JPS60211751A - Ion beam generation device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] The present invention is applicable to material modification including semiconductor processing equipment.
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。This relates to ion beam generators used for materials synthesis, etc.
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つは光を金属等の
固体に照射してそのプラズマをイオン源として使ったり
、光を集光して気体、液体に照射してプラズマを作り、
これをイオン源としたりするものであり、他の1つは波
長の可変な光源を使い、光の単一波長を対象とするイオ
ン化されるべき物質のエネルギ準位に共鳴させて該物質
をイオン化させるものであり、本発明は後者、特に光と
してレーザ光でなくシンクロトロン放射光を使うものに
関するものである。Conventionally, various methods have been considered and put into practical use as ion generation methods using ion beam generators. Most of them used electric discharge, but in recent years ion sources using laser light have been devised. There are two methods of using light such as laser light: one is to irradiate a solid such as a metal with light and use the resulting plasma as an ion source, and the other is to focus the light and irradiate it onto a gas or liquid. to create plasma,
This is used as an ion source, and the other method uses a variable wavelength light source to ionize the substance by making a single wavelength of light resonate with the energy level of the substance to be ionized. The present invention relates to the latter, and particularly to one that uses synchrotron radiation rather than laser light as the light.
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状!@
(Rydberg 1evel )を使うことにより、
従来の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネルギ
に対するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選択イ
オン化における選択性に優れたイオンビーム発生装置を
提供することを目的としている。The present invention provides an ion beam generator using the resonant light excitation and ionization method, in which the substance to be ionized is in a Rydberg-like state that can be ionized by the Stark effect as a state immediately before being ionized by resonant light excitation. @
By using (Rydberg 1level),
It is an object of the present invention to provide an ion beam generator that can improve the ionization efficiency for input light energy by several orders of magnitude compared to conventional resonant light excitation and ionization methods, and has excellent selectivity in selective ionization.
まず本発明装置におけるイオン化方法をマグネシウムイ
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第1図はマグネシウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。First, the ionization method in the apparatus of the present invention will be explained by comparing it with a conventional method, taking as an example the case of generating a magnesium ion beam. FIG. 1 is an energy level diagram of a neutral magnesium atom.
従来のイオン化方法は、例えば波長が2853人。In the conventional ionization method, for example, the wavelength is 2853.
5528人の2本のレーザビームBl、B2をイオン化
させたいマグネシウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状!!3s(’S)にあるマグネシウム原子をまず
2853人のレーザビームB1により第1励起状態3p
(’PO)に共鳴励起し、その後5528人のレーザビ
ームB2によりエネルギ準位3d(ID)に共鳴励起し
、さらに2853人のレーザビームB1でイオン化させ
るものである。This is a method of irradiating the magnesium vapor to be ionized with two laser beams Bl and B2, that is, the basal state! ! First, the magnesium atom in 3s ('S) is brought into the first excited state 3p by the laser beam B1 of 2853 people.
('PO), then resonantly excited to energy level 3d (ID) by the laser beam B2 of 5528 people, and further ionized by the laser beam B1 of 2853 people.
本発明装置におけるイオン化方法が上記従来のイオン化
方法と異なる点は、最終励起状態をリュードベルグ状態
とする点、励起用の光源としてシンクロトロン放射光、
特に相対論的シンクロトロン放射光を使用する点にある
。シンクロトロン放射光はレーザ光と同様に方向性を有
し、かつレーザ光よりはるかに大強度、高エネルギ光子
であり、そのため第1図に示すように1本の光子により
マグネシウム蒸気を基底状態から高励起状態に励起でき
る。さらに該励起蒸気をイオン化するには、該蒸気に例
えば次式で示される電界をシンクロトロン放射光と共に
印加することにより、この励起状態からシュタルク効果
によりイオン化を行なうものであり、この点も従来のイ
オン化方法と異なる。The ionization method in the device of the present invention differs from the conventional ionization method described above in that the final excited state is the Rydberg state, and synchrotron radiation is used as the excitation light source.
In particular, it uses relativistic synchrotron radiation. Synchrotron synchrotron radiation has directionality like laser light, and is a photon with much greater intensity and energy than laser light. Therefore, as shown in Figure 1, a single photon can bring magnesium vapor out of the ground state. Can be excited to a highly excited state. Furthermore, in order to ionize the excited vapor, for example, by applying an electric field represented by the following equation to the vapor together with synchrotron radiation light, ionization is performed from this excited state by the Stark effect, which is also different from the conventional method. Different from ionization method.
E (V/am) =0.3125X10’ ・n−4
ここでnはリュードベルグ状態の有効主量子数である。E (V/am) =0.3125X10' ・n-4
Here, n is the effective principal quantum number of the Rydberg state.
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法がエネルギ準位3d(ID)から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってシンクロトロン放射光の出力エネルギが小
さくてすみ、しかも完全に共鳴のみを使うため該放射光
のエネルギ準位、波長を不純物原子のそれらと一致しな
いように選択すればイオン化させたい物質のみをイオン
化でき、しかも純度の高いものができる。In the case of the ionization method in the device of this invention, the collision cross section for ionization is several orders of magnitude higher than that in the conventional ionization method, which directly ionizes from energy level 3d (ID). Therefore, the output energy of synchrotron radiation is small, and since only resonance is used, if the energy level and wavelength of the synchrotron radiation are selected so as not to match those of the impurity atoms, only the substance to be ionized can be ionized. It is possible to produce highly pure products.
また上記シンクロトロン放射光の波長や電界強度を変え
ることにより、容易に他種の物質のイオンビームを発生
することができ、この場合イオン化される多種の物質を
前もってイオンビーム発生容器内に導入しておいても良
い。このように発生するイオンビームの種類を容易に変
えることができる本発明の手法は従来の方法にないもの
であり、イオンビームで処理する2つ以上の行程を連続
して行なうことができる利点がある。Furthermore, by changing the wavelength and electric field strength of the synchrotron radiation light, ion beams of other types of substances can be easily generated.In this case, various types of substances to be ionized can be introduced into the ion beam generation container in advance. You can leave it there. The method of the present invention, which allows the type of ion beam generated to be easily changed, is different from conventional methods, and has the advantage of being able to perform two or more processing steps using an ion beam in succession. be.
次にこの発明の実施例を図について説明する。Next, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
第2図は本発明の第1の実施例を示す。図において、1
はイオン化されるべき物質が導入される容器、1aは上
記物質を該容器1内に導入するためのガス導入孔、1b
は上記容器1を真空にするための真空排気装置(図示せ
ず)に接続された排気通路、3は加速器にウィグラー又
はアンデュレータを設けてなり、1625人の波長幅の
狭いシンクロトロン放射光B3を発生するシンクロトロ
ン放射光発生部、5,6は上記シンクロトロン放射光B
3を挟んで配置された電極、5a、6aは上記電極5.
6に電圧を印加する端子であり、これらは上記容器1内
に上記物質をイオン化するためのイオン化電界を印加す
る電界発生部15を構成している。8は試料、8aは該
試料8を保持する試料台であり、該試料台8aと上記電
極6との間には直流電圧が印加され、これによりイオン
化された物質をイオンビームとして引き出すための引き
出し電界が発生される。なお、上記イオン化電界が上記
引き出し電界を兼ねるようにしてもよい。FIG. 2 shows a first embodiment of the invention. In the figure, 1
1a is a container into which the substance to be ionized is introduced; 1a is a gas introduction hole for introducing the substance into the container 1; 1b is a gas introduction hole for introducing the substance into the container 1;
3 is an exhaust passage connected to a vacuum evacuation device (not shown) for evacuating the container 1; 3 is an accelerator equipped with a wiggler or an undulator; 5 and 6 are synchrotron radiation light generators that generate the synchrotron radiation B;
The electrodes 5a and 6a arranged across the electrode 5.3 are the electrodes 5a and 6a.
These are terminals for applying a voltage to 6, and these constitute an electric field generating section 15 that applies an ionizing electric field for ionizing the substance in the container 1. 8 is a sample, and 8a is a sample stand that holds the sample 8. A direct current voltage is applied between the sample stand 8a and the electrode 6, and a drawer is used to extract the ionized substance as an ion beam. An electric field is generated. Note that the ionization electric field may also serve as the extraction electric field.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
本実施例装置により、マグネシウムのイオンビームを発
生する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aより
マグネシウム蒸気10を導入するそして上記シンクロト
ロン放射光発生部3からシンクロトロン放射光B3が上
記容器1内に導入され、これにより上記マグネシウム蒸
気10は、該放射光B3により基底状態33(13)か
らりュードベルグ状態29p (I PG)に共鳴励起
される。Let us consider the case where a magnesium ion beam is generated by the apparatus of this embodiment. First, magnesium vapor 10 is introduced into the container 1 through the gas introduction hole 1a, and then synchrotron radiation light B3 is introduced into the container 1 from the synchrotron radiation light generating section 3, whereby the magnesium vapor 10 is absorbed by the synchrotron radiation light. B3 causes resonance excitation from the ground state 33 (13) to the Rydberg state 29p (IPG).
また上記シンクロトロン放射光の導入と時間的に同期し
て電極5と電極6の各々に端子5a、6aから電圧が印
加され、これにより、上記リュードベルグ状態29p(
’P’)にあるマグネシウム蒸気10に電界が印加され
、その結果マグネシウム蒸気10はシュタルク効果によ
りイオン化される。また上記電極6と試料台8aとの間
には直流電圧が印加されており、これにより上記イオン
化されたマグネシウム蒸気10はマグネシウムのイオン
のみからなるイオンビーム9として引き出され、該イオ
ンビーム9は上記試料8に照射される。In addition, a voltage is applied to each of the electrodes 5 and 6 from the terminals 5a and 6a in temporal synchronization with the introduction of the synchrotron radiation, thereby causing the Rydberg state 29p (
An electric field is applied to the magnesium vapor 10 at 'P'), so that the magnesium vapor 10 is ionized due to the Stark effect. Further, a DC voltage is applied between the electrode 6 and the sample stage 8a, whereby the ionized magnesium vapor 10 is extracted as an ion beam 9 consisting only of magnesium ions. The sample 8 is irradiated.
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべき物質、この場合マグネシウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がマグネシウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位。The characteristics of this embodiment in the above operation description are as follows: First of all, since this embodiment performs selective ionization completely using only resonance, the substance to be ionized in the container 1, in this case, Even if it contains impurities other than magnesium, such as oxygen, nitrogen, carbon, hydrogen, etc., and even if the amount is greater than magnesium, the energy level of the laser beam will change.
波長を上記不純物等のそれらと一致させないようにして
希望の元素、この場合はマグネシウム、のみがイオン化
された純粋なマグネシウムイオンビームが得られる。A pure magnesium ion beam in which only the desired element, in this case magnesium, is ionized can be obtained by making the wavelength not coincident with those of the above-mentioned impurities.
第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料8、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。Second, as mentioned above, this embodiment performs selective ionization and ionization by resonant optical excitation, so there is no possibility that electrons or other elements will be excited or that the temperature will rise due to energy absorption. As a result, low-temperature processing can be performed without increasing the temperature of the target sample 8 to be irradiated with the ion beam, such as a substrate in the case of a semiconductor.
第3にイオンビームの種類や特性を変える場合はシンク
ロトロン放射光の波長及び印加電圧を変えれば良く、従
来のような試料を取り出したり、イオン源部を交換する
ために容器を開閉したりする必要はなく、従って、イオ
ン注入とアニーリング等の連続動作が容易にできる。Third, if you want to change the type or characteristics of the ion beam, you can simply change the wavelength of the synchrotron radiation light and the applied voltage, and you can remove the sample or open and close the container to replace the ion source, as in the case of conventional methods. This is not necessary, and therefore, continuous operations such as ion implantation and annealing can be easily performed.
第3図は本発明の第2の実施例を示す。図において、第
2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、13はイオ
ン化させるべき物質12を収容する容器、13aは上記
容器13の外周に設けられたヒータであり、これにより
上記容器13は上記物質12を蒸発せしめるオープンと
なっている。FIG. 3 shows a second embodiment of the invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. is open to allow the substance 12 to evaporate.
11はイオン化されたマグネシウム蒸気10を容器lの
軸心に集束せしめるマグネット、14は上記集束された
マグネシウム蒸気10をイオンビーム9として引き出す
引き出し電極である。11 is a magnet that focuses the ionized magnesium vapor 10 on the axis of the container l, and 14 is an extraction electrode that extracts the focused magnesium vapor 10 as an ion beam 9.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
容器13内にイオン化させる物質であるマグネシウム1
2を入れ、ヒータ13aにより容器13を加熱すると上
記マグネシウム12が溶融、気化してマグネシウム蒸気
10が発生する。そして波長1625人のシンクロトロ
ン放射光B3が上記容器1内に導入されて上記蒸気10
に照射され、また同時に電極5.6に電圧が印加されて
上記蒸気10に電界が印加される。するとこれにより蒸
気10は基底状態3s(IS)からりュードベルグ状態
29p(’PO)に励起され、さらにシュタルク効果に
よりリュードペルグ状態29p(IPO)にあるマグネ
シウム蒸気10の電子が自由電子となり、これによりマ
グネシウムイオンが生成され、該マグネシウムイオンは
マグネット11により軸心に集束された後、引き出し電
極14によってイオンビーム9として放出される。Magnesium 1 which is a substance to be ionized in the container 13
When the container 13 is heated by the heater 13a, the magnesium 12 is melted and vaporized, and magnesium vapor 10 is generated. Then, synchrotron radiation B3 with a wavelength of 1625 people is introduced into the container 1, and the vapor 10 is
At the same time, a voltage is applied to the electrode 5.6 to apply an electric field to the vapor 10. As a result, the vapor 10 is excited from the ground state 3s (IS) to the Rydberg state 29p ('PO), and furthermore, due to the Stark effect, the electrons of the magnesium vapor 10 in the Rydberg state 29p (IPO) become free electrons, which causes the magnesium Ions are generated, and after the magnesium ions are focused on the axis by the magnet 11, they are emitted as an ion beam 9 by the extraction electrode 14.
第4図は本発明に用いるシンクロトロン放射光発生装置
の構成例である。図において、21は線形加速器、22
は電子蓄積リング、24は分光系、33は容器である。FIG. 4 shows an example of the configuration of a synchrotron radiation generator used in the present invention. In the figure, 21 is a linear accelerator, 22
24 is an electron storage ring, 24 is a spectroscopic system, and 33 is a container.
上記容器33に導入されるシンクロトロン放射光は、ま
ず線形加速器21で電子が加速されて電子蓄積リング2
2に打ち込まれ、該リング22において相対論的速度に
なった電子からシンクロトロン放射光が放出され、さら
に分光系24に導入され、該分光系24により単一波長
にされた光である。The synchrotron radiation introduced into the container 33 is first accelerated by the linear accelerator 21, and the electrons are accelerated into the electron storage ring 2.
Synchrotron radiation light is emitted from the electrons that have reached relativistic speed in the ring 22 and are further introduced into the spectroscopic system 24, where the spectroscopic system 24 converts the light into a single wavelength.
(発明の効果〕
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をシンクロトロン放射光の
照射によりその基底状態からりュードベルグ状態に共鳴
光励起し、さらに上記物質を電界の印加により該励起状
態からイオン状態にするようにしたので、イオン化効率
及びイオンの選択性を大きく向上できる効果がある。(Effects of the Invention) As described above, according to the ion beam generator according to the present invention, the substance to be ionized is resonantly excited from its ground state to the Rydberg state by irradiation with synchrotron radiation light, and further the substance is Since the excited state is changed to an ion state by applying an electric field, the ionization efficiency and ion selectivity can be greatly improved.
第1図はマグネシウム中性原子のシングレット系のエネ
ルギ状態図、第2図は本発明の第1の実施例によるシャ
ワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図は本
発明の第2の実施例による集束型イオンビーム発生装置
の概略構成図、第4図は本発明に用いるシンクロトロン
放射光発生部の概略構成図である。
1・・・容器、15・・・電界発生部、20・・・シン
クロトロン放射光発生部、B3・・・シンクロトロン放
射光。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 大 岩 増 雄
第1図
手続補正書(自発)
1.事件の表示 特願昭59−66900号;3.補止
をする者
名 称 (601)三菱電機株式会社
代表者片由仁八部
4、代理人
5、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面(第1図、第
2図、第4図)
6、補正の内容
+11 明細書第3頁第20行のrlevel Jを[
5tate Jに訂正する。
(2) 同第6頁第3〜4行の「該放射光のエネルギ準
位、波長を不純物原子のそれらと」を[該放射光の波長
を不純物原子のエネルギ準位と」に訂正する。
(3)同第9頁第4〜5行の「レーザビームのエネルギ
準位、波長を上記不純物等のそれらと」を「シンクロト
ロン放射光の波長を不純物原子のエネルギ準位と」に訂
正する。
(4)第1図、第2図、及び第4図を別紙の通り訂正す
る。
以 上FIG. 1 is an energy phase diagram of a singlet system of magnesium neutral atoms, FIG. 2 is a schematic diagram of the shower type ion beam generator according to the first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a schematic diagram of a focused ion beam generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram of a synchrotron radiation generator used in the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Container, 15... Electric field generation part, 20... Synchrotron radiation generation part, B3... Synchrotron radiation light. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Agent Masuo Oiwa Diagram 1 procedural amendment (voluntary) 1. Indication of the incident: Patent Application No. 1983-66900; 3. Name of the person making the amendment (601) Mitsubishi Electric Co., Ltd. Representative Katayuni 8th Department 4, Agent 5, Column for detailed explanation of the invention in the specification to be amended, and drawings (Figs. 1 and 2) , Fig. 4) 6. Contents of amendment +11 Change rlevel J on page 3, line 20 of the specification to [
Corrected to 5tate J. (2) On page 6, lines 3 and 4, "the energy level and wavelength of the synchrotron radiation are those of the impurity atoms" is corrected to "the wavelength of the synchrotron radiation is the energy level of the impurity atoms." (3) On page 9, lines 4-5, "The energy level and wavelength of the laser beam are related to those of the above impurities, etc." is corrected to "The wavelength of synchrotron radiation light is the energy level of impurity atoms." . (4) Figures 1, 2, and 4 are corrected as shown in the attached sheet. that's all
Claims (1)
器にウィグラー又はアンデュレータを設けてなり上記容
器内の上記物質をこれにシンクロトロン放射光を照射し
てそのエネルギ準位の基底状態からりュードベルグ状態
に共鳴光励起するシンクロトロン放射光発生部と、上記
容器内の上記物質をこれに電界を印加してシュタルク効
果によりリュードベルグ状態からイオン状態とする電界
発生部とを備えたことを特徴とするイオンビーム発生装
置。 (2) 上記シンクロトロン放射光発生部は、シンクロ
トロン放射光としてチャンネリング放射光を発生するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
イオンビーム発生装置。 (3)上記加速器として、電子蓄積リング又は電子シン
クロトロンを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載のイオンビーム発生装置。 (4) 上記シンクロトロン放射光発生部は、分光器又
は分光系を有し、分光器又は分光系を通過させた単一波
長の光を発生するものであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載のイオンビ
ーム発生装置。 (5)上記シンクロトロン放射光発生部は、分光器又は
分光系を有し、上記物質を基底状態から中間状態を経て
リュードベルグ状態に階段状に共鳴光励起するような複
数の単一波長のシンクロトロン放射光を発生するもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオ
ンビーム発生装置。[Claims] (11) A container containing a substance to be ionized, and an accelerator equipped with a wiggler or an undulator; a synchrotron radiation light generation section that resonantly optically excites the substance from the ground state to the Rydberg state; and an electric field generation section that applies an electric field to the substance in the container to change it from the Rydberg state to the ionic state due to the Stark effect. An ion beam generator characterized in that: (2) The synchrotron radiation light generating section generates channeling radiation light as synchrotron radiation light. (3) The ion beam generating device according to claim 1 or 2, characterized in that an electron storage ring or an electron synchrotron is used as the accelerator. (4) Claim 1, wherein the synchrotron radiation light generating section has a spectroscope or a spectroscopic system, and generates light of a single wavelength that is passed through the spectroscope or spectroscopic system. The ion beam generator according to any one of Items 1 to 3. (5) The synchrotron radiation generating section has a spectrometer or a spectroscopic system, and converts the substance from a ground state to an intermediate state to a Rydberg state. 2. The ion beam generating device according to claim 1, wherein the ion beam generating device generates a plurality of single wavelength synchrotron radiation beams that perform resonant light excitation in a stepped manner.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59066900A JPS60211751A (en) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ion beam generation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59066900A JPS60211751A (en) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ion beam generation device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60211751A true JPS60211751A (en) | 1985-10-24 |
Family
ID=13329268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59066900A Pending JPS60211751A (en) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | Ion beam generation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60211751A (en) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59066900A patent/JPS60211751A/en active Pending
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