JPS5956732A - 真空蒸着層に正傾斜のステツプ変化を与える方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に１．ジョセフノン接合素子捷たは半導体素子を
作製するため１’−ｆ、空蒸着されるｌ＋ｉのステップ
・エツジ（段のヘリＪに正斜面（または傾斜）を作る新
しい方法に関する。さらに訂しくは、本発明は、垂直ス
テップおよび角のステップが抽除されて対称的な緩傾斜
のステップ変化となるように真空蒸着される拐料の正傾
斜のステップ・Ｌツジの角度を制御する方法を提供する
。

真空室内で金属および絶縁材料のｅｔ蒸着することはジ
ョセフソン接合素子および半導体素子の作製に用いられ
る周知の方法である。蒸着されるイ」料はボートや容器
の中に入れて材＋１が蒸発する捷で加熱される。高真空
下において、蒸発する材料の分子および原子はその容器
から等方的に外１Ｈ１１へ放射される。処理されるウエ
ーノ・または基板は蒸発する拐料の点源から所定の距β
１１［に置かれる。

蒸発材料の原子および分子は点状材１’ｌ　’Ｍ器とウ
ェーハ間の距）難ヲ１白線的に横断する。そしてウェー
ハ、’ＩＩ２びに真空室内のウェーハの周りの装ｊｇ、
：に１１９）として形成されろ。

ウェー・・の部分が普曲の光硬化性樹脂の型ておおわれ
ると、材ネ１の、蒸着はウェー・・土の所定の部分に限
定される。光硬化性樹脂の４（νまたはステンシルばそ
の１９１定部分のヘリに高い垂直ステップ（段）捷たは
垂直壁を形成する、或いは社ｒが傾斜される。光硬化性
樹脂ステンシルの製造における最近の開発は傾斜した側
面を有する光硬化性樹脂の製造全可能にした。

蒸発性材料の点源が光硬化性樹脂ＩＩｌ、ｌｊの垂直壁
の形成する穴の内＋１１１１へ直線的Ｖこ向けられると
、基板のベース部は彼罹されるか１だし［ド皮１”◇さ
ｔｌ、ないことになる。蒸発拐料の点源が光硬化性樹脂
の垂直’ｊ＋”ｔ　ｋそれる見通し線（または照ｉｆ、
Ｉ線）で光硬化性樹脂ステンシルの上に当るとき、その
Ｉｔ　ｆ’ｌは垂面ｕｙの１つに蒸着され、拐料の一部
は光１１リコ化性川ｊ脂型の曲、の垂直壁をそれて蒸佑
さ、ｔｌ−る。

光硬化性樹脂の！１．９は、ウェーハのベース部に４１
月の蒸着にさらされる光硬化性樹脂の上におけるよりも
大きな露出面積を・有ずく）」、うＶこ作ることができ
る。従って、光（ｌｌＪ）化性ｄｔＩ脂のノ］１！は最
上表面でアンターノノットさノｔでオフセントの突起（
出張り）を提供する。そのようなオフセントの突起口１
−る光硬化性樹脂ステンシルに１、リフト・オフの光１
１１υ化性樹脂Ｊ（ν（パターン）と１１１′はれる。

ノＪ−治した月ＩＩがそのリフト・オフのノ（ソの−に
にＩ”Ｆ：　ｉｒｆされるとき。

リフト・オフＪＩｌνの最上のへりは蒸着材１：１が直
線に沿って投射されてその照（（ｆ、線にさらさねるウ
ェー・・の投影面積上に蒸着される大窓を画定する。従
って、蒸着される同じ電極またけ部分上に１つのへりに
正斜面そして他のへりに負斜面を作ることができる。

小シ（νのウェーハをｒ↓空室内の蒸着拐料ｉ１！：！
力・らかｌす：４１［れた所に配置すると、蒸着される
１１１１は実質的に垂面なへりの壁をもつことができる
。ウェー・・が大きかったり、蒸発材料源捷での距離が
小さい場合は、垂的照帖軸線からの角度偏位が太きい。

この偏１ヶ角が１♂を越え始めると、蒸着さＪ］た材料
の部分は１つのヘリに正斜１ｌｌｌヲ有し、ウェー・・
の反対１ｆｌｌｌの他のｉＹＢ分は負斜面ケもつことに
なる。

捧肴１１〆：のへりにおける負傾斜（斜向）はそのアン
ターカットＦ’ｌＬ分に絶縁体の割ねや空孔をもたらず
条件をつくって、負斜面のヘリ上部に蒸ｆｆ’ｆさｔま
た逐次１ｒ’ｉ間に不適当な絶縁および（４たは）不運
、暁をもたらす。最大の偏位角を受けるウェー／・の部
分が蒸着時…１の一部分の間に垂］１心ｔｉｌｌ　Ｋ近
い角度で回転するように、大きな基板およびウェー・・
は関節式捷たは回転式支持体上に装着することが提案さ
れている。ウェー・・のいず１１かの部分が回転軸を含
むと、ウェー・・の表面に渡ってなお角度偏位が存在す
る。斜角で回転おコニひ蒸発すると、小さなウェー・・
音処理ずめときには蒸着ｌ＋”ｉの負傾斜を少なくする
傾向となるが、大きなウェー・・の場合にはこの負傾斜
間覇ｄ、屓決さり、ない。

ウェーハｔ・回転および（剤たば）連接ずあとき。

この移ｊｆ＋）＋を提供するためにｉＮ・月」される支
拉裟Ｉ６は。

それが可能な場合、基板をジョセフソン接合素子の製造
にし、はしは必要な極低７１１ｎ’＋　ＶＣ冷却するこ
とを極めて困り“ｉｌｌにする。

従って、蒸着１１’／ｉのステップ・エラ／における負
傾斜を排除する方法てＬ′を空軍内におし）で；；：イ
ｆすることによって金属ｆｌｊ＆、’ｌ絶１偵」Ａ（１
の１１・′）をノＪ＼肴することが望寸れる。さらＱこ
、ウニ　・・イし移動Ｊ−ることなく対称的な正斜面（
傾斜）う−有する利（′１層を真空蒸着する方法を提１
ｊＵず２〕ことが望まれる。

本発明の上目的はＬ′１空ノ’Ｘ　ノｒ’ｆ　ｌ曽υこ
Ｉ口し＋’＋斜のスデノプ（段）変化を与えることであ
る。

本発明の別の上目的はＬ′工空蒸着１１゛４の正傾斜の
ステップ変化の角度を制餌Ｉすることである。

本発明の別の上目的ｔ；１貞空真空′１１１〆；に対称
的でゆるやかな正傾斜のステップ変化を与える方法ｋ　
ＪＵ供することである。

本発明の別の目的は真空蒸ｆ“′１１１〆）の１「傾斜
のスはツブ変化の角度全処理中に変えることである。

さらに本発明の目的は移動装＋＋ｔ　ｋ必要とすること
なく真空蒸着材Ｍ１層間の負傾斜のステップ変化を排除
する方法を提供することである。

本発明のこれらおよび他の目的に従って１点源（点私の
材料源）から月利全蒸着する真空室が設けられる。その
４′、Ａ利が蒸発して原子および分子を点源から等方面
に分散させるＡｉＪに、不活性カスを真空室に導入して
圧力および不ｌ占性ガス環」見の密＋１Ｔ（ｔｌ’め決
めたレベルに」二げる。Ｌ゛↓空室自室内活性ガスの増
大は蒸発したｊｐ子お工ひ分子と不活性カスとの衝突を
促進して蒸発材料の見掛上の源を点源からむしろｔ’Ｕ
空室の広い範囲にτｊｌ！つて拡大さぜる。ｒ皮ン寮ぜ
んとする１１りの土にリフト・オフ・オーパーツ・ング
の光硬化性樹脂ステ／）Ｊしを伺υ［Ｊする、そしてそ
のリフト・オフ光（１史化樹脂ステン／ルの出張り（オ
ーバー／・ンクｊの下１則に７ｔ％　ｆ（“′１が伺゛
じて、垂１〔１ステツプや負前科ステップの代りに正の
ゆるやかな傾斜のステップ変化ヲーリえる。

本発明により解決される問題を・説明する１１］に、θ
この用ｈｊｊのボ義をする。

（１）　　本発明における［ステップ−１とは、半導体
まだは超伝導体の１１〆１のへり（エツジ）を指し。

絶縁１ｃｒｉ捷たは金属１１りの上−ト表面…）の鉛直
１？ｔ；　ｊｆｊｌｌ丑たは高さを扁味する。

（２）１正の帥斜（捷たは斜面）」は蒸着された１１〆
）の最上表面がノＪＨ′Ｉされた［・、・′１のベース
より小さいときに生じる。従って艮自斜またはステップ
のヘリは緩傾斜である。

（う）　１負の傾斜（またｔＪ、斜面）］は蒸占さノま
た層の最上表面が俵１”了さノ］た１１ヒ１の−・−ス
より大きいときに任じる、従って傾斜寸たはステップの
へりはアンダーカットである。

第１図は、土に；＋；ＩＪ−４たはステンシル１１が形
成されているウェー・・１０の部分拡大断面正面図を示
ず。スデン／ル１１は、拐才１をｉＪ賄″ｆして電極１
５゜１１１ｉ形成できる開（二１部を中に画定するリフ
ト・オフ式の４１２の穴１２を有する。矢印１５は真空
室（図示せず）内で蒸着される材料の小光源からの照準
線（見通し線）を画定する。原子および分子は高（’１
３ｇ装置内で）Ｊ？、合されるとき、黒光ｌ原からの見
通し線１５は等方面である。従って、相和のル１子およ
び分子は光硬化性樹脂の型１１の上並びに穴１２ｉ通っ
て蒸着して′電極１うを形成する。見通し線か基板捷り
はウエーノ・１０の表面に垂面のとき、電極１５の側面
は見通し線と一直線になって実質的に垂面である。電極
１５のステップ・エツジ１６にはアンダーカットがない
ことがわかる。

電極１）１が、６九７ＩＪａ　（図示せず）から実質的
により大きな見通し角度の線１７’（ｚ描供すると仮定
すると、蒸着される材料は材料１８として光硬化性（１
１脂目のＪＪこ形ＦＪｋ　ｊ、、同様に穴１２を介して
蒸；“′−される材！１　ｉｌ、電極Ｉ　１１を形成す
る。′「（１極１４は負傾斜のステップ１９と正傾斜の
ステップ２１を有することがわかる。

第２１図は、光硬化性樹脂１１を除去して別び）１１・
″）全基板１０およびＣし極１５の上ｖｃ蒸ｊ”「Ｌ、
てジョーヒフノン接合素子に関係した１曽を形成した後
の基板１０上のベース電極１５を示す。ａ′目の１１’
ｉ　２２は、一基板１０の面に実質的に垂直な角度の児
通し線１５で蒸ｊ′１によって形成された絶縁１１〆１
・である。絶縁層２２はベース電極１うと同じか或いは
それより厚い酸化ケイ素が７−ましい。その材料は、ス
テツノ°・エツジ１６の土における絶縁層２２の厚さか
絶縁１曽２２の他の部分より著しく薄いように形成され
ることがわかる。点２うで示すこのｔ（９い絶縁臨界部
分が容易に割れが人ってジョセフノン接合素子の有用性
をこわずし１、力部分となる。絶縁１１〆１２２の上に
は絶縁層２２とほぼ同−ｔたに１ｊｖいカウンター電極
２１１が示されている。ｌ＋／ｉ　２１１も均−司１〆
）とし。

て形成されるから、ステップ・エツジ１６の上に、蒸着
（’ｒＨ形成中の円／没作用のため絶縁層２２における
ステップ変化のように＋ｔｉｊ　ｂｒｉでＶ」、ないが
ステップ変化が生じる。従って、絶縁層２２とカウンタ
ー電極１酌２４間の臨界部分２５はｉ心力部分２う程大
きくない。しかし、望ましくはないが、臨界部分２５に
おける距離をさらに太きぐするためにカウンター電極層
２）１の厚さを太きぐすることが可能である。カウンタ
ー電極ｊ（イ）２１１の上に不動態化１１４２６を付加
してジョセフソン接合素子に絶縁と保設を提供する。典
型的に、不動態化ＩＭは絶縁＋ｊ４ｉ２３およびカウン
ター電極層２１１よりかなり厚いから、ステップ１６の
上に臨界（あぶない）部分が生じる可能性は少ない。

第う図は５光硬化性ステンンル１１およびその上の材料
１８の除去後、そしてジョセフソン接合素子を形成する
５１ｒ＜ｉｔ蒸若した後の電極１１１’ｉ示す。前述と
同じ方法で酸化ケイ素１曽２２が形成される。そして第
２図の臨界部分２うに対）心する同じ臨界部分２３′が
形成される。見通し線１７で示すように垂面輔からの角
度偏位が大きいため、電極ｉｌｌの左側の臨界部分２５
′を第２図に示す臨界部分２５よりかなり小さく作るこ
とが可能である。

カウンター電極１ｒ＝”ｉ　２１＋’が形成されるとき
、臨界部分２５′がステップ部分２１′の」二に形成さ
れる。電極１１Ｉの右側の臨界部分２５′は、ブ庄で１
される椙料の円滑作用のため電極Ｉ　ＩＩの左側の臨界
部分２５より小さい。不動態化１１〆１２６′は、カウ
ンタ　電極２１１′の上に部分２５′、５５′に示すも
のより臨界的（あぶない）［応力部分を回避するのに十
分な厚さで形成される。

第１図〜第う南の略図は正確な尺度ではないが。

児通し線および点１１ｂｊ蒸７゛′１が真空ＪＪζｆ゛
′１法に採用されるとき住しる間顕金明示すべく、）！
≧Ｙｒ７される屯４がおよび１１イ；の近似的な相対寸
法を・表わしていることが理）１捏される。電極１１１
の左側に示すアンダーカットの負傾斜が、蒸Ｆ’＋１′
１が負Ｉｌｌ″１斜２１′の基Ｆｉｔ（における空間を
完全に充てんできずそしてこの点に絶縁空孔が生じる条
件を・つくるであろうことｄ、全く可能である。ジョセ
フソン接合素子は室温と約１１°丁くとの間を反復して
加熱、冷友１されるから、１１〆）の薄い部分における
応力集中はジョセフソン接合素子の内部割れおよび破損
客もたらすのに充分である。

第４図は対称的な１Ｆ斜面２８．２９−ｉ有するベース
電極２７を示す。ベース電極２７が正の緩傾斜をもって
作られる場合１次Ｖこ蒸着される層はベース電極２７の
輪郭の実質的に均一な複製として蒸ムされる。従って第
１図〜第う図および先行技術を参照して前に説明したよ
うな薄板化および応力集中の部分はない。絶縁層う工１
１、ベース′屯極２７の上にそして正斜面２＋１！、２
９並びに基板１゜の上に実質的に均一に示されている。

カウンター電極う２が絶縁ＩＶ７′ｉ３１の上に形成さ
れるとき、絶縁層う１の場合よりもさらに大きな（資）
の均一性とわずかの円滑化がある。カウンタ＊極層５２
の均一性は既に得られているから、不動態化＋ｉ”’ｉ
　５うはさらに薄くかつ強く作られる。不動態化材料の
厚い層５５は応力集中を促進する傾向にあるが、その薄
いＩ＋゛？ｔ　５５は熱ザイクリングによるし刀の影響
をより受けにくいことは周知である。

第５図は１間隙の頂上３６から横に伸びる出張り（−ま
たは突起）５５を有する光硬化性ステンシル型３４の部
分拡大横断面を示す。ベース電極２γは出張りう５の下
に形成された正傾斜（斜面）を有している。斜面２つに
おける＋Ｅ傾斜の隼は鉛直からの角度θで示される。角
度が逆方向でアンダーカット突起として後方へ傾斜する
場合には、傾斜角を画定する角度θは負傾斜となるこ吉
が理解される。第１↓図および第５図に示すベース電極
２７並ひＶｒｃ、層５１〜う５の形成は後述のように光
７１ｊ；ｊ（図示せず）から形成されない。対称的斜面
２８゜２９を正斜面として形成するｆｔ、）に←ｌ１、
斜面２ｇと２９に同時に犯行である見ｊｌｌ＋　Ｌ線ケ
もった＋（１１１１Ｊ＋ｊ　を設ける必要がある。

第６１図は正斜面の角度とアルボ／不活性ガスの圧力と
の関係グラフを示す。４旧′ｌの点Ｉｓ：：　７．、：
　＜′↓空室に設ける場合、最初にＬ′１．空室を殆ん
との金属ＩＩイ［に対して少なくとも１０　１・−ルそ
してアルミニウムに対しては１０　　）−ルの１°、−
１゛１Ｌ′Ｌ空に排気する。

必要な高真空が得られた後、所定用の不活性ガス全導入
して真空室内の圧力を所望の結果に依仔して大体１０−
１〜１０〜１の月−カに上げる。本発明法に使用する不
活性ガスがアルゴンの場合には第６図のチャートが適用
できる。第５図に示す角度θに＋Ｅ斜面の角度として６
０°が必要なときには、１「２１・−ルのアルゴン圧力
がこの望ましい正斜面ケ作ることができる。第６図に示
すチャートは鉛−・インジウム−金のべ−“スミ極２７
を蒸着するために作製された。そして他の金属に対して
は多少異なり、また他の不活性ガスに対しては少し異な
る。

望ましい止斜面ケ得るための説明シよ点／ハ；１が４＋
、　−の点源をもたない拡大源となったことである。不
活性ガスｋｊ’、　ＡＪＸ　４”１される原子および分
子を・基板またｄニウエーハ１０と材料の点源との間の
距：４１［に渡って不活性カスと衝突させる。原子が他
の原子と衝突する前に移行する平均距離を定義する平均
自山行稈（Ｍ　Ｆｐンは記号’−８（ｃｍ　）で示され
る。Ｉ−、は５　Ｘ　ｌ　Ｏ−”’　／アルゴン圧力（
１・−ル）に等しいことが知られている。

εｎ７図はアルコンの圧力条件に対するゞ１′−均自山
行程１、（ｃｍ　）が算出されている表を示す。左欄の
高Ｌ゛（空１■力１０　　トールは汚染ガス全実質的に
含まず、アルゴンガスはｌ−ｒ在しない。これらの条件
−トにおける５　５　ａｎの距離に渡った平均衝突数は
１よセ著しく小さい。しかしながら、その高真空圧力が
１０　トールなるアルゴン雰囲気に代わると、平均自由
行程は５０ｏｎとなって、蒸着さＪ」る相料と基板１０
間の距離に渡る平均衝突数は１に近づく。真空室のアル
ゴンガスが一旦１０−３１・−ルに安定化されると、平
均自由行程は５　ｃｍに減少し、基板に到、ｉ″１する
前に蒸イ°１される（」料の分子間で杓７回の衝突が佳
じる。相料＃Ｊｊｊから基板１０へ移行する間に７回の
？Ｊｉｉ突は乱散または分数作用を開始さすのに十分で
あり、従って点７１１！はもはや点源ではなくてＬ′も
空室全体に広がる拡大源と見なさｆ’Ｌるコトかわかる
。不活性アルゴンガスの圧力が増すに伴い、１１Ｆ旧曲
の角１川θも増す３、Ｌ′１空室にアルゴン不活性カス
がｌｊ在すると〕；、ｉ　、ｊ（□月１′ｌ　）点源が
分散してリフ］・・オフ式光ｆｉｌＪ’、化性樹脂ステ
ンシルの突起の下側に正角＋Ｊｆで形成すること全説明
したが、鉛−インジウム−全以外の材料および他の不活
性ガスヶＩｉ’ｆＪじ結果をｌ！ｉるノヒめＶこ使用］
できることがわかる。例えば、ジョセフノン接合素子を
得るために第４図に関して説明した全ての層はアルゴン
ガスの存在下で蒸着された。

什斜面およびステップのゆるやかな変化を得る望ましい
重“鯰な成果の１つは、既に工業的に採用されている標
桑の方法にさらにコス）’（ｌ−加えることなく非常に
高収率（歩留り）の満足な素ｔが作ノすることである。

さらに、本発明法の利専は、ウニ　・・を、（Ｊλ７１
される桐材の点源と輔整列捷たは垂直整列させる必要が
なく真空室にウェーハケ充てんできることである。従っ
て５高収率が得られるのみならず、高収率と同時に極め
て高い生産速度が得られる。

真空室内て蒸イ°゛１される材１１層の正斜面は）Ｊト
青時Ｖこ不活性ガスヶ調節することによって制御できる
ことゲ説明１〜だが、１ヴ）間の正ｆｌ：ｆ’ｌが１の
串に１層の蒸石過■１１“において変えうろことが理１
１’Ｎされる。

本発明法はカスタム素子の製造業者に対してもう１つの
利点ケ有する。カスタム素イが製造されるとき、Ｌ′↓
空室は大惜生産に使用さり、る極めて大きな真空室に比
へて一般に小型である。本発明法を用いて、蒸着月利源
から基板捷での距離が１２インチ以下で見通し角度が小
隙から１０以上であるところの真空室内で６インチ面径
捷での大きなウェーハを処理できる。１ｌｙＩ′ｉｌに
得られる対称的な正傾斜の量は不活性ガスのＬ［力によ
って制御することができる。

極小導線の線幅は本発明しこよって若干増すが。

殆んどの場合に利点が欠点よりもはるかに１さっている
。例えば　１層積回路の導線が集積］（Ｊ１路の別の導
線と父さするとき、垂１白スデッグにおける見、力集中
点は正の緩傾斜のステップ変化を採用することによって
完全に排除される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の方法によで）（！、’７草室内で上に
１し極４Ｎ１１１が蒸ｉ′）されるウーエ−・・の一部
分を示す拡大部分（１１７１１枡面［ｌ−１面図。第２
図ＱＬ１−レこ複数層を、）ＩＸイ“１した後における
第１図の′電極の１つの拡大部分（１７１断面正面図。 第う図は上ＶＣ１，’数の１１７）を蒸着した後におけ
る第１図のもう１つの電１愼の拡大ｒ’？Ｂ分（苦断商
略１閃。第１＋図は上に複数の層を蒸ｊ１シた後におけ
る本発明による新しい正傾斜のステップ電極を示す拡大
部分梼１断面ＩＦ面図。第５図は電極前７身後における
第１０閑の新しい正傾斜のステップ電極Ｖこ近接する光
硬化性樹脂リフト・オフ・ステンシルのヘリ部の拡大部
分横断面止面図。第６図はアルゴン不活性ガスの（ｊ右
下で鉛−インジウム−金合金の蒸着中に得しれた正傾斜
の角度間の関係を示すグラフ。第７図に１異なるアルゴ
ン・ガス圧力における。’ｈ　？ｊ　＠料とアルコン不
粘性ガス間の平均１ｔｉ突数ｒ示す表。 ネコ号の説明 １０−一ウエーハ　　　　　１１，１５１１−−ステン
シル１　：５　、　Ｉ　ＩＩ　、　２７−−ベース「Ｌ
極　１５，１．７−−見通しくｊｌ（包１）線１６−−
ステツプ・エツジ　　１９−一負（Ｌｆｉ斜のステップ
２１−一正傾斜のステップ　と１，２１１．５２−−カ
ウノター電極２５　、２５．２５．２５−−ｌ＋？ｔ７
１界部分　　２ｇ、２９−一市斜面う５−一出張り（突
起） 手　　続　　補　　正　　書（方式） 昭和５８年１０月１２ 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 Ｌ　事件の表示 昭和５８年　　特　　許　　　　願第　１１ｇ０７０　
　号う、補正する者 ６、補正により増力ける発明の数　　　　■　　　発明
７、　補正の対象　発明の詳細な説明、図面の簡単な説
明および図面（１１明Ｉｌ＋Ｉ］ｌ曹１５ページ第１８
行〜第１９行の「第ヨ　　　７図・　示す。」を「第１
表はアルゴンの圧力条件に対する平均自由行程（ｃｌｎ
　）および、蒸着材料とアルゴン不活性ガス間の平均衝
突教を示す。」 （２）　　明ｌ＋ＩＩｌ書１６ページ第１５行と第１６
行の間に別添性の第１表を挿入する、。 （つ）明細書第１９ページ第９行〜第１１行の［第７図
・・・・・全示す」を削除する。 第１表 際 ６ アルコ゛二Ｆ力（トーＩす ＦＩＧ、６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １〜ト記の（ａｌ〜ｆｌ＋ｌの上程からなることを特徴
   とする真空室内で処理されるウェーハ上に蒸着される材
   料層に正傾斜のステップ変化を与える方法： ｆａｔ　　処理ぜんとするウェーハの１１〆ｊに光硬化
   性樹脂のリフト・オフ・オーバーハングの型を付加して
   上に相打が蒸着されるｎ’ｌＪ　１１８ｅウエーノ・ｌ
   ｉ゛ｔｉのオーバーハング部分を画定する工程、（ｂｌ
   　　ＡｉＪ記ウェーハを真空室内に削成する工程、 （ｃｌ　　ｔ’ｉｉＪ記Ｌ′Ｌ空し内の圧力を有害な痕
   跡の酸素、水蒸気および一酸化炭素を除去するのに十分
   低い圧力に下げる工程。 ｉｄｌ　　ＭｉＪ記真空室に不活性ガス金導入してその
   中に不活性ガス環境を捺供する工程。 （ｅｌ　　前記不活性ガス環境の圧力をｌＸｌ０−’〜
   ５ＸＩＯ’−２１−−ルにおいて安定化さす工程、（ｆ
   ｌ　　前記リフト・オフの型および土に材料を蒸着する
   前記ウェー・・層のオーバー・・ング部分の上に旧料層
   を蒸着する工程、 （ｇｌ　　前記不活性ガス環境圧力を予め決めた値に保
   って、蒸着せんとする前記材オ′・１を前記光硬化性樹
   脂のオーバーハング部分の下側に分散させて正傾斜のス
   テップ変化金形成さず二にＩＩＩｊ、　　　お　、［ひ （ＩＩ）へ９部にｉＪＥ　ＩＬｎ斜のステップ変化を■
   した前記イ丞着１＋４を残して前記光硬化性樹脂のリフ
   ト・オフ・オーバーハングの型を除去する工程。