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JPS60181777A - Extraction electrode formation method - Google Patents

Extraction electrode formation method

Info

Publication number
JPS60181777A
JPS60181777A JP3791784A JP3791784A JPS60181777A JP S60181777 A JPS60181777 A JP S60181777A JP 3791784 A JP3791784 A JP 3791784A JP 3791784 A JP3791784 A JP 3791784A JP S60181777 A JPS60181777 A JP S60181777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
forming
extraction electrode
negative resist
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3791784A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
雅行 脇谷
正 長谷川
謙次 岡元
佐藤 精威
三浦 照信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3791784A priority Critical patent/JPS60181777A/en
Publication of JPS60181777A publication Critical patent/JPS60181777A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は取り出し電極形成方法に係り、特に各種のディ
バイスに於て、外部回路との接続のために端末電極部分
を多層化する様にした電極形成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical field of the invention The present invention relates to a method for forming an extraction electrode, particularly in various devices, in which terminal electrode portions are multilayered for connection with external circuits. This invention relates to an electrode forming method.

(2)技術の背景 近年、電気部品、或いは半導体装置等の各種デスに銀、
その他の導体で形成された電極群を形成し、該電極群に
フレキシケーブル等を接合する際に上記電極群の端末電
極に傷や断線を生じない様な種々の対策が施されている
。このような構造を明する。
(2) Background of the technology In recent years, silver,
Various measures are taken to prevent damage or disconnection to the terminal electrodes of the electrode group when forming an electrode group of other conductors and joining a flexible cable or the like to the electrode group. This structure will be explained below.

(3)従来技術の問題点 第1図は従来のELパネル表示装置の取り出し電極を模
式的に示す側断面図、第2図及び第3図は取り出し電極
形成方法を説明するだめの説明図である。
(3) Problems with the prior art Fig. 1 is a side sectional view schematically showing the lead-out electrode of a conventional EL panel display device, and Figures 2 and 3 are explanatory diagrams for explaining the lead-out electrode forming method. be.

第1図に於て、1はガラス等の基板で透明部材が選択さ
れる。該基板1の上側には紙面と直交する方向(Y軸方
向)に向かってストライプ状の透明電極2を形成する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a substrate made of glass or the like, and a transparent member is selected. A striped transparent electrode 2 is formed on the upper side of the substrate 1 in a direction perpendicular to the paper (Y-axis direction).

該透明電極2上にはELiJ膜3が形成されている。こ
のEL薄膜3は、図示を省略した絶縁層(Y 203等
)によって周囲を被覆されている。
An ELiJ film 3 is formed on the transparent electrode 2. This EL thin film 3 is surrounded by an insulating layer (Y 203, etc.) not shown.

上記透明電極としては酸化錫(SnO2)、酸化インジ
ウム(I n 203)をストライプ状にエツチングす
るかパクーニングする。EIJJ膜としてはZnS :
Mn、ZnS : Cu、Mn等が用いられる。EL薄
膜3上には前述の絶縁層を介してアルミニウム等よりな
るストライプ状の複数の電極4を上記透明電極2の延設
方向と′直交するX軸方向に複数本所定の間隔を置いて
形成する。尚5は電極4の端末に形成したニッケル等の
端末電極である。
As the transparent electrode, tin oxide (SnO2) or indium oxide (In 203) is etched or patterned into stripes. ZnS as EIJJ film:
Mn, ZnS: Cu, Mn, etc. are used. On the EL thin film 3, a plurality of striped electrodes 4 made of aluminum or the like are formed at predetermined intervals in the X-axis direction perpendicular to the extending direction of the transparent electrode 2, with the above-mentioned insulating layer interposed therebetween. do. Note that 5 is a terminal electrode made of nickel or the like formed at the terminal of the electrode 4.

このような端末電極を設ける理由はフレキシブルケーブ
ル等のコート6を介して外部回路と、接続する場合に接
合部分ではスプリング7で強力に扶養するために機械的
強度が要求されるが、この部分を厚くして機械的強度を
増すために端末電極5が形成される。機械的強度を増す
ためにはアルミニウム等の背面の電極4そのものを厚く
することも考えられるが、この慢合にはディバイスが絶
縁破壊した時にその部分の破壊゛が大きくなってショー
ト状態となるので無制限に厚くすることはできず一般に
は電極4の厚みtlば2000人程度に選択されている
The reason for providing such a terminal electrode is that when connecting to an external circuit via a coat 6 such as a flexible cable, mechanical strength is required to be strongly supported by a spring 7 at the joint part. A terminal electrode 5 is formed to increase the thickness and mechanical strength. In order to increase the mechanical strength, it is possible to make the electrode 4 itself on the back side made of aluminum or the like thicker, but if this is done too much, when the device has dielectric breakdown, the damage in that part will increase and a short circuit will occur. The thickness of the electrode 4 cannot be increased without limit, and the thickness of the electrode 4 is generally selected to be about 2000 mm.

その為に第1図に示すように電極の端末部分の多層化が
なされいる。
For this purpose, the terminal portion of the electrode is multilayered as shown in FIG.

上述の如き端末部分を多層化するための製造方法の従来
の一実施例を第2図について説明する。
A conventional embodiment of a manufacturing method for multi-layering the terminal portion as described above will be described with reference to FIG.

第2図(alは第1図の背面の電極4側から見た平面図
であり、基板1上に透明電極2が形成され。
FIG. 2 (Al is a plan view seen from the electrode 4 side on the back side of FIG. 1, in which a transparent electrode 2 is formed on a substrate 1.

E L薄膜等が積層された状態で背面の電極4を形成す
るために全面にアルミニウム等の導電材8をスパッタす
る。
A conductive material 8 such as aluminum is sputtered over the entire surface of the stacked E-L thin film to form the back electrode 4.

次に第2図fb)に示すように表示領域外の端末電極形
成面9にニッケル等の金属lOを蒸着する。
Next, as shown in FIG. 2fb), a metal lO such as nickel is deposited on the terminal electrode forming surface 9 outside the display area.

次にフォトリソグラフィにより背面電極のレジストパタ
ーンを作り、先ずニッケル10を蒸着した端末電極形成
面9をエツチング液によりエツチングし、更にアルミニ
ウム8をエツチングすることで第2図(C1に示すよう
に背面の電極4と端末電極5を形成している。
Next, a resist pattern for the back electrode is created by photolithography, and the terminal electrode forming surface 9 on which nickel 10 is vapor-deposited is first etched with an etching solution, and then the aluminum 8 is etched, as shown in FIG. 2 (C1). An electrode 4 and a terminal electrode 5 are formed.

しかし、このような取り出し用の端末電極の製造工程に
よると工・7チンダ液の選択と、その制御が極めて難し
く極めて細幅のストライプ状電極4を得に(い欠点があ
った。
However, this manufacturing process for terminal electrodes for extraction has the drawback that it is extremely difficult to select and control the type of tinda liquid, making it difficult to obtain striped electrodes 4 with extremely narrow widths.

第3図+a)、 (b)に示すものは従来の背面の端末
電極の製造方法を示す他の例を示すものであり、第3図
(alでは予め背面のアルミニウム等の導電材8による
ストライプ状の電極4をパターン蒸着し。
Figures 3+a) and 3(b) show other examples of the conventional manufacturing method of the terminal electrodes on the back side. A pattern of electrodes 4 is deposited.

更に第3図(blに示すように端末部分にマスクを用い
てニッケル等の金属10を蒸着して端末電極5を形成す
るようにしたものである。この製造工程によるとエツチ
ングの問題はないがマスクを用いるために目合せが必要
となり高解像度のパターン電極の形成は不可能であった
Furthermore, as shown in FIG. 3 (bl), a metal 10 such as nickel is deposited on the terminal portion using a mask to form the terminal electrode 5. According to this manufacturing process, there is no problem of etching. The use of a mask required alignment, making it impossible to form high-resolution patterned electrodes.

(4)発明の目的 本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり。(4) Purpose of the invention The present invention has been made in view of the above drawbacks.

パネル表示装置等のディバイス電極形成に於て。For forming device electrodes such as panel display devices.

ストライプ電極部分を厚くすることなく、端末電極を多
層化する際に2重のエツチング及びマスクを用いること
な(簡単に精度良く製造し得る取り出し電極製造方法を
提供することを目的とするものである。
The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing an extraction electrode that can be easily manufactured with high precision without increasing the thickness of the striped electrode portion and without using double etching and masks when forming terminal electrodes into multiple layers. .

(5)発明の構成 そして、上記目的は本発明によれば透明基板上に不透明
電極を形成する工程と、該不透明電極上にネガレジスト
を塗布する工程と、上記不透明電極の端部に形成される
取り出し電極形成領域を覆って該ネガレジスト面にマス
クを配設する工程と。
(5) Structure of the Invention According to the present invention, the above object includes a step of forming an opaque electrode on a transparent substrate, a step of applying a negative resist on the opaque electrode, and a step of forming an opaque electrode on an end portion of the opaque electrode. a step of disposing a mask on the negative resist surface so as to cover the extraction electrode formation region;

該マスク及び上記透明基板の両側より光を照射現像する
工程と、上記マスク並びに不透明電極の取り出し電極形
成領域にはさまれた光の照射されない部分に形成された
前記ネガレジストの孔を含んで前記ネガレジストの全面
に金属を蒸着する工程と、上記ネガレジストを除去する
ことにより取り出し電極形成領域に前記金属を残す工程
とよりなることを特徴とする取り出し電極形成方法を提
供することによって達成される。
The method includes a step of irradiating and developing the mask and the transparent substrate with light from both sides, and holes of the negative resist formed in a portion that is not irradiated with light and sandwiched between the mask and the extraction electrode forming area of the opaque electrode. This is achieved by providing a method for forming an extraction electrode, which is characterized by comprising a step of vapor depositing a metal on the entire surface of a negative resist, and a step of removing the negative resist to leave the metal in an area for forming an extraction electrode. .

(6)発明の実施例 以下本発明の一実施例を図面について詳記する。(6) Examples of the invention An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第4図は本発明の取り出し電極形成方法を示す装造工程
図であり、第4図(a)に於ては先ず第3図+a)の従
来構成と同様に予め基板1に透明電極2をパターニング
し、EL薄膜3を形成した状態で背面のアルミニウムの
電極4を透明電極2と直交する方向にパターニングする
FIG. 4 is an assembly process diagram showing the extraction electrode forming method of the present invention. After patterning and forming the EL thin film 3, the aluminum electrode 4 on the back side is patterned in a direction perpendicular to the transparent electrode 2.

次に第4図(alの側面図である第4図(b)に示すよ
うに背面の電極4の形成されたパネル表示装置の背面に
全面にネガ型のレジスト11(EPPR)を塗布する。
Next, as shown in FIG. 4(b) which is a side view of FIG. 4(al), a negative resist 11 (EPPR) is applied to the entire surface of the back surface of the panel display device on which the back electrode 4 is formed.

次に第4図tc+、 (dlに示すように多層化して端
末電極を構成したい部分に遮光マスク12を配設して表
示装置の背面から光13を照射すると共に第4図(dl
の側面図に示すように表示装置の表示面側からも光14
を照射する。この光14の照射によって基板1と透明電
極2ならびにEL薄膜3は透明であるために第4図t8
)で斜線で示す取り出し電極形成領域15以外のずべて
に光が照射される。
Next, as shown in FIG. 4 (tc+, dl), a light-shielding mask 12 is placed on the part where the terminal electrode is to be formed by multilayering, and light 13 is irradiated from the back of the display device.
As shown in the side view, light 14 is also emitted from the display surface side of the display device.
irradiate. Because the substrate 1, the transparent electrode 2, and the EL thin film 3 are made transparent by the irradiation of this light 14, FIG.
), light is irradiated onto all areas other than the extraction electrode formation region 15 indicated by diagonal lines.

即ち、このストライプパターン部分15は遮光マスク1
2とアルミニウム電極4との間に挾まれて光が照射され
ない。又、背面からの光13はマスクされた以外の部分
のレジストを硬化させるために結果的にば光13及び1
4の両方の光が照射されない取り出し電極形成領域15
だけが硬化せず。
That is, this stripe pattern portion 15 is the light shielding mask 1.
2 and the aluminum electrode 4, and no light is irradiated. In addition, the light 13 from the back hardens the resist in areas other than the masked areas, resulting in light 13 and 1.
Extraction electrode formation region 15 where both of the lights of 4 are not irradiated.
Only it didn't harden.

第4図(81に示す様に現像の結果レジスト部分に孔1
6が形成される(セルファライン法)。この状態でニッ
ケルやアルミニウム等の多層化したい金属をこの孔16
とレジスト11の全面に蒸着して。
As shown in Figure 4 (81), there are holes 1 in the resist area as a result of development.
6 is formed (Selfa line method). In this state, insert a metal such as nickel or aluminum into the hole 16.
and vapor deposited on the entire surface of resist 11.

上記レジスト部分を除去(リフトオフ法)すればアルミ
ニウム電極4上の取り出し電極形成領域15に相当する
孔16にニッケル又はアルミニウムからなる端末電極5
(第1図)が形成されて多層化される。
By removing the resist portion (lift-off method), a terminal electrode 5 made of nickel or aluminum is formed in the hole 16 corresponding to the extraction electrode formation region 15 on the aluminum electrode 4.
(FIG. 1) is formed and multilayered.

(7)発明の効果 本発明は叙上の如く取り出し電極を形成したのでセルフ
ァラインによってリフトオフパターンが構成できるので
極めて簡単に且つ正確に端末電極を構成させることがで
きる特徴を有する。
(7) Effects of the Invention The present invention has the feature that since the extraction electrode is formed as described above, a lift-off pattern can be constructed using self-aligned lines, so that the terminal electrode can be constructed extremely easily and accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のELパネル表示装置の側断面図。 第2図fat〜fc)は従来の取り出し電極形成方法を
説明するための電極部の平面図、第3図(a)、 Tb
lは従来の取り出し電極形成方法を説明する第2図と同
様の他の実施例を示す平面図1第4図(al〜(elば
本発明の取り出し電極形成方法を説明するためのパネル
表示装置の平面図及び側面図である。 1・・・基板、 2・・・透明電極。 3・・・EL薄膜、 4・・・背面の電極。 5・・・台11末電極、 6・・・フレキシケーブル、
 7・・・スプリング、 8・・・アルミニウム等の導
電材、 9・・・端末電極形成面、 10・・・ニッケ
ル等の金属。 11・・・ネガレジスト 12・・・マスク、 13.
14・・・光、 15・・・取り出し電極形成領域、 
16・・・孔。 第1図 第2図 第3図 1へ
FIG. 1 is a side sectional view of a conventional EL panel display device. Fig. 2 (fat to fc) is a plan view of the electrode section for explaining the conventional extraction electrode forming method, Fig. 3 (a), Tb
1 is a plan view showing another embodiment similar to FIG. 2 for explaining the conventional extraction electrode forming method. 1 is a plan view and a side view of 1... Substrate, 2... Transparent electrode, 3... EL thin film, 4... Back electrode. 5... Base 11 end electrode, 6... flexi cable,
7... Spring, 8... Conductive material such as aluminum, 9... Terminal electrode forming surface, 10... Metal such as nickel. 11... Negative resist 12... Mask, 13.
14... Light, 15... Extraction electrode formation area,
16... hole. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Go to Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 透明基板上に不透明電極を形成する工程と、該不透明電
極上にネガレジストを塗布する工程と。 上記不透明電極の0111部に形成される取り出し電極
形成領域を覆って該ネガレジスト面にマスクを配設する
工程と、該マスク及び上記透明基板の両側より光を照射
現像する工程と、上記マスク並びに不透明電極の取り出
し電極形成領域にはさまれた光の照射されない部分に形
成された前記ネガレジストの孔を含んで前記ネガレジス
トの全面に金属を蒸着する工程と、上記ネガレジストを
除去することにより取り出し電極形成領域に前記金属を
残す工程とよりなることを特徴とする取り出し電極形成
方法。
[Claims] A step of forming an opaque electrode on a transparent substrate, and a step of applying a negative resist onto the opaque electrode. a step of arranging a mask on the negative resist surface to cover the extraction electrode formation region formed in the 0111 portion of the opaque electrode; a step of irradiating light from both sides of the mask and the transparent substrate; and a step of developing the mask and the transparent substrate. A step of vapor depositing metal on the entire surface of the negative resist, including the holes of the negative resist formed in the portion not irradiated with light sandwiched between the extraction electrode forming area of the opaque electrode, and removing the negative resist. A method for forming an extraction electrode, comprising the step of leaving the metal in an area for forming an extraction electrode.
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