JPS5927725B2 - ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法Info
- Publication number
- JPS5927725B2 JPS5927725B2 JP18289880A JP18289880A JPS5927725B2 JP S5927725 B2 JPS5927725 B2 JP S5927725B2 JP 18289880 A JP18289880 A JP 18289880A JP 18289880 A JP18289880 A JP 18289880A JP S5927725 B2 JPS5927725 B2 JP S5927725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- znse
- substrate
- polycrystalline bulk
- manufacturing
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0005—Separation of the coating from the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相堆積法によりＺｎＳｅ多結晶バルクを製
造する方法に関するものである。
造する方法に関するものである。
ＣＶＤ法（気相堆積法）による多結晶バルク材の育生は
高純度でしかも高品質な材料を得ることができる等種々
の利点を有している。
高純度でしかも高品質な材料を得ることができる等種々
の利点を有している。
ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造においては亜鉛蒸気とセレ
ン化水素ガスを用いてＣＶＤ法によりＺｎＳｅ化合物を
合成することが、従来から行なわれている。しかし従来
のＣＶＤ法によるバルク材料の製造方法は、黒鉛基板な
どの基板上に直接堆積物を成長させるものであつたので
、ＺｎＳｅ多結晶が黒鉛基板のマイクロボアーの内部ま
で入りこみ、堆積してしまうため、ＺｎＳｅ多結晶と黒
鉛基板との密着性が増し、冷却の際、ＺｎＳｅ多結晶と
黒鉛基板の熱膨張係数の差による割れがＺｎＳｅ多結晶
バルク本体に発生する原因となる。
ン化水素ガスを用いてＣＶＤ法によりＺｎＳｅ化合物を
合成することが、従来から行なわれている。しかし従来
のＣＶＤ法によるバルク材料の製造方法は、黒鉛基板な
どの基板上に直接堆積物を成長させるものであつたので
、ＺｎＳｅ多結晶が黒鉛基板のマイクロボアーの内部ま
で入りこみ、堆積してしまうため、ＺｎＳｅ多結晶と黒
鉛基板との密着性が増し、冷却の際、ＺｎＳｅ多結晶と
黒鉛基板の熱膨張係数の差による割れがＺｎＳｅ多結晶
バルク本体に発生する原因となる。
また、ＺｎＳｅ多結晶バルクを基板から採取する際、剥
離が非常に困難となつている。本発明は、このような欠
点を改善しようとするものであり、その目的は、ＺｎＳ
ｅ多結晶バルクのクラックを防止し、かつ黒鉛基板から
の剥離を容易にするところにある。
離が非常に困難となつている。本発明は、このような欠
点を改善しようとするものであり、その目的は、ＺｎＳ
ｅ多結晶バルクのクラックを防止し、かつ黒鉛基板から
の剥離を容易にするところにある。
このような目的に対する一つの手段としては、本件の出
願人が既に出願したところの黒鉛基板上に例えばパイロ
ライテイツク グラファイト（ＰｙｒｏｌｉｔｉｃＧｒ
ａｐｈｉｔｅ）加工の如きバッファ層を施した基板を用
いることである。しかしこのような手段において、バッ
ファ層を設ける加工は、高価であり、大量生産に適して
いるとはいえない。さらに黒鉛以外の基板材料としては
各種材料が考えられるが、バッファ層まで含めて考える
と、いずれも高価であり、経済的ではない。本発明の他
の目的の一つは上記のような経済上の問題を克服する手
段を提供するところにある。以下本発明について説明す
る。
願人が既に出願したところの黒鉛基板上に例えばパイロ
ライテイツク グラファイト（ＰｙｒｏｌｉｔｉｃＧｒ
ａｐｈｉｔｅ）加工の如きバッファ層を施した基板を用
いることである。しかしこのような手段において、バッ
ファ層を設ける加工は、高価であり、大量生産に適して
いるとはいえない。さらに黒鉛以外の基板材料としては
各種材料が考えられるが、バッファ層まで含めて考える
と、いずれも高価であり、経済的ではない。本発明の他
の目的の一つは上記のような経済上の問題を克服する手
段を提供するところにある。以下本発明について説明す
る。
第１図は本発明を説明するための概略図であり、１は反
応室、２は加熱炉、３は原料ガス、４は排気管、５はコ
ールドトラツブ、６はＺｎＳｅ堆積物、７は基板であつ
て、基板７は黒鉛基板７ａと本発明の特徴である微細な
ＺｎＳｅの粉末層７ｂから成つている。
応室、２は加熱炉、３は原料ガス、４は排気管、５はコ
ールドトラツブ、６はＺｎＳｅ堆積物、７は基板であつ
て、基板７は黒鉛基板７ａと本発明の特徴である微細な
ＺｎＳｅの粉末層７ｂから成つている。
一般的に云えば、本発明方法の従来方法と異なる点は、
基板７として、例えば黒鉛基板７ａ上に堆積物６と相互
反応性を有しなく且つ剥離性の良好な材料から成る微細
な粉末層７ｂを例えば５〜１００μｍ程度の如き適当な
厚さに設けた基板を用いたところにある。第２図は微細
な粉末層が黒鉛基板上に積層されている状況を説明する
図であり、２１は黒鉛基板、２２はＺｎＳｅ粉末、２３
はムＳｅ多結晶バルク、２４はマイクロボア一である。
基板７として、例えば黒鉛基板７ａ上に堆積物６と相互
反応性を有しなく且つ剥離性の良好な材料から成る微細
な粉末層７ｂを例えば５〜１００μｍ程度の如き適当な
厚さに設けた基板を用いたところにある。第２図は微細
な粉末層が黒鉛基板上に積層されている状況を説明する
図であり、２１は黒鉛基板、２２はＺｎＳｅ粉末、２３
はムＳｅ多結晶バルク、２４はマイクロボア一である。
黒鉛基板２１に存在するマイクロボア一２４の上にＺｎ
Ｓｅ粉末のバツフア層２２を形成することにより、マイ
クロボア一と堆積するＺｎＳｅ多結晶バルク２３の直接
接触を防げ、マイクロボア一内部にＺｎＳｅ多結晶が入
り込むのを防止する。このことにより、ＺｎＳｅ多結晶
バルクと黒鉛基板の剥離性を良好なものとして、割れの
ないＺｎＳｅ多結晶バルクの製造が可能となる。以下本
発明の一実施例について述べる。
Ｓｅ粉末のバツフア層２２を形成することにより、マイ
クロボア一と堆積するＺｎＳｅ多結晶バルク２３の直接
接触を防げ、マイクロボア一内部にＺｎＳｅ多結晶が入
り込むのを防止する。このことにより、ＺｎＳｅ多結晶
バルクと黒鉛基板の剥離性を良好なものとして、割れの
ないＺｎＳｅ多結晶バルクの製造が可能となる。以下本
発明の一実施例について述べる。
第１図において原料ガス３として、セレン化水素ガスの
流量を０．５５Ｎｔ／Ｉｌｉｎｌ亜鉛蒸気キヤリア用ア
ルゴン流量を０．５０Ｎ１！．／―とし、基板部７ａの
温度を８２０℃とし、圧力を５０Ｔ０ｒｒとして３時間
程ＺｎＳｅの合成を行なつた所、４０ｍｍ×３０韮の角
状断面積で長さ５００ｍ７１ｔの黒鉛基板上全面に微細
なＨＳｅ粉末７ｂが得られ、基板上にバツフア層が得ら
れた。
流量を０．５５Ｎｔ／Ｉｌｉｎｌ亜鉛蒸気キヤリア用ア
ルゴン流量を０．５０Ｎ１！．／―とし、基板部７ａの
温度を８２０℃とし、圧力を５０Ｔ０ｒｒとして３時間
程ＺｎＳｅの合成を行なつた所、４０ｍｍ×３０韮の角
状断面積で長さ５００ｍ７１ｔの黒鉛基板上全面に微細
なＨＳｅ粉末７ｂが得られ、基板上にバツフア層が得ら
れた。
ひきつづ告、その基板上にセレン化水素の流量を０．２
Ｎｔ／Ｍｉｎ、亜鉛蒸気キヤリア用アルゴノ流量を０．
１１Ｎｔ／Ｍｉ！ｔとし、基板部の温度を８２０℃圧力
を５０Ｔ０ｒｒとして、５６時間程合成した結果、基板
上７にＺｎＳｅ多結晶バルク６が得られ、また、黒鉛基
板７からの剥離性も良好であつた。以上述べた如く、本
発明によれば、次の利点がある。
Ｎｔ／Ｍｉｎ、亜鉛蒸気キヤリア用アルゴノ流量を０．
１１Ｎｔ／Ｍｉ！ｔとし、基板部の温度を８２０℃圧力
を５０Ｔ０ｒｒとして、５６時間程合成した結果、基板
上７にＺｎＳｅ多結晶バルク６が得られ、また、黒鉛基
板７からの剥離性も良好であつた。以上述べた如く、本
発明によれば、次の利点がある。
１黒鉛基板上にまず微細なＺｎＳｅの粉末を積層し、バ
ツフア層を作製し、その上にＺｎＳｅ多結晶のバルクを
製造すると、クラツクのないＺｎＳｅ多結晶バルクが得
られ、かつ基板からの剥離性も良好となる。
ツフア層を作製し、その上にＺｎＳｅ多結晶のバルクを
製造すると、クラツクのないＺｎＳｅ多結晶バルクが得
られ、かつ基板からの剥離性も良好となる。
２安価なグラフアイト基板の使用が可能となる。
３ＺｎＳｅ粉末のバツフア層を作成することにより、基
板材との直接接触を防止できるので基板材からの不純物
拡散が防止できる。
板材との直接接触を防止できるので基板材からの不純物
拡散が防止できる。
第１図は本発明を説明するための概念図であり、第２図
は、黒鉛基板上に微細なＺｎＳｅ粉末を積層し、ＺｎＳ
ｅ多結晶バルクを製造する場合の断面略図である。 第１図において、１は反応室、２は加熱炉、３は原料ガ
ス、４は排気管、５はコールドトラツプ、６はＺｎＳｅ
堆積物、７は基板、７ａは黒鉛基板、７ｂは微細ＺｎＳ
ｅ粉末のバツフア層、８はＺｎＳｅ多結晶バルクである
。 第２図において、２１は黒鉛基板、２２はＺｎＳｅ粉末
、２３はＺｎＳｅ多結晶バルク、２４はマイクロボア一
である。
は、黒鉛基板上に微細なＺｎＳｅ粉末を積層し、ＺｎＳ
ｅ多結晶バルクを製造する場合の断面略図である。 第１図において、１は反応室、２は加熱炉、３は原料ガ
ス、４は排気管、５はコールドトラツプ、６はＺｎＳｅ
堆積物、７は基板、７ａは黒鉛基板、７ｂは微細ＺｎＳ
ｅ粉末のバツフア層、８はＺｎＳｅ多結晶バルクである
。 第２図において、２１は黒鉛基板、２２はＺｎＳｅ粉末
、２３はＺｎＳｅ多結晶バルク、２４はマイクロボア一
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 堆積物と相互反応性を有しなく且つ剥離性の良好な
材料からなるバッファ層を表面に有する基板を用い、こ
の基板の前記バッファ層上に亜鉛蒸気とセレン化水素を
用いて、ＣＶＤ法（気相堆積法）によりＺｎＳｅ化合物
半導体を製造する方法において、基板上にまず微細なＺ
ｎＳｅの粉末を該バッファ層として積層し、その上にＺ
ｎＳｅの多結晶を成長させることを特徴とするＺｎＳｅ
多結晶バルクの製造方法。 ２ 前記微細なＺｎＳｅの粉末の積層の厚みが５〜１０
０μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18289880A JPS5927725B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18289880A JPS5927725B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111211A JPS57111211A (en) | 1982-07-10 |
| JPS5927725B2 true JPS5927725B2 (ja) | 1984-07-07 |
Family
ID=16126307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18289880A Expired JPS5927725B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927725B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984035A (en) * | 1984-11-26 | 1991-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Monolithic light emitting diode array |
| JPS6272505A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 |
| JP5444397B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
-
1980
- 1980-12-25 JP JP18289880A patent/JPS5927725B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111211A (en) | 1982-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3845738A (en) | Vapor deposition apparatus with pyrolytic graphite heat shield | |
| US3963538A (en) | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaP/Si | |
| US3963539A (en) | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaAsP/Si LED's | |
| US6113985A (en) | Process for the manufacture of group III nitride targets for use in sputtering and similar equipment | |
| JPS6346039B2 (ja) | ||
| US4913652A (en) | Pyrolytic boron nitride crucible and method for producing the same | |
| JPS5838399B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPS5927725B2 (ja) | ＺｎＳｅ多結晶バルクの製造方法 | |
| WO2021117498A1 (ja) | 炭化タンタル被覆グラファイト部材及びその製造方法 | |
| JP2000073171A (ja) | 化学蒸着法多層ＳｉＣ膜の製造方法 | |
| JPH0688866B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
| CA2041427C (en) | Boron nitride boat and process for producing it | |
| US6924509B2 (en) | Monoatomic and moncrystalline layer of large size, in diamond type carbon, and method for the manufacture of this layer | |
| US5182149A (en) | Boron nitride boat and process for producing it | |
| JPS5840820A (ja) | シリコン単結晶膜形成法 | |
| JPH0686352B2 (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
| JP2001085717A (ja) | 炭素薄板基板および薄膜半導体結晶太陽電池 | |
| EP0310343B1 (en) | Silicon nitride sintered members | |
| JPH0456766B2 (ja) | ||
| JP2837049B2 (ja) | 複層セラミックスるつぼの製造方法 | |
| JPH0784357B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
| JPS6040888B2 (ja) | 気相堆積法によるバルク材料の製造方法 | |
| JPS5838400B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JP2000272990A (ja) | 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボ | |
| JPH0229629B2 (ja) |