JPS6011293A - ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ単結晶の製造方法Info
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- JPS6011293A JPS6011293A JP58119406A JP11940683A JPS6011293A JP S6011293 A JPS6011293 A JP S6011293A JP 58119406 A JP58119406 A JP 58119406A JP 11940683 A JP11940683 A JP 11940683A JP S6011293 A JPS6011293 A JP S6011293A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
末完Ｅ！１１は、大型高品質のＺｎ Ｓｅ単結晶を製造
する方法に関するものである。
する方法に関するものである。
（背景技術）
例えば青色発光ダイオード用として期待されているＺｎ
Ｓｅは従来大型高品質の単結晶が得られなかった。即
ち化学輸送法では、双晶等の結晶欠陥が入り易いと同時
に、大型の単結晶が得られなかった。又高圧ブリッジマ
ン法では、気泡、双晶等の結晶欠陥が入り易く組成ずれ
を生じ易いため、組成ずれ、結晶欠陥の多い単結晶しか
得られ々かった。
Ｓｅは従来大型高品質の単結晶が得られなかった。即
ち化学輸送法では、双晶等の結晶欠陥が入り易いと同時
に、大型の単結晶が得られなかった。又高圧ブリッジマ
ン法では、気泡、双晶等の結晶欠陥が入り易く組成ずれ
を生じ易いため、組成ずれ、結晶欠陥の多い単結晶しか
得られ々かった。
このため、基板上にＺｎ５ｅ工ピクキシヤル層を成長さ
せるのに、従来格子定数の近いＧａＡｓ、 ＧａＰ、Ｇ
ｅ等の異種材料の単結晶基板を用いていた。
せるのに、従来格子定数の近いＧａＡｓ、 ＧａＰ、Ｇ
ｅ等の異種材料の単結晶基板を用いていた。
しかし格子定数が津うため、高品質のエピタキシャル層
の成長が困難であった。
の成長が困難であった。
（発明の開示）
末完Ｆ３Ａは、」二連の問題点を解決するため成された
もので、結晶欠陥、組成すれかなく、例えばエビクキシ
ャル吠長基板として使用し得る大型高品質のＺｎ５ｅ単
結晶を製造する方法を提供せんとするものである。
もので、結晶欠陥、組成すれかなく、例えばエビクキシ
ャル吠長基板として使用し得る大型高品質のＺｎ５ｅ単
結晶を製造する方法を提供せんとするものである。
本発明は、化学的気相堆積法により合成されだＺｎ Ｓ
ｅ多結晶体を、カプセル内に真空封入した後、高温静水
圧圧縮加工することを特徴とするＺｎ Ｓｅ単結晶の製
造方法である。
ｅ多結晶体を、カプセル内に真空封入した後、高温静水
圧圧縮加工することを特徴とするＺｎ Ｓｅ単結晶の製
造方法である。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。先
ず化学的気相堆積法（以下、ＣＶＤ法と称す）によりＺ
ｎ Ｓｅ多結晶体を合成する。ＣＶＤ法は、管状反応管
を用い、管内を適当々温度分布に保持し、その入口側よ
りＺｎ蒸気およびＨ２Ｓｅガスを送りこみ、混合ガスを
反応させて基板上にＺｎ Ｓｅ多結晶体を堆積させる方
法である。
ず化学的気相堆積法（以下、ＣＶＤ法と称す）によりＺ
ｎ Ｓｅ多結晶体を合成する。ＣＶＤ法は、管状反応管
を用い、管内を適当々温度分布に保持し、その入口側よ
りＺｎ蒸気およびＨ２Ｓｅガスを送りこみ、混合ガスを
反応させて基板上にＺｎ Ｓｅ多結晶体を堆積させる方
法である。
次にこのＺｎ Ｓｅ多結晶体を図に例を示すような高温
静水圧圧縮加工（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓｉｎｇ、以下、ＨＩＰ処理と略称す）装置により処
理する。
静水圧圧縮加工（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓｉｎｇ、以下、ＨＩＰ処理と略称す）装置により処
理する。
図において、Ｚｎ Ｓｅ多結晶体１はカプセル２内に真
空封入された後、容器３内に置かれる。容器３は温度分
布の均一化を計るだめの容器で、外部とガスの交換のだ
めの穴がおいており、例えばカーボンから成る。容器３
け圧力容器４内で支持台５上に置かれ、ヒーター６によ
り加熱される。７け断熱材、８は炉内の温度を測定する
熱雷対、９はヒーター６の電源である。
空封入された後、容器３内に置かれる。容器３は温度分
布の均一化を計るだめの容器で、外部とガスの交換のだ
めの穴がおいており、例えばカーボンから成る。容器３
け圧力容器４内で支持台５上に置かれ、ヒーター６によ
り加熱される。７け断熱材、８は炉内の温度を測定する
熱雷対、９はヒーター６の電源である。
カプセル２としてはパイレックスガラス、石英ガラス等
より成るものが使用される。圧力容器４は高圧（例゛、
２０００気圧以上）に耐える容器で、Ａｒ供給孔１０よ
り高圧Ａｒガスを送入して圧力がかけられる。
より成るものが使用される。圧力容器４は高圧（例゛、
２０００気圧以上）に耐える容器で、Ａｒ供給孔１０よ
り高圧Ａｒガスを送入して圧力がかけられる。
ＨＩＰ処理するには、Ｚｎ Ｓｅ多結晶体１を真空封入
したカプセル２を容器３および圧力容器４内に入れ、こ
れを例えば１０００℃の温度に加熱し、圧力容器４内の
圧力を２０００気圧にして２時間以上保持する。温度１
０００℃未満又は圧力２０００気圧未満では、単結晶化
の進行が不十分となる。
したカプセル２を容器３および圧力容器４内に入れ、こ
れを例えば１０００℃の温度に加熱し、圧力容器４内の
圧力を２０００気圧にして２時間以上保持する。温度１
０００℃未満又は圧力２０００気圧未満では、単結晶化
の進行が不十分となる。
このよう忙してＨＩＰ処理を施すと、Ｚｎ５ｅ多結晶体
が単結晶化し、結晶欠陥、組成ずれがない大型の単結晶
が得られる。
が単結晶化し、結晶欠陥、組成ずれがない大型の単結晶
が得られる。
（実施例）
Ｃ，ＶＤ法により作成された外径５０ｍｍ、重量５０１
９のＺｎ Ｓｅ多結晶を用い、図に示すＨＩＰＩＰ処理
装置いて表１に示す温度、加工処理時間でＨＩＰ処理を
施した。圧力容器４内の圧力を２０００気圧に保持した
。
９のＺｎ Ｓｅ多結晶を用い、図に示すＨＩＰＩＰ処理
装置いて表１に示す温度、加工処理時間でＨＩＰ処理を
施した。圧力容器４内の圧力を２０００気圧に保持した
。
得られた結晶の単結晶化状況を調査した結果は表１に示
す通りである。
す通りである。
表 １
注）×・・・結晶成長なし。
△・・・部分的結晶成長。
○・・・単結晶化。
表１より、温度９５０℃以下では長時間でも単結晶化せ
ず、１０００℃では１時間以下では単結晶化しないこと
が分る。これより温度１０００℃、２時間以上が好１１
−い。
ず、１０００℃では１時間以下では単結晶化しないこと
が分る。これより温度１０００℃、２時間以上が好１１
−い。
比較のため、ＣＶＤ法によるＺｎ Ｓｅ多結晶体の代り
にＺｎ Ｓｅ粉末を焼結した素材を用い、上述と同様の
ＨＩＰ処理条件で処理した結果、得られた結晶は、粉末
、気泡等の結晶欠陥を多く含み、エピタキシャル層成長
用基板単結晶としては使用不可能であった。
にＺｎ Ｓｅ粉末を焼結した素材を用い、上述と同様の
ＨＩＰ処理条件で処理した結果、得られた結晶は、粉末
、気泡等の結晶欠陥を多く含み、エピタキシャル層成長
用基板単結晶としては使用不可能であった。
（発明の効果）
上述のように構成された本発明のＺｎ５ｅ単結１の製造
方法は次のような効果がある。
方法は次のような効果がある。
（イ） ＣＶＤ法により合成されたＺｎ Ｓｅ多結晶体
を、カプセル内に真空封入した後、高温静水圧圧縮加工
（ＨＩＰ処理）するから、高温高圧処理のため気泡、双
晶等の欠陥を含まない単結晶が得られる。
を、カプセル内に真空封入した後、高温静水圧圧縮加工
（ＨＩＰ処理）するから、高温高圧処理のため気泡、双
晶等の欠陥を含まない単結晶が得られる。
（ロ）組成ずれのないＣＶＤ法によるＺｎ Ｓｅ多結晶
体をカプセルに封入してＨＩＰ処理するため組成ずれが
生じに＜＜、組成ずれのない単結晶が得られる。
体をカプセルに封入してＨＩＰ処理するため組成ずれが
生じに＜＜、組成ずれのない単結晶が得られる。
（ハ） Ｚｎ Ｓｅ単結晶の大きさは）（ＩＰ処理装置
の寸法に依存するが、約３″Φ位は充分可能で、大型の
単結晶の製造が可能であり、エビクキシャ皮層成長用基
板用に充分使用し得る。
の寸法に依存するが、約３″Φ位は充分可能で、大型の
単結晶の製造が可能であり、エビクキシャ皮層成長用基
板用に充分使用し得る。
図は本発明方法の実施例に用いられる高温静水圧圧縮加
工装置の例を示す断面図である。 １・・・Ｚｎ Ｓｅ多結晶体、２・・・カプセル、３・
・・容器、４・・・圧力容器、５・・・支持台、６・・
・ヒーター、７・・・断熱材、８・・熱電対、９・・・
電源、１０・・・Ａｒ供給孔。 代理人 弁理士 青 木 秀 實 ＪｉＲ物♂′
工装置の例を示す断面図である。 １・・・Ｚｎ Ｓｅ多結晶体、２・・・カプセル、３・
・・容器、４・・・圧力容器、５・・・支持台、６・・
・ヒーター、７・・・断熱材、８・・熱電対、９・・・
電源、１０・・・Ａｒ供給孔。 代理人 弁理士 青 木 秀 實 ＪｉＲ物♂′
Claims (3)
- （１） 化学的気相Ｊ４ｆｆｌ積法により合成されたＺ
ｎ Ｓｅ多結晶体を、カプセル内に真空封入した後、高
温静水圧圧縮加工することを特徴とするＺｎ Ｓｅ単結
晶の製造方法。 - （２）高温静水圧圧縮加工が、圧力２０００気圧で、温
度１０００℃で２時間以上行なわれる特許請求の範囲第
１項記載のＺ ｎ’ Ｓ ｅ単結晶の製造方法。 - （３） カプセルがパイレックスガラスより成る特許請
求の範囲第１項又は第２項記載のＺｎ Ｓｅ単結晶の製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119406A JPS6011293A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
| US06/623,115 US4584053A (en) | 1983-06-29 | 1984-06-22 | Process for preparing ZnSe single crystal |
| CA000457723A CA1228787A (en) | 1983-06-29 | 1984-06-28 | Process for preparing znse single crystal |
| DE8484107468T DE3474169D1 (en) | 1983-06-29 | 1984-06-28 | Process for preparing znse single crystal |
| EP84107468A EP0132618B1 (en) | 1983-06-29 | 1984-06-28 | Process for preparing znse single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119406A JPS6011293A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6011293A true JPS6011293A (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=14760682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119406A Pending JPS6011293A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ＺｎＳｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4584053A (ja) |
| EP (1) | EP0132618B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6011293A (ja) |
| CA (1) | CA1228787A (ja) |
| DE (1) | DE3474169D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980018445A (ko) * | 1996-08-12 | 1998-06-05 | 구라우치 노리타카 | ＺｎＳｅ 결정의 열처리 방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617280B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1994-03-09 | 社団法人生産技術振興協会 | ＺｎＳｅ単結晶作製法 |
| JPH01231331A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 半導体単結晶製造方法 |
| JPH01232732A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 半導体結晶製造方法 |
| US6143366A (en) * | 1998-12-24 | 2000-11-07 | Lu; Chung Hsin | High-pressure process for crystallization of ceramic films at low temperatures |
| US6503578B1 (en) | 2000-05-05 | 2003-01-07 | National Science Council | Method for preparing ZnSe thin films by ion-assisted continuous wave CO2 laser deposition |
| MD4266C1 (ro) * | 2011-03-17 | 2014-07-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de obţinere a monocristalului de ZnSe |
| JP5444397B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
| CN108358177A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-08-03 | 牡丹江师范学院 | 一种硒化锌多晶块体材料的高温高压制备方法 |
| CN112095150B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-02-22 | 安徽中飞科技有限公司 | 硒化锌的生长方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE893563C (de) * | 1940-11-30 | 1953-10-15 | Patra Patent Treuhand | Verfahren zur Herstellung von Photowiderstaenden |
| US3146204A (en) * | 1963-04-15 | 1964-08-25 | Gen Electric | Preparation of ii-vi semiconducting compounds by solvent extraction |
| JPS5944773B2 (ja) * | 1979-03-31 | 1984-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 高密度多結晶体の製造方法 |
| JPS5717411A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of polycrystalline zinc selenide body |
| JPS605553B2 (ja) * | 1980-09-11 | 1985-02-12 | 工業技術院長 | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 |
| JPS606307B2 (ja) * | 1980-12-22 | 1985-02-16 | 工業技術院長 | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 |
| DE3375410D1 (ja) * | 1982-09-01 | 1988-02-25 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58119406A patent/JPS6011293A/ja active Pending
-
1984
- 1984-06-22 US US06/623,115 patent/US4584053A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-28 CA CA000457723A patent/CA1228787A/en not_active Expired
- 1984-06-28 DE DE8484107468T patent/DE3474169D1/de not_active Expired
- 1984-06-28 EP EP84107468A patent/EP0132618B1/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980018445A (ko) * | 1996-08-12 | 1998-06-05 | 구라우치 노리타카 | ＺｎＳｅ 결정의 열처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0132618B1 (en) | 1988-09-21 |
| CA1228787A (en) | 1987-11-03 |
| DE3474169D1 (en) | 1988-10-27 |
| US4584053A (en) | 1986-04-22 |
| EP0132618A1 (en) | 1985-02-13 |
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