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JPS5979536A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPS5979536A
JPS5979536A JP57190202A JP19020282A JPS5979536A JP S5979536 A JPS5979536 A JP S5979536A JP 57190202 A JP57190202 A JP 57190202A JP 19020282 A JP19020282 A JP 19020282A JP S5979536 A JPS5979536 A JP S5979536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
resin
semiconductor device
leads
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57190202A
Other languages
English (en)
Inventor
Terumasa Fukuda
福田 照正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57190202A priority Critical patent/JPS5979536A/ja
Publication of JPS5979536A publication Critical patent/JPS5979536A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

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  • Power Engineering (AREA)
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子を金属板の小片(アイランドと称
す)に搭載し、樹脂封止した樹脂封止型の半導体装置に
関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は、集積回路素子などの半
導体素子を搭載するアイランドと、アイランドに搭載し
た半導体素子の電極からの電気接続をとるだめの多数の
引出しリードとは、プレス加工などにより一枚の金属板
から一体に形成されておった。したがって、アイランド
の周囲に多数の引き出しリードの先端部(ステッチと称
す)が集るような配置となって、アイランドの中央部に
搭載した半導体素子と各リードのステッチとの距離を短
くして短いボンディング線でこの間を接続しようとすれ
ば、当然アイランドの面積も小さくせざるを得す、この
アイランドを通して封止樹脂に放熱せられるべき放熱効
果も充分には期待できず、このようなアイランドに消*
電力の大きい集積回路素子を搭載することはできなかっ
た。
本発明の目的は、半導体素子を搭載したアイランドから
の放熱特性を改善して消費電力の大きい半導体素子を備
えしめた樹脂封止型の半導体装置を提供するにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を搭載し
たアイランドと、このアイランドと別個に製造され、先
端部が前記半導体素子の周囲に配置された多数のリード
と、前記半導体素子およびリード先端部を共に封止した
封止樹脂とを含む構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図(a) 、 (bl 、 (clはそれぞれ、本
発明の一実施例のtM 14Ji而図、縦断面図、封止
樹脂を透視した平面図である。これらの図に2いて、半
導体素子、例えシJj集積回路素子3を搭載したアイラ
ンド4と、集積回路素子3の周囲に先端部が集るように
配置された多数のリード2とは別々に製作されているも
のであシ、アイランド4に搭載した集積回路素子3およ
びリード2のステッチならびに集積回路素子3の′市、
極とり一層2のステッチとの間を接続したポンディフグ
線5は、封止樹脂1により共に封止されている3、) しかして、本発明では、アイランド4とリード2どは別
個に作られているので、従来のような一体製造のものの
ように形状に制限を受けることなく、アイランド4の上
方にリード2が位置されるようにもアイランドの形を大
きくでき、よって、集積回路素子3からアイランド4に
伝導し、さらに封止樹脂1に逃げる集積回路素子の発生
熱の放散の効率を大きく改善し、消費電力の大きい集積
回路素子でも、大きな放熱効果により、温度上U−が押
さえられて叶カ一杯の働らきをさせることができる。寸
だ、従来のアイランドとリードとの一体購成の場合、リ
ード20強度の点で材質は制限されたが、アイランド4
とリード2とを別々に作ることにより、アイランド4の
材質をリード2と異なった熱伝導の高い材料とすること
により、単に形を太きくしたよりも一層の放熱効果の上
昇が得られる。
このように本発明によれは、アイランド4とリード2と
を別個に製造することにより、外形を変えずにアイラン
ド4のみを太きくシ、さらに利料の制限からも免れて、
熱伝導の高い材料がアイランドを作り、大消費電力の樹
脂封止型半導体装置を実現可能にしている。
【図面の簡単な説明】
!!1図fa) 、 (bl 、 (c)はそれぞれ本
発明の一実施例の(1へ断面図、縦断面図、封止樹脂を
透視した平面図である。 1・・・・・・封止鉗脂、2・・・・・・リード、3・
・・・・・集積回路素子、4・・・・・・アイランド、
5・・・・・・ポンディング綾。 躬 1 〆

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11半導体素子をアイランドに搭載し、先端部が前記
    半導体素子の周囲に集るように多数のリードを配置し、
    樹脂で封止した樹脂封止型半導体装R7において、前記
    アイランドとリードとは別個に製造されていることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装1d。 (2)  上記アイランドは上記リードより熱抵抗の小
    さい材t1を用いて別個に製造されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載の樹脂制止型半導体装
    置。
JP57190202A 1982-10-29 1982-10-29 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS5979536A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57190202A JPS5979536A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57190202A JPS5979536A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5979536A true JPS5979536A (ja) 1984-05-08

Family

ID=16254150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57190202A Pending JPS5979536A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5979536A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62269325A (ja) * 1986-05-16 1987-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO1992004730A1 (en) * 1990-09-10 1992-03-19 Fujitsu Limited Semiconductor device and its manufacturing process

Cited By (3)

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JPS62269325A (ja) * 1986-05-16 1987-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO1992004730A1 (en) * 1990-09-10 1992-03-19 Fujitsu Limited Semiconductor device and its manufacturing process
US5440170A (en) * 1990-09-10 1995-08-08 Fujitsu Limited Semiconductor device having a die pad with rounded edges and its manufacturing method

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