JPS6021378A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS6021378A JPS6021378A JP12888583A JP12888583A JPS6021378A JP S6021378 A JPS6021378 A JP S6021378A JP 12888583 A JP12888583 A JP 12888583A JP 12888583 A JP12888583 A JP 12888583A JP S6021378 A JPS6021378 A JP S6021378A
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- vapor
- evaporation
- evaporation tank
- shutter
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着装置の改良に関する。より具体的にい
えば、付着量を速やかに遷移状態なしに変化させること
のできる真空蒸着装置に関する。
えば、付着量を速やかに遷移状態なしに変化させること
のできる真空蒸着装置に関する。
帯状の金属材料2例えば銅帯に、比較的蒸発し易い金属
2例えばAIやZn等をめっきする方法として真空蒸着
法はよく知られている。これを実施するだめの装置は、
要するに帯状金属材料(被蒸着基材)が通過して行くこ
とができ、真空にすることのできる空間(真空容器)内
に蒸着金属(蒸着材)を溶融蒸発させるだめの蒸発槽を
設けたものである。通常蒸発槽から被蒸着基材の蒸着面
へ蒸着拐蒸気の導路が設けられているが、その一部にシ
ャッターを設けて、被蒸着基材の蒸着面に到達する蒸着
材蒸気の量(密度)を加減することが行なわれている。
2例えばAIやZn等をめっきする方法として真空蒸着
法はよく知られている。これを実施するだめの装置は、
要するに帯状金属材料(被蒸着基材)が通過して行くこ
とができ、真空にすることのできる空間(真空容器)内
に蒸着金属(蒸着材)を溶融蒸発させるだめの蒸発槽を
設けたものである。通常蒸発槽から被蒸着基材の蒸着面
へ蒸着拐蒸気の導路が設けられているが、その一部にシ
ャッターを設けて、被蒸着基材の蒸着面に到達する蒸着
材蒸気の量(密度)を加減することが行なわれている。
また蒸着容器内が真空(減圧)であることを利用して、
蒸発室の下方に別の蒸着材の溶融槽を設けてこの槽と真
空容器内の蒸発槽を吸上管で連結し、外部の溶融槽で溶
融した蒸着材の融液を連続的に蒸発槽に補給することも
知られている。
蒸発室の下方に別の蒸着材の溶融槽を設けてこの槽と真
空容器内の蒸発槽を吸上管で連結し、外部の溶融槽で溶
融した蒸着材の融液を連続的に蒸発槽に補給することも
知られている。
このような装置を用いて真空蒸着を実施しようとすると
き、シャッターの開きを加減して、付着量を変化させよ
うとしても付着量は遷移状態なしに変化させることはで
きない。
き、シャッターの開きを加減して、付着量を変化させよ
うとしても付着量は遷移状態なしに変化させることはで
きない。
例えば+JM量を減少させるためにシャッターによって
蒸気導路の面積を減少させると、もし蒸発槽の加熱手段
の加熱能を一定にしておけば、蒸発量減少のために蒸発
熱が減少するため、溶融蒸着金属の温度が上昇し時間の
経過とともに蒸発量が再び上昇する。これを補償するた
めにはシャッターの開度を減少させるとともに加熱手段
の加熱能を減少させなければならぬ。
蒸気導路の面積を減少させると、もし蒸発槽の加熱手段
の加熱能を一定にしておけば、蒸発量減少のために蒸発
熱が減少するため、溶融蒸着金属の温度が上昇し時間の
経過とともに蒸発量が再び上昇する。これを補償するた
めにはシャッターの開度を減少させるとともに加熱手段
の加熱能を減少させなければならぬ。
逆にシャッターの開度を増大して付着量を増加する場合
には、付着量は瞬間的に一段で増加するけれども、暫時
過剰付着が起る。
には、付着量は瞬間的に一段で増加するけれども、暫時
過剰付着が起る。
上記の事実は第1図に典型化して示されている。
シャッターの開度を減少させる時は、その左側に示すよ
うに、付着量は瞬間的には所望レベルまで減少せず、逆
にシャッターの開度を増大させる時は、右側に示すよう
に付着量は瞬間的に増大するけれども一旦所望レベルよ
りの過剰増大が起こる。
うに、付着量は瞬間的には所望レベルまで減少せず、逆
にシャッターの開度を増大させる時は、右側に示すよう
に付着量は瞬間的に増大するけれども一旦所望レベルよ
りの過剰増大が起こる。
シャッターの開閉による蒸発口面積の変化によシ、然発
量が変化すると、蒸発槽内の蒸着材の蒸気圧が変化する
ために、溶融蒸着材の液面レベルが変化する。これに伴
なって液面は波打ち、液面に浮遊している浮浮(溶融金
(1の酸化物)に割れが入り、蒸発面積が増加し、従っ
て蒸発量が増加するという現逓が起きる。これが、蒸発
口を広くし7ζ場合にも、狭くした場合にも、遷移的に
目標よりも過剰の蒸着(第1図σパ゛ロ′ii1部分)
が起きる用1由と考えられる。
量が変化すると、蒸発槽内の蒸着材の蒸気圧が変化する
ために、溶融蒸着材の液面レベルが変化する。これに伴
なって液面は波打ち、液面に浮遊している浮浮(溶融金
(1の酸化物)に割れが入り、蒸発面積が増加し、従っ
て蒸発量が増加するという現逓が起きる。これが、蒸発
口を広くし7ζ場合にも、狭くした場合にも、遷移的に
目標よりも過剰の蒸着(第1図σパ゛ロ′ii1部分)
が起きる用1由と考えられる。
本発明はこの問題を解決しようとするもので。
帯状被蒸シ、PIP:属拐料が通過できる真空容器内に
蒸着材の蒸発槽を配置し、蒸発槽より蒸着面に到る蒸気
導路を設け、蒸発槽と蒸気導路の連接位置にシャッター
をイjする真空蒸着装置において、蒸発1凸から被蒸着
材料の表面に到る空間に連通する吸引fijを調節する
ことのできる蒸気捕集手段と蒸気吸引手段を設けたこと
を特徴とする装置を提供する0 次に図面を参照して本発明を具体的に説明する。
蒸着材の蒸発槽を配置し、蒸発槽より蒸着面に到る蒸気
導路を設け、蒸発槽と蒸気導路の連接位置にシャッター
をイjする真空蒸着装置において、蒸発1凸から被蒸着
材料の表面に到る空間に連通する吸引fijを調節する
ことのできる蒸気捕集手段と蒸気吸引手段を設けたこと
を特徴とする装置を提供する0 次に図面を参照して本発明を具体的に説明する。
以下の具体例は、蒸着材蒸気の導路がエルボ−型に90
湾曲し、被蒸着基材の帯状金属材料が垂直に移動する形
式の装置が図示され記述されているが2本発明は、当然
に帯状金属材料が水平に移動する形式の装置にも適用さ
れる〇 第2図は先に述べた従来の真空蒸着装置の1例を示す概
念図である。
湾曲し、被蒸着基材の帯状金属材料が垂直に移動する形
式の装置が図示され記述されているが2本発明は、当然
に帯状金属材料が水平に移動する形式の装置にも適用さ
れる〇 第2図は先に述べた従来の真空蒸着装置の1例を示す概
念図である。
装置は帯状金属材料1が垂直に通過する真空容器2.そ
の内部に配置され、加熱手段4を備えた蒸着材蒸発槽3
.それに連結されたエルボ−型に90°湾曲した蒸着材
蒸気導路6.真空容器2の下方に設けられ吸上管10で
蒸発槽3に連通ずる蒸着材溶融炉9.蒸着材蒸気導路の
基部に設けられたシャッター7[]W発11]句υ歌プ
」tた加遭ピ目史tなどからなっている。
の内部に配置され、加熱手段4を備えた蒸着材蒸発槽3
.それに連結されたエルボ−型に90°湾曲した蒸着材
蒸気導路6.真空容器2の下方に設けられ吸上管10で
蒸発槽3に連通ずる蒸着材溶融炉9.蒸着材蒸気導路の
基部に設けられたシャッター7[]W発11]句υ歌プ
」tた加遭ピ目史tなどからなっている。
蒸着材は溶融炉9で溶融され、排気管りによって排気さ
れる真空容器2内の負圧のために自動的に蒸発槽3に供
給される。シャッター7の開閉によって蒸気導路6の基
部の蒸発口8の開度が調節される。
れる真空容器2内の負圧のために自動的に蒸発槽3に供
給される。シャッター7の開閉によって蒸気導路6の基
部の蒸発口8の開度が調節される。
なお、第1図は概念図であって2図示されていない力へ
7ヤツター開閉の操作は真空容器の外部でなすことがで
きるのは勿論であるし、蒸発槽やその蒸気導路の要所に
断熱材を配置したシ、副次的加熱手段を設けたシするこ
とも行なわれており2本発明はこのタイプのどのような
真空蒸着装置にも適用できる。
7ヤツター開閉の操作は真空容器の外部でなすことがで
きるのは勿論であるし、蒸発槽やその蒸気導路の要所に
断熱材を配置したシ、副次的加熱手段を設けたシするこ
とも行なわれており2本発明はこのタイプのどのような
真空蒸着装置にも適用できる。
第3図は本発明を第2図の従来装置に適用した例を示す
。
。
本発明によれば、上述の第2図の装置の蒸発槽3内の気
相空間に連通ずる弁12を有する真空容器外に延びる導
管11を設け、その先端に蒸気捕集室13が連通し、さ
らに導管11′を介して吸引ポンプ15が設けられる。
相空間に連通ずる弁12を有する真空容器外に延びる導
管11を設け、その先端に蒸気捕集室13が連通し、さ
らに導管11′を介して吸引ポンプ15が設けられる。
捕集室13には蒸着材を付着させて捕集するための捕集
板(邪魔板)14が取り付けられており。
板(邪魔板)14が取り付けられており。
捕集室は好ましくは200℃以下に保持される。いずれ
にしても蒸着材蒸気は吸引ポンプを汚染しないように完
全に捕集される必要がある。
にしても蒸着材蒸気は吸引ポンプを汚染しないように完
全に捕集される必要がある。
この装置において吸引ポンプ15によって捕集室13内
を蒸発槽内気相空間よりも負圧にすることによって、蒸
着槽3の頭部空間内の蒸着材の蒸気を吸引して捕集室i
3に捕、集することができる。
を蒸発槽内気相空間よりも負圧にすることによって、蒸
着槽3の頭部空間内の蒸着材の蒸気を吸引して捕集室i
3に捕、集することができる。
しかもその程度は弁12の開度の調節により加減するこ
とができる。
とができる。
この装置において付着量を減少させようとする場合、シ
ャッター7を操作し、蒸発口8の開度を減少させるとと
もに加熱手段(例えば電気ヒーター)4への供給電力を
減少させると同時に、吸引ポンプ15を作動させて、過
剰蒸気を捕集する。
ャッター7を操作し、蒸発口8の開度を減少させるとと
もに加熱手段(例えば電気ヒーター)4への供給電力を
減少させると同時に、吸引ポンプ15を作動させて、過
剰蒸気を捕集する。
蒸気捕集室13に捕集されて固化した金属は。
蒸着装置の稼働中であっても、弁12.ヒダを閉じ、真
空ポンプ15を停止し、捕集室を開いて回収することが
できる。
空ポンプ15を停止し、捕集室を開いて回収することが
できる。
所望の付着量を得るために、このような装置をコンピュ
ーターによって制御することができることは、今日では
自明である。
ーターによって制御することができることは、今日では
自明である。
第4図は第3図に示す装置の変形を示す。この装置では
、第4図の装置においてポンプ15を設ける代わりに、
導管11′を真空容器の蒸発槽外の空間に連通させ蒸発
槽内外の蒸ンtイ材料の蒸気圧力差を利用して蒸発槽内
気相空間からの蒸気吸引を行なうものである。
、第4図の装置においてポンプ15を設ける代わりに、
導管11′を真空容器の蒸発槽外の空間に連通させ蒸発
槽内外の蒸ンtイ材料の蒸気圧力差を利用して蒸発槽内
気相空間からの蒸気吸引を行なうものである。
もし真空容器内に充分の空間があれば、第5図に示すよ
うに、蒸気捕集室13を真空容器内に設けることができ
る。また蒸気捕集室は第6図に示すように蒸発槽内の気
相空間ではなく蒸気導路5に連通させても目的は達成さ
れる。
うに、蒸気捕集室13を真空容器内に設けることができ
る。また蒸気捕集室は第6図に示すように蒸発槽内の気
相空間ではなく蒸気導路5に連通させても目的は達成さ
れる。
第5,6図の装置りにおいて、弁12は真空容器の外部
から操作できるように構成されていることは勿論である
。
から操作できるように構成されていることは勿論である
。
、1°51図は真空蒸、11装置の蒸着金属蒸気の通路
に11′7いたシャッターを開閉するjろ合の被蒸着材
料表向における蒸着金(・11の付着量の変化を概念化
して示すグラフCある。 211T 2図は本発明の背景をなす真空蒸着装置の宿
賃を1:)1而で示す、[1(金回である。 第3〜6図は本発明の装置の別のbつの実施態様の構造
を断面で示す概念図である。 これらの図面において。 2:真空容器、3:蒸発槽、4:加熱手段。 6:蒸気導路、13:蒸気捕集手段(捕集室)。 15:吸引手段。 特許出願人 日新製鋼株式会社 三菱重工業株式会社 代理人弁理士松井政広 (外1名) 第6囚 第1頁の続き 0発 明 者 加藤光雄 広島市西区観音新町四丁目6番 22号三菱重工業株式会社広島研 究所内 0発 明 者 和田哲義 広島市西区観音新町四丁目6番 22号三菱重工業株式会社広島研 究所内 ■出 願 人 三菱重工業株式会社 東京都千代田区丸の内2丁目5 番1号
に11′7いたシャッターを開閉するjろ合の被蒸着材
料表向における蒸着金(・11の付着量の変化を概念化
して示すグラフCある。 211T 2図は本発明の背景をなす真空蒸着装置の宿
賃を1:)1而で示す、[1(金回である。 第3〜6図は本発明の装置の別のbつの実施態様の構造
を断面で示す概念図である。 これらの図面において。 2:真空容器、3:蒸発槽、4:加熱手段。 6:蒸気導路、13:蒸気捕集手段(捕集室)。 15:吸引手段。 特許出願人 日新製鋼株式会社 三菱重工業株式会社 代理人弁理士松井政広 (外1名) 第6囚 第1頁の続き 0発 明 者 加藤光雄 広島市西区観音新町四丁目6番 22号三菱重工業株式会社広島研 究所内 0発 明 者 和田哲義 広島市西区観音新町四丁目6番 22号三菱重工業株式会社広島研 究所内 ■出 願 人 三菱重工業株式会社 東京都千代田区丸の内2丁目5 番1号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、帯状被蒸着金属材料が通過できる真空容器内に蒸着
材の蒸発槽を配置し、蒸発槽より蒸着面に到る蒸気導路
を設け、蒸発槽と蒸気導路の連接位置にシャッターを有
する真空蒸着装置において。 蒸発槽から被蒸着材料の表面に到る空間に連通ずる吸引
量を調節することのできる蒸気捕集手段と蒸気吸引手段
を設けたことを特徴とする装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の装置であって。 蒸気吸引手段が蒸発槽内の気相空間に連通している装置
。 3、特許請求の範囲綿2項に記載の装置であって。 蒸気吸引手段が吸引ポンプである装置。 4、特許請求の範囲第1項に記載の装置であって。 蒸気吸引手段が蒸気捕集手段と真空容器内空間を連通ず
る導管である装置。 5.0許請求の範囲第4項に記載の装置aであって。 蒸気捕集手段が真空容器外にある装置。 6、%許請求の範囲第4項に記載の装置であって。 蒸気捕集手段が真空容器内にある装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12888583A JPS6021378A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12888583A JPS6021378A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6021378A true JPS6021378A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=14995756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12888583A Pending JPS6021378A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6021378A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0450394A2 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-09 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for forming superconductor layer |
WO2005106072A3 (de) * | 2004-04-27 | 2006-06-01 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur thermischen vakuumbeschichtung |
CN107012434A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种蒸发源及真空蒸镀装置 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP12888583A patent/JPS6021378A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0450394A2 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-09 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for forming superconductor layer |
WO2005106072A3 (de) * | 2004-04-27 | 2006-06-01 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur thermischen vakuumbeschichtung |
KR100835044B1 (ko) | 2004-04-27 | 2008-06-03 | 폰 아르데네 안라겐테크닉 게엠베하 | 열 진공 증착 장치 및 방법 |
CN107012434A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种蒸发源及真空蒸镀装置 |
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