JPS60195955A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS60195955A JPS60195955A JP59050998A JP5099884A JPS60195955A JP S60195955 A JPS60195955 A JP S60195955A JP 59050998 A JP59050998 A JP 59050998A JP 5099884 A JP5099884 A JP 5099884A JP S60195955 A JPS60195955 A JP S60195955A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/321—Disposition
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、樹脂封止型パッケージからなる半導体装置の
信頼性向上に適用して有効な技術に関するものである。
信頼性向上に適用して有効な技術に関するものである。
[背景技術]
通常、樹脂封止型パッケージからなる半導体装置は、4
2−アロイまたはコバール等からなるリードフレームの
タブ上にペレットを搭早し、該ペレットと内部リード部
とを電気的に接続した後、この両者を°エポキシ樹脂等
でモールドを行い、次いで、外部リード部を成形して製
造されるものである。
2−アロイまたはコバール等からなるリードフレームの
タブ上にペレットを搭早し、該ペレットと内部リード部
とを電気的に接続した後、この両者を°エポキシ樹脂等
でモールドを行い、次いで、外部リード部を成形して製
造されるものである。
前記半導体装置は、金属製のタブおよび内部リード部を
金属と親和性が乏しい樹脂でモールドしてパンケージを
形成するものであるため、製造時等の加熱冷却の繰り返
しく熱サイクル)によりタブ周辺のパッケージ樹脂に、
クランク等の欠陥が発生し易く、また外部リードを折曲
成形する際に、パッケージ側端部のリード封着部界面に
剥離が生じたり、該封着部近傍のパッケージ樹脂にクラ
ックが生じたりし易いという問題がある(たとえば特開
昭58−79381号公報)。
金属と親和性が乏しい樹脂でモールドしてパンケージを
形成するものであるため、製造時等の加熱冷却の繰り返
しく熱サイクル)によりタブ周辺のパッケージ樹脂に、
クランク等の欠陥が発生し易く、また外部リードを折曲
成形する際に、パッケージ側端部のリード封着部界面に
剥離が生じたり、該封着部近傍のパッケージ樹脂にクラ
ックが生じたりし易いという問題がある(たとえば特開
昭58−79381号公報)。
[発明の目的コ
本発明の目的は、樹脂封止型パッケージからなる半導体
装置の信頼性を向上させる技術を提供することにある。
装置の信頼性を向上させる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
[発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リードフレームのタブ裏面または内部リード
表面の少なくとも一方にパッケージ用樹脂およびリード
フレーム材料の両者と接着性の良い樹脂を被着すること
により、樹脂モールドでバフケージを形成した後に、パ
ッケージの熱サイクルによる、または外部リードの折曲
形成によるパッケージ樹脂と該樹脂に埋設されたリード
フレーム部との界面における剥離または該樹脂部に生じ
るクランク等の発生を有効に防止することにより、前記
目的を達成するものである。
表面の少なくとも一方にパッケージ用樹脂およびリード
フレーム材料の両者と接着性の良い樹脂を被着すること
により、樹脂モールドでバフケージを形成した後に、パ
ッケージの熱サイクルによる、または外部リードの折曲
形成によるパッケージ樹脂と該樹脂に埋設されたリード
フレーム部との界面における剥離または該樹脂部に生じ
るクランク等の発生を有効に防止することにより、前記
目的を達成するものである。
[実施例]
図は、本発明による一実施例である樹脂封止型パッケー
ジからなる半導体装置を断面図で示したものである。
ジからなる半導体装置を断面図で示したものである。
本実施例の半導体装置は、タブ1にペレット2を金−シ
リコン合金等のろう材3で取り付けた後、該ペレット2
のポンディングパッド4と内部リードのボンディングエ
リア5とをワイヤ6で接続することにより電気的導通を
図り、その後樹脂7でモールドし、さらに外部リード8
の切断、折曲成形を行うことにより製造されてなるもの
である。
リコン合金等のろう材3で取り付けた後、該ペレット2
のポンディングパッド4と内部リードのボンディングエ
リア5とをワイヤ6で接続することにより電気的導通を
図り、その後樹脂7でモールドし、さらに外部リード8
の切断、折曲成形を行うことにより製造されてなるもの
である。
本実施例の半導体装置の特徴は、予めタブ1の裏面およ
びボンディングエリアを除いた内部リード9の表面に被
覆用樹脂としてポリイミド樹脂10を被着したリードフ
レームを用いたことにある。
びボンディングエリアを除いた内部リード9の表面に被
覆用樹脂としてポリイミド樹脂10を被着したリードフ
レームを用いたことにある。
このように、パッケージ樹脂と親和性の低いリードフレ
ームに両者に対して接着性が良いポリイミド樹脂を被着
することにより、パッケージに加わる熱サイクルにより
タブ1と樹脂7の界面に生じる剥離やタブ1の裏面近傍
に生じるクランク等の発生を有効に防止できると同時に
、外部リードの折曲成形時にリード封着部に剥離やその
近傍にクランク等が発生することをも有効に防止するも
のである。
ームに両者に対して接着性が良いポリイミド樹脂を被着
することにより、パッケージに加わる熱サイクルにより
タブ1と樹脂7の界面に生じる剥離やタブ1の裏面近傍
に生じるクランク等の発生を有効に防止できると同時に
、外部リードの折曲成形時にリード封着部に剥離やその
近傍にクランク等が発生することをも有効に防止するも
のである。
なお、前記ポリイミド樹脂をリードフレームの所定部に
被着させることは、被着不要部をマスクしたリードフレ
ームに液状のポリイミド樹脂材料を印刷法にて被着する
か、該樹脂材料にリードフレームをドーピングすること
等により被着した後、加熱処理することにより容易に行
うことができるものである。
被着させることは、被着不要部をマスクしたリードフレ
ームに液状のポリイミド樹脂材料を印刷法にて被着する
か、該樹脂材料にリードフレームをドーピングすること
等により被着した後、加熱処理することにより容易に行
うことができるものである。
本実施例による半導体装置は、前記のリードフレームを
用い、それ以外は通常の製造方法にて容易に形成するこ
とができる。
用い、それ以外は通常の製造方法にて容易に形成するこ
とができる。
[効果]
(1)、樹脂封止型パッケージからなる半導体装置にお
いて、タブ裏面または内部リードの樹脂封着部表面の少
なくとも一方に、リードフレーム材料およびパッケージ
樹脂の両者に対し接着性の良い樹脂を被着することによ
り、両者の接着性を向上させることができるので、半導
体装置に加わる熱サイクルによりタブ裏面と樹脂との界
面もしくは前記封着部におけるリードと樹脂との界面に
生じる剥離、またはタブ裏面近傍もしくは前記封着部近
傍のパッケージ樹脂部にクランク等が発生することを防
止することができる。
いて、タブ裏面または内部リードの樹脂封着部表面の少
なくとも一方に、リードフレーム材料およびパッケージ
樹脂の両者に対し接着性の良い樹脂を被着することによ
り、両者の接着性を向上させることができるので、半導
体装置に加わる熱サイクルによりタブ裏面と樹脂との界
面もしくは前記封着部におけるリードと樹脂との界面に
生じる剥離、またはタブ裏面近傍もしくは前記封着部近
傍のパッケージ樹脂部にクランク等が発生することを防
止することができる。
(2)、内部リードの樹脂封着部の表面に前記(1)に
記載した樹脂を被着したリードフレームを用いて樹脂モ
ールドにてバフケージ形成することにより、パンケージ
樹脂と内部リードとの接着性を向上させると同時に、被
着した樹脂に生じた応力を吸収させることができるので
、外部リード折曲形成時に該封着部とパッケージ樹脂と
の界面に生じる剥離または該封着部近傍のバフケージ樹
脂に生じるクランク等の発生を有効に防止することがで
きる。
記載した樹脂を被着したリードフレームを用いて樹脂モ
ールドにてバフケージ形成することにより、パンケージ
樹脂と内部リードとの接着性を向上させると同時に、被
着した樹脂に生じた応力を吸収させることができるので
、外部リード折曲形成時に該封着部とパッケージ樹脂と
の界面に生じる剥離または該封着部近傍のバフケージ樹
脂に生じるクランク等の発生を有効に防止することがで
きる。
(3)、前記(1)および(2)により、半導体装置内
部を水分等の外部からの影響から有効に保護することが
できるので、信頼性の高い樹脂封止型パッケージからな
る半導体装置を提供することができる。
部を水分等の外部からの影響から有効に保護することが
できるので、信頼性の高い樹脂封止型パッケージからな
る半導体装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、被覆用樹脂としてポリイミド樹脂を用いた例
について説明したが、これに限るものでなく、パッケー
ジ樹脂とリードフレーム材料の両者との接着性の良い樹
脂であれば如何なるものであってもよい。なお、接着性
を高めるために必要に応じて被覆用樹脂を被着する前に
リードフレームの所定部を前処理してもよ(、さらに所
定部に接着剤を使用することもできる。
について説明したが、これに限るものでなく、パッケー
ジ樹脂とリードフレーム材料の両者との接着性の良い樹
脂であれば如何なるものであってもよい。なお、接着性
を高めるために必要に応じて被覆用樹脂を被着する前に
リードフレームの所定部を前処理してもよ(、さらに所
定部に接着剤を使用することもできる。
また、前記実施例では、ボンディングエリアを除いた内
部リードおよびタブ裏面にポリイミド樹脂を予め被着し
であるリードフレームを用いて半導体装置を製造したが
、これに限るものでなく、ワイヤボンディング終了後に
ポリイミド樹脂材料をリードフレームに被着する工程を
入れ、内部リード全体に被着してもよい。
部リードおよびタブ裏面にポリイミド樹脂を予め被着し
であるリードフレームを用いて半導体装置を製造したが
、これに限るものでなく、ワイヤボンディング終了後に
ポリイミド樹脂材料をリードフレームに被着する工程を
入れ、内部リード全体に被着してもよい。
さらには、ペレツトおよびワイヤを含めた外部リード部
を除いた全体のドーピングにてポリイミド樹脂を被着さ
せることもできる。この場合、さらに信頼性の高い半導
体装置を提供できることになる。
を除いた全体のドーピングにてポリイミド樹脂を被着さ
せることもできる。この場合、さらに信頼性の高い半導
体装置を提供できることになる。
図は本発明による一実施例である半導体装置を示す断面
図である。 1・・パタブ、2・・・ペレット、3・・・ろう材、4
・・・ポンディングパッド、5・・・ボンディングエリ
ア、6・・・ワイヤ、7・・・樹脂、8・・・外部゛リ
ード、9・・・内部リード、10・・・ポリイミド樹脂
。
図である。 1・・パタブ、2・・・ペレット、3・・・ろう材、4
・・・ポンディングパッド、5・・・ボンディングエリ
ア、6・・・ワイヤ、7・・・樹脂、8・・・外部゛リ
ード、9・・・内部リード、10・・・ポリイミド樹脂
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、樹・脂封止型パッケージからなる半導体装置におい
て、タブ裏面または内部リード表面の少なくとも一方に
パッケージ用樹脂およびリードフレーム材料の再考と接
着性の良い被!用樹脂が被着されていることを特徴とす
る半導体装置。 2、被覆用樹脂がポリイミド樹脂である。ことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59050998A JPS60195955A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59050998A JPS60195955A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60195955A true JPS60195955A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12874454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59050998A Pending JPS60195955A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60195955A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63142762U (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-20 | ||
JPS63142855U (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-20 | ||
JPH01261853A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体装置 |
JPH04258156A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
WO2004072998A2 (en) * | 2003-02-12 | 2004-08-26 | Kemet Electronics Corporation | Protecting resin-encapsulated components |
JP2009019541A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Kubota Corp | エンジン |
EP4057342A3 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-28 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59050998A patent/JPS60195955A/ja active Pending
Cited By (10)
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JPS63142855U (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-20 | ||
JPH0526760Y2 (ja) * | 1987-03-11 | 1993-07-07 | ||
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