JPS5945646A - 光学的情報再生装置 - Google Patents
光学的情報再生装置Info
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- JPS5945646A JPS5945646A JP57156142A JP15614282A JPS5945646A JP S5945646 A JPS5945646 A JP S5945646A JP 57156142 A JP57156142 A JP 57156142A JP 15614282 A JP15614282 A JP 15614282A JP S5945646 A JPS5945646 A JP S5945646A
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- optical
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の対象
本発明は光学的情報再生装置に関し、特に半導体レーザ
を光源に用いた光磁気記鐸媒体からの光学的情報再生装
置に関するものである。
を光源に用いた光磁気記鐸媒体からの光学的情報再生装
置に関するものである。
従来技術
書き換え可能な光デイスクメモリとして、垂直磁化膜を
記憶媒体とし、光エネルギー吸収による磁気記録および
消去、偏光面回転による再生を行う光磁気ディスクが知
られている。特に、半導体レーザを光源に用いた光磁気
ディスクは、装置の小型軽量化、低価格化が容易である
等の利点を有するものである。
記憶媒体とし、光エネルギー吸収による磁気記録および
消去、偏光面回転による再生を行う光磁気ディスクが知
られている。特に、半導体レーザを光源に用いた光磁気
ディスクは、装置の小型軽量化、低価格化が容易である
等の利点を有するものである。
しかしながら、磁性膜による偏光面回転能は、通常、き
わめて小さく、このため再生信号のＳ／Ｎが小さく高速
読出しができないという問題があった。以下、これを図
面により具体的に説明する。
わめて小さく、このため再生信号のＳ／Ｎが小さく高速
読出しができないという問題があった。以下、これを図
面により具体的に説明する。
第１図は従来の、半導体レーザを光源に用いた光磁気デ
ィスク装置の一例を示すもの（［光学技術］ンタクトＪ
ｖｏ１１８． Ａ１０．Ｐ、 １５ （ｌＱ８０）参
照）である。図において、ＩＧ：′１半導体レーザ、３
目デイスク基板３２と該基板３２１、に設けられた磁気
異方性媒体層３１とから成る光磁気ディスクＣ以下、単
に「ディスク−１という。）である。
ィスク装置の一例を示すもの（［光学技術］ンタクトＪ
ｖｏ１１８． Ａ１０．Ｐ、 １５ （ｌＱ８０）参
照）である。図において、ＩＧ：′１半導体レーザ、３
目デイスク基板３２と該基板３２１、に設けられた磁気
異方性媒体層３１とから成る光磁気ディスクＣ以下、単
に「ディスク−１という。）である。
半導体レーザ１から出射された光はカップリングレンズ
２１によりフリメートされ、対物レンズ２２によりディ
スク３の磁気異方性ｆｉ’、Ｉ：体層３１１−に集光さ
れる。ディスク３からの反射光は、ハーフミラ−５１に
より横にけり出され、更にハーフミラ−５２により２分
割されて、それぞれ偏光面回転検出用の検光子７１．７
２を３ｉ′Ｉｊつた後、光検出器４１．４２に入射する
。
２１によりフリメートされ、対物レンズ２２によりディ
スク３の磁気異方性ｆｉ’、Ｉ：体層３１１−に集光さ
れる。ディスク３からの反射光は、ハーフミラ−５１に
より横にけり出され、更にハーフミラ−５２により２分
割されて、それぞれ偏光面回転検出用の検光子７１．７
２を３ｉ′Ｉｊつた後、光検出器４１．４２に入射する
。
ディスク３に入射する光は偏光子０により直線偏光して
おり、磁気異方性媒体層３１の磁化方向が上向きか下向
きかに依存して、偏光面が右あるいは左に僅かに回転す
る。
おり、磁気異方性媒体層３１の磁化方向が上向きか下向
きかに依存して、偏光面が右あるいは左に僅かに回転す
る。
本装置においては、前記２つの検光子７１．７２の角度
を、前記偏光子６の偏光透過面に対して９００の方向か
ら、それぞれ±θ□の角度に調整し、前記２つの光検出
器４１．４２の出力の差を差動増１Ｂ器８により取出す
ことによって、信号を２倍にするとともに、ノイズをキ
ャンセルしてＳ／Ｎ比を改善して信号を再生している。
を、前記偏光子６の偏光透過面に対して９００の方向か
ら、それぞれ±θ□の角度に調整し、前記２つの光検出
器４１．４２の出力の差を差動増１Ｂ器８により取出す
ことによって、信号を２倍にするとともに、ノイズをキ
ャンセルしてＳ／Ｎ比を改善して信号を再生している。
しかし、偏光ＩＲノの磁化による回転は、角度で１゜以
下と小さいので、上述の如き信号再生ではＳ／Ｎを十分
大きくよることは困却であるという問題があった。
下と小さいので、上述の如き信号再生ではＳ／Ｎを十分
大きくよることは困却であるという問題があった。
一方、Ｓ／Ｎの良い光ディスクとして、再生専用あるい
は記録再生はできるが消去再記録はできないタイプの光
ディスクが知られている。このタイプの光ディスクにお
ける再生は、ディスク反射光強度の大小を検出すること
によっている。
は記録再生はできるが消去再記録はできないタイプの光
ディスクが知られている。このタイプの光ディスクにお
ける再生は、ディスク反射光強度の大小を検出すること
によっている。
半導体レーザを光源に用いた場合には、ディスタからの
反射光を前記半導体レーザに戻すことによって、反射光
強度の大小に応じてレーザ光出方が変化する現象を利用
して情報を再生することも可能である。
反射光を前記半導体レーザに戻すことによって、反射光
強度の大小に応じてレーザ光出方が変化する現象を利用
して情報を再生することも可能である。
第２図は上述の情報再生装置の一例を示すもの（特開昭
５１−１２６８４６号公報参照）で、ディスク３からの
反射光強度の大小は、半導体レーザ１の後方出射光の大
小に変換されるので、該レーザ後方に設けられた光検出
器４により情報が再生される。この場合、レーザ前方Ｌ
１１射光の偏光方向ＬＩ：ｓｐｎ接合面に平行なＴ Ｅ
（Ｔｒａ’ａｅｖｅｒｇｅ ＥｌｅＣｔｒｉａ ）偏光
であり、ディスク５からの反射光２レーザ徒方出射光の
偏光方向も同じ＜ＴＥ偏光である。
５１−１２６８４６号公報参照）で、ディスク３からの
反射光強度の大小は、半導体レーザ１の後方出射光の大
小に変換されるので、該レーザ後方に設けられた光検出
器４により情報が再生される。この場合、レーザ前方Ｌ
１１射光の偏光方向ＬＩ：ｓｐｎ接合面に平行なＴ Ｅ
（Ｔｒａ’ａｅｖｅｒｇｅ ＥｌｅＣｔｒｉａ ）偏光
であり、ディスク５からの反射光２レーザ徒方出射光の
偏光方向も同じ＜ＴＥ偏光である。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みてなされたす、いで、その目的
とするところは、従来の光デイスクメモリにおける一上
述の如き問題を解消し、書き換え可能な光デイスクメモ
リである光？ｉｎディスクから高いＳ／Ｎで情報を再生
することが可能な光学的情報再生装置を提供することに
ある。
とするところは、従来の光デイスクメモリにおける一上
述の如き問題を解消し、書き換え可能な光デイスクメモ
リである光？ｉｎディスクから高いＳ／Ｎで情報を再生
することが可能な光学的情報再生装置を提供することに
ある。
本発明の上記目的は、半導イイ２レーザと、該半導体レ
ーザからの出射光を磁気異方性を有する記憶媒体に畷射
する光学系と、前記記憶媒体からの反射光を検出する光
検出器とから成る光学的情報再生装置において、前記記
憶媒体からの反射光が前記半導体レーザに戻る光路中に
７アラデ一回転素子を設けるとともに、前記半導体レー
ザと光検出器との間に直線偏光子を設けたことを特徴と
する光学的情報再生装置によって達成される。
ーザからの出射光を磁気異方性を有する記憶媒体に畷射
する光学系と、前記記憶媒体からの反射光を検出する光
検出器とから成る光学的情報再生装置において、前記記
憶媒体からの反射光が前記半導体レーザに戻る光路中に
７アラデ一回転素子を設けるとともに、前記半導体レー
ザと光検出器との間に直線偏光子を設けたことを特徴と
する光学的情報再生装置によって達成される。
発明の実施例
以下、本発明の原理と実施例を図面に基づいて説明する
。
。
第３図は本出願人により実願昭５４−８２１４９号（実
開昭５６−２２６５号公報参照）に提案された偏光変調
装置を示すものである。本装置は半導体レーザの偏光方
向が、外部光学系の偏光特性によって変化することを示
すもので、埋込みへテロ型構造の半導体レーザ１の一方
の端面に反射防止膜１２を施し、カップリングレンズ２
１と外部鏡３０との間に直線偏光子６を挿入し、該直線
偏光子６を回転することによって前記半導体レーザｌに
戻ってくる反射光の偏光方向を変化させるというもので
ある。
開昭５６−２２６５号公報参照）に提案された偏光変調
装置を示すものである。本装置は半導体レーザの偏光方
向が、外部光学系の偏光特性によって変化することを示
すもので、埋込みへテロ型構造の半導体レーザ１の一方
の端面に反射防止膜１２を施し、カップリングレンズ２
１と外部鏡３０との間に直線偏光子６を挿入し、該直線
偏光子６を回転することによって前記半導体レーザｌに
戻ってくる反射光の偏光方向を変化させるというもので
ある。
ここで、半導体レーザ１の端面に反射防止膜１２を施す
のは、半導体レーザ素子自体が有するＴＥ力方向直線偏
光選択特性を弱め、外部共Ｊｆ３器の偏光特性に敏感に
するという目的による。
のは、半導体レーザ素子自体が有するＴＥ力方向直線偏
光選択特性を弱め、外部共Ｊｆ３器の偏光特性に敏感に
するという目的による。
半導体レーザ１の後方出射光はカップリングレンズ２３
で集光され、検光子７を通過した後光検出器４に入射す
る。前記後方出射光のｉ’ Ｅ偏光成分、ｉ’ｒＥ偏光
と偏光面が９ｄ′異なるＴ Ｍ （Ｔｒａｎｓｖθｒｓ
ｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ）偏光成分のレーザ駆動電流依
存性は、ｆｆ１４図（ト）〜◎に示ずようになっている
。
で集光され、検光子７を通過した後光検出器４に入射す
る。前記後方出射光のｉ’ Ｅ偏光成分、ｉ’ｒＥ偏光
と偏光面が９ｄ′異なるＴ Ｍ （Ｔｒａｎｓｖθｒｓ
ｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ）偏光成分のレーザ駆動電流依
存性は、ｆｆ１４図（ト）〜◎に示ずようになっている
。
ｖ４図（Ａ）は前記直線偏光子６の偏光透過面がＴＥ偏
光面に一致している場合を示１７、このときけ、当然、
レーザ後方出射光もＴＥ偏光で発１辰している。第４図
１ｃ）は前記偏光子を９０°回転してＴ Ｍ偏光だけを
透過させるようにした場合を示し、このときレーザは１
゛Ｍ偏光で発振している。第４図０３）は前記偏光子６
を第４−図（５）の状態から６７．５°回転した場合を
示し、レーザ駆動電流に依存してＴ’Ｅ偏光が大きくな
ったり１゛Ｍ偏＊、が大きくなったりする状況になる。
光面に一致している場合を示１７、このときけ、当然、
レーザ後方出射光もＴＥ偏光で発１辰している。第４図
１ｃ）は前記偏光子を９０°回転してＴ Ｍ偏光だけを
透過させるようにした場合を示し、このときレーザは１
゛Ｍ偏光で発振している。第４図０３）は前記偏光子６
を第４−図（５）の状態から６７．５°回転した場合を
示し、レーザ駆動電流に依存してＴ’Ｅ偏光が大きくな
ったり１゛Ｍ偏＊、が大きくなったりする状況になる。
第５図はレーザ駆動電流を一定値に固定した場合におけ
るＴ Ｅ偏光、ＴＭ偏光の光強度の偏光子回転角（θ
）依存性を示すものである。図から明らかなように、θ
＝６７．５°伺近のごく狭い角度範囲で発揚偏光方向
か′ｒＥからＴ Ｍへ９０°変化しており、換言すれば
、±Ｏ０８°の偏光子回転によってＴ Ｍ偏光弾度はＯ
から約１ｍＷに増加している。
るＴ Ｅ偏光、ＴＭ偏光の光強度の偏光子回転角（θ
）依存性を示すものである。図から明らかなように、θ
＝６７．５°伺近のごく狭い角度範囲で発揚偏光方向
か′ｒＥからＴ Ｍへ９０°変化しており、換言すれば
、±Ｏ０８°の偏光子回転によってＴ Ｍ偏光弾度はＯ
から約１ｍＷに増加している。
本発明は」二記里、象を光磁ゲディスクからの情報再生
に応用し、高いＳ／Ｎで情報再４ｆコを行うようにした
ものである。
に応用し、高いＳ／Ｎで情報再４ｆコを行うようにした
ものである。
以下、本発明の一実施例を第６図により説明する。なお
、記号は、特に断っであるものの外は前出の各図に示し
たと同じ構成要素を示している。
、記号は、特に断っであるものの外は前出の各図に示し
たと同じ構成要素を示している。
埋込みへテロ型構造の半導体レーザーからの前方出射光
は、ディスク３の磁気異方性媒体層３１上に四元され、
反射光は同じ光路を戻って前記レーザーに帰還される。
は、ディスク３の磁気異方性媒体層３１上に四元され、
反射光は同じ光路を戻って前記レーザーに帰還される。
本実施例装置においては、２つのレンズ２１．２２の間
にファラデー偏光回転子（以下、単に「回転素子」とい
う。）９を挿入し、かつ、前記レーザ１の−、７垢血に
反射防止膜１２を飾、しである。前記回転゛に２子９と
しては、外部磁場強摩を変化さぜるもの、透明強磁性体
光回転角は素子の厚さで調整するもの等が用い得るが、
装置を小型軽鍛化でき、かつ低４１１失である等の点で
透明強磁性体を用いるのが望すし７い。
にファラデー偏光回転子（以下、単に「回転素子」とい
う。）９を挿入し、かつ、前記レーザ１の−、７垢血に
反射防止膜１２を飾、しである。前記回転゛に２子９と
しては、外部磁場強摩を変化さぜるもの、透明強磁性体
光回転角は素子の厚さで調整するもの等が用い得るが、
装置を小型軽鍛化でき、かつ低４１１失である等の点で
透明強磁性体を用いるのが望すし７い。
透明強磁性体には種々のものがあり、’ｌ’８１”ｅ
、（１１゜（ＹＩＧ） 、 Ｇｄ２ＢｊＦｅ５０． 等
がイｉ’ Ｍ＋に用い得る。
、（１１゜（ＹＩＧ） 、 Ｇｄ２ＢｊＦｅ５０． 等
がイｉ’ Ｍ＋に用い得る。
ここでは、半導体レーザ１の波長Ｏ８８μｍに対して、
板厚０．５ｆｆｉｆｆｌ （これは、後）？６する偏光
回転角θ２−５４°に対応する）、透過率０゜２２のＹ
ＩＧを用いている。また、反射防止Ｖｉ １２としてｃ
ｈｉ 、 （４１１λば５ｊＯ８をηＩＩ記半導体レー
しｌの波長の１／牛の厚さにスパッタリング法等により
１１市したものが用い得る。
板厚０．５ｆｆｉｆｆｌ （これは、後）？６する偏光
回転角θ２−５４°に対応する）、透過率０゜２２のＹ
ＩＧを用いている。また、反射防止Ｖｉ １２としてｃ
ｈｉ 、 （４１１λば５ｊＯ８をηＩＩ記半導体レー
しｌの波長の１／牛の厚さにスパッタリング法等により
１１市したものが用い得る。
レーザ後方出射光は検光子７によって特λピ方向の偏光
成分だけが取り出され、光検出器４に導かれる。前記回
転素子９は、そのイク厚にＪ：す、偏光回転角θアが半
導体レーザｌの発振偏光方向が、前記Ｔ ＥからＴＭに
変化する領域の中心にｙｙ定されている。これにより、
ディスク３に入射する光はＴＥ力方向らθ１だけ回転し
た方向に直線偏光しているが、ディスク３からの反射光
は磁気異方性Ｗ体Ｆｉ３１の磁化の向きに応じて、θア
±△θ（△θ〉０とする。）方向に直線偏光する。この
反射光が再び回転素子９を通ってレーザ１の端面に入射
するときにニｔ１偏光方向け２θ１±△θとなる。そし
て、前述の原用１に従って、２θ、ア＋△θの偏光がレ
ーザに戻ったときにはＴ Ｍ偏光発振が、また、２θ２
−△θの偏光がレーザに戻ったときにけＴ Ｅ偏光発振
が起るようにすると、前記磁ケ、異方性媒体灰；３１の
磁化による僅かな偏光面の回転へ〇が、半導体レーザ］
−の偏光面の９０°回転を惹き起すことにｒｒる。検光
子７の偏光透過面をレーザ素子の液合面に対して垂直方
向に設定してＴ Ｍ偏光のみを；１１１すＪ−うにして
おけば、光検出器には、前述の如く、１ｍＷ程度の信号
光が入射することにな・す、信号レベルは従来方式に比
べて、少なくとも２桁私＋＋ｇ向上する。
成分だけが取り出され、光検出器４に導かれる。前記回
転素子９は、そのイク厚にＪ：す、偏光回転角θアが半
導体レーザｌの発振偏光方向が、前記Ｔ ＥからＴＭに
変化する領域の中心にｙｙ定されている。これにより、
ディスク３に入射する光はＴＥ力方向らθ１だけ回転し
た方向に直線偏光しているが、ディスク３からの反射光
は磁気異方性Ｗ体Ｆｉ３１の磁化の向きに応じて、θア
±△θ（△θ〉０とする。）方向に直線偏光する。この
反射光が再び回転素子９を通ってレーザ１の端面に入射
するときにニｔ１偏光方向け２θ１±△θとなる。そし
て、前述の原用１に従って、２θ、ア＋△θの偏光がレ
ーザに戻ったときにはＴ Ｍ偏光発振が、また、２θ２
−△θの偏光がレーザに戻ったときにけＴ Ｅ偏光発振
が起るようにすると、前記磁ケ、異方性媒体灰；３１の
磁化による僅かな偏光面の回転へ〇が、半導体レーザ］
−の偏光面の９０°回転を惹き起すことにｒｒる。検光
子７の偏光透過面をレーザ素子の液合面に対して垂直方
向に設定してＴ Ｍ偏光のみを；１１１すＪ−うにして
おけば、光検出器には、前述の如く、１ｍＷ程度の信号
光が入射することにな・す、信号レベルは従来方式に比
べて、少なくとも２桁私＋＋ｇ向上する。
第７図は本発明の仙の実施例を示すものであり、本実Ｉ
仙１例装置においては、レー田′イル方出射光をハーフ
ミラ−１５２で２分割し、検光子’７１．７２を用いて
、一方の偏光透過面をレーサ麦子の杼′合ｉ＋’−ｉｉ
に対して平行方向に設定して１゛ト〕偏光を敗り出し、
使方なこれと垂直方向に設定してＴ Ｍ偏光を取り出し
て差動増幅する如く構成している。従って、本実施例装
置によれは、信号レベルを倍増すると同「、′ｆに、レ
ーザノイズ、ディスク表面ノイズ等のノイズをキャンセ
ルしてＳ／Ｎを更に向上させることが可能である。なお
、ハーフミラ−５２，検光子７１．７２を用いる代りに
、Ｔ Ｅ偏光六・透過しｉ’ Ｍ （ｉ、＜光を反射す
る偏光プリズノ・に１１’、’； ％ ％λでも良いこ
とは）１うまでもない。
仙１例装置においては、レー田′イル方出射光をハーフ
ミラ−１５２で２分割し、検光子’７１．７２を用いて
、一方の偏光透過面をレーサ麦子の杼′合ｉ＋’−ｉｉ
に対して平行方向に設定して１゛ト〕偏光を敗り出し、
使方なこれと垂直方向に設定してＴ Ｍ偏光を取り出し
て差動増幅する如く構成している。従って、本実施例装
置によれは、信号レベルを倍増すると同「、′ｆに、レ
ーザノイズ、ディスク表面ノイズ等のノイズをキャンセ
ルしてＳ／Ｎを更に向上させることが可能である。なお
、ハーフミラ−５２，検光子７１．７２を用いる代りに
、Ｔ Ｅ偏光六・透過しｉ’ Ｍ （ｉ、＜光を反射す
る偏光プリズノ・に１１’、’； ％ ％λでも良いこ
とは）１うまでもない。
上記実施例においては、回転素子９と１７てＹＩＧを用
い、１’Ｅ（ｉｆ、光からＴＭ偏光への遷移か前記偏光
子回転角θ、＝６７．５°でＪ４＋’、ろＪＪ：！＋合
に対し、回転素子９の偏光回転角θアが３４°になるよ
うに板厚を０．５ 關としたが、Ｇｄ＊ Ｂ ｉ Ｆ
ｅ 、 ００．を用いて１’ｉｉｌじ偏光回転角を得
るには、板厚は０．０４３闘となり、この場合の透過率
は０．０８となる。
い、１’Ｅ（ｉｆ、光からＴＭ偏光への遷移か前記偏光
子回転角θ、＝６７．５°でＪ４＋’、ろＪＪ：！＋合
に対し、回転素子９の偏光回転角θアが３４°になるよ
うに板厚を０．５ 關としたが、Ｇｄ＊ Ｂ ｉ Ｆ
ｅ 、 ００．を用いて１’ｉｉｌじ偏光回転角を得
るには、板厚は０．０４３闘となり、この場合の透過率
は０．０８となる。
なお、本発明は上記実７ｔｉ例に限定されるべきもので
はないことは言うまでもないことである。
はないことは言うまでもないことである。
発明の効果
以上述べた如く、本発明によれば、半導体レーザと、該
半導体ｌ・−ザからの出射光を磁ケ、異方性を有する記
憶媒体に照射する光学系と、ｎｔＪ記記憶媒体からの反
射光を検出する光検出器とから成る光学的↑〃報再再生
装置おいて、前記記憶媒体からの反射光が前記半導体レ
ーザに戻る光路中に回転素子をｄ（シけるとともに、前
記半導体レーザと光検出器との間に直線偏光子を設けた
ので、前記記憶媒体による（ｉ（’ｊ ｉｐな偏光面の
回転を、半導体レーザの偏光面の９００回転に増幅する
ことができ、光磁気ディスクから高いＳ／Ｎで情報を再
生可能な光学的情報再生装置を実現できるという顕著な
効果を賽するものである。
半導体ｌ・−ザからの出射光を磁ケ、異方性を有する記
憶媒体に照射する光学系と、ｎｔＪ記記憶媒体からの反
射光を検出する光検出器とから成る光学的↑〃報再再生
装置おいて、前記記憶媒体からの反射光が前記半導体レ
ーザに戻る光路中に回転素子をｄ（シけるとともに、前
記半導体レーザと光検出器との間に直線偏光子を設けた
ので、前記記憶媒体による（ｉ（’ｊ ｉｐな偏光面の
回転を、半導体レーザの偏光面の９００回転に増幅する
ことができ、光磁気ディスクから高いＳ／Ｎで情報を再
生可能な光学的情報再生装置を実現できるという顕著な
効果を賽するものである。
第１図、第２図は従来の光学的情報再生装置を示す図、
鉛３図２年４図φ）〜Ｃ）および鉛：５図は本発明の詳
細な説明するための図、坑６図、第７図は本発明の’ｉ
ｔ（７１ｉ例を示す図である。 １ニ一’ＩＩ※体レーザ、２１：カッブリングレンズ、
２２：′ｘ［物レンズ、３：ディスク、昌１：磁ブ異方
性媒体層、４，４１．４２：光検出器、７．７１゜７２
：検光子、９：回転車子。 特許出卸人 株式会社 Ｆ１立製作所 １代 理
人 弁用！十 磯 村 雅 俊： 第
１ 図 δ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 囚 （１３） （Ｃ） 第 ５ 図
鉛３図２年４図φ）〜Ｃ）および鉛：５図は本発明の詳
細な説明するための図、坑６図、第７図は本発明の’ｉ
ｔ（７１ｉ例を示す図である。 １ニ一’ＩＩ※体レーザ、２１：カッブリングレンズ、
２２：′ｘ［物レンズ、３：ディスク、昌１：磁ブ異方
性媒体層、４，４１．４２：光検出器、７．７１゜７２
：検光子、９：回転車子。 特許出卸人 株式会社 Ｆ１立製作所 １代 理
人 弁用！十 磯 村 雅 俊： 第
１ 図 δ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 囚 （１３） （Ｃ） 第 ５ 図
Claims (4)
- （１）半導体レーザと、該半導体レーザからの出射光を
磁気異方Ｐ］：を有する記憶媒体ｃＪ前照射る光学系と
、前記記憶媒体からの反射光を検出する光検出器とから
成る光学的情報再牛装■・Ｔにおいて、前記記憶媒体か
らの反射光が）゛ｉｉｆ記半導体レーザに戻る光路中に
ファラデー回転素子を設けるとともに、前記半導体レー
ザと光検出器との間に直線偏光子を設けたことを特徴と
する光学的情報再生装置。 - （２）前記ファラデー回転素子として透明強磁性体を用
いることを特徴とする特許Ｎ’ｌ’ｆ求の範囲第１項記
載の光学的情報再生装置。 - （３）前記半導体レーザとして、埋込みへテロ型構造の
半導体レーザを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項記載の光学的情・−；１１Ｆ生装置
。 - （４）前記半導体レーザの一方の端面に反射防止膜を施
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項。 第２珀、または第３項記載の光学的情報再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156142A JPS5945646A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光学的情報再生装置 |
| DE8383107206T DE3377035D1 (en) | 1982-09-07 | 1983-07-22 | Apparatus for magneto-optical information storage |
| EP83107206A EP0107754B1 (en) | 1982-09-07 | 1983-07-22 | Apparatus for magneto-optical information storage |
| CA000433279A CA1202719A (en) | 1982-09-07 | 1983-07-27 | Apparatus for optical information storage |
| US06/529,679 US4571650A (en) | 1982-09-07 | 1983-09-06 | Magneto-optic information storage system utilizing a self-coupled laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57156142A JPS5945646A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光学的情報再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945646A true JPS5945646A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15621237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156142A Pending JPS5945646A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光学的情報再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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- 1983-07-22 DE DE8383107206T patent/DE3377035D1/de not_active Expired
- 1983-07-27 CA CA000433279A patent/CA1202719A/en not_active Expired
- 1983-09-06 US US06/529,679 patent/US4571650A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| DE3377035D1 (en) | 1988-07-14 |
| EP0107754B1 (en) | 1988-06-08 |
| CA1202719A (en) | 1986-04-01 |
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| EP0107754A1 (en) | 1984-05-09 |
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