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JPS5950071B2 - ビデオ情報記憶装置 - Google Patents

ビデオ情報記憶装置

Info

Publication number
JPS5950071B2
JPS5950071B2 JP52009177A JP917777A JPS5950071B2 JP S5950071 B2 JPS5950071 B2 JP S5950071B2 JP 52009177 A JP52009177 A JP 52009177A JP 917777 A JP917777 A JP 917777A JP S5950071 B2 JPS5950071 B2 JP S5950071B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
output
latch
gate
store
Prior art date
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Expired
Application number
JP52009177A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS52107729A (en
Inventor
リチヤ−ド・ジヨン・テイラ−
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micro Consultants Ltd
Original Assignee
Micro Consultants Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micro Consultants Ltd filed Critical Micro Consultants Ltd
Publication of JPS52107729A publication Critical patent/JPS52107729A/ja
Publication of JPS5950071B2 publication Critical patent/JPS5950071B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/76Television signal recording
    • H04N5/907Television signal recording using static stores, e.g. storage tubes or semiconductor memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はデイジタル記憶システムに関する。
さらに詳しくはビデオ情報記憶装置に関する。さらに付
言すると、本発明のビデオ記憶装置はフレームストアお
よびフレームストアを制御する手段に関する。ここに記
述されるフレームストアはそれぞれ512の画像点(P
icturepOint)を持つ512本のビデオライ
ンがメモリーに蓄えられるべくなされた1語8ビツトで
256×512語の2フイールドに配列(Arrang
e)されている。
このフレームストアは新しい世代の半導体メモリにとつ
ては工業水準となつてきた4096ビツトNチヤンネル
ダイナミツクRAMチツプで構成されている。
この素子は、以前の技術に比較してメモリ (StOr
e)の物理的寸法が相当に縮小されており、このことは
またビデオシステムのメモリ構造の設計を容易にするこ
とになる。ビデオデータストアは、行と列に配列された
複数の記憶素子を含んだ少くとも1つのストアマトリツ
クス(記憶行列)と入力、出力のデータラツチ及び受取
つた読出し、書込み命令と、もし書込み(StOre)
のサイクル実行中の場合は上記命令を一時保持(HOl
ding)する為の待期制御手段、該待期制御によつて
発生される書込み読出し命令を受けとり、かつ該ストア
マトリツクスに対する行アドレスと列アドレスストロー
ブを含み、該ストアに対しタイミング信号を発生する手
段、および前記タイミング手段よりの行アドレスストロ
ーブの制御の下でストアマトリツクスの行の数に従つて
所定数の行アドレスを発生する行アドレスマルチプレク
サから成立つている。
ビデオデータストアは、複数のマトリツクスを含み、更
に各マトリツクスの入カデータラツチに接続される出力
に対し該ラツチの当該出力をイネーブルにする入力マル
チプレクサ、各マトリツクスの出力データラツチへ接続
された出力をもち該ラツチの特定の(Respecti
ve)出力をイネーブルにする出力マルチプレクサから
成りまたそこには所定のマトリツクスの入カラツチに対
するイネーブル信号が検出されれば各マトリツクスのサ
イクリング(巡回)を始めさせる有効データ検出回路が
各ストレージマトリツクスに対し配置されている。
以下、本発明の装置の一実施例を図面により説明する。
第1図は周知の4096ビツトRAMチツプの構成部品
の原理的プロツク図、第2図は第1図の単一チツプに対
するメモリサイタルの動作モードを示すプロツク図、第
3図は32個のチツプを有する16枚のストアカードを
含む本発明のストア構成を非分配型で示すプロツク図、
第4図は第3図に同じくストアの構成を示すにこでは分
配型構成)プロツク図、第5図は第1図に示される型の
32チツプを持つた本発明の一枚のストアカードを入力
・出力レジスタとストア制御回路と共に示すプロツク図
、第6図は第5図の有効データ検出回路の構成を示すプ
ロツク図、第7図は第5図の待期論理回路の構成を示す
プロツク図、第8図は待期過程にある第7図の回路波形
の例を示すプロツク図、第9図は第5図のタイマ回路に
対する一つの構成を示すプロツク図、第10図は第9図
の遅延線の引出線からの信号のシーケンスを示す説明図
である。
第1図の一つのストア素子10は現在一般的にコンピユ
ータ工業に於いて使われている4096ビツトNチヤン
ネルダイナミツクランダムアクセスメモリチツプから成
り立つている。
4096×1ビツトチツプは各種のスピードとパツケー
ジ型式で入手可能である。
フレームストアの為に16ピン型が選ばれた。それは比
較的小型のパツケージと少ないアドレスラインが他の大
型で高速のものよりはるかに高い実装密度が得られるか
らである。16ピンパツケージは見掛上の12アドレス
ビツトに加え4本の電源線と2本のデータ線と3本の制
御線があるがこれはアドレスを2半分にマルチフレック
スすることに依り実現できる。
このことは、ストア制御を複雑にするがフレームストア
に必要な容量の大きいメモリサイズにとつてはとるに足
らぬオーバヘツド(周辺回路)にしかならないストレー
ジチツプはダイナミツク型で極めて低い電力消費の長所
をもつが2ミリ秒毎にストアさ・れているデータをリフ
レツシユしなければならない短所がある。
単一のチツプ10は各列の上にセンス増巾器11をもつ
た64×64ビツトのストアマトリツクス15で構成さ
れている。
アドレスは「行アドレスストローブ」19と「列アドレ
スストローブ」18の2つの6ビツト語として入力され
る。列ラツチ]2と行ラツチ13のストローブは同時に
は発生しないから、入力アドレス線17は列と行の両方
のラツチで共用できる。ストアサイクルは行アドレスを
供給しそれを内部の行アドレスラツチ13にストローブ
することにより始まる。この時点でチツプの動作は幾分
通常とは異なつてくる。即ち1アウトオブ64の行デコ
ーダ14への行ラツチ中の6ビツト行アドレス情報から
デコードされた行アドレスはマトリツクス中の選択され
た各場所にストアーされた64ビツト全体を、第2図に
示す各列に附属する64のセンス増巾器へ送り込む。一
旦、64ビツトのデータがセンス増巾器に読み込まれる
と、列アドレスがストローブされ64のセンス増巾器の
中の一つが選択されてチツプから出力される。全ての6
4ビツトのデータはそこで再びマトリツクスへ送り返さ
れ非破壊読出し特性を形成する。64ビツト中の一つを
選択するセンス増巾器のアドレスは1アウトオブ64の
列デコーダを通して受け取つた6ビツトの列アドレス情
報から得られる。
もし情報を書込む必要があるときは、情報がマトリツク
スに送り返される前に選択されたセンス増巾器のデータ
は入カデータに従つて変更(MOdify)されなけれ
ばならない。
このマトリツクス構造の長所はチツプに与えられた外部
アドレスのいずれに対してもストア(メモリ)は64個
所で検査される。このようにして装置全体のリフレツシ
ユに必要な4096サイクルの替りに単に64サイクル
を必要とするのみである (即ち4096÷64=64
)。これによりフレツシユ周期が2ms以下となるスト
ア(StOre)に対する最低動作周波数は64/(2
×10−3)=32KHzとなる。
コンピユータ周辺技術に於けるダイナミツクストレージ
のリフレツシユの通常の方法は、リフレツシユモードに
入る為にメモリを周期的に中断することである。これは
1.5ms毎に中断し完全なリフレツシユを保証するに
充分な速度で必要な全.てのアドレスの検査(Exer
cising)が一時に行なわれるか又は交互にリフレ
ツシユが分散して行なわれる方法でアドレスカウントが
加算される毎に一つのアドレスのリフレツシユが30μ
s毎に実行され2msで全てのアドレスの実行が完了す
る。これらの技術はビデオストアには不向きである。な
ぜなら画面表示の規則性がシステム設計者に制限を課し
そして不規則な中断を許容しないからである。しかしな
がら、この困難をひきおこす規則性(Regulari
ty)も、もし従来のリフレツシユ技術が採用されるな
らば、適当なアドレス構造を選ぶことにより、自動的に
リフレツシユを達成する方法として用いることができる
メモリチツプがマトリツクスに於いて選ばれた行の64
ビツト全てのデータを64のセンス増巾器へ送りそこで
列アドレスによつてデコードされ特定のビツトが選択さ
れる方法についてはすでに述べた所である。
フレームストアの構造もこの方法と同様に個々の部品(
Device)のサイクルタイムが比較的遅くとも15
MHzのスループツト (ThrOughput)能力
が達成できるよう構成されている。主ストアのマトリツ
クスは16の列アドレスを与える16×4デイバイスで
構成され、全体で16.384(即ち4×4096)の
行ロケーシヨンが所定の512×512の画像点を生み
出す。これらのロケーシヨンは18ビツトアドレスで定
められるがこれは便宜上ライン上の画像点(絵素)を定
位する9ビツトと、フイールド中の特定のラインを決め
る8ビツトと使用中のフイールドを定めるlビツトに分
割される。この配置は第3図に示されるが、この図では
所要のスループツトは満足しうるが、しかし自動的リフ
レツシユは行ないえない。
次に画面が構成される方法について検討する。
TVラインに沿つた16の連続した絵素は、一つの行ア
ドレスに依り発生され、回路24によつて各列の上で検
出される。もし列からの出力が順次検査(Examin
ed)されるならばラインは従来の方法で構成(FOr
med)される。此の技術を用いることに依り個々のM
OSデイバイスはビデオ周波数の1/16で動作される
。しかし行アドレスカウント全体がlになつて再び戻る
までに12ms要してしまう。これはリフレツシユの要
求を満足しない。第4図はこれに替る配置を示すもので
、隣り合う行は別のデイバイスでサービスを受ける。こ
のようにして位置0.4等はデイバイス1へ位置1,5
等はデイバイス2へ、位置2,5等はデイバイス3へそ
してロケーシヨン3,7等はデイバイス4につながる。
リフレツシユを自動的に達成する為の構造がここで明ら
かになつてきた。第4図はまた、マトリックス全体の1
8ビツトアドレスの夫々のビツトの割付け(Desig
natiOn)を示すものである。下位4桁のビツトは
列アドレスを指示し(ストアチツプのセンス増巾器への
アクセスに相似である)、次の2ビツトはマトリツクス
仝体に於いて行を決めるデイバイスの4つの内のいずれ
が使われるかを決め、次の6ビツトは実際のチツプに対
する行アドレスであり、上位6桁はチツプに対する列ア
ドレスを提供することになる。動作は第3図の非分配型
と同様であるが次の点が相異する。即ちチツプ自身に対
する行アドレスはカウンタの7から12ビツトに配置さ
れるから、全てのチツプの行アドレスはビデオ周波数の
2−11倍即ち10MHzシステムに対しては、近似的
に0.2ms毎に検査(Cxamine)される。フイ
ールドラインのブランキング群は、その期間中はアドレ
スカウンタが停止しているにも拘わらず全体のリフレツ
シユ時間は必要な2msより小さいのでブリツジ(Br
idged)されうることも示されている。本発明の一
つの特徴は、アドレスの最上位桁をフイールドカウンタ
として設定することにより採用されたデイスプレ一の型
式に於いて、毎フレームに単ストアフイールドが2回繰
返されても、リフレツシユに関するカウンタの全てのビ
ツトは未だ回りつづけ(StillexpiOred)
ているので゛、ストア全体は未だリフレツシユされるこ
とが確実であるということである。
フレームストアマトリツクス25が16ロケーシヨン×
16.384ロケーシヨンまたは16ロケーシヨン×4
デバイス(各デバイスは4096ビツト)で成立つこと
はすでに説明した。
ここで参照される16のロケーシヨンは実際は別々のス
トアカード26であり、夫々のカードは16.384の
ロケーシヨンをもつ四個のデバイスを搭載している。
データが共通線(COnlnlOnhighway)を
通して全てのカードに与えられ、また共通線を通して全
てのカードから読取るようにストアカードは配置されて
いる。第5図はストア制御回路を16枚の中の1枚のス
トアカードを一緒に示すものである。
ストアカード30はRAM型ストア素子10の4行から
なるプロツク32を持ち、各行は8個のチツプからなる
(1個のチツプがデータの8ビツトの一つに対応する)
。このようにして、ストア素子の全数は32である。カ
ード30は入カラツチ31と出力ラツチ33を持つ。ま
たカードは下記に詳細を示す有効(Valid)データ
検出回路34を持つ。なお図示されていない他の15枚
の同様なカード30がストア全体を構成していることに
留意されたい。かくして入力マルチプレクサ35は16
枚のカードに対する16の出力線47を持つ。1本の出
力だけがラツチ31に接続され、かつ図示されている。
同様に出力マルチプレクサ39も1本の出力75がラツ
チ33に接続されている様子が図示されている。残りの
入力又は出力マルチプレクサの出力線は図では接続され
ていないが、実際に他の15枚のカードに夫々接続され
ているのである。行アドレスストローブマルチプレクサ
36とタイミングコントロール回路38は他の15枚の
カードと出力が共通に接続されている。下記されている
待期制御回路(QueueinglOgiccircu
it)37はタイミングコントロール38に接続されて
いる。カードに対する入力データは、共通線 (COmmOnhighway)を通して入つているの
で16個のクロツタ周期ののち、16枚のすべてのカー
ドが1語のデータを保持するようにこの入つてくるデ=
夕は、順次個々のクロツク毎に夫々のカードにラツチ(
一時保持)されなければならない。
その最初の語はラツチ回路31の最初の位置に・保持さ
れる。ラツチ31は周知のレジスタチツプによつて構成
される(例えば2個の74LS170、4ビツト4回路
レジスタの内2回路のみを用いる)。情報は入力イネー
ブル信号によつてこれ等のラツチ回路(File)にク
ロツクに同期して送り込まれ、そのときの周波数は入力
マルチプレクサの出力47から受取つたビデオ周波数で
ある。そしてアドレスは入力端子42で受取つた入力選
択信号でセツトされる。ここで最初の16語がカードに
到着した時つづいて次の16語が共通線(HighノW
ay)に現われ再びカードにラツチされるが今度はその
最後の語がレジスタフアイル31の中の次の位置に入る
ように入力選択が変更される。故に入力選択は元のビデ
オ周波数の1/16毎に変化することは明白である(1
6枚のカードがある,故)。レジスタフアイルの出力は
入力選択の逆信号によつて制御される、それらの出力端
子に先程のレジスタの内容を表現することが必要な丈で
ある。入力選択がビデオ周波数の1/16で動作するか
ら、レジスタフアイルの出力に現われるデータが′元の
入力共通線のデータ周期の約16倍の間一定に保たれる
ことも明白である。4096ビツトRAMチツプは動作
が比較的遅いのでこの内部デマルチプレツクは他の夫々
のチツプに対する所要速度を減らす意味からも必要であ
る。
しかしながら外部のアドレス回路は通常のアレイである
(9ビツトの2進アドレスは画像中のラインを決定し
他の9ビツトはライン中の絵素(PicturepOi
nt)を決めることは前に説明した通りである)。此の
デマルチプレツクスにより見掛上の入カデータの低速化
が達成され、そして入カデータはRAMが充分情報を吸
収できる充分な時間毎に4KRAMの入力ターミナルに
現われる。
RAMに対するアドレツシングはすでに記述された如く
であり、そして12ビツトアドレスを半分ずつ2回に送
る入力69に6本のアドレス線が接がる (即ち、チツ
プの行アドレスにつづきチツプの列アドレスが入る)。
夫々のデバイスは、行アドレスストローブマルチプレク
サ36からの線63,64,65、及び66にのつた4
個の別々の行アドレスストローブRASI,RAS2,
RAS3及びRAS4によつて選択される。この行アド
レスマルチプレクサは行アドレスストローブ信号(RA
S)をタイマ38から入力62で受取り各ストアサイク
ル毎一回動作するのである。それらは勿諭順次動作しア
ドレス構成に対する事象の発生順序は次の如くである。
先ずアドレスの最初の4ビツトは16枚のカードを決め
る入力41から入り、デコードされて入力マルチプレク
サ35からの入力イネーブル信号を発生する入力60,
61から入る。次の2ビツトは行アドレスストローブマ
ルチプレクサ36でデコードされ、4つの行アドレスス
トローブRASI,RAS2,RAS3とRAS4を発
生する。最後の12ビツトは入力69へ2つの半分にマ
ルチフレックスされる主デバイスアドレスである。列ア
ドレスストローブ(CAS)は、タイマ38からの線6
7に用意される。
カードの出力構造は入力のそれに対し逆に動作するとい
うことを除いて全く同一である。
特に、データは16枚のカード全てから並列にそれぞれ
のレジスタ即ちラツチ33に転送される(出力ラツチ3
3は4個の4ビツトラツチである74173で構成し、
必要な8ビツトX2ロケーシヨンが得られる)。このラ
ツチへの転送はタイマ38から線71を通して受取られ
る「出力ストローブ」によつて実行される。そしてレジ
スタは入力76で外部から受取られる「出力選択」信号
で選択される。「出力ストローブ」とΓ出力選択」はビ
デオ周波数のl/16で動作する。RAMからの並列転
送信号で詰つていないレジスタは、入力78で4ビツト
の読取りアドレスを受取る出力マルチプレクサ39の出
力75から受取られる「出力選択」の逆信号で選択され
た所定のデイバイスの「出力イネーブル」信号により、
自身のデータを主共通線に出力することがで゛きる。「
出力ストローブ」は16枚のカード全てに並列に動作す
るから「出力イネ−゜ブル」はビデオ周波数で直列に動
作する′。8本のチツプ選択線68はストアにあるデイ
ジタル語のいずれに対してもデイスエーブルにすること
も、また必要ならば書込み操作から保護することも可能
である。
かくして別の画像がビツト毎に書込まれるのである(例
えば5から8ビツトの情報がlから4ビツトへ書込まれ
る)。ストアカードに対する読出し/書込み線と行アド
レスストローブ(RAS)は最初に想像された程には単
純でない。
その複雑さは、16枚のカードの内の所要のl枚だけに
、他のカードには影響を与えることなく書込みを実行し
ようとすると起生するのである。これは入カラツチ31
に対し所定のカードの入力のみをイネーブルに動作させ
ることにより簡単に実施できる。しかしながら、データ
が並列で転送されるとき、16枚のカードの15枚のカ
ードのストアロケーンヨンは誤づた情報を受取ることに
なる。この誤情報の受取りを防ぐために、有効データ検
出回路34が用意されている。
この回路は入力43と44でそれぞれ入力選択と入力イ
ネーブル信号を受取りまた同時にタイマ38から入力4
6を通して読出し/書込み信号を受取る。もし入力マル
チプレクサ35からこのカードに対する入力イネーブル
が検出されると、検出回路34はデータをラツチ31に
入れ、引続き出力45からの読出し/書込み信号の制御
の下にストアにデータを転送する。その特定のカードに
入力イネーブルが入力マルチプレクサ35から受取られ
ないときは検出回路34はストアサイクルの進行を停止
する。待期制御回路37はまたタイマ38から線56を
通して読出し/書込み信号を受取る。
書込命令は待期制御回路37の入力50で受取られ、読
出し命令は同じく入力52で受取られる。回路37への
フリーズ入力51はデータをストアに保持する。書込み
命令は出力57を通してタイミング回路に入る。そして
読出し命令は出力55に準備される。この読出し命令は
、もしストアがそのサイクル中の他の部分の仕事にかか
つているときは、一時回路37に保持されるようになつ
ている。またサイクルのどの部分にあるかということは
、入力56において読出し/書込み信号から検出される
ようになつている。クリア読出しとクリア書込み機能は
それぞれ入力53および54に具備され,ている。さら
に加えてタイマ38からタイミング信号が準備されてい
る。それは出力73における読出し/書込みアドレス選
択と出力72におけるマルチプレツタスアドレス制御で
アドレツシングの周知の方法でRAMに使われるもので
ある。こ,のアドレスの方法は3個の別々のカウンタ、
すなわち書込み用、読出用、リフレツシユ用によつて成
立つ。有効データ検出回路34に対する回路配置を第6
図に示す。
回路34はインバータ80,81,ノ83とNANDゲ
ート84,85,90,91,92および93と2個の
フリツプフロツプ87,88から成る。44からの入力
イネーブル信号はインバータ80で反転され、NAND
ゲート84の1入力とNANDゲート85の1入カへ接
続される。
43からの入力セレクト信号はインバータ81を通つて
NANDゲート85のもう1つの入力へ接がる。
インバータ81の出力はさらにインバータ83を通して
ゲート84の他の入カへ接がつている。ゲート84の出
力はD型ラツチ87のプリセツト入力に受取られる。ゲ
ート85の出力は、もう1つのD型ラツチ88のプリセ
ツト入力に接つている(ラツチ87と88は集積回路型
7474デユアルD型ラツチの半分で構成されうる)。
ラツチ87のクロツク入力はインバータ83の出力から
接続される。ラツチ88のプリセツト入力はゲート85
の出力が接続される。ラツチ88のクロツク入力はイン
バータからの出力が接続される。ラツチ87および88
のクリア入力は抵抗R1をへて+5V線に接続される。
ラツチのD入力はともに接地されている。ラツチ87の
Q出力はNANDゲート90の1つの入力に接がりもう
1つの入力にはインバータ81の出力に接続されている
。NANDゲート91の1つの入カへはラツチ88のQ
出力が接がりもう1つの入力にはインバータ83の出力
が接続される。ゲート90,91の出力はNANDゲー
ト92の入力にそれぞれ接続され、その第3番目の入力
にはインバータに接続されたNANDゲート93を経て
読出し/書込み信号が接続されている。ゲート92の出
力は出力45でストアに接続されるようになつている。
インバータ80,81および83はヘツクスインバータ
型7404で構成されうる。NANDゲート84,85
,90,91はクワットナンドチップ型7400でNA
ND92,93は型7410で構成されうる。第6図の
回路は端子46からの読出し/書込み信号が入力44で
D型ラツチをセツトする入力イネーブルが検出されたと
きには、出力45を通してストアサイクルを作動させる
ものである。すなわちそのカードが第5図の入力マルチ
プレクサ35により所定のカードが選択されたことを示
す。
この誤情報がストアに書込まれることは防止されている
。再び第5図に戻つて、ストアに対する入カラツチと出
力ラツチのタイミングについて考察する。
例として10MHzの入力ビデオ周波数を取上げる。入
カラツチは10MHzでクロツクされ従つて入力選択は
100nsの16倍の周期で変化する。すなわち1.6
μSである。従つてRAM自身はラツチの出力に待期し
ている情報を吸収するのに1.6μSの時間を持つこと
になる。しかしRAMは500nsを必要とするのみで
ある。
出力に関しても事情は全く同様であり、ストアは情報を
500nsで出力ラツチに転送可能であるが、出力選択
が1.6μSの周期で行われるから1.6μSのギヤツ
プがこの転送に利用できる。ストアに対する書込み、読
出しは非同期的であるから書込み命令と読出し命令が重
さな.らぬよう確認することが必要である。
待期制御回路37は、ストアカードに対する要求を、も
し例えばストアか読出しサイクルにかかつているときは
待期させる、書込サイクルに対する非同期の要求(すな
わち書込命令)が待期制御回路37に至れば出カラツチ
への情報転送が、この書込命令を読出しが完了して書込
が可能になるまで待期させる。ストアのサイクル時間は
入力選択、出力選択の期間の半分以下であるからストア
の必要なときはいつでも一入力選択又は一出力選択周期
で読出し書込の両方を実行し終えることが可能である。
この待期機能を備えることによりアドレスのセツトアツ
プに必要な時間を含むストアのサイクル時間は入力選択
又は出力選択の周期の半分以下であり、非同期状態は急
速に変化するので動作がそこなわれるような状態が起る
ことはあり得ないということが理解される。全フレーム
のストアは入出力ビデオ信号(WOr−Ds)と非同期
で作動しこの入出力ビデオ信号が各カードに内在的に連
続して現われたときにこのメカニズムが役を果すのであ
る。それらの状態は入力が出力に較べて極めて遅く動作
したり、またはその逆であつたり、または入力出力共に
同期してその最高速度で動作するときにも見られる。第
1図の待期制御回路37に対する回路配置は第7図に示
されている。
加えて第7図には更に入力125が示されている。これ
はタイマ38から接続されその詳細は第9図に関して述
べられる。書込命令入力50はNANDゲート101の
一つの入力に直接接続され、インバータ100を経てゲ
ート101の他の入力にキヤパシタC1と共に接続され
、この入力は抵抗R3を通して+5Vに接続されている
。ゲート101の出力はD型フリツプフロツプ102の
クロツク入力に接続されそして更にNANDゲート10
4の1つの入力に接続されている。ゲート104の2番
目の入力は抵抗R2を通して接地されている。
4番目の入力は読取命令が直接接がつている。
更に別の入力には読取命令が3段に直列に接続されたイ
ンバータ106,107及び108を通して接がる。キ
ヤパシタC2はグラウンドとインバータ107の出力間
に接続されている。NANDゲート104の出力はD型
フリツプフロツプ型109のクロツク入力に接がる。読
出し/書込みライン56に対して読取りライン(Hiで
読取り)がNANDゲート115の1つの入力に接続さ
れている。書込ライン(Hiで書込み)はゲート115
の他の入力に接がり、更にNANDゲート117の1つ
の入力に接続されている (書込は読出しの逆である)
。ゲート117の他の入力は入力125へルツクアヘツ
ドアドレス変化信号を受取るために接続される。ゲート
117の出力はANDゲート118の1つの入力に接続
されている。ゲート118の他の入力は入力54から「
クリア書込」信号を受取る。ゲート115の出力はAN
Dゲート116の1つの入力に接続される。ゲート11
6の他の入力は「クリア読出」入力53に接続される。
端子53,54からの線はそれぞれ抵抗R4,R5を経
て+5V線に接続されている。フリツプフロツプ102
のクリア入力はさらにフリツプフロツプ102のクリア
入力と共に接続されてANDゲート118の出力に接続
されている。フリツプフロツプ109のクリア入力はフ
リツプフロツプ121のクリア入力と共にANDゲート
116の出力に接続されている。
フリツプフロツプ102のQ出力はANDゲート111
の1つの入力に接続され、またゲート111の他の入力
はフリツプフロツプ121のQ出力に接続されている。
ゲート111の出力はフリツプフロツプ112のクロツ
ク入力に接続されている。フリツプフロツプ112のQ
出力はANDゲート120の一つの入力に接続され、こ
のゲートのもう一つの入力はフリツプフロツプ109の
Q出力に接続されている。
フリップフロツプ102,109,112,121の「
プリセツト」と「D」入力は全て+5V線に接続されて
いる。
書込命令出力端子57はフリツプフロツプ112のQ出
力に接続されている。
インバータ100,106,107および108は全て
型7404のへツクスインバータによつて構成される。
フリツプフロツプ102,109,112,121は2
個のデユアル「D」型チツプ74S74で構成されうる
NANDゲート115,117はICチツプ型74S0
0でありうる。NANDゲート101,104は型74
S140で、またANDゲート111,116,118
,120は型74S08で構成されうる。書込み命令は
第7図の待期回路へ入力端子50から入りインバータ1
00を通る遅延とゲート101によつて巾tの短いパル
スに変換される。
ゲート101の出力は「D」型フリツプフロツプ102
をセツトするパルス発生回路として働く、このフリツプ
フロツプの静止状態のQ出力は開かれているゲート11
1を通つて「D」型ラツチ112をセツトする。「D」
型ラツチ112をセツトする動作はANDゲート120
を閉じる。今読出し命令が入力52に、106,107
,108と104の素子により形成されたパルス発生回
路(そのパルス巾3tは106,107と108を通る
遅れによる)を介して入ると、109をセツト出来る。
しかしラツチ109の出力はANDゲート120が閉じ
られておれば禁止される。それ故ラツチ102,109
は書込みあるいは読出し命令を保持すなわち記憶する。
フリツプフロツプ112,121はいずれかの特定の命
令を指示しその記憶はいかなるときにも処理される。明
らかに112と121が両方同時にセツトされることは
禁止条件であり、待期動作はこれを避けるために設計さ
れている。必要とする保護回路はANDゲート111と
120を介して与えられているが、パルス発生回路10
1あるいは104をパルスが出発してから120と11
1が閉塞されるまでの伝播遅延は、同時に到着する読出
し、書込み命令に対して保護するには長すぎる。必要な
それ以上の保護は101の出力が104の別の入力につ
ながることによりなされている。次に第8図に表わされ
た図を考えると、この図は読出し、書込み命令の波形関
係を示している。
それぞれの対のうち上の波形はゲート101の出力を表
わし、下の波形はゲート104の出力を表わす。短パル
スで示されるゲート101からの書込み命令は固定した
ままで、ゲート104からの読出し命令を徐々に後へず
らせることにする。最初の対の8a,8bは通常の場合
を示し、そこでは相互干渉はなく、禁止状態に対して記
憶を保護のため、ANDゲート111,121の正常な
閉塞のために充分な時間がある。同様のことは次の8C
と8dについてもいえる。しかし3番目の対の8eと8
fは読出しパルスが明らかに少し短かくされていること
を示し、これは101が104の入力に接続された結果
の動作である。しかし102と109をセツトする2つ
の立上リエツジの間にはまだ充分な間隔がある。さて4
番目の対8gと8hについては、読出しパルスは2つの
パルスに分離され歪んでいる。2つのうち、2番目のパ
ルスは書込み命令の立上りと接近しすぎていて、誤動作
状態が発生するであろう。
しかしD型フリツプフロツプ109はゲート104より
の最初の立上リエツジによりセツトされたのでこの立上
リエツジはゲート101のパルス巾により、書込み命令
の立上リエツジとは充分離れている。同様のことが5番
目の対81と8jについてもいえる。6番目の対8kと
81は再び読出しと書込みが完全に離れている状態を表
わしている。
フリツプフロツプ112,121は読出し、書込み命令
の到着時間に関係なく同時にセツトされないように保護
されていることが説明されたのlで、記憶の順序を制御
する第5図のタイマ38の動作を検討しうることになる
。タイマ38の手順は第9図に示されている。
書込み命令入力57はNANDゲート131の一方の入
力につながれており、その出力は更にNANDゲート1
32,134につながつている。
ゲート132の出力はD型ラツチ130の「クロツク」
入力につながつている。ラツチの出力QとQは読出し/
書込みラインのターミナル56につながつている。ラツ
チ130の「D」とプ”りセツトターミナルはRlOを
介して+5Vラインにつながつている。読出し命令入力
55はNANDゲート1゛33の一方の入力につながれ
、他の入力はゲート131の2つ目の入力につながつて
いる。ゲート133の出力はゲート134の2つ目の入
力につながれ、その出力はラツチ135のクロツク入力
につながつている。ラツチ]35のクリアとプリセツト
端子はRllを介して+5Vラインにつながつている。
Q出力はNANDゲート136につながれ、QとD端子
は互いにつなlがつている。ゲート136の出力は遅延
線137につながり、更にゲート139と140を介し
て遅延線138と直列につながつており、抵抗Rl2と
もむすばれている。遅延線138の出力はRl3を介し
てグランドとつながれている。遅延線137,]38の
タツプO〜9,10〜20のいくつかは、142〜14
8のいくつかのイクスタルーシブ0Rゲート142〜1
48につながれており、タツプ番号は図により明らかで
ある。ゲート142の出力はNANDゲート152の一
方のノ入力につながり、ゲート152の他方の入力は、
ラツチ130のQ出力につながつている。152の出力
はターミナル71につながつている。
ゲート143はインバータ153を介してNANDゲー
ト154につながつており、NANDゲート出力はター
ミナル67につながつている。ゲート144の出力はタ
ーミナル62につながれ、ゲート145はターミナル7
2につながれている。ゲート146の出力は、ルツクア
ヘツドアドレス切替ターミナル125につながつている
。ゲート147の出力はインバータ149を介してスト
アビジー信号を与えるためにゲート133と131につ
ながれている。ゲート148の出力はインバータ150
を介してラツチ130のクリア端子につながれている。
第9図のラツチは第7図のラツチと同型のものであり、
NANDゲートやインバータも同様で゛ある。
142〜148のイクスクルーシブ0Rゲートは74L
86型であり、遅延線は270T250型である。
入力ターミナル57に書込み命令が入力されたと仮定す
る。
ゲート131は開きパルスはゲート134を経てD型ラ
ツチ135のクロツク端子へ達する。ここでラツチ13
5は単に1ビツトの力ウンタとして働き、Q出力の状態
が変化する。そして立下リエツジはゲート136を介し
て(またゲート139,140を経て)遅延線137及
び138に達する。そしてエツジが遅延線に達すると遅
延線のタツプにつながれた「イクスタルーシブ0R」ゲ
ートを介して作られる最初の信号がゲート147で発生
する「ストアビジー」信号である。この信号はインバー
タ149を介してゲート131と133を閉塞するため
に戻り、それゆえもし別の命令が入力されても遅延線は
無視する。ゲート144は「行アドレスストローブ」信
号を作る。ゲート145は行と列に対するアドレスを切
替えるマルチプレタサを制御する。ゲート143は「行
アドレスストローブ」信号を作る。ゲート142によつ
て開閉されるゲート152は出力ラツチへ正しい時点に
データを転送することを保証するところのストアカード
に対する出力ラツチストローブを発生する。ゲート14
6は「ルツクアヘツドアドレス切替」信号を作り、ゲー
ト148はインバータ150を通して「書込みタリア」
信号を作り出す。ゲート131と132による遅延線の
動作は、後述するラツチ30の動作を除き書込み期間を
通じて同様であり、読出し期間の間は用いられない。
再び書込みサイクルの動作に戻つて、書込み命令が如何
にしてゲート131,134を通つて遅延線に至り、ま
た同時にゲート131の出力がゲート132を経てD型
フリツプフロツプ130をセツトすることはすでに説明
されている。
このフリツプフロツプがセツトされていると書込みサイ
クルであることを表わし、このフリツプフロツプはゲー
ト148からのクリア書込み信号によつてクリアされる
。第7図のゲート117,118をノ通しての「ルツク
アヘツドアドレス」切替機能によつて書込み命令が書込
みサイタルの終了前にクリアされるためにこの特別なフ
リツプフロツプ130は必要となる。RAMはサイクル
の期間中アドレス入力部を閉塞しているのでストアビジ
ー信号が無くなるのを待つ間に、この時間を利用して、
次のアドレスのセツトを可能にすることで「ルツクアヘ
ツドアドレス」切替が許されるのである。この様にして
ストア全体のサイクル時間がRAM自身の基本時間にま
で減少されかつアドレ”スの準備を考慮する必要が無く
なり、また「ルツタアヘツドアドレス」機構によつて達
成されるのでシステムの高い処理速度(ThrOugh
putrate)が可能になるのである。 「ルツクア
ヘツドアドレス」機構は端子125に到着するパルスに
よつて初期化される(第7図参照)。このパルスは書込
みサイタルが読出しサイクルのいずれかによりゲート1
17がゲート115.を経て回送される。例えば読出し
命令がゲート120に待期している書込みサイタルであ
るとする。線56の入力により「ルツクアヘツドアドレ
ス」切替がゲート117を通過し、ゲート118は開き
そしてラツチ112がクリアされる。読出し/書込みラ
インはそれ自身フリツプフロツプからなるラツチ112
,121の状態によつて制御される。
ラツチ112のクリア動作はゲート120を自動的に開
く、これはラツチ121をセツトし、この状態の変化は
出力73に於いて書込みから読出しヘアドレスの切替に
用いられる。第7図のラツチ112,121が「ルック
アヘッドアドレス」切替信号によつてクリアされそして
互いに関連するラツチ121または112がセツトされ
読出し/書込み線が切替つたとしても、ゲート131,
133を開くストアビジー信号によつて許可されるまで
信号のエツジは遅延線に向かつてスタートしない様第9
図のゲート131及び133が保証している。回路は自
己スタート型でないのでもしラツチ112と121が同
時にオンの状態になつたとしても全回路は閉塞されるよ
うにするため第7図のゲート118と116は必要なの
である。書込み又は読出し機能が使用されていないとき
のみ、118及び116を経て時々りセツトパルスが発
生するようにして上記の状態が保護されている。遅延線
137及び138を通して発生される波形のシーケンス
が第10図に示されている。
第10図における0〜20は遅延線の引出線を示す。入
力マルチプレクサ35は周知の構成であり2個のデユー
ダチツプ型74S138によつてなされうる。出力マル
チプレクサ39も同様にして構成されうる。行アドレス
マルチプレクサ36は1個のデユーダチツプ型74S1
38によつて構成されうる。かくして本発明の記憶と制
御は完全に非周期動作となり、それは入力と出力のビデ
オ周彼数は完全に異なりうるし、また互いに位相又は周
波数の関係をまつたく必要としない。
実際に、例えば1時間に1画像点の割合で入力しうる。
そしてなお通常のTVフレーム速度の画面を15MHz
で出力しうる。ストアはフレームストアに関して述べら
れてきたが、記憶容量はフイールドストアについてはス
トア容量を変えることが出来る。
即ち、小容量にすることが可能である。チツプ]0の4
行が第5図に示されているがこの数はいくらでもよい(
例えば7行)。
そのときは行アドレスマルチプレクサ36は行アドレス
ストロープの正しい数を出しうるように変更できる。上
記の記憶システムは、例えば英国特許出願第6588/
76号明細書に開示されたビデオ周期化装置や英国特許
出願第3731/76号明細書に開示されたビデオ処理
装置にも応用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は周知の4096ビツトRAMチツプの構成部品
の原理的プロツク図、第2図は第1図の単一チツプに対
するメモリサイクルの動作モードを示すプロツク図、第
3図は32個のチツプを有する16枚のストアカードを
含む本発明のストア構成を非分配型で示すプロツク図、
第4図は第3図に同じくストアの構成を示すにこでは分
配型構成)プロツク図、第5図は第1図に示される型の
32チツプを持つた本発明の一枚のストアカードを入力
・出力レジスタとストア制御回路と共に示すプロツク図
、第6図は第5図の有効データ検出回路の構成を示すプ
ロツク図、第7図は第5図の待期論理回路の構成を示す
プロツタ図、第8図は待期過程にある第7図の回路波形
の例を示すプロツク図、第9図は第5図のタイマ回路に
対する一つの構成を示すプロツク図、第10図は第9図
の遅延線からの信号のシーケンスを示す説明図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 行と列に配列された複数個のストア素子と入力デー
    タラッチと出力データラッチとを含む少くとも1個のス
    トアマトリックスと、書込みおよび読出し命令を受取り
    また記憶サイクルが進行しているときは該命令を一時的
    に保持するための待期制御手段と、該待期制御手段によ
    つて発生される記憶書込みおよび読出し命令を受取り、
    かつ前記ストアマトリックスに対する行アドレスと列ア
    ドレスストローブを含む記憶のタイミング信号を発生さ
    せるタイミング手段と、該タイミング手段からの行アド
    レスストローブに制御されてストアマトリックスにおけ
    る行の数に適合する若干の行アドレスを発生する行アド
    レスマルチプレクサ手段とからなるビデオ情報記憶装置
    。 2 前記ストアマトリックスが複数個のマトリックスを
    有するとともに、さらに各マトリックスの入力データラ
    ッチに接続され、該ラッチの相当する入力をイネーブル
    にしうる出力を有する入力マルチプレクサと、各マトリ
    ックスの出力データラッチに接続され、該ラッチの相当
    する入力をイネーブルにしうる出力を有する出力マルチ
    プレクサと、前記マトリックスの入力データラッチに対
    するイネーブル信号が検出されたときのみマトリックス
    のサイクルを開始させる有効データ検出回路とを備えて
    なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のビデ
    オ情報記憶装置。 3 前記待期制御手段が、 書込み、読出し命令をそれぞれ受取り記憶するための一
    次ラッチ手段および二次ラッチ手段と、該一次ラッチ手
    段で書込み命令が検出されたとき該書込み命令出力を発
    生する、該一次ラッチ手段に接続された三次ラッチ手段
    と、前記二次ラッチ手段で読出し命令が検出されたとき
    該読出し命令出力を発生する該二次ラッチ手段に接続さ
    れた四次ラッチ手段と、該一次及び三次ラッチ手段の間
    に接続された一次ゲート手段と、前記二次ラッチ手段と
    四次ラッチ手段との間に接続され前記三次ラッチ手段と
    四次ラッチ手段とが同時にセットされることを防ぐ二次
    ゲート手段とからなることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のビデオ情報記憶装置。 4 前記一次ゲート手段が、前記一次ラッチ手段の出力
    に接続された一番目の入力と前記四次ラツチ手段の出力
    に接続された二番目の入力とを有する1個のANDゲー
    トからなり、前記二次ゲート手段が前記二次ラッチ手段
    の出力に接続された一番目の入力と、前記三次ラッチ手
    段の出力に接続された二番目の入力とを有する1個のA
    NDゲートからなることを特徴とする特許請求の範囲第
    3項記載のビデオ情報記憶装置。 5 前記待期制御手段が前記一次ラッチ手段の入力に接
    続され書込み命令を受取ると短いパルスを発生しうる、
    前記一次ラッチ手段の入力に接続された一次パルス発生
    回路と、該一次パルス発生回路により禁止されることが
    なければ該第一次パルス発生回路によつて発生されるパ
    ルスの三倍巾のパルスを発生しうる前記二次ラッチ手段
    と該一次パルス発生手段とに接続された二次パルス発生
    回路とからなる防護回路を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第3項記載のビデオ情報記憶装置。 6 前記第一次パルス発生回路が、インバータの出力に
    接続された一番目の入力と2番目の入力が該インバータ
    の入力に接続された2番目の入力とを有し、該インバー
    タを通しての遅延に相応した巾のパルスを発生しうる1
    個のNANDゲートからなり、前記二次パルス発生手段
    が、前記一次パルス発生手段の出力に接続された1番目
    の入力と、三段に直列に接続されたインバータの出力に
    接続された2番目の入力と、直列に接続されたインバー
    タの入力に接続された3番目の入力とを有し、該一次パ
    ルス発生手段からの出力によつて妨げられることがなけ
    れば三段のインバータの遅延に相応したパルスを発生し
    うる1個のNANDゲートからなることを特徴とする特
    許請求の範囲第5項記載のビデオ情報記憶装置。 7 前記一次パルス発生回路のNANDゲートが、前記
    ストアへの過剰な書込みを防ぐために、該一次パルス発
    生回路からのパルスの発生を禁止しうる、3番目の入力
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の
    ビデオ情報記憶装置。 8 前記タイミング手段が、 遅延線のタップに接続される複数個のゲートを持つタッ
    プ付遅延線と、前記ストアに対するタイミング信号を発
    生しうる前記待期制御手段からの書込み、読出し命令を
    受取るべく該待期制御手段に接続され、かつその出力が
    ラッチ手段を経て遅延線に接続されるとともにストアが
    動作しているときを決定する検出回路を備えた入力ゲー
    ト手段と、書込み又は読出しサイクルのいずれかが生じ
    ているかにより信号を発生するごとくなされた出力ラッ
    チ手段とを有することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のビデオ情報記憶装置。 9 前記入力ゲート手段が、ストア動作を検知する前記
    検知回路を形成しうるように、それぞれインバータに接
    続された1つの入力を有する一次および二次NANDゲ
    ートと前記遅延線に接続されたイクスクルーシブORゲ
    ートとからなるとともに、前記一次および二次NAND
    ゲートの第2の入力がそれぞれ書込みおよび読出し命令
    入力に接続され、しかも該一次および二次NANDゲー
    トの出力が前記ラッチ手段を介して前記遅延線に接続さ
    れてなることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の
    ビデオ情報記憶装置。 10 前記有効データ検出回路が、ストアマトリックス
    の入力ラッチを制御する入力イネーブル信号と入力選択
    信号とに対する入力ゲート手段と、該入力ゲート手段に
    よつて検出される入力イネーブル信号と入力選択信号と
    を保持するためのラッチ手段と該ラッチ手段の出力と書
    込み入力とに接続された出力ゲート手段とからなり、マ
    トリックスに対する入力イネーブル信号が検出されたと
    きのみ書込み信号が通過しうるごとく構成されたことを
    特徴とする特許請求の範囲第2項記載のビデオ情報記憶
    装置。 11 前記ストアマトリックスの各行が1ビットのビデ
    オデータを各々の内部のアドレス位置の受取りうる8個
    のストア素子を有することを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載のビデオ情報記憶装置。 12 前記ストアマトリックスが1ビデオフレームを記
    憶するに充分なストア容量を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のビデオ情報記憶装置。
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