JPS60105232A - Automatic focusing apparatus - Google Patents
Automatic focusing apparatusInfo
- Publication number
- JPS60105232A JPS60105232A JP58212491A JP21249183A JPS60105232A JP S60105232 A JPS60105232 A JP S60105232A JP 58212491 A JP58212491 A JP 58212491A JP 21249183 A JP21249183 A JP 21249183A JP S60105232 A JPS60105232 A JP S60105232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- drive
- voltage
- detector
- piezo element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 84
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、IC,LSI、超LSI等の半導体回路素子
製造用の投影焼付装置、特にマスクの一部の像又は全体
の像をウェハー上に形成する結像光学系を使用し、マス
クとウェハーはこの結隊光学系の所定の位置に精度よく
位置決めする技術に関するものである。Detailed Description of the Invention [Technical Field] The present invention relates to a projection printing apparatus for manufacturing semiconductor circuit elements such as ICs, LSIs, and VLSIs, particularly for forming a partial image or an entire image of a mask on a wafer. This technology involves using an imaging optical system and accurately positioning a mask and a wafer at predetermined positions in the optical system.
半導体回路素子はその構成パターンの最小寸法が微細化
しており、このため投影焼付装置においても高い分解能
が必要とされる。高い分解能を得るためには、結像光学
系のマスク位置およびウェハー位置はその焦点位置に正
確に位置決めされなければならない。The minimum dimensions of the constituent patterns of semiconductor circuit elements are becoming finer, and therefore projection printing apparatuses are also required to have high resolution. To obtain high resolution, the mask position and wafer position of the imaging optics must be precisely positioned at its focal position.
従来この種の装置の焦点合わせ方法は、背面矯正能力の
ある超平面プレート(ウェハーチャック)により平面矯
正されたウェハーの上面を、所定位置にある参照面(ウ
ェハーディスク)の3個所のツメに突き当てて停止させ
ることにより行っていた。その為、ウェハー面上に塗布
されている粘着性のあるレジストが参照面(ウェハーデ
ィスク)のツメに付着され、数多くのウェハーを処理し
た場合レジスト付着により焦点ボケの大きな原因となっ
ていた。またウェハーに突き当っている参照面の3個所
のツメ部分はフォトマスク像が投影されず、半導体素子
の収益率が減小する大きな要因でもあった。Conventionally, the focusing method for this type of device is to push the top surface of the wafer, which has been flattened by an ultra-flat plate (wafer chuck) with back surface straightening ability, into three claws on a reference surface (wafer disk) at a predetermined position. This was done by hitting it and stopping it. Therefore, the sticky resist coated on the wafer surface adheres to the claws of the reference surface (wafer disk), and when a large number of wafers are processed, the resist adhesion is a major cause of blurring of focus. Furthermore, the photomask image is not projected on the three tabs on the reference surface that abut against the wafer, which is a major factor in reducing the profitability of semiconductor devices.
更にステッパー等においては、−ウェハーについて何度
も焦点合わせする必要があり、このため焦点合わせに長
時間かかるという問題点があった。Furthermore, in steppers and the like, there is a problem in that it is necessary to focus the wafer many times, and therefore it takes a long time to focus.
本発明は上記の点に鑑み提案されたものであり、マスク
やレティクルまたはウェハーを所定の任意の位置に移動
させて迅速に、かつ最良の焦点位置に合わせることを可
能とする自動焦点合わせ装置の提供を目的とする。The present invention has been proposed in view of the above points, and is an automatic focusing device that can move a mask, reticle, or wafer to any predetermined position and quickly adjust it to the best focus position. For the purpose of providing.
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を描いた
第1図で全体の構成を説明する。1oは光源10aを発
したマスク照明光を収束させるための照明光学系であり
、1は集積回路パターンを具えたマスクである。2はマ
スクチャックで1のマスクを規定位置に高精度に保持し
ている。6は縮小投影レンズ、4は感光層を具えるウェ
ハー、5はウェハーステージである。ウェハーステージ
5はウェハー4を縮小投影レンズ3の光軸に対して直角
な平面XY面を移動することが出来る。ウェハーステー
ジ5にはウェハー4を縮小投影レンズの光軸方向(2方
向)に移動させる不図示のウェハー2ユニツトが内蔵さ
れている。First, the overall configuration will be explained with reference to FIG. 1, which depicts the appearance of a reduction projection apparatus according to an embodiment of the present invention. 1o is an illumination optical system for converging the mask illumination light emitted from the light source 10a, and 1 is a mask provided with an integrated circuit pattern. 2 is a mask chuck that holds the mask 1 at a prescribed position with high precision. 6 is a reduction projection lens, 4 is a wafer provided with a photosensitive layer, and 5 is a wafer stage. The wafer stage 5 can move the wafer 4 in a plane XY plane perpendicular to the optical axis of the reduction projection lens 3. The wafer stage 5 has a built-in wafer 2 unit (not shown) that moves the wafer 4 in the optical axis direction (in two directions) of the reduction projection lens.
第2図に縮小投影レンズ6とウェハー2ユニツトの配置
を示す断面図を示す。6は縮小投影レンズ、4は投影像
が映されるウェハー、20はウェハーチャックでウェハ
ー4を保持する。26はピエゾ素子であり、その一端が
ウェハーチャック20゜他端がピエゾ素子26の容器の
底部に圧接している。ウェハーチャック20はピエゾ素
子26の伸縮により上下に移動する。27はテコでウェ
ハー、チャックホルダー24に軸支され、ウェハーチャ
ックホルダー24に対してウェハーチャックベース21
を、ピエゾ素子26の容器とボールを介して上下に移動
、させる。なお、ウェハーチャックホルダー24はウェ
ハーステージ5に固定されている。25と26はボール
ブツシュガイドであり、ウェハーチャックベース21を
ウェハーチャックホルダー24に対して精度よくz軸方
向の移動を行なわせる。FIG. 2 is a sectional view showing the arrangement of the reduction projection lens 6 and the wafer 2 unit. 6 is a reduction projection lens, 4 is a wafer on which a projected image is projected, and 20 is a wafer chuck that holds the wafer 4. 26 is a piezo element, one end of which is in pressure contact with the wafer chuck 20° and the other end with the bottom of the container of the piezo element 26. The wafer chuck 20 moves up and down as the piezo element 26 expands and contracts. 27 is pivotally supported on the wafer and chuck holder 24 by a lever, and the wafer chuck base 21 is supported relative to the wafer chuck holder 24.
are moved up and down via the container of the piezo element 26 and the ball. Note that the wafer chuck holder 24 is fixed to the wafer stage 5. Ball bush guides 25 and 26 move the wafer chuck base 21 with respect to the wafer chuck holder 24 with high precision in the z-axis direction.
28はウェハーチャックホルダー24に固着するナツト
、29はこれに係合するネジ棒、60はネジ棒29に取
付けられた歯車、61は軸方向の厚みのあるアイドラー
歯車、62はステッピングモータの出力軸に取付けられ
た駆動歯車、63はステッピングモーターである。この
ステッピングモーター66が回転すると歯車列を介して
ネジ棒29が回転して上下に移動し、これによりテコ2
7の一端がボールを介して押されてウェハー4の面が縮
小レンズの投影レンズの結像面へと移行するのである。28 is a nut that is fixed to the wafer chuck holder 24, 29 is a threaded rod that engages with this, 60 is a gear attached to the threaded rod 29, 61 is an idler gear that is thick in the axial direction, and 62 is the output shaft of the stepping motor. The drive gear 63 attached to the is a stepping motor. When the stepping motor 66 rotates, the threaded rod 29 rotates through the gear train and moves up and down, thereby levering the lever 2.
One end of the wafer 7 is pushed through the ball, and the surface of the wafer 4 is transferred to the imaging plane of the projection lens of the reduction lens.
22はウェハーチャックベース21に取付けられたピエ
ゾ素子26による駆動量を検知するための渦電流型位置
検知器であり、ウェハーチャックベース21とウェハー
チャック20との距離を測定する。64・65は縮小投
影レンズ6に取付けられたエアマイクロセンサーのノズ
ルであり、ノズルから吹出す空気の流量または圧力の変
化によりウニへ−表面までの距離を測定する。Reference numeral 22 denotes an eddy current type position detector for detecting the amount of drive by the piezo element 26 attached to the wafer chuck base 21, and measures the distance between the wafer chuck base 21 and the wafer chuck 20. Reference numerals 64 and 65 indicate air microsensor nozzles attached to the reduction projection lens 6, and measure the distance from the sea urchin to the surface by changes in the flow rate or pressure of air blown out from the nozzles.
第3図に縮小投影レンズ6とエアマイクロセンサーのノ
ズルおよびウェハー4の上面図を示す。FIG. 3 shows a top view of the reduction projection lens 6, the nozzle of the air microsensor, and the wafer 4.
64〜67は縮小投影レンズに取付けられた4ケのエア
マイクロセンサーのノズルであり、4のウェハー表面ま
での距離を測定している。ノズル64〜67で測定した
縮小投影レンズの端面から4のウェハー表面までの距離
を各々d1.d2.d3.d4とすると、その平均距離
は(d+ + d2+ d3+ d4)/4となる。所
定の縮小投影レンズ乙の結像面位置と縮小投影レンズ乙
の端面間の距離をd。とすると、結像面位置にウェハー
を移動させるのにはΔd = do7 (d+ + d
2+ d3−1− d+ )/4なる量Δdだけウェハ
ー2機構を移動させれば良い。この結果ウェハーの平均
面が結像面位置となる。Reference numerals 64 to 67 are four air microsensor nozzles attached to the reduction projection lens, and measure the distance to the wafer surface. The distance from the end face of the reduction projection lens to the wafer surface of No. 4 measured by the nozzles 64 to 67 is d1. d2. d3. If d4, the average distance is (d+ + d2+ d3+ d4)/4. The distance between the imaging plane position of the predetermined reduction projection lens B and the end surface of the reduction projection lens B is d. Then, to move the wafer to the imaging plane position, Δd = do7 (d+ + d
It is sufficient to move the wafer 2 mechanism by an amount Δd equal to 2+ d3-1- d+ )/4. As a result, the average plane of the wafer becomes the imaging plane position.
第4図は本発明の実施例の自動焦点合わせ装置の駆動制
御機構の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of a drive control mechanism of an automatic focusing device according to an embodiment of the present invention.
40はマイクロプロセッサ−で各種判断処理を行い、各
々の場合に応じた指令を出す。41はレジスタであり、
マイクロプロセッサ−40からステッピングモーター6
6への回転方向2回転量2回転速度などの指令情報を記
憶する。42はステッピングモーター制御回路であり、
レジスタ41の指令情報に基づき、ステッピングモータ
ー66のオープンループ制御を行う。初期状態において
、ウェハーの表面位置は結像面位置より例えば2wn以
上離れている。これはウェハーの厚みが規定より厚かっ
た場合でも縮小投影レンズ乙に衝突しないためである。A microprocessor 40 performs various judgment processes and issues commands in accordance with each case. 41 is a register;
Microprocessor-40 to stepper motor 6
It stores command information such as the rotation direction, two rotation amounts, and two rotation speeds. 42 is a stepping motor control circuit;
Based on the command information in the register 41, open loop control of the stepping motor 66 is performed. In the initial state, the surface position of the wafer is separated from the imaging plane position by, for example, 2wn or more. This is to prevent the wafer from colliding with the reduction projection lens B even if the wafer is thicker than the specified thickness.
なお、エアセンサーノズルで精度よく測定できる範囲は
、ノズルの端面からウェハー表面までの距離が約0.2
期以内のときである。Note that the range that can be accurately measured with the air sensor nozzle is when the distance from the nozzle end face to the wafer surface is approximately 0.2.
It is within the specified period.
従って所定の焦点面位置がノズルの端面から帆IUのと
ころにあると仮定すると、精度よく測定できるのはウェ
ハー表面が上方向に移動して結像面位置より下側o、i
mm以内に入ってからである。Therefore, assuming that the predetermined focal plane position is from the end surface of the nozzle to the sail IU, accurate measurements can only be made when the wafer surface moves upward and below the imaging plane position o, i.
This is after the distance is within mm.
50はエアセンサーノズル64〜67の流体流量の変化
を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズ6とウェ
ハー面落の距離d1.d2.d3.d4に対応した電圧
出力v、 、 v2 、 v3. V4を発生する。50 is a circuit that converts changes in the fluid flow rate of the air sensor nozzles 64 to 67 into voltage, and the distance d1. d2. d3. Voltage outputs v, , v2, v3.corresponding to d4. Generates V4.
49はアナログ−デジタル変換器(ADC)であり、電
圧変換回路50で発生シタ電圧Vle、 V2 、 V
3 、 V4をデジタル信号に変換してマイクロプロセ
ッサ−40に送る。ここでウエノ・−4の初期位置が結
像面位置より2′IIU1以上離れているので、マイク
ロプロセッサ−40はウエノ’i−Z軸が上昇し、エア
センサーノズルの測定範囲に入るまでレジスタ41にス
テッピングモーターの駆動指令を与え続ける。49 is an analog-to-digital converter (ADC), which outputs the output voltages Vle, V2, V generated in the voltage conversion circuit 50.
3. Convert V4 into a digital signal and send it to the microprocessor-40. Here, since the initial position of Ueno-4 is more than 2'IIU1 away from the imaging plane position, the microprocessor-40 moves the register 41 until the Ueno'i-Z axis rises and enters the measurement range of the air sensor nozzle. Continue to give driving commands to the stepping motor.
ステッピングモーター66の回転によりウエハ−Z軸が
上昇し、ウェハー4が焦点面位置より0.1期以内に入
ると、エアセンサーノズル64〜67゜電圧変換回路5
0およびアナログ−デジタル反換回路49を通じてマイ
クロプロセッサ−40は測定範囲に入った事を検知し、
レジスタ41ヘヌテツピングモーター66に停止指令を
送り、ウエノX−4の上昇を停める。次にマイクロプロ
セッサ−40は、再びエアセンサーノズル64〜67、
電圧変換回路50およびアナログ−デジタル変換回路4
9を介してウェハー4の表面位置の測定を行い、ウェハ
ーz機構の移動量Δd+ = do (d+ + d2
+ds+d4)/4を算出する。ステッピングモーター
66による移動分解能は2μmであり、マイクロプロセ
ッサ−40は2μm単位の移動量Δd1をレジスタ41
に与えウェハー2軸を上昇させる。この結果ウェハー4
の表面位置は焦点面位置に対して約2μm以内の精度で
位置する。ここで、またウェハー4の表面までの距離を
測定する。エアセンサーノズル64〜67による測定距
離をそれぞれd9〜d+2 とすれば、マイクロプロセ
ッサ−40はレジスタ46にΔd2” do (do
十d+o + do + d+2)/4なるピエゾ素子
23の駆動方向、駆動量の指令を出す。レジスタ43は
この指令およびピエゾ素子駆動の要否指令を記憶すると
ともに、その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器4
4およびピエゾ駆動電圧発生回路46に出力する。When the wafer Z-axis rises due to the rotation of the stepping motor 66 and the wafer 4 enters within 0.1 period from the focal plane position, the air sensor nozzle 64-67° voltage conversion circuit 5
0 and the analog-to-digital reversing circuit 49, the microprocessor 40 detects that it has entered the measurement range;
A stop command is sent to the register 41 and stepping motor 66 to stop the Ueno X-4 from rising. Next, the microprocessor 40 again selects the air sensor nozzles 64-67,
Voltage conversion circuit 50 and analog-digital conversion circuit 4
9, the surface position of the wafer 4 is measured, and the movement amount of the wafer z mechanism Δd+ = do (d+ + d2
+ds+d4)/4 is calculated. The movement resolution by the stepping motor 66 is 2 μm, and the microprocessor 40 stores the movement amount Δd1 in units of 2 μm in the register 41.
to raise the wafer's two axes. As a result, wafer 4
The surface position is located with an accuracy of within about 2 μm with respect to the focal plane position. Here, the distance to the surface of the wafer 4 is also measured. If the distances measured by the air sensor nozzles 64 to 67 are d9 to d+2, respectively, the microprocessor 40 stores Δd2'' do (do
A command is issued for the drive direction and drive amount of the piezo element 23, which is 10d+o+do+d+2)/4. The register 43 stores this command and the necessity command for driving the piezo element, and also transmits the command to the digital-to-analog converter 4.
4 and the piezo drive voltage generation circuit 46.
44はデジタルアナログ変換器(DAC)であり、マイ
クロプロセッサ−40の指令をアナログ電圧として差動
増幅器45の指令電圧として出力する。44 is a digital-to-analog converter (DAC), which outputs a command from the microprocessor 40 as an analog voltage as a command voltage for the differential amplifier 45.
46はピエゾ駆動電圧発生回路であり、ピエゾ素子26
に印加する最大電圧■Hの約2分の1の電圧を中心にし
て上下に電圧を、差動増幅器45の出力に応じて発生す
る。ピエゾ素子26の駆動によりウェハー4が上下する
と、その駆動量はエアセンサーノズル34 、35 、
36 、37 、および渦電流型位置検知器22で検知
し、測定することが出来る。渦電流型位置検知器22の
出力は変位電圧変換回路48により変位量に比例した電
圧に変換され、差動増幅器45およびアナログデジタル
変換器47に出力される。差動増幅器45は渦電流型位
置検知器22によって検出されたピエゾ素子26による
ウェハー4の駆動量とマイクロプロセッサ−40により
指示された駆動量と逐次比較し、その差が誤差範囲内に
納まるまで駆動する。46 is a piezo drive voltage generation circuit, and the piezo element 26
A voltage is generated above and below a voltage that is approximately one-half of the maximum voltage (■H) applied to the differential amplifier 45 in accordance with the output of the differential amplifier 45. When the wafer 4 moves up and down due to the drive of the piezo element 26, the amount of drive is determined by the air sensor nozzles 34, 35,
36 , 37 , and the eddy current type position detector 22 . The output of the eddy current type position detector 22 is converted by a displacement voltage conversion circuit 48 into a voltage proportional to the amount of displacement, and is outputted to a differential amplifier 45 and an analog-to-digital converter 47. The differential amplifier 45 successively compares the amount of drive of the wafer 4 by the piezo element 26 detected by the eddy current type position detector 22 with the amount of drive instructed by the microprocessor 40 until the difference falls within the error range. drive
この結果ウェハー4の表面は所定の焦点面位置に対して
精度よく位置することが出来る。47はアナログデジタ
ル変換器(ADC)であり、渦電流型位置検知器22に
より検知したピエゾ素子26の駆動量をデジタル量に変
換してマイクロプロセッサー40に伝送する。なお、第
2の検知器として渦電流型位置検知器を使用した理由は
その反応速度が速いからである。もしエアセンサーを使
用してサーボループを形成すれば、収れんするまでの時
間は長くなるであろう。As a result, the surface of the wafer 4 can be accurately positioned with respect to a predetermined focal plane position. Reference numeral 47 denotes an analog-to-digital converter (ADC), which converts the drive amount of the piezo element 26 detected by the eddy current type position detector 22 into a digital amount and transmits the digital amount to the microprocessor 40. Note that the reason why an eddy current type position detector is used as the second detector is because its reaction speed is fast. If an air sensor is used to form a servo loop, it will take longer to converge.
第5図は本発明の実施例に係るサーボ回路図である。回
路素子60〜86は第4図のピエゾ駆動電圧発生回路4
6を形成している。60は鋸歯状波発生回路で約10
KH2の鋸歯状波の発振を行っている。62は比較器(
コンパレータ)であり、差動増幅器45の出力と60の
鋸歯状波発生回路の比較を行い、この結果を0または1
のデジタル出力として反転器(インバーター)64に与
える。FIG. 5 is a servo circuit diagram according to an embodiment of the present invention. The circuit elements 60 to 86 are the piezo drive voltage generating circuit 4 of FIG.
6 is formed. 60 is a sawtooth wave generation circuit and is approximately 10
KH2 sawtooth wave oscillation is performed. 62 is a comparator (
Comparator) compares the output of the differential amplifier 45 with the sawtooth wave generating circuit 60, and converts the result to 0 or 1.
It is given to an inverter 64 as a digital output.
この比較器62により差動増幅器45と鋸歯状波発生回
路6I]との比較を行うことでパルス幅変調された出力
が得られる。The comparator 62 compares the differential amplifier 45 and the sawtooth wave generating circuit 6I to obtain a pulse width modulated output.
反転器64は比較器62の出力を反転させて論理積回路
(アンド回路)66と67に与えている。An inverter 64 inverts the output of the comparator 62 and supplies it to AND circuits 66 and 67.
レジスタ46の内容がピエゾ素子駆動の不要出力0 (
OFF)のとき、差動増幅器45の出力と無関係に論理
積回路66・67の出力はOとされる。The contents of the register 46 indicate that the piezo element drive unnecessary output is 0 (
OFF), the outputs of the AND circuits 66 and 67 are set to O regardless of the output of the differential amplifier 45.
これによりピエゾ素子23を放電状態にすることができ
る。ピエゾ素子23をサーボループで駆動する場合、レ
ジスタ46のピエゾ素子駆動必要出力1 (ON)をマ
イクロプロセッサ−40より与える。この結果、論理積
回路66・67は差動増幅器45の出力を比較器62で
パルス幅変調した信号として変換された形で通過させて
光結合器(フォトカプラー)70・78に与える。論理
積回路66が出力0 (OFF)のとき光結合器70は
OFF 。This allows the piezo element 23 to be brought into a discharge state. When the piezo element 23 is driven by a servo loop, the microprocessor 40 gives the piezo element drive necessary output 1 (ON) of the register 46. As a result, the AND circuits 66 and 67 pass the output of the differential amplifier 45 in the form of a signal that has been pulse width modulated by the comparator 62, and supplies the signal to optical couplers 70 and 78. When the AND circuit 66 has an output of 0 (OFF), the optical coupler 70 is OFF.
トランジスタ76はON、)ランジスタフ5もON。The transistor 76 is ON, and the Langistav 5 is also ON.
トランジスタ76はOFFとなり、ピエゾ素子26は充
電されない。また論理積回路66が出力1(ON)のと
き光結合回路10はON、トランジスタ76はOFF
、 )ランジスタフ5はQFF、)ランジスタフ6はO
Nとなリピエゾ素子26は充電される。Transistor 76 is turned off and piezo element 26 is not charged. Further, when the AND circuit 66 has an output of 1 (ON), the optical coupling circuit 10 is ON and the transistor 76 is OFF.
, ) Langistav 5 is QFF, ) Langistav 6 is O
The N lipiezo element 26 is charged.
一方論理積回路67が出力0(OFF’)のとき、光結
合器78はoFF、 )ランジヌタ81はON 。On the other hand, when the AND circuit 67 has an output of 0 (OFF'), the optical coupler 78 is turned off, and the range nut 81 is turned on.
トランジスタ82はONとなり、ピエゾ素子26は放電
される。また論理積回路67が出力1 (ON)のとき
、光結合器78はON、)ランジスタ81はOFF 、
)ランジスタ82はOFFとなり、ピエゾ素子23は
放電されない。ここで論理積回路66・67の出力の組
み合せはOと0かまたは1と1の組み合せしかないので
、この組み合せを表1にまとめる。Transistor 82 is turned on and piezo element 26 is discharged. When the AND circuit 67 has an output of 1 (ON), the optical coupler 78 is ON, and the transistor 81 is OFF.
) The transistor 82 is turned off and the piezo element 23 is not discharged. Here, the only combinations of outputs from the AND circuits 66 and 67 are O and 0 or 1 and 1, so these combinations are summarized in Table 1.
表 1
ここでピエゾ素子26はピエゾスタックと呼ばれている
ものを使用する。ピエゾスタックは厚さ約0.5 wL
のピエゾ素子が100枚程変種層されてし)るもので、
もし数百Vの電圧を加えると30μmの変位が得られる
。またピエゾ素子は電気の等何回路としては蓄電器(コ
ンデンサー)として表わ也この寸法では帆01μFの容
量を持っている。ピエゾ素子26はトランジスタ76が
ONでトランジスタ86がOFFのとき電源■Hから抵
抗76を通じて充電され、光軸方向に伸びる。またトラ
ンジスタ76がOFFでトランジスタ86がONのとき
抵抗86を通じて蓄わえられた電荷が放電され、電位が
下がり光軸方向に縮む。ここで電圧電源vHは例えば4
00Vで、抵抗68は電圧降下用抵抗。Table 1 Here, the piezo element 26 used is what is called a piezo stack. Piezo stack is approximately 0.5 wL thick
It is made up of about 100 different layers of piezo elements.
If a voltage of several hundred volts is applied, a displacement of 30 μm can be obtained. Also, the piezo element is expressed as a condenser (condenser) in any electrical circuit, and with this size, it has a capacity of 01 μF. When the transistor 76 is ON and the transistor 86 is OFF, the piezo element 26 is charged from the power source 1H through the resistor 76 and extends in the optical axis direction. Further, when the transistor 76 is OFF and the transistor 86 is ON, the charges stored through the resistor 86 are discharged, and the potential is lowered and the optical axis is shrunk in the optical axis direction. Here, the voltage power supply vH is, for example, 4
At 00V, the resistor 68 is a voltage drop resistor.
ツェナーダイオード69は光結合器70・78に過大な
電圧を与えないための定電圧源、抵抗71・72・74
・79・80は各トランジスタのコレクタ抵抗である。Zener diode 69 is a constant voltage source to prevent excessive voltage from being applied to optical couplers 70 and 78, and resistors 71, 72, and 74
・79 and 80 are collector resistances of each transistor.
抵抗77はピエゾ素子充電用抵抗、抵抗86は放電用抵
抗で200〜300にΩを使用して挙り、従ってピエゾ
素子の充放電時定数は2〜3m5ecとなる。The resistor 77 is a resistor for charging the piezo element, and the resistor 86 is a resistor for discharging.The resistor 77 is a resistor for charging the piezo element, and the resistor 86 is a resistor for discharging the piezo element.
次に実施例に係るサーボ回路の動作を説明する。Next, the operation of the servo circuit according to the embodiment will be explained.
初期状態ではレジスタ43から制御不要信号が出され、
ピエゾ素子26は完全に放電状態になっている。次にレ
ジスタ46から制御必要信号が出され、かつデジタルア
ナログ変換器44に最大駆動量の2分の1に相当する駆
動量すなわち15μmを与える。デジタルアナログ変換
器44は駆動量15μmに相当するアナログ電圧5Vを
出力し、差動増幅器45に与える。一方、渦電流型位置
検知器22の出力は、15μmの変位を検知したとき変
位電圧変換回路48より5Vの電圧が出力される様に調
整されている。In the initial state, a control unnecessary signal is output from the register 43,
The piezo element 26 is completely discharged. Next, a control necessary signal is output from the register 46, and a driving amount corresponding to one-half of the maximum driving amount, ie, 15 μm, is applied to the digital-to-analog converter 44. The digital-to-analog converter 44 outputs an analog voltage of 5 V corresponding to a drive amount of 15 μm, and supplies it to the differential amplifier 45 . On the other hand, the output of the eddy current type position detector 22 is adjusted so that a voltage of 5V is output from the displacement voltage conversion circuit 48 when a displacement of 15 μm is detected.
しかし最初の状態付近ではまだピエゾ素子26は放電状
態にあり、伸びの変位がないため変位電圧変換器48は
出力OVを出力し、差動増幅器45に与える。従って差
動増幅器45は、変位電圧変換器48からの帰還量が少
ないため大きなプラス電圧を出力として発生する。比較
器62は、鋸歯状波発生回路60の出力電圧より差動増
幅器45の出力が大きいためほとんどO(OFF)出力
な発生し、従って論理積回路66・67の出力をともに
1としピエゾ素子23を充電し続ける。ピエゾ素子26
は充電されて伸びの変位を発生するので変位電圧変換回
路48から変位に比例した電圧を発生し、やがて変位は
15μmに近づき、変位電圧変換回路48からは5Vに
近い電圧が発生する。However, near the initial state, the piezo element 26 is still in a discharge state and there is no elongation displacement, so the displacement voltage converter 48 outputs an output OV and supplies it to the differential amplifier 45. Therefore, the differential amplifier 45 generates a large positive voltage as an output since the amount of feedback from the displacement voltage converter 48 is small. Since the output voltage of the differential amplifier 45 is larger than the output voltage of the sawtooth wave generation circuit 60, the comparator 62 generates almost an O (OFF) output. Continue charging. Piezo element 26
is charged and generates an elongated displacement, so the displacement voltage conversion circuit 48 generates a voltage proportional to the displacement, and eventually the displacement approaches 15 μm, and the displacement voltage conversion circuit 48 generates a voltage close to 5V.
デジタルアナログ変換器44の出力(駆動指令電圧)に
近い電圧が変位電圧変換回路48の出力(変位電圧)か
ら帰還されてくると、差動増幅器45の出力はOVに近
づく。差動増幅器45の出力がOvに近づくと鋸歯状波
発生回路60の出力電圧のほぼ中心電圧となり、比較器
62はほとんど時間幅の等しいO(OFF)とt (O
N)出力を繰り返し、鋸歯状波発生回路60の発振周波
数で発/JEする。比較器62の出力がほとんど時間幅
の等しい0と1信号の繰り返しとなると、ピエゾ素子2
6の充電量と放電量は相等しくなり、ピエゾ素子26の
端子電圧は収束してくる。When a voltage close to the output (drive command voltage) of the digital-to-analog converter 44 is fed back from the output (displacement voltage) of the displacement voltage conversion circuit 48, the output of the differential amplifier 45 approaches OV. When the output of the differential amplifier 45 approaches Ov, it becomes approximately the center voltage of the output voltage of the sawtooth wave generation circuit 60, and the comparator 62 outputs O (OFF) and t (O
N) Repeat the output and generate/JE at the oscillation frequency of the sawtooth wave generation circuit 60. When the output of the comparator 62 becomes a repetition of 0 and 1 signals with almost equal time width, the piezo element 2
The charging amount and the discharging amount of the piezo element 26 become equal, and the terminal voltage of the piezo element 26 converges.
この様にして回路に帰還が行なわれ、駆動指令電圧と変
位電圧が等しくなった所で安定し、ピエゾ素子26は所
望の駆動量(15μrn)の駆動を行ったことになる。In this way, feedback is performed to the circuit, and the voltage becomes stable when the drive command voltage and the displacement voltage become equal, and the piezo element 26 is driven by the desired drive amount (15 μrn).
このように最大駆動量の2分の1の15μmを最初に設
定することにより、この後の調整の迅速化を図ることが
できる。ここで再びウェハー4の表面位置をエアセンサ
ーノズル64〜67で測定し、その時の距離をd9〜d
12とすればピエゾ素子23の新たな設定駆動量はΔd
2−do (do+d+o + d++ + du)/
4 として与えられる。ここで前述のようにΔd2は2
μm以内の量にすでに位置決めされている。そこでマイ
クロプロセッサ−40は、すでに駆動の済んだ初期駆動
量(15μm)に新たな駆動量Δd2を加えた値をレジ
スタ43に与える。レジスタ46は新たな駆動指令電圧
を発生し、差動増幅器45で誤差増幅を行う。変位電圧
変換器!1848の出力(変位電圧)が駆動指令電圧と
等しくなるとピエゾ端子電圧は収束し、所定の駆動が終
了する。By initially setting 15 μm, which is one half of the maximum drive amount, subsequent adjustments can be made more quickly. Here, the surface position of the wafer 4 is measured again using the air sensor nozzles 64 to 67, and the distances at that time are d9 to d.
12, the new set drive amount of the piezo element 23 is Δd
2-do (do+d+o + d++ + du)/
It is given as 4. Here, as mentioned above, Δd2 is 2
Already positioned within μm. Therefore, the microprocessor 40 provides the register 43 with a value obtained by adding a new driving amount Δd2 to the initial driving amount (15 μm) that has already been driven. The register 46 generates a new drive command voltage, and the differential amplifier 45 performs error amplification. Displacement voltage converter! When the output (displacement voltage) of 1848 becomes equal to the drive command voltage, the piezo terminal voltage converges and the predetermined drive ends.
第6図は第5図で示す鋸歯状波電圧発生回路6゜から出
力される信号が比較器62によりパルス幅変調される状
態を説明するための信号波形図である。第6図(イ)は
ピエゾ素子の伸びが駆動指令値より小さい場合である。FIG. 6 is a signal waveform diagram for explaining a state in which the signal output from the sawtooth wave voltage generating circuit 6° shown in FIG. 5 is pulse width modulated by the comparator 62. FIG. 6(a) shows a case where the elongation of the piezo element is smaller than the drive command value.
駆動指令′電圧より変位電圧が低いため差動増幅器45
は高い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比
較してルベルの時間幅の狭い出力を発生する。論理枯回
路ではこの信号が反転されてルベルの時間幅の広い信号
、つまりピエゾ素子を充電する信号となる。第6図(ロ
)はピエゾ素子の伸びが駆動指令値とほとんど一致した
場合である。駆動指令電圧と変位′電圧がほとんど等し
いため差動増幅器は中間電圧を発生し、コンパレータは
鋸歯状波電圧と仕較してルベルとOレベルの時間幅のほ
ぼ等しい出力を発生する。論理積回路ではこの信号を反
転するが、ルベルとOレベルの時間幅の差が少ないため
ピエゾ素子の充放電が平衡する信号となる。第6図(ハ
)はピエゾ素子の伸びが駆動指令値より大きい場合であ
る。駆動指令電圧より変位電圧が高いため差動増幅器は
低い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比較
してルベルの時間幅の広い出力を発生する。論理積回路
ではこの信号が反転されてルベルの狭い信号、つまりピ
エゾ素子を放電する信号となる。Since the displacement voltage is lower than the drive command voltage, the differential amplifier 45
generates a high voltage and the comparator generates an output with a narrow Lebel time width compared to the sawtooth voltage. In the logic circuit, this signal is inverted and becomes a signal with a wide Lebel time width, that is, a signal that charges the piezo element. FIG. 6(b) shows a case where the elongation of the piezo element almost matches the drive command value. Since the drive command voltage and the displacement' voltage are almost equal, the differential amplifier generates an intermediate voltage, and the comparator compares it with the sawtooth wave voltage and generates an output with approximately equal time widths for the level and the O level. The AND circuit inverts this signal, but since the difference in time width between the level and the O level is small, it becomes a signal that balances charging and discharging of the piezo element. FIG. 6(c) shows a case where the elongation of the piezo element is larger than the drive command value. Since the displacement voltage is higher than the drive command voltage, the differential amplifier generates a low voltage, and the comparator generates an output with a wider Lebel time width than the sawtooth wave voltage. In the AND circuit, this signal is inverted and becomes a narrow Lebel signal, that is, a signal that discharges the piezo element.
第7図はウェハー4」二のショット配列、縮小投影レン
ズ6およびエアセンサーノズル34〜67の配置を示し
た図である。図中Pで示した領域はlショットで露光さ
れるパターン領域である。スアツプアンドリピートタイ
プの投影焼付機はこの様にウェハーステージ5に載った
ウェハー4をXY軸方向に移動させて分割焼付を行う。FIG. 7 is a diagram showing the shot arrangement of the wafer 4'', the arrangement of the reduction projection lens 6 and the air sensor nozzles 34 to 67. The area indicated by P in the figure is a pattern area exposed by one shot. The pop-and-repeat type projection printing machine thus performs divisional printing by moving the wafer 4 placed on the wafer stage 5 in the XY-axis directions.
ところで領域Qを焼付ける場合、ウェハー4に対して縮
小投影レンズ6、エアセンサーノズル64〜67は図の
様に位置し−Cいるのでエアセンサーノズル65・66
・67はウェハー表面位置を検知測定出来るが、エアセ
ンサーノズル64はウェハー表面位置を検知測定出来な
い。すなわちウェハー4を縮小投影レンズ6に近づけて
いくと、マイクロプロセッサ−40はエアセンサーノズ
ル65・36・67が十分測定範囲内に入った事を検知
することが出来るが、エアセンサーノズル64からは応
答入力がない。そこでマイクロプロセッサ−40はエア
センサーノズル34が測定不能と判断して、エアセンサ
ーノズル65・66・67の測定値d2・d3・d4の
値を取り出し平均してウエノ・−4までの平均距離を(
d2+ d3+ d4)/3として算出する。焦点位置
合せはこの算出値を基に行われる。By the way, when printing the area Q, the reduction projection lens 6 and the air sensor nozzles 64 to 67 are located relative to the wafer 4 as shown in the figure.
- The air sensor nozzle 67 can detect and measure the wafer surface position, but the air sensor nozzle 64 cannot detect and measure the wafer surface position. That is, when the wafer 4 is brought closer to the reduction projection lens 6, the microprocessor 40 can detect that the air sensor nozzles 65, 36, and 67 are sufficiently within the measurement range; No response input. Therefore, the microprocessor-40 determines that the air sensor nozzle 34 is unable to measure, takes out the measured values d2, d3, and d4 of the air sensor nozzles 65, 66, and 67, averages them, and calculates the average distance to Ueno-4. (
Calculated as d2+d3+d4)/3. Focus positioning is performed based on this calculated value.
露光領域Qの露光が終了して次にRの露光パターン領域
の露光を行う場合、Qの露光終了時にあらかじめエアセ
ンサーノズル65によって露光領域Rのウェハー表面位
置を検知して距離を測定しておき、この値をマイクロプ
ロセッサ−40はレジスタ46に駆動指令量として与え
る。ウエノ・−4が移動して露光領域Rが縮小レンズ乙
の下に位置する以前又は直後にピエゾ素子26は駆動を
開始し、渦電流型位置検知器22で駆動用を確認して駆
動を終了させる。この様にしてウェハー4が露光領域Q
から露光領域Rへ移動する間に次の露光領域Rでの焦点
合わせを終了させる事が出来る。When the exposure pattern area R is to be exposed next after the exposure of the exposure area Q is completed, the wafer surface position of the exposure area R is detected in advance by the air sensor nozzle 65 and the distance is measured at the end of the exposure of the Q area. , this value is given by the microprocessor 40 to the register 46 as a drive command amount. The piezo element 26 starts driving before or immediately after the Ueno-4 moves and the exposure area R is located under the reduction lens B, and after confirming the driving operation with the eddy current type position detector 22, the driving ends. let In this way, the wafer 4 is exposed to the exposed area Q.
Focusing at the next exposure area R can be completed while moving from the exposure area R to the next exposure area R.
このため他の動作時間を利用した無駄時間の少ない露光
装置が達成出来る。またエアセンサーノズルの配置の関
係で、ノズルが次の露光領域Rに入り込まない場合は最
も近傍にあるもので代用することもできる。Therefore, it is possible to achieve an exposure apparatus that utilizes other operating time and has less wasted time. Furthermore, if the nozzle does not enter the next exposure region R due to the arrangement of the air sensor nozzle, the closest nozzle may be used instead.
なお実施例ではウェハーについて記述されているが、マ
スクまたはレティクルにも応用可能であり、またウェハ
ーを上下する替りに投影光学系を上下方向に動かしても
良い。第1の検知器としては実施例で用いたエアマイク
ロセンサー変位計の他に、光電反射形変位計などを用い
てもよい。第2の検知器としては渦電流形変位計の他に
、静電容量形変位計などを用いても精度よく測定できる
。Although the embodiment describes a wafer, it can also be applied to a mask or a reticle, and instead of moving the wafer up and down, the projection optical system may be moved up and down. As the first detector, in addition to the air microsensor displacement meter used in the embodiment, a photoelectric reflection type displacement meter or the like may be used. As the second detector, in addition to the eddy current type displacement meter, a capacitance type displacement meter or the like may be used for accurate measurement.
また駆動源としては実施例のピエゾ素子やリニアモータ
などの直線運動駆動源を用いて直接駆動すればメカニカ
ルリンク機構を不要としバックラッシュなどの不感帯が
なくなるので、精密な位置制御と速い応答速度が得られ
るが、回転運動源を用いても勿論可能である。In addition, if the drive source is directly driven using a linear motion drive source such as the piezo element or linear motor of the embodiment, there is no need for a mechanical link mechanism and dead zones such as backlash are eliminated, allowing precise position control and fast response speed. However, it is of course possible to use a rotational motion source.
以上説明したように、本発明によれば前の焦点合わせ時
の複数の検知器の位置データの一つを利用し、所定の領
域への水平方向移動中に、所定の距離だけ垂直方向に移
動して焦点合わせを1」えるものであるから、特別な焦
点合わせのための時間を省略することができ、あるいは
計測のための時間を省略できて、正確でかつ迅速な焦点
合わせが可能となる。As explained above, according to the present invention, one of the position data of a plurality of detectors at the time of previous focusing is used to move vertically by a predetermined distance while moving horizontally to a predetermined area. Since the focus adjustment can be done by 1", the time required for special focusing or measurement can be omitted, allowing accurate and quick focusing. .
第1図は本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を示
す斜視図、第2図は本発明の実施例に係る縮小投影レン
ズおよびウェハー2ユニツトの配置を示す断面図、第6
図は本発明の実施例に係る縮小投影レンズとエアマイク
ロセンザーのノズルおよびウェハーの上面図である。第
4図は本発明の実施例に係る自動焦点合わせ装置の駆動
機構の構成を示すブロック図、第5図は本発明の実施例
に係るサーボ回路図、第6図は第5図で示す鋸歯状波電
圧発生回路60から出力される信号が比較器62により
パルス幅変調される状態を説明するだめの信号波形図、
第7図はウェハー」二のショット配列、縮小レンズおよ
びエアセンサー7ノズルの配置を示す図である。
6・・・・・・・縮小投影レンズ
4 ・・・・ ウェハー
5 ・・・・・・・・・ウェハーステージ20 ・・・
・・・・・・・ウェハーチャック21 ・・・・・・・
・・・・ウェハーチャンクベース22 ・・・・・・・
・・・渦電流型位置検知器26 ・・・・・・・ ピエ
ゾ素子
24・・・・・・・・・・・・ウェハーチャックホルダ
ー27・・・・・・・・・・・・てこ
66 ・・・・・・・・・・ ステッピングモーター6
4〜67・・・エアマイクロセンサーノズル40・・・
・・・・・・・・・マイクロプロセッサ−41・46・
・・ レジツタ
42・・・・・・・・・・・・ステッピングモーター制
御回路44・・・・・・・・・・・・デジタルアナログ
変換器45・・・・・・・・・・・・差動増幅器46・
・・・・・・・・・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路4
7・49・・・アナログデジタル変換器48・・・・・
・・・・・・変位電圧変換回路50・・・・・・・・・
・・・電圧変換回路60・・・・・・・・・鋸歯状波電
圧発生回路62・・・・・・・・・・・・比較器
64・・・・・・・・・・・・反転器
66・67・・・論理積回路
68〜86・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路46の構
成回路素子
(1)
(八)
第6図
第7図FIG. 1 is a perspective view showing the external appearance of a reduction projection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the arrangement of a reduction projection lens and wafer 2 unit according to an embodiment of the invention,
The figure is a top view of a reduction projection lens, a nozzle of an air microsensor, and a wafer according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of a drive mechanism of an automatic focusing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a servo circuit diagram according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a sawtooth shown in FIG. A signal waveform diagram illustrating a state in which the signal output from the wave voltage generation circuit 60 is pulse width modulated by the comparator 62,
FIG. 7 is a diagram showing the shot arrangement of the wafer 2, the arrangement of the reduction lens and the air sensor 7 nozzles. 6...Reducing projection lens 4...Wafer 5...Wafer stage 20...
・・・・・・Wafer chuck 21 ・・・・・・・・・
・・・Wafer chunk base 22 ・・・・・・・・・
... Eddy current type position detector 26 ...... Piezo element 24 ...... Wafer chuck holder 27 ...... Lever 66・・・・・・・・・ Stepping motor 6
4-67... Air micro sensor nozzle 40...
・・・・・・・・・Microprocessor-41・46・
...Register 42...Stepping motor control circuit 44...Digital-to-analog converter 45... Differential amplifier 46・
・・・・・・・・・Piezo element drive voltage generation circuit 4
7.49...Analog-digital converter 48...
...Displacement voltage conversion circuit 50...
...Voltage conversion circuit 60...Sawtooth wave voltage generation circuit 62...Comparator 64... Inverters 66, 67...AND circuits 68-86...Constituent circuit elements (1) (8) of piezo element drive voltage generation circuit 46 Fig. 6 Fig. 7
Claims (1)
直方向(光軸方向)にも移動させ、該物体面の各領域を
順次投影光学系の結[象面に一致することを可能とする
自動焦点合わせ装置において、投影光学系の結像面と物
体面との距離を測定する複数の位置検知手段と、 前記平板物体が水平方向に位置移動すべき次の領域内又
はその最も近傍の前記位置検知手段の一つにより得られ
た位置情報を設定駆動量とし、前記物体または前記投影
光学系を光軸方向に駆動する駆動手段とを具え、次の領
域の焦点合わせな行う様にしたことを特徴とする自動焦
点合わせ装置。[Claims] A planar object is moved stepwise in the horizontal direction and also in the vertical direction (optical axis direction), and each region of the object surface is sequentially aligned with the image plane of the projection optical system. The automatic focusing device includes a plurality of position detecting means for measuring the distance between the image forming plane of the projection optical system and the object plane, and a position detecting means for measuring the distance between the image forming plane of the projection optical system and the object plane; and a drive means for driving the object or the projection optical system in the optical axis direction, using position information obtained by one of the nearby position detection means as a set drive amount, so as to perform focusing of the next area. An automatic focusing device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58212491A JPS60105232A (en) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | Automatic focusing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58212491A JPS60105232A (en) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | Automatic focusing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60105232A true JPS60105232A (en) | 1985-06-10 |
Family
ID=16623529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58212491A Pending JPS60105232A (en) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | Automatic focusing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60105232A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6346434A (en) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Canon Inc | Autofocusing device |
JPS63228719A (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Reduction exposure device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
JPS56130707A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
JPS57130027A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Overlapping of packing type projection lithography |
JPS583227A (en) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | Chip alignment |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58212491A patent/JPS60105232A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
JPS56130707A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
JPS57130027A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Overlapping of packing type projection lithography |
JPS583227A (en) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | Chip alignment |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6346434A (en) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Canon Inc | Autofocusing device |
JPS63228719A (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Reduction exposure device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4600282A (en) | Alignment apparatus | |
US4475223A (en) | Exposure process and system | |
US6172373B1 (en) | Stage apparatus with improved positioning capability | |
US4708465A (en) | Exposure apparatus | |
JPH09129550A (en) | Light exposure and method for manufacturing device using the same | |
CN1797212A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20060209280A1 (en) | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device manufacturing method | |
JP2004014876A (en) | Adjustment method, method for measuring spatial image, method for measuring image surface, and exposure device | |
US4714331A (en) | Method and apparatus for automatic focusing | |
US6771351B2 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
US9541845B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
JPS60105232A (en) | Automatic focusing apparatus | |
JP2009194204A (en) | Aligner, exposure system, and method of manufacturing device | |
JPS6022319A (en) | Semiconductor exposure apparatus | |
US20060238734A1 (en) | Exposure apparatus, method applied to the apparatus, and device manufacturing method | |
KR20170120025A (en) | Detecting apparatus, detecting method, computer program, lithography apparatus, and article manufacturing method | |
JPH06260393A (en) | Positioning device | |
JPS60105231A (en) | Automatic focusing apparatus | |
JPS60108913A (en) | Electrostriction element control device | |
US7199878B2 (en) | Scan exposure apparatus and method, and device manufacturing method | |
CN1577104A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP7519465B2 (en) | Height measurement method and height measurement system | |
JP2006140495A (en) | Measuring method, device manufacturing method, and lithographic device | |
JPS63202019A (en) | Optical element accuracy measurement device | |
JPS61288421A (en) | Automatic focusing device |