒドロキシ安息香酸エステル−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル！、３．５−ジヒドロ
キシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸ジエステル、 ３．ｓ−ジヒドロキシ
安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル等のジヒドロキシ安息香酸エス
テル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル類、２，３゜４−トリヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、２，３．４−）リヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−す７トキノンジアジドー５−スルホン酸
トリエステル、２，３．４− トリヒドロキシ安息香酸
フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸ジエステル、２，３．４−トリヒドロキシ安息香酸
フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸トリエステル等のトリヒドロキシ安息香酸エステル
−１，２−ナフドキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル類を例示することができる。
合物としては、例えばｍ−ヒドロキシ安息香酸ノニル−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、ｍ−ヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸ノニル−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−す７トキノンジアジドー５−スルホン酸
エステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２′
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル岬の
ヒドロキシ安息香酸エステル−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル！、３．５−ジヒドロ
キシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸ジエステル、 ３．ｓ−ジヒドロキシ
安息香酸フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル等のジヒドロキシ安息香酸エス
テル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル類、２，３゜４−トリヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、２，３．４−）リヒドロキシ安息香酸ラウ
リル−１，２−す７トキノンジアジドー５−スルホン酸
トリエステル、２，３．４− トリヒドロキシ安息香酸
フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸ジエステル、２，３．４−トリヒドロキシ安息香酸
フェニル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸トリエステル等のトリヒドロキシ安息香酸エステル
−１，２−ナフドキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル類を例示することができる。
上記一般式（ＩＩ）で示される１、２−キノンジアジド
化合物としては、２，４−ジヒドロキシフェニルメチル
ケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸モノエステル、 ２．４−ジヒドロキシフェニルブチ
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸モノエステル、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モ
ノエステル、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１
゜２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエス
テル、２．４−ジヒドロキシフェニルベンジルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエ
ステル等のジヒドロキシフェニルアルキルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル類、ジヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル類
、ジヒドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル類を
例示することができる。
化合物としては、２，４−ジヒドロキシフェニルメチル
ケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸モノエステル、 ２．４−ジヒドロキシフェニルブチ
ルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸モノエステル、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モ
ノエステル、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１
゜２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエス
テル、２．４−ジヒドロキシフェニルベンジルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエ
ステル等のジヒドロキシフェニルアルキルケトン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステ
ル類、ジヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル類
、ジヒドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル類を
例示することができる。
上記一般式（ｍ）で示される１、２−キノンジアジド化
合物としては、２，４−ジヒドロキシフェニルメチルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、２．４−ジヒドロキシフェニルブチルケト
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジ
エステル、２゜４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル
、３．４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−１−
アトキノンジアジド−５−スルホン酸ジェステ” ｓ
２ ｖ ４− ジヒドロキシフェニルベンジルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエス
テル等のジヒドロキシフェニルアルキルケトン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類
、ジヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類、ジヒ
ドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類を例示する
ことができる＠ 上記一般式（■）で示される１、２−キノンジアジド化
合物としては、２，３．４−）リヒドロキシフェニルー
ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸トリエステル、２．３．４− ）リヒドロ
キシフェニルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル勢のトリヒ
ドロキシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸トリエステル類、２゜３．
４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル、３ 、４
、５−トリヒドロキシベンゾフェノ警ンー１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル等の
トリヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル類、２
，３．４−） ’Ｊ ヒ）”ロキシフェニルベンジルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
トリエステル、３．４．５−）ジヒドロキシフェニルベ
ンジルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸トリエステル等のトリヒドロキシフェニルアラ
ルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸トリエステル類を例示することができる。
合物としては、２，４−ジヒドロキシフェニルメチルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、２．４−ジヒドロキシフェニルブチルケト
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジ
エステル、２゜４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル
、３．４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，２−１−
アトキノンジアジド−５−スルホン酸ジェステ” ｓ
２ ｖ ４− ジヒドロキシフェニルベンジルケトン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエス
テル等のジヒドロキシフェニルアルキルケトン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類
、ジヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類、ジヒ
ドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類を例示する
ことができる＠ 上記一般式（■）で示される１、２−キノンジアジド化
合物としては、２，３．４−）リヒドロキシフェニルー
ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸トリエステル、２．３．４− ）リヒドロ
キシフェニルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル勢のトリヒ
ドロキシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸トリエステル類、２゜３．
４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル、３ 、４
、５−トリヒドロキシベンゾフェノ警ンー１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル等の
トリヒドロキシフェニルアリールケトン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル類、２
，３．４−） ’Ｊ ヒ）”ロキシフェニルベンジルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
トリエステル、３．４．５−）ジヒドロキシフェニルベ
ンジルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸トリエステル等のトリヒドロキシフェニルアラ
ルキルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸トリエステル類を例示することができる。
上記一般式（Ｖ）で示される１、２−キノンジアジド化
合物としては、２，３．４−）”ジヒドロキシフェニル
−ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸ジエステル、２．３．４− ）リヒドロ
キシフェニルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル等のトリヒド
ロキシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ジエステル類、２，３゜４−
トリヒト費キシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ジエステル、３，４．５−）
リヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ジエステル等のトリヒドロキシ
フェニルアリールケトン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸ジエステル類、２，３．４−トリヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、３１４１５−
）ＩＪヒドロキシフェニルベンジルケ１’−１１２−ナ
フトキノンジアジ）’−５−スルホン酸ジエステル等の
トリヒドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類を例
示することができる。
合物としては、２，３．４−）”ジヒドロキシフェニル
−ｎ−ブチルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸ジエステル、２．３．４− ）リヒドロ
キシフェニルーｎ−へキシルケトン−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル等のトリヒド
ロキシフェニルアルキルケトン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ジエステル類、２，３゜４−
トリヒト費キシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ジエステル、３，４．５−）
リヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ジエステル等のトリヒドロキシ
フェニルアリールケトン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸ジエステル類、２，３．４−トリヒ
ドロキシフェニルベンジルケトン−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、３１４１５−
）ＩＪヒドロキシフェニルベンジルケ１’−１１２−ナ
フトキノンジアジ）’−５−スルホン酸ジエステル等の
トリヒドロキシフェニルアラルキルケトン−１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル類を例
示することができる。
もちろん上記一般式（Ｉ）、一般式（Ｕ）、一般式（ｍ
）、一般式（ＩＶ）または一般式（Ｖ）で示される１、
２−ナフトキノンジアジド化合物は、それぞれ単独で用
いることができる。
）、一般式（ＩＶ）または一般式（Ｖ）で示される１、
２−ナフトキノンジアジド化合物は、それぞれ単独で用
いることができる。
これら１，２−キノンジアジド化合物の添加量は、好ま
しくはアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対
して５〜１ｏｏ重量部であり、特に好ましくは１ｏ〜５
０重量部である。５重量部未満であると、光を吸収して
生成するカルボン酸量が少ないので、感光性樹脂塗膜と
して光照射前稜のアルカリ水溶液からなる現像液に対す
る溶解度に差をつけることができず、バターニングが困
難となる。１００重量部を超えると、短時間の光照射で
は添加した１、２−キノンジアジド化合物の大半が未だ
そのままの形で残存するため、アルカリ水溶液への不溶
化効果が高過ぎて感光性樹脂塗膜を現像することが困難
となり、また塗膜形成能や塗膜の機械的物性が低下する
。さらに、ｌ、２−キノンジアジド化合物の種類によっ
て、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜のアルカリ水溶液
からなる現像液に対する現像性、基板に対する接着性等
を変えることができる。
しくはアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対
して５〜１ｏｏ重量部であり、特に好ましくは１ｏ〜５
０重量部である。５重量部未満であると、光を吸収して
生成するカルボン酸量が少ないので、感光性樹脂塗膜と
して光照射前稜のアルカリ水溶液からなる現像液に対す
る溶解度に差をつけることができず、バターニングが困
難となる。１００重量部を超えると、短時間の光照射で
は添加した１、２−キノンジアジド化合物の大半が未だ
そのままの形で残存するため、アルカリ水溶液への不溶
化効果が高過ぎて感光性樹脂塗膜を現像することが困難
となり、また塗膜形成能や塗膜の機械的物性が低下する
。さらに、ｌ、２−キノンジアジド化合物の種類によっ
て、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜のアルカリ水溶液
からなる現像液に対する現像性、基板に対する接着性等
を変えることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、上記アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を有機
溶剤（Ａ）と有機溶剤（Ｂ）を（Ａ）／（Ｂ） ＝ ５
０１５０〜９９／１ （重量比）の割合で混合した混合
溶剤に溶解させる。この混合溶剤の使用量は、感光性樹
脂組成物の５０〜９０重量％が好ましく、この使用量に
おいては、基板に感光性樹脂組成物を塗布する際の塗布
方法にもよるが塗膜の厚さを０．２〜１０μｍ内で調整
することが容易である。
ラック樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を有機
溶剤（Ａ）と有機溶剤（Ｂ）を（Ａ）／（Ｂ） ＝ ５
０１５０〜９９／１ （重量比）の割合で混合した混合
溶剤に溶解させる。この混合溶剤の使用量は、感光性樹
脂組成物の５０〜９０重量％が好ましく、この使用量に
おいては、基板に感光性樹脂組成物を塗布する際の塗布
方法にもよるが塗膜の厚さを０．２〜１０μｍ内で調整
することが容易である。
また本発明の感光性樹脂組成物には、現像性およびパタ
ーンの寸法安定性を改良するために界面活性剤を添加す
ることができる。
ーンの寸法安定性を改良するために界面活性剤を添加す
ることができる。
界面活性剤としては例えばポリオキシエチレンラウリル
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチ
レンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノ
−＃ ｘ −チル等ノポリオキシエチレンアルキルフェ
ノールエーテル類、ホリエチレンクリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエ
チレングリコールジアルキルエステル類を挙げることが
できる。
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチ
レンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノ
−＃ ｘ −チル等ノポリオキシエチレンアルキルフェ
ノールエーテル類、ホリエチレンクリコールジラウレー
ト、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエ
チレングリコールジアルキルエステル類を挙げることが
できる。
さらに本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて保
存安定剤、色素、顔料等を添加することができる・ また、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜とシリコン酸化
膜等の基板との接着力を向上させるため、ヘキサメチル
ジシラザンやクロロメチルシラン等を予じめ被塗布基板
に塗布することもできる。
存安定剤、色素、顔料等を添加することができる・ また、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜とシリコン酸化
膜等の基板との接着力を向上させるため、ヘキサメチル
ジシラザンやクロロメチルシラン等を予じめ被塗布基板
に塗布することもできる。
本発明の感光性樹脂組成物を塗布し乾燥したのちにパタ
ーンマスク（介して露光した塗膜の現像液には、水酸化
ナトリウム、水駿化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の
無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等
の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルア
ミン等の第三アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、−ｙトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩な
どアルカリ類の水溶液、ピロール、ピペリジン、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、１
，５−ジアザビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の
環状アミン類の水溶液が使用され、金属を含有する現像
液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四級アン
モニウム塩や環状アミンの水溶液を使用するのが好まし
い。
ーンマスク（介して露光した塗膜の現像液には、水酸化
ナトリウム、水駿化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の
無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等
の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルア
ミン等の第三アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、−ｙトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩な
どアルカリ類の水溶液、ピロール、ピペリジン、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、１
，５−ジアザビシクロ（４，３，０）−５−ノナン等の
環状アミン類の水溶液が使用され、金属を含有する現像
液の使用が問題となる集積回路作製時には、第四級アン
モニウム塩や環状アミンの水溶液を使用するのが好まし
い。
また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール
のようなアールコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を現像液に使用することもで
きる。
のようなアールコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を現像液に使用することもで
きる。
本発明の感光性樹脂組成物は、集積回路作製用ポジ型ホ
トレジストとして特に有用であるばかりでなく、マスク
作製用ポジ屋ホトレジストとしても有用である。
トレジストとして特に有用であるばかりでなく、マスク
作製用ポジ屋ホトレジストとしても有用である。
次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
ではない。
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
ではない。
なお、本発明における有機溶剤（Ａ）および有機溶剤（
Ｂ）の沸点は、１気圧における沸点を示すものである。
Ｂ）の沸点は、１気圧における沸点を示すものである。
実施例 １
内容積５００ｔｎｌの三つロセパラブルフラスコｋＣｍ
−クレゾール７５り、ｐ−クレゾール２５りを仕込んだ
後、３７重量％ホルマリン水溶液５０＋ｔＡ’、蓚酸０
．０４９を添加した。攪拌しながら、セパラブルフラス
コを油浴に浸して反応温度を１ｏｏｃにコントロールし
、１０時間反応させることＫよりノボラック樹脂を合成
し・ た。反応後、３０ｍＨ９に減圧して水を除去し、
さらに内温を１３０ＣＫ上げて未反応物を除去した。次
いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻
して回収した。前記のアルカリ可溶性ノボラック樹脂４
．３ｇ、２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸トリニ
スｆ−Ｉ Ｏ，７９全沸点１５６．３Ｃのエチルセロソ
ルブアセテート１２ｇと沸点２１３．５０の酢酸ベンジ
ル３９〔有機溶剤（Ａ）／有機溶剤（Ｂ）＝８０／２０
（重量比）〕からなる混混合剤に溶解し、孔径０．２μ
ｍのメンブランフィルタ−でｐ過して感光性樹脂組成物
を調製した。
−クレゾール７５り、ｐ−クレゾール２５りを仕込んだ
後、３７重量％ホルマリン水溶液５０＋ｔＡ’、蓚酸０
．０４９を添加した。攪拌しながら、セパラブルフラス
コを油浴に浸して反応温度を１ｏｏｃにコントロールし
、１０時間反応させることＫよりノボラック樹脂を合成
し・ た。反応後、３０ｍＨ９に減圧して水を除去し、
さらに内温を１３０ＣＫ上げて未反応物を除去した。次
いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻
して回収した。前記のアルカリ可溶性ノボラック樹脂４
．３ｇ、２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸トリニ
スｆ−Ｉ Ｏ，７９全沸点１５６．３Ｃのエチルセロソ
ルブアセテート１２ｇと沸点２１３．５０の酢酸ベンジ
ル３９〔有機溶剤（Ａ）／有機溶剤（Ｂ）＝８０／２０
（重量比）〕からなる混混合剤に溶解し、孔径０．２μ
ｍのメンブランフィルタ−でｐ過して感光性樹脂組成物
を調製した。
シリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピンナ
ーで上記感光性樹脂組成物を塗布したのち、１００Ｃで
１０分間オーブン中でブレベークして１μｍ厚のレジス
ト膜を形成した。
ーで上記感光性樹脂組成物を塗布したのち、１００Ｃで
１０分間オーブン中でブレベークして１μｍ厚のレジス
ト膜を形成した。
表面形状測定装置（ランクテーラーホプソ：／社Ｍｄｌ
リステップ）ｒｃてシリコンウェハーに塗布したレジス
ト膜のストリエーションを測定したところ、平均２ＯＡ
と非常に小さな値が得られた。さらＫ、凸版印刷（株
）與テストパターンマスクをウェハーに密着し紫外線を
露光したのち、テトラメチルアンチニウムヒドロキシド
水溶液で現像し、流水でリンスした。現像後のストリエ
ーションを測定したところ、平均２０Ａ と塗布後の値
と変わらなかった。
リステップ）ｒｃてシリコンウェハーに塗布したレジス
ト膜のストリエーションを測定したところ、平均２ＯＡ
と非常に小さな値が得られた。さらＫ、凸版印刷（株
）與テストパターンマスクをウェハーに密着し紫外線を
露光したのち、テトラメチルアンチニウムヒドロキシド
水溶液で現像し、流水でリンスした。現像後のストリエ
ーションを測定したところ、平均２０Ａ と塗布後の値
と変わらなかった。
比較例 １
実施例１の酢酸ベンジルを使用せず、エチルセロソルプ
アセテート１５ｇを使用した他は実施例１と同様にして
ストリエーションを測定したところ、２１０Ａと非常に
大きな値となった。また、現像稜のストリエーションは
さもに太きく ３５ＯＡとなった。
アセテート１５ｇを使用した他は実施例１と同様にして
ストリエーションを測定したところ、２１０Ａと非常に
大きな値となった。また、現像稜のストリエーションは
さもに太きく ３５ＯＡとなった。
実施例 ２〜１１
実施例１の酢酸ベンジルに替えて、表−１に示す有機溶
剤（Ｂ）を使用した他は全〈実施例１と同様にしてスト
リエーションを測定したところ、いずれのストリエーシ
ョンモ非常に小さい値となった。その結果を表−１に示
す。
剤（Ｂ）を使用した他は全〈実施例１と同様にしてスト
リエーションを測定したところ、いずれのストリエーシ
ョンモ非常に小さい値となった。その結果を表−１に示
す。
表−１
実施例 １２〜１３
実施例１で使用したエチルセロソルブアセテートと酢酸
ベンジルの混合割合を表−２のように変え合計１５９使
用した他は、実施例１と同様にしてストリエーションを
測定したところ、いずれのストリエーションも満足すべ
曇水準であった。その結果を表−２に示す。
ベンジルの混合割合を表−２のように変え合計１５９使
用した他は、実施例１と同様にしてストリエーションを
測定したところ、いずれのストリエーションも満足すべ
曇水準であった。その結果を表−２に示す。
表−２
■
比較例 ２
実施例１で使用したエチルセロソルブアセテートと酢酸
ベンジルの混合比を４０／６０とし合計１５ｇ使用した
他は、実施例１と同様にしてスト１ニージヨンｔ＃１足
したところ、酢酸ベンジルがレジスト層中に残りレジス
ト表面がやわらかいため触針がうまく作動せず、測定不
能であった。また、テストパターンマスクと密着させる
とテストパターンマスクを外す時にレジストが損傷を受
け、レジストとしての役割を果たさないことがわかった
。
ベンジルの混合比を４０／６０とし合計１５ｇ使用した
他は、実施例１と同様にしてスト１ニージヨンｔ＃１足
したところ、酢酸ベンジルがレジスト層中に残りレジス
ト表面がやわらかいため触針がうまく作動せず、測定不
能であった。また、テストパターンマスクと密着させる
とテストパターンマスクを外す時にレジストが損傷を受
け、レジストとしての役割を果たさないことがわかった
。
Claims (1)
- アルカリ可溶性ノボラック樹脂および１，２−キノンジ
アジド化合物を、沸点が６０〜１７０Ｇである有機溶剤
（Ａ）と沸点が１８０〜３５０Ｃである有機溶剤（Ｂ）
とを（Ａ）／（Ｂ） ＝ ５０１５０〜９９／１（重量
比）の割合で混合した混合溶剤に溶解させてなることを
特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13310883A JPS6024545A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13310883A JPS6024545A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024545A true JPS6024545A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0322618B2 JPH0322618B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=15096997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13310883A Granted JPS6024545A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024545A (ja) |
Cited By (16)
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-
1983
- 1983-07-21 JP JP13310883A patent/JPS6024545A/ja active Granted
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