[go: up one dir, main page]

JPS60160134A - Ｈｉｃ - Google Patents

Ｈｉｃ

Info

Publication number
JPS60160134A
JPS60160134A JP59016611A JP1661184A JPS60160134A JP S60160134 A JPS60160134 A JP S60160134A JP 59016611 A JP59016611 A JP 59016611A JP 1661184 A JP1661184 A JP 1661184A JP S60160134 A JPS60160134 A JP S60160134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellets
relay
semiconductor
land
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59016611A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukitaka Tokumoto
幸孝 徳本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP59016611A priority Critical patent/JPS60160134A/ja
Publication of JPS60160134A publication Critical patent/JPS60160134A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 この発明はリードフレームの１つのランド部上に複数の
半導体ペレットをマウントし配線したＨＩＣ（混成集積
回路装置）に利用される。
口、従来技術 一般にモノリシックＩＣはシグナル用、パワー用などの
単一機能の１個のモノリシックＩＣペレットをリードフ
レームのランド部にマウントし配線したもので、１個の
ＩＣの機能はそのＩＣペレットの機能に限定される。そ
こで１個のパッケージ内に多機能を持たせたものとして
、リードフレームの１つのランド部上にトランジスタ等
同一機能の複数の半導体ペレットをマウントし配線した
ＨＩＣが開発され実用化されている。
又、多機能、異機能を持たせたものとしてＩＣ、トラン
ジスタ等異種機能の半導体ペレ・ントをマウントし配線
したＨＩＣも考案されている。
例えば第１図に示すように１枚のリードフレーム（１）
のランド部（２）上に複数（図面では４１！＞の半導体
ペレット（３）（３）−をマウントして、半導体ペレッ
ト間及び半導体ペレッ）　（３）（３）、−ｍ−と対応
するリード（４）（４）−・−間とにワイヤ（５）（５
）、−・をボンディングして電気的に接続したものがあ
る。尚、（６）（６）−・・は各リード（４）（４）・
−を連結一体化してリードフレーム（１）を構成するタ
イバーで、ワイヤボンディング後第１図鎖線部分をパッ
ケージ化した後タイバー（６）（６）・−・はり一ド（
４）（４）−・−・−から切断分離される。このような
ＨＩＣは１つで多機能を持つが、次の（ａ）〜（ｃ）の
問題を含んでいた。
（ａ）ペレット間及びバレント−リード間の配線上の都
合からリードフレーム（１）の設計力複雑となり、且つ
マウントされる半導体ペレ７）　（３）（３）・−・・
−に種類変更があるとその変更に応じリードフレーム（
１）を設計し直す必要があり、リードフレーム（１）の
標準化が難しかった。
（ｂ）ベレット間及びベレット−リード間の配線を全て
最良にすることは事実上無理で、どうしてもワイヤ（５
）（５）・・−に長過ぎるもの、短か過ぎるものが発生
し、長過ぎるものは製造途中で垂れ下って半導体ベレッ
ト（３）（３）−・やランド部（２）上にショートした
り、短か過ぎるものは製造の途中の外的シｍｙり等で断
線したり、特に半導体ベレット（３）（３）・−とのコ
ンタクト部が不良（ルーズコンタクト）になることがあ
り、製品の信頼性を悪（していた。
（ｅ）ペレット間のワイヤボンディングが非常に難しく
て信頼性が悪かった。即ち、半導体ベレット（３）のボ
ンディングバンドサイズはワイヤ（５）の線径の３〜４
倍（金線使用の設計の場合、７５〜１５０１１ｍ　／口
）が一般的であり、ペレット間のワイヤボンディングは
キャピラリ方式で先ずキャピラリ先端でワイヤ先端の金
球を１つの半導体ベレット（３）のポンディングパッド
に熱圧着して接続しく１ｓｔボンデイング）、次にキャ
ピラリからワイヤ（５）を繰り出して他の半導体ベレッ
ト〈３）のポンディングパッドに熱圧着又は熱圧着と超
音波パワーとを印加して接続（２ｎｄボンディング）し
てワイヤ切断する工程で行っている。この１ｓｔボンデ
イングはワイヤ金球を使用するため比較的良好に行える
が、２ｎｄボンデイングはワイヤ金球を使用しない、い
わゆるステッチボンディングで而も半導体ベレット（３
）のポンディングパッドが小面積のため難しくて使用ワ
イヤー径の３〜６倍となり、金球はみ出しが発生し、所
定の′ポンディングパッド部への融着面積が少なし）た
め、その強度が弱くルーズコンタクトになる可能性が大
きく、精度良く行うには特殊機能を持つ高価なワイヤボ
ンダーを使用しなければならなかうた。
ハ６発明の目的 本発明の目的は上記問題点を解決することであり、半導
体−ル、２トの種類変更に対する対応性に優れ、生産設
備的に有利で且つ信頼性に優れた）（ＩＣを提供するに
ある。
二９発明の構成 本Ｑ明はリードフレームの１つのランド部上に複数の半
導体ベレットと共に半導体ベレット間や半導体ベレット
とリード間の電気的接続用中継ベレットをマウントした
構造を特徴とする。前記中継ベレットは、その上面に中
継用の導電パターンが形成される。このような中継ベレ
ット使用により半導体ベレットとリード番よ無理の無い
配線が実行でき、上記目的が達成される。
ホ、実施例 第２図及び第３図において、（７）はリードフレームで
、ランド部（８）とその近傍から延びる複数のリード（
９）（９）−・−をタイバー（１０）（１０）　−で一
連に一体化したものｔある。（１１）（１１）”−−・
−はランド部（８）上にマウントされたＩＣ等の複数の
半導体ベレット、（１２）はランド部（８）上に少くと
も１個がマウントされた中継ベレットで、図面では３Ｉ
Ｉ＆Ｉを示す。（１３）（１３）−・−は金線やアルミ
ニウム線等のボンディングワイヤである。
上記中継ベレット（１２）　（１２）−・−・は第４図
に示すように上面に中継用導電パターン（１４）（１４
）　−・が形成された絶縁ベレットで、ランド部（８）
上の後述中継に通した所望の部分にＡｇペーストや半田
などを介しマウントされる。中継ベレット（１２）　（
１２）・−・は半導体ベレット（１１）　（１１）−・
・と同材質の例えばシリコンで形成され、これをランド
部（８）への半導体装置ット（１１）　（１１）・−の
マウントに供されるロー材と同じＡ、ｇペーストや半田
でマウントするようにすれば、半導体ペレット（１１）
　（１１）−のマウンターで中継ペレット（１２）　（
１２）−・のマウントが連続的に実行でき、而も半導体
ペレッ）　（１１）　（１１）・−・と同じ様に位置ず
れの少ない高精度のマウントが実行できる。また中継ペ
レット（１２）　（１２）・−をシリコン製にすること
により中継ペレット（１２＞　（１２）−・は一般的半
導体製造工程中でできる外観や特性の不良シリコンウェ
ーハを利用して製作することができ、材料コスト的に有
利であり、又中継ペレット（１２）（１２）　−・への
ワイヤボンディングも半導体ペレッ）　（１１）　（１
１）・−と同一条件で高精度に行える。
中継ペレット（１２）　（１２）・−・は半導体ペレッ
）　（１１）　（１１）・−・とり一部　（９）　（９
）−・の間、２つの半導体ペレット＜ｏ）（１１）の間
などに配置され、所定の半導体ペレット（１１）とリー
ド（９）　、２つの半導体ペレット（１１）　（１１）
の電気的接続の中継を行う０例えば第３図に示すように
２つの半導体ペレッ）　（１１）　（１１）間に配置さ
れた中継ペレット（１２）には２つの半導体ペレット（
１１）　（１１’　）の対応するポンディングパッド＜
１５）　（１５’　”）から延びるワイヤ（１３）　（
１３°）の一端が１つの導電パターン（１４）にボンデ
ィングされて、両ポンディングパッド（１５）　（１５
”））（導電パターン（１４）で中継接続される。この
場合のワイヤボンディングは導電パターン（１４）を例
えば３００μ−７口など十分広面積に形成して１ｓｔボ
ンデイングを半導体ペレット側で、２ｎｄボンデイング
を中継ペレット側で行えばよく、このようにすれば２ｎ
ｄボンデイング側の導電パターン（１４）が広面積のた
め２ｎｄボンデイングが通常の安価なワイヤボンダでも
十分良好に行え、半導体ペレット間のワイヤボンディン
グ上の従来問題点が難無（解決される。又、特に作業性
、信頼性の面ではこれらのワイヤ長は同一である事が望
ましい。
これに対しては、中継ペレット（１２）　（１２）・−
を上記ペレット間の中継と共に半導体ペレッ）　（１１
＞　（１１）・−・とり一部（９）　（９）・−の中継
に利用することにより、ワイヤ（１３）　（１３）−・
の配線パターンが無理なく設計できてワイヤ（１３）　
（１３）・−が長過ぎたり短か過ぎたりすることが無く
なり、ワイヤシッートやルーズコンタクト等の配線上の
トラブルが減少する。また半導体ペレット（１１）　（
１０−・に種類変更があっても、この変更に応じ中継ペ
レット（１２）（１２）・−の数や種類、配置位置を変
更させるだけで同一のリードフレーム（７）を使用する
こができ、リードフレーム（７）の標準化を容易にする
。
尚、中継ペレット（１２）　（１２）・−・の外部や導
電パターン（１４）　（１４）−・の形状は上記例に限
らず、例えば第５図に示す中継ペレット（１２’　）に
示すようにその上面の１つの導電パターン（１４°）の
中間に抵抗阻止パターン（１４”　）を形成して、２つ
のワイヤ（１３）　（１３）を抵抗Ｒを介し中継するよ
うにしてもよい。
へ０発明の詳細 な説明したように、本発明によれば中継ペレットにより
リードフレームの標準化、半導体ペレット間のワイヤボ
ンディング、ボンディングワイヤの配線上のトラブル等
の問題が解決でき、信頼性の高いＨＩＣの提供が可能で
あり、また生産設備を大きく変更すること無く生産でき
、而も品種変更のニーズに対する対応性が良くて多品種
少量生産にも通したＨＩＣが提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＨＩＧの要部平面図、第２図は本発明の
一実施例を示す要部平面図、第３図は第２図の一部拡大
断面図、第４図は第２図の一部拡大斜視図、第５図は中
継ペレットの変形例を示す斜視図である。 （７）　・・リードフレーム、（８）・・ランド部、　
（９）・　・リード、　（１１）　（１１″　）　・　
・半導体ペレット、（１２）　（１２’　）　・・中継
ペレット、（１４）　（１４’　）　・・導電パターン
。 手続補正書 昭和５９年　５月　９日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１６６１１号 ２、発明の名称 ＩＣ ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称関西日本電気株式会社 ４、代理人 住　所　大阪府大阪市西区江戸ｇｉＡ１丁目１５番２６
号大阪商エビルア階 氏　名　（６４５Ｂ）弁理士　江　原　省　吾（ほか１
名） ５、補正の対象 明細書中 １０発明の名称を下記の通り補正する。 「混成集積回路装置、Ｉ ■、特許請求の範囲を下記の通り補正する。 「（１）　リードフレームの１つのランド部上に複数の
半導体ベレットをマウントした混成集積回路装置におい
て、前記ランド部上に上面に前記半導体ベレット間や前
記半導体ベレットと前記リードフレームのリード間の電
気的接続用中継導電パターンを有する中継ベレットをマ
ウントしたことを特徴とする混成集積回路装置、」■、
第１頁第１６行 ｒＨＴＣ（混成集積回路装置）」を ｒ’　Ｊ色補正する。 ■、第２頁第６行、第１０行、第３頁第３行、第５頁第
１２行、第１０頁第６行、第９行、ＩＪ１２行 ｒＨＩ　ＣＪを 「、混、成！］ｕＬｉ！ｌ韮」と補正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１１１Ｊ−’Ｆフレームの１つのランド部上に複数の
    半導体ペレットをマウントしたＨＩＣにおいて、前記ラ
    ンド部上に上面に前記半導体ペレット間や前記半導体ペ
    レットと前記リードフレームのリード間の電気的接続用
    中継導電パターンを有する中継ペレットをマウントした
    ことを特徴とするＩ（Ｉ　Ｃ。
JP59016611A 1984-01-30 1984-01-30 Ｈｉｃ Pending JPS60160134A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59016611A JPS60160134A (ja) 1984-01-30 1984-01-30 Ｈｉｃ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59016611A JPS60160134A (ja) 1984-01-30 1984-01-30 Ｈｉｃ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60160134A true JPS60160134A (ja) 1985-08-21

Family

ID=11921112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59016611A Pending JPS60160134A (ja) 1984-01-30 1984-01-30 Ｈｉｃ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60160134A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096852A (en) * 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
JP2009164653A (ja) * 2009-04-27 2009-07-23 Renesas Technology Corp マルチチップモジュール
US8951847B2 (en) 2012-01-18 2015-02-10 Intersil Americas LLC Package leadframe for dual side assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5598837A (en) * 1979-01-19 1980-07-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS55127032A (en) * 1979-03-24 1980-10-01 Mitsubishi Electric Corp Plastic molded type semiconductor device
JPS56100436A (en) * 1980-01-17 1981-08-12 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor element
JPS58192335A (ja) * 1982-05-07 1983-11-09 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5598837A (en) * 1979-01-19 1980-07-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS55127032A (en) * 1979-03-24 1980-10-01 Mitsubishi Electric Corp Plastic molded type semiconductor device
JPS56100436A (en) * 1980-01-17 1981-08-12 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor element
JPS58192335A (ja) * 1982-05-07 1983-11-09 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096852A (en) * 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
JP2009164653A (ja) * 2009-04-27 2009-07-23 Renesas Technology Corp マルチチップモジュール
US8951847B2 (en) 2012-01-18 2015-02-10 Intersil Americas LLC Package leadframe for dual side assembly

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6163463A (en) Integrated circuit chip to substrate interconnection
JP3393800B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6489182B2 (en) Method of fabricating a wire arrayed chip size package
US6956294B2 (en) Apparatus for routing die interconnections using intermediate connection elements secured to the die face
US6762079B2 (en) Methods for fabricating dual loc semiconductor die assembly employing floating lead finger structure
US6507094B2 (en) Die paddle clamping for wire bond enhancement
US20040238923A1 (en) Surface-mount-enhanced lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same
JP3851845B2 (ja) 半導体装置
US5408127A (en) Method of and arrangement for preventing bonding wire shorts with certain integrated circuit components
JP2569400B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS62281435A (ja) 半導体装置
JPS60160134A (ja) Ｈｉｃ
US6977214B2 (en) Die paddle clamping method for wire bond enhancement
JPH1079466A (ja) 半導体装置
JPH0546271Y2 (ja)
JP2885786B1 (ja) 半導体装置の製法および半導体装置
JPH1140563A (ja) 半導体装置およびその電気特性変更方法
JPH0525236Y2 (ja)
US7037754B2 (en) Semiconductor chip and method of producing the same
KR940008340B1 (ko) 반도체 장치용 리이드 프레임
KR100308116B1 (ko) 칩스케일반도체패키지및그제조방법_
JP3388056B2 (ja) 半導体装置
JP2681145B2 (ja) 樹脂封止半導体装置
US20010010406A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100192329B1 (ko) 반도체소자 패키지 공정용 리드 프레임