JPS5931521B2 - シアノエチルプルランおよびその製造方法 - Google Patents
シアノエチルプルランおよびその製造方法Info
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- JPS5931521B2 JPS5931521B2 JP54093557A JP9355779A JPS5931521B2 JP S5931521 B2 JPS5931521 B2 JP S5931521B2 JP 54093557 A JP54093557 A JP 54093557A JP 9355779 A JP9355779 A JP 9355779A JP S5931521 B2 JPS5931521 B2 JP S5931521B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08B—POLYSACCHARIDES; DERIVATIVES THEREOF
- C08B37/00—Preparation of polysaccharides not provided for in groups C08B1/00 - C08B35/00; Derivatives thereof
- C08B37/0006—Homoglycans, i.e. polysaccharides having a main chain consisting of one single sugar, e.g. colominic acid
- C08B37/0009—Homoglycans, i.e. polysaccharides having a main chain consisting of one single sugar, e.g. colominic acid alpha-D-Glucans, e.g. polydextrose, alternan, glycogen; (alpha-1,4)(alpha-1,6)-D-Glucans; (alpha-1,3)(alpha-1,4)-D-Glucans, e.g. isolichenan or nigeran; (alpha-1,4)-D-Glucans; (alpha-1,3)-D-Glucans, e.g. pseudonigeran; Derivatives thereof
- C08B37/0018—Pullulan, i.e. (alpha-1,4)(alpha-1,6)-D-glucan; Derivatives thereof
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なシアノエチルプルラン、およびその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
プルランはグルコースの3量体であるマルトトリオース
を単位として、この3量体とは異なつた結合であるα−
1,6結合により反復結合した高分子線状重合体であつ
て、これはプルラリヤ属の菌株を倍養することにより菌
体外粘質物として分離採取できるものである。
を単位として、この3量体とは異なつた結合であるα−
1,6結合により反復結合した高分子線状重合体であつ
て、これはプルラリヤ属の菌株を倍養することにより菌
体外粘質物として分離採取できるものである。
プルランは同じくグルコース単位から成るデンプン等と
は異なり、冷水および温水のいずれにも可溶であり、そ
の水溶液粘度は比較的低く、造膜性、透明性、吸湿性、
粘結性等にすぐれているという性質を有するが、本発明
者らはこのようなプルランとアクリロニトリルとを反応
させることにより、文献末記載の新規化合物であるシア
ノエチルプルランが得られることを見出し、本発明を完
成した。
は異なり、冷水および温水のいずれにも可溶であり、そ
の水溶液粘度は比較的低く、造膜性、透明性、吸湿性、
粘結性等にすぐれているという性質を有するが、本発明
者らはこのようなプルランとアクリロニトリルとを反応
させることにより、文献末記載の新規化合物であるシア
ノエチルプルランが得られることを見出し、本発明を完
成した。
この新規化合物であるシアノエチルプルランは、下記一
般式で示されるものである。
般式で示されるものである。
ただし、式中のXは水素原子(−H)またはシアノエチ
ル基(−CH2CH2CN)、nは20〜4000の整
数をそれぞれ示し、1分子あたりのXの水素原子とシア
ノエチル基との数の比はである。本発明のシアノエチル
プルランは、プルランとアクリロニトリルとを、アルカ
リ触媒の存在下に、反応させることにより容易に得るこ
とができる。
ル基(−CH2CH2CN)、nは20〜4000の整
数をそれぞれ示し、1分子あたりのXの水素原子とシア
ノエチル基との数の比はである。本発明のシアノエチル
プルランは、プルランとアクリロニトリルとを、アルカ
リ触媒の存在下に、反応させることにより容易に得るこ
とができる。
この場合に使用されるプルランはグルコースの3量体で
あるマルトトリオース単位のくり返し数(すなわち前記
式におけるnの値)が20から4000の範囲であるこ
とが必要であり、このくり返し数が20よりも小さいと
精製が困難となり、不純物が混入するし、また4000
よりも大きくなると目的とするシアノエチルプルランの
収率が大きく低下してしまうので望ましくない。アルカ
リ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが例示されるが、通
常は水酸化ナトリウムを使用することが望ましい。アク
リロニトリルの使用量は、得ようとするシアノエチルプ
ルランの置換度によつて異なるし、またγクリロニトリ
ルは溶媒を兼ねる場合もあるので、一概には言えないが
、プルランの無水グルコース単位あたり、3モル以上好
ましくは5モル以上とすることが望ましい。
あるマルトトリオース単位のくり返し数(すなわち前記
式におけるnの値)が20から4000の範囲であるこ
とが必要であり、このくり返し数が20よりも小さいと
精製が困難となり、不純物が混入するし、また4000
よりも大きくなると目的とするシアノエチルプルランの
収率が大きく低下してしまうので望ましくない。アルカ
リ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが例示されるが、通
常は水酸化ナトリウムを使用することが望ましい。アク
リロニトリルの使用量は、得ようとするシアノエチルプ
ルランの置換度によつて異なるし、またγクリロニトリ
ルは溶媒を兼ねる場合もあるので、一概には言えないが
、プルランの無水グルコース単位あたり、3モル以上好
ましくは5モル以上とすることが望ましい。
反応の具体的方法は、(1)プルランを2〜20%程度
の水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、ついでアクリロニ
トリル、およびアクリロニトリルと水に両溶性の有機溶
媒たとえばアセトン、ジオキサンなどを加え、室温付近
の温度で反応させる方法、あるいは(2)プルランをヘ
キサン、ベンゼンなどの溶媒とアクリロニトリルとの混
合物中に分散させ、ついでこれに水酸化ナトリウムの水
溶液を反応系中の水量がプルランに対し50重量?以下
、水酸化ナトリウム量がプルランに対し10重量?以下
となるように加え、温度40〜60℃で反応させる方法
により行われる。
の水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、ついでアクリロニ
トリル、およびアクリロニトリルと水に両溶性の有機溶
媒たとえばアセトン、ジオキサンなどを加え、室温付近
の温度で反応させる方法、あるいは(2)プルランをヘ
キサン、ベンゼンなどの溶媒とアクリロニトリルとの混
合物中に分散させ、ついでこれに水酸化ナトリウムの水
溶液を反応系中の水量がプルランに対し50重量?以下
、水酸化ナトリウム量がプルランに対し10重量?以下
となるように加え、温度40〜60℃で反応させる方法
により行われる。
反応終了後、酢酸等の適当な酸を用いて中和後、反応液
をかくはん下、大量の水中に注人することによりシアノ
エチルプルランを析出させる。
をかくはん下、大量の水中に注人することによりシアノ
エチルプルランを析出させる。
このシアノエチルプルランは水でくり返し洗浄すること
により精製されるが、アセトンに溶解させ再析出させる
方法によつてもよい。精製後、脱水乾燥し製品とする。
本発明のシアノエチルプルランは、(1)熱分解温度が
高く耐熱性にすぐれている。
により精製されるが、アセトンに溶解させ再析出させる
方法によつてもよい。精製後、脱水乾燥し製品とする。
本発明のシアノエチルプルランは、(1)熱分解温度が
高く耐熱性にすぐれている。
(2)アセトンを始め有機溶媒への溶解性が高く透明な
フイルムを得ることができる。(3)適度な町塑性とす
ぐれた接着性を有し金属ともよく接着する。(4)極性
基の導入により他のシアノエチル誘導体同様高誘電物質
である。という特徴を有し、このものはたとえばフイル
ム、シート、コーテイング膜、発泡体としての一般的用
途のほか、高誘電率を必要とする電気部品たとえばエレ
クトロルミネツセンスのバインダー、小型配電の蓄電器
への利用があげられる。つぎに、本発明の実晦例をあげ
る。ただし、以下の記載において単に部および%とある
のはそれぞれ重量部および重量%を示したものである。
実推例 1かくはん機付反応フラスコに、プルランPF
lO(林原研究所製商品名、マルトトリオース単位のく
り返し数200)1部および5%水酸化ナトリウム水溶
液10部を仕込み、プルランを溶解させたのち、これに
アクリロニトリル7.5部とアセトン7.5部の混合物
を加え、室温(15〜20℃)で24時間反応させた。
フイルムを得ることができる。(3)適度な町塑性とす
ぐれた接着性を有し金属ともよく接着する。(4)極性
基の導入により他のシアノエチル誘導体同様高誘電物質
である。という特徴を有し、このものはたとえばフイル
ム、シート、コーテイング膜、発泡体としての一般的用
途のほか、高誘電率を必要とする電気部品たとえばエレ
クトロルミネツセンスのバインダー、小型配電の蓄電器
への利用があげられる。つぎに、本発明の実晦例をあげ
る。ただし、以下の記載において単に部および%とある
のはそれぞれ重量部および重量%を示したものである。
実推例 1かくはん機付反応フラスコに、プルランPF
lO(林原研究所製商品名、マルトトリオース単位のく
り返し数200)1部および5%水酸化ナトリウム水溶
液10部を仕込み、プルランを溶解させたのち、これに
アクリロニトリル7.5部とアセトン7.5部の混合物
を加え、室温(15〜20℃)で24時間反応させた。
つぎにこの反応液に氷酢酸0.75部を加えて中和後、
このものを水中に強かくはんしながら注いで、シアノエ
チルプルランを析出させ、さらに純水でくり返し洗浄後
、アセトンに再溶解させ再び水中で析出させ、脱水、減
圧乾燥したところ、白色の精製シアノエチルプルラン(
n=200)が1.66部得られた。
このものを水中に強かくはんしながら注いで、シアノエ
チルプルランを析出させ、さらに純水でくり返し洗浄後
、アセトンに再溶解させ再び水中で析出させ、脱水、減
圧乾燥したところ、白色の精製シアノエチルプルラン(
n=200)が1.66部得られた。
このものはキエルダール法にて分析した窒素含量が12
。1%であつた(無水グルコース単位あたりの平均置換
度2。
。1%であつた(無水グルコース単位あたりの平均置換
度2。
59に相当、本発明で定義したシアノエチル基数に対す
る水素原子数の比は0.185である)。
る水素原子数の比は0.185である)。
前記プルランPF−10および合成したシアノエチルプ
ルランについて調べた赤外線吸収スペクトル分析の結果
は、第1図および第2図に示すとおりであつた。
ルランについて調べた赤外線吸収スペクトル分析の結果
は、第1図および第2図に示すとおりであつた。
実症例 2
かくはん機付反応フラスコに、プルランPF−10を1
部、n−ヘキサン7部、アクリロニトリル3部を仕込み
、かくはんしてプルランを分散させた後、これに10%
水酸化ナトリウム水溶液0.4部滴下し、内温を50℃
として5時間反応させた。
部、n−ヘキサン7部、アクリロニトリル3部を仕込み
、かくはんしてプルランを分散させた後、これに10%
水酸化ナトリウム水溶液0.4部滴下し、内温を50℃
として5時間反応させた。
つぎにこの反応分散系に氷酢酸0.06部を加えて中和
した後、反応液をろ過し、ケーキとして粗製シアノエチ
ルプルランを得た。このものを前例と同様にして精製、
脱水、乾燥したところ、白色のシアノエチルプルランが
1.69部得られた。
した後、反応液をろ過し、ケーキとして粗製シアノエチ
ルプルランを得た。このものを前例と同様にして精製、
脱水、乾燥したところ、白色のシアノエチルプルランが
1.69部得られた。
このものはキエルダール法にて分析した窒素含量が12
.4%であつた(無水グルコース単位あたりの平均置換
度2.71に相当、本発明で定義したシアノエチル基数
に対する水素原子数の比は0.107である)。
.4%であつた(無水グルコース単位あたりの平均置換
度2.71に相当、本発明で定義したシアノエチル基数
に対する水素原子数の比は0.107である)。
赤外線吸収スペクトル分析の結果はほぼ第2図と同様で
あつた。比較例 1 粉末状の重合度300の再生セルロース1部を、1.2
5%水酸化ナトリウム水溶液25部に室温で30分間浸
漬後、圧さくしてマーセル化セルロース2.5部を得た
。
あつた。比較例 1 粉末状の重合度300の再生セルロース1部を、1.2
5%水酸化ナトリウム水溶液25部に室温で30分間浸
漬後、圧さくしてマーセル化セルロース2.5部を得た
。
かくはん機付反応フラスコに、上記マーセル化セルロー
ス2.5部およびアクリロニトリル18部を仕込み、6
5゜Cで1時間反応させた。
ス2.5部およびアクリロニトリル18部を仕込み、6
5゜Cで1時間反応させた。
つぎにこの反応系に氷酢酸0.1部を加えて中和した後
、実施例1と同様にして精製、脱水、乾燥したところ、
白色のシアノエチルセルロース1.71部を得た。
、実施例1と同様にして精製、脱水、乾燥したところ、
白色のシアノエチルセルロース1.71部を得た。
このものはキエルダール法にて分析した窒素含量が12
.5%であり、赤外線吸収スペクトル分析の結果は第3
図に示すとおりであつた。
.5%であり、赤外線吸収スペクトル分析の結果は第3
図に示すとおりであつた。
比較例 2
かくはん機付反応フラスコに、ポバールC一25(信越
化学工業(株)製商品名)0.9部および熱水10部を
仕込んでポバールを溶解させ、冷却後これに10%水酸
化ナトリウム水溶液10部およびアクリロニトリル8.
5部とアセトン7.5部の混合物を加え、室温で24時
間反応させた。
化学工業(株)製商品名)0.9部および熱水10部を
仕込んでポバールを溶解させ、冷却後これに10%水酸
化ナトリウム水溶液10部およびアクリロニトリル8.
5部とアセトン7.5部の混合物を加え、室温で24時
間反応させた。
反応後を実帷例1と同様にして処理し、白色の精製シア
ノエチルポリビニルアルコール1.71部を得た。
ノエチルポリビニルアルコール1.71部を得た。
このものはキエルダール法にて分析した窒素含量が13
.9%であり、赤外線吸収スペクトル分析の結果は第4
図に示すとおりであつた。参考例実帷例1、比較例1お
よび比較例2で合成したそれぞれのシアノエチルプルラ
ン(CEPL)、シアノエチルセルロース(CEC)、
およびシアノエチルポリビニルアルコール(CEPVA
)について、熱分解温度、各種溶媒に対する溶解性およ
びフイルムとした場合の透明性、接着性および耐熱性を
調べたところ、結果は表に示すとおりであつた。
.9%であり、赤外線吸収スペクトル分析の結果は第4
図に示すとおりであつた。参考例実帷例1、比較例1お
よび比較例2で合成したそれぞれのシアノエチルプルラ
ン(CEPL)、シアノエチルセルロース(CEC)、
およびシアノエチルポリビニルアルコール(CEPVA
)について、熱分解温度、各種溶媒に対する溶解性およ
びフイルムとした場合の透明性、接着性および耐熱性を
調べたところ、結果は表に示すとおりであつた。
熱分解温度:熱天秤による重量減少開始温度。
溶 解 性:下記の判定基準で溶解性を調べた。溶解量
・・・・・・2g/100m1A・・・・・・完全に溶
解透明 B・・・・・・白濁溶解 C・・・・・・膨潤するのみ D・・・・・・全く不溶 フイルムの作成:ジメチルスルホキシドの溶液からキヤ
ステイング法(90スC)により作成(基板としてアル
ミニウ板使 用)。
・・・・・・2g/100m1A・・・・・・完全に溶
解透明 B・・・・・・白濁溶解 C・・・・・・膨潤するのみ D・・・・・・全く不溶 フイルムの作成:ジメチルスルホキシドの溶液からキヤ
ステイング法(90スC)により作成(基板としてアル
ミニウ板使 用)。
フイルムの接着性:フイルム作成時基板とその上に形成
されたフイルムとの接着性を調べた。
されたフイルムとの接着性を調べた。
フイルムの耐熱性:130℃の温度で3時間加熱した場
合の状態を調べた。
合の状態を調べた。
実施例 3
かくはん機付反応フラスコにプルランPF−10を1部
および10%水酸化ナトリウム水溶液を4部仕込みプル
ランを完全に溶解させる。
および10%水酸化ナトリウム水溶液を4部仕込みプル
ランを完全に溶解させる。
これにアクリロニトリル7.5部とアセトン2部の混合
物を加え室温(15〜2『C)にて24時間反応させた
。反応終了後、反応液に氷酢酸0.6部を加えて中和し
た。次いで、反応液を水中にかくはんしなが注いで生成
物を析出させ純水でくり返し洗浄後、アセトンに再溶解
させ再び水中で析出させ脱水乾燥したところ、白色の精
製シアノエチルプルラン(n−200)が1.74部得
られた。このものはキエルダール法にて分析した窒素含
有量が12.8%であつた(無水グルコース単位あたり
の平均置換度2.87に相当、本発明で定義したシアノ
エチル基に対する水素原子数の比は0.045である)
。実帷例 4かくはん機付反応フラスコにプルランPF
−20(林原研究所製商品名、マルトトリオース単位の
くり返し数400)1部および3%水酸化ナトリウム水
溶液10部を仕込みプルランを溶解しこれにアクリロニ
トリル2.5部アセトン2部の混合物を加え室温にて6
時間反応させた。
物を加え室温(15〜2『C)にて24時間反応させた
。反応終了後、反応液に氷酢酸0.6部を加えて中和し
た。次いで、反応液を水中にかくはんしなが注いで生成
物を析出させ純水でくり返し洗浄後、アセトンに再溶解
させ再び水中で析出させ脱水乾燥したところ、白色の精
製シアノエチルプルラン(n−200)が1.74部得
られた。このものはキエルダール法にて分析した窒素含
有量が12.8%であつた(無水グルコース単位あたり
の平均置換度2.87に相当、本発明で定義したシアノ
エチル基に対する水素原子数の比は0.045である)
。実帷例 4かくはん機付反応フラスコにプルランPF
−20(林原研究所製商品名、マルトトリオース単位の
くり返し数400)1部および3%水酸化ナトリウム水
溶液10部を仕込みプルランを溶解しこれにアクリロニ
トリル2.5部アセトン2部の混合物を加え室温にて6
時間反応させた。
反応液を酢酸にて中和後水中に注ぎ純水にて精製し、乾
燥したところ白色のシアノエチルプルラン(n=400
)が1.48部得られた。このもののキエルダール法に
よる窒素含量は、10.2%であつた(無水グルコース
単位あたりの平均置換度は1.92に相当、本発明で定
義したシアノエチル基に対する水素原子数の比は0.5
63である)。
燥したところ白色のシアノエチルプルラン(n=400
)が1.48部得られた。このもののキエルダール法に
よる窒素含量は、10.2%であつた(無水グルコース
単位あたりの平均置換度は1.92に相当、本発明で定
義したシアノエチル基に対する水素原子数の比は0.5
63である)。
第1図〜第4図は赤外線吸収スペクトル分析の結果を示
したものである。 第1図・・・・・・プルランPF−10
したものである。 第1図・・・・・・プルランPF−10
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式で示されるシアノエチルプルラン。 ただし、式中のXは水素原子(−H)またはシアノエチ
ル基(−CH_2CH_2CN)、nは20〜4000
の整数をそれぞれ示し、1分子あたりのXの水素原子と
シアノエチル基との数の比は0≦(水素原子/シアノエ
チル基)≦0.1である。▲数式、化学式、表等があり
ます▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 2 プルランとアクリロニトリルとをアルカリ触媒の存
在下に反応させることを特徴とする下記一般式で示され
るシアノエチルプルランの製造方法。 ただし、式中のXは水素原子(−H)またはシアノエチ
ル基(−CH_2CH_2CN)、nは20〜4000
の整数をそれぞれ示し、1分子あたりのXの水素原子と
シアノエチル基との数の比は0≦(水素原子/シアノエ
チル基)≦1.0である。▲数式、化学式、表等があり
ます▼
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54093557A JPS5931521B2 (ja) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | シアノエチルプルランおよびその製造方法 |
US06/168,269 US4322524A (en) | 1979-07-23 | 1980-07-10 | Cyanoethylpullulan |
GB8023796A GB2054625B (en) | 1979-07-23 | 1980-07-21 | Pulluln derivative and method for the preparation thereof |
DE19803027542 DE3027542A1 (de) | 1979-07-23 | 1980-07-21 | Cyanoethylpullulan und verfahren zu seiner herstellung |
FR8016201A FR2461718A1 (fr) | 1979-07-23 | 1980-07-23 | Cyanoethylpullulan et procede pour sa preparation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54093557A JPS5931521B2 (ja) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | シアノエチルプルランおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5618601A JPS5618601A (en) | 1981-02-21 |
JPS5931521B2 true JPS5931521B2 (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=14085545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54093557A Expired JPS5931521B2 (ja) | 1979-07-23 | 1979-07-23 | シアノエチルプルランおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4322524A (ja) |
JP (1) | JPS5931521B2 (ja) |
DE (1) | DE3027542A1 (ja) |
FR (1) | FR2461718A1 (ja) |
GB (1) | GB2054625B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1648040A2 (en) | 2004-08-31 | 2006-04-19 | Osaka University | Thin-layer chemical transistors and their manufacture |
US7256436B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-film field-effect transistors and making method |
US8088642B2 (en) | 2003-08-28 | 2012-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-filmed field effect transistor and making method |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438262A (en) * | 1981-10-06 | 1984-03-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Highly dielectric polysaccharides |
JPS5996104A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 極低重合度シアノエチルプルランの製造方法 |
JPS61148779A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | 信越ポリマ−株式会社 | 圧接挾持型コネクタ− |
US5352951A (en) * | 1991-06-03 | 1994-10-04 | Bkl, Inc. | Electroluminescent device |
US7279777B2 (en) * | 2003-05-08 | 2007-10-09 | 3M Innovative Properties Company | Organic polymers, laminates, and capacitors |
US7098525B2 (en) * | 2003-05-08 | 2006-08-29 | 3M Innovative Properties Company | Organic polymers, electronic devices, and methods |
KR100973811B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
US7510810B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-03-31 | Xerox Corporation | Cyanoresin polymers and electrophotographic imaging members containing cyanoresin polymers |
EP1972017B8 (en) * | 2005-12-06 | 2016-03-30 | Lg Chem, Ltd. | Organic/ inorganic composite separator having morphology gradient, manufacturing method thereof and electrochemical device containing the same |
US8729185B2 (en) * | 2011-04-05 | 2014-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing 2-cyanoethyl group-containing organic compound |
US8771880B2 (en) * | 2011-04-05 | 2014-07-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binder for separator of non-aqueous electrolyte battery comprising 2-cyanoethyl group-containing polymer and separator and battery using the same |
US8916283B2 (en) | 2011-04-05 | 2014-12-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binder for separator of non-aqueous electrolyte battery comprising 2-cyanoethyl group-containing polymer and separator and battery using the same |
EP2903046A1 (en) | 2014-01-30 | 2015-08-05 | National Research Council Of Canada | CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric |
WO2020022681A1 (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 주식회사 엘지화학 | 2-시아노에틸기 함유 중합체의 제조 방법 |
KR102447937B1 (ko) | 2018-07-23 | 2022-09-27 | 주식회사 엘지화학 | 2-시아노에틸기 함유 중합체의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2972609A (en) * | 1957-12-20 | 1961-02-21 | Westinghouse Electric Corp | Purification of cyanoethylcellulose resin |
US3068220A (en) * | 1959-04-13 | 1962-12-11 | Eastman Kodak Co | Water insoluble cyanoethyl sucrose ethers |
US3282922A (en) * | 1963-10-28 | 1966-11-01 | Eastman Kodak Co | Cyanoethylsucrose acylates |
JPS5943481B2 (ja) * | 1976-11-08 | 1984-10-22 | 住友化学工業株式会社 | プルランアミノアルキルエ−テル |
JPS5844084B2 (ja) * | 1977-04-01 | 1983-09-30 | 住友化学工業株式会社 | イオン性プルランゲルの製造法 |
-
1979
- 1979-07-23 JP JP54093557A patent/JPS5931521B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-07-10 US US06/168,269 patent/US4322524A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-07-21 DE DE19803027542 patent/DE3027542A1/de active Granted
- 1980-07-21 GB GB8023796A patent/GB2054625B/en not_active Expired
- 1980-07-23 FR FR8016201A patent/FR2461718A1/fr active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8088642B2 (en) | 2003-08-28 | 2012-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-filmed field effect transistor and making method |
US7256436B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thin-film field-effect transistors and making method |
EP1648040A2 (en) | 2004-08-31 | 2006-04-19 | Osaka University | Thin-layer chemical transistors and their manufacture |
US7557392B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-07-07 | Osaka University | Field effect transistor and making method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3027542A1 (de) | 1981-02-12 |
GB2054625B (en) | 1983-03-23 |
US4322524A (en) | 1982-03-30 |
FR2461718B1 (ja) | 1984-03-16 |
FR2461718A1 (fr) | 1981-02-06 |
GB2054625A (en) | 1981-02-18 |
DE3027542C2 (ja) | 1989-02-23 |
JPS5618601A (en) | 1981-02-21 |
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