JPS60111420A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPS60111420A JPS60111420A JP21995883A JP21995883A JPS60111420A JP S60111420 A JPS60111420 A JP S60111420A JP 21995883 A JP21995883 A JP 21995883A JP 21995883 A JP21995883 A JP 21995883A JP S60111420 A JPS60111420 A JP S60111420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace
- semiconductor substrate
- furnace core
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分針）
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
から半導体装置の完成した半導体ウェハーを製造するた
めに用いられる熱処理炉に関する。
から半導体装置の完成した半導体ウェハーを製造するた
めに用いられる熱処理炉に関する。
（従来技術）
一般にシリコン半導体装置は、半導体基板に不純物を付
着させる工程、付着させた不純物を半導体基板内部へ拡
散させる工程、半導体基板表面に熱酸化膜を形成させる
工程等において熱処理炉を用いる。ここでは上記の三つ
の工程をまとめ熱処理と呼ぶことにする。
着させる工程、付着させた不純物を半導体基板内部へ拡
散させる工程、半導体基板表面に熱酸化膜を形成させる
工程等において熱処理炉を用いる。ここでは上記の三つ
の工程をまとめ熱処理と呼ぶことにする。
熱処理は上記に述べたどの場合も、温度、雰囲気（ガス
）２時間がその熱処理を決定する重要な因子となりてい
る。このうち雰曲気（ガス）と時間は、近年のエレクト
ロニクスの発達で非常に精密にコントロールできるよう
になったが、温度は前記２つの因子よりもコントロール
性が悪い。これは、ガス流量と時間は卸に量を表わすも
のであるにすぎないが、温度は位置と時間と共に変化す
る分布関数のためである。すなわち、炉内半導体基板の
温度分布を均一に保つことは非常に困難であった。この
理由は炉内での温度分布、炉内開口部からの熱の外部へ
の放射、冷えた半導体基板を入れた後の炉の温度下降、
冷えたガスを注入するための対流等のためである。
）２時間がその熱処理を決定する重要な因子となりてい
る。このうち雰曲気（ガス）と時間は、近年のエレクト
ロニクスの発達で非常に精密にコントロールできるよう
になったが、温度は前記２つの因子よりもコントロール
性が悪い。これは、ガス流量と時間は卸に量を表わすも
のであるにすぎないが、温度は位置と時間と共に変化す
る分布関数のためである。すなわち、炉内半導体基板の
温度分布を均一に保つことは非常に困難であった。この
理由は炉内での温度分布、炉内開口部からの熱の外部へ
の放射、冷えた半導体基板を入れた後の炉の温度下降、
冷えたガスを注入するための対流等のためである。
（発明の目的）
本発明の目的は炉内にある半導体基板の温度を均一に保
つことにより、熱処理のバラツキを抑え、半導体装置の
特性の均一化を与えることにある。
つことにより、熱処理のバラツキを抑え、半導体装置の
特性の均一化を与えることにある。
（発明の構成）
本発明は、温度差をなくすため炉心管壁面と半導体基板
の距離を一定にすることを特徴とする。
の距離を一定にすることを特徴とする。
距離を一定にすることにより外部から注入されたガスを
均一にあたためることができる。また壁面からの距離が
等しいので半導体基板への壁面からの熱放射も等しい。
均一にあたためることができる。また壁面からの距離が
等しいので半導体基板への壁面からの熱放射も等しい。
このため半導体基板を均一に加熱すゐことかできる。
（実施例）
以下、本発明を図面により詳述すると、第１図は本発明
の一実施例を示す。１は発熱体であり、この中心軸には
、第１図（ａ）で示すように断面が長方形の炉心管２が
設けられている。炉心管２内にはボート３がおかれ、こ
の上に多数の半導体基板４が水平に置かれる （同図由
））。ボート３は、第１図（ａｌから明らかなように、
半導体基板４と炉心管２の壁面との距離が一定になるよ
つ表、形状および位置におかれる。
の一実施例を示す。１は発熱体であり、この中心軸には
、第１図（ａ）で示すように断面が長方形の炉心管２が
設けられている。炉心管２内にはボート３がおかれ、こ
の上に多数の半導体基板４が水平に置かれる （同図由
））。ボート３は、第１図（ａｌから明らかなように、
半導体基板４と炉心管２の壁面との距離が一定になるよ
つ表、形状および位置におかれる。
かかる構成により、外部から注入されたガスを均一にあ
たためることができ、基板４への炉心管２の壁面からの
熱放射も等しくなる。この結果、製造された半導体素子
の特性の均一化をはかることができる。
たためることができ、基板４への炉心管２の壁面からの
熱放射も等しくなる。この結果、製造された半導体素子
の特性の均一化をはかることができる。
本発明を断面が長方形の炉心管で説明し、だが、これに
限定されないことは熱論である。
限定されないことは熱論である。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す横方向の断面図
、第１図（ｂ）はその縦方向の断面図である。 ｌ・・・・・・発熱体、２・・・・・・炉心管、３・・
・・・・ボート、４・・・・・・半導体装置
、第１図（ｂ）はその縦方向の断面図である。 ｌ・・・・・・発熱体、２・・・・・・炉心管、３・・
・・・・ボート、４・・・・・・半導体装置
Claims (1)
- 直方体の炉心管を有することを特徴とする熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21995883A JPS60111420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21995883A JPS60111420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111420A true JPS60111420A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=16743699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21995883A Pending JPS60111420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252932A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理装置 |
| JPH0794419A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP21995883A patent/JPS60111420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252932A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの熱処理装置 |
| JPH0794419A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
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