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JPS59221016A - トランジスタ増幅器 - Google Patents

トランジスタ増幅器

Info

Publication number
JPS59221016A
JPS59221016A JP58095561A JP9556183A JPS59221016A JP S59221016 A JPS59221016 A JP S59221016A JP 58095561 A JP58095561 A JP 58095561A JP 9556183 A JP9556183 A JP 9556183A JP S59221016 A JPS59221016 A JP S59221016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
isolator
admittance
terminal
transistor
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58095561A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhisa Akinaga
和寿 秋永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58095561A priority Critical patent/JPS59221016A/ja
Priority to CA000455334A priority patent/CA1215438A/en
Priority to EP84106130A priority patent/EP0127873A1/en
Publication of JPS59221016A publication Critical patent/JPS59221016A/ja
Priority to US06/831,087 priority patent/US4724399A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38Circulators
    • H01P1/383Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • H01P1/387Strip line circulators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/608Reflection amplifiers, i.e. amplifiers using a one-port amplifying element and a multiport coupler

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、衛星通信等に用いられる低雑音特性を要求
されるトランジスタ増幅器の改良に関するものである。
衛星通信等において、受信装置に使用される増幅器とし
ては、衛星よシ地上に到達する電波が極めて微弱である
為、増幅器自体で発生する雑音を出来る限シ下げること
のできる低雑音増幅器が必要とされる。その効果的な方
法は、増幅器の入力回路の損失を下げることであること
が一般に良く知られている。
ところで、この種の用途に供されるトランジスタ増幅器
の入力回路に於いては、トランジスタの入力ポート(例
えばゲート)側にインピーダンス整合を改善すべくアイ
ソレータを挿入し、このアイソレータの出力ポートと上
記トランジスタの入力ポートとの間に適当なインピーダ
ンス関係をもたせた場合、この増幅器のノイズフィギー
ア(No1se Figure ) Fld +n F = Fo −1−−((Gs−Gon)2+(II
s−Bon)勺s によって表わされる。なお、この式において。
Foは最適の場合のノイズフィギーア、 Rnはノイズ
抵抗+Gonはノイズフィギーアが最適の場合のアイソ
レータ側のコンダクタンス、 Bonはノイズフィギュ
アが最適の場合のアイソレータ側のす七ノタンス、 G
sはアイソレータ側のコンダクタンス(ソース・コンダ
クタンスと呼ぶ)、そしてBSはアイソレータ側のサセ
プタンス(ソース・サセプタンスと呼ぶ)である。この
式から明らかなように。
Gs  = Gon Bs:=:Bon とすれば、得られるノイズフィギュアFは最適値Foに
なる。すなわち、トランジスタ増幅器の等価回路を第1
図のように示した場合、ソース・アドミッタンスYs 
(= Gs+ Bs )をYon(=Gon−1−Bo
n )に一致させることによってノイズフィギュアの最
適化を計ることができる。この図において、1は電界効
果トランジスタ、Eは入力電源、−1f−s+−は負荷
アドミッタンスである。
しかし乍ら、従来技術におけるトランジスタ増幅器は、
第2図のプロ、り図に見られるように。
電界効果トランジスタ1の入力端とアイソレータ2の出
力端との間には、インダクタンス3と整合回路4とが接
続され、これによってアイソレータとの間の整合がとら
れているために、整合回路の損失によって生ずる雑音特
性の劣化を避けることができないという欠点があった。
この発明の目的は、従来の欠点を除去し、アイソレータ
に直接、若しくはリアクタンスを介してトランシスタラ
接続し、かつアイソレータの入力端子、出力端子および
ダミ一端子相互間にアドミッタンスを接続することによ
って、ソース・アドミッタンスをノイズ最適なアドミッ
タンスに一致させることのできる低雑音用トランジスタ
増幅器を提供することにある。
この発明によれば5入力端子と出力端子とダミ一端子と
を有するアイソレータと、該アイソレータの出力端子に
直接、若しくはリアクタンスを介して接続されたトラン
ジスタとから成り、かつ前記アイソレータの入力端子と
出力端子との間、出力端子とダミ一端子との間およびダ
ミ一端子と入力端子との間のうちの少なくとも一個所に
71・゛ミツタンスを接続したことを特徴とするトラン
ジスタ増幅器が得られる。
次に1本発明によるトランジスタ増幅器の実施例につい
て図面を参照して説明する。
第3図は本発明による実施例の構成を平面図により示し
たものである。この図において、11は電界効果トラン
ジスタ、12はアイソレータ。
13はインダクタンス、14はダミー715〜17はア
ドミッタンス素子、18は出力整合回路である。アイソ
レータ12は一般に知られている。
例えば3端子ストリツグライン・ザーキュレータで構成
されており、12−1はストリップラインで形成された
入力端子、 1.2−2は同様に形成されたダミー接続
端子、そして12−3はストリップラインで引出すこと
なく、直接、負可側に接続される出力端をそれぞれ示し
ている。なお、このアイツレ〜り12には2図に示され
ていないが。
中央部に導体を挿んでフェライトが配置されており、−
!たストリップラインに対応する基板もあるものと理解
されたい。このように形成されたアイソレータ12の出
力端12−3には、インダクタンス13を介してトラン
ジスタ11が接続され。
また、入力端子12−1とダミー接続端子12−2との
間のフェライト端面のスリ、シライン12〜4にはアド
ミッタンス素子15.入力端子12−1と出力端12−
3との間のフェライト端面の7トリツプライン12−5
にはアドミッタンス素子]6゜出力端12−3とダミー
接続端子12−2との間のフェライト端面のストリッツ
0ライン12−6にはアドミッタンス素子17がそれぞ
れ接続されている。更に、ダミー接続端子12−2には
ダミー14が接続され、またトランジスタIJの出力側
には出力整合回路18が接続されている。
このように構成された実施例によれば、アイソレータ1
2の入力端子12−1に力えられた入力信号は出力端1
2−3からインダクタンス13を介してトランジスタ1
1に加えられる。その際に。
トランジスタ11の入力側で発生した反射波は再びアイ
ソレータ12に入シ、ダミー接続端子12−2を経てダ
ミー14で消費される。トランジスタ11で増幅された
信号は出力整合回路18を介して負荷に供給される。こ
の場合、上記アドミッタンス素子15.16および17
のそれぞれのアドミツタンス値jB、 、 jB2およ
びjB3のうち。
少なくとも1つの値を可変調節することによって。
トランジスタ11の入力回路を雑音に対し最適な状態、
すなわちノイズ最適なソース・アドミッタンスに設定す
ることができる。
第4図は、第3図の実施例によシ得られるアイソレータ
12の出力端ソース・アドミッタンスYsの周波数3.
7〜4.2 GHzに対するローカスをチアドミツタン
ス素子15〜17のそれぞれのアドミツタンス値jB1
. jB2およびJB3のうち、1つ乃至3つを調節す
ることによって実線のローカスを挿んで両側の破線で示
す範囲にソース・アドミッタンスYsのローカスを選ぶ
ことができる。なお。
この実施例との比較のため、第2図の従来例によって得
られる特性を示すと、第5図のチャートのように々る。
このチャートにおいて、ローカス(イ)はアイソレータ
2の出力端C点におけるアドミッタンス、ローカス(ロ
)はトランジスタ1の入力端B点におけるアドミッタン
スYon +そしてローカス(ハ)はインダクタンス3
の入力端A点におけるアドミッタンスYonのそれぞれ
周波数3.7〜4.2 GHzにおける値を示している
。この特性によシ明らかなように、従来技術においては
、第1図に見られるノイズ最適時のソース・アドミッタ
ンスYsを従来型アイソレータ2の出力端(フェライト
端面のストリップライン)におけるアドミッタンスに一
致させるだめに、整合回路4の用いられたことが判るで
あろう。
第6図のグラフは、第3図の実施例により得られる雑音
特性を従来例との比較によシ示したものである。図にお
いて1曲線(イ)は実施例の特性を。
(ロ)は第2図の従来例の特性を見せている。両者の比
較から判るように、実施例は1周波数範囲37〜4.2
 GHzにおいて雑音温度で約20係の改善が得られる
なお、上記の実施例においては、トランジスタ11をイ
ンダクタンス13を介してアイソレータ12の出力端1
2−3に接続したが、これに限定されることなく2トラ
ンジスタ11の入力端を直接アイソレ−りの出力端12
−3に接続してもよいことは言う丑でもない。まだ、ア
イソレータ12には、アドミッタンス素子15〜17が
3個所にそれぞれ接続されているが、1個所、あるいは
2個所にのみ使用しても十分に効果をあげることができ
る。
以上の説明によシ明らかなように1本発明によれば、ア
イソレータに直接、若しくはリアクタンスを介してトラ
ンジスタを接続し、かつアイソレータの入力端子、出力
端子およびダミ一端子相互間のストリップラインにアド
ミッタンスを接続スることに」=って、ソース・アドミ
ッタンスをノイズ最適なアドミッタンスに一致させるこ
とができ。
これにより、従来技術におけるトランジスタ入力回路に
挿入されていた整合回路の使用を排除し。
極めて良好な低雑音特性を得ることが可能となシ。
衛星通信用受信装置に適用してシステムの信頼性を向上
すべく得られる効果は太きい。
【図面の簡単な説明】
第1図はノイズフィギーアを最適値に設定する条件を説
明するだめのトランジスタ増幅器の等価回路、第2図は
従来のトランジスタ増幅器の構成例を示すブロック図、
第3図は本発明による実施例の構成を示すブロック図、
第4図は、第3図の実施例によシ得られるアイソレータ
の出力端におけるソース・アドミッタンス・ローカスを
示すチャー1・、第5図は、第2図の従来例により得ら
れる各点のアドミッタンス・ローカスヲ示スチャート、
第6図は、第3図の実施例により得られる雑音特性を従
来例との比較により示すグラフである。 図において、11は電界効果!・ランジスタ。 12はアイソレータ、13はインダクタンス。 14はダミー、15〜17はアドミッタンス素子。 18は出力整合回路、12−1は入力端子。 トリップラインである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入力端子と出力端子とダミ一端子とを有するアイソ
    レータ七、該アイソレータの出力端子に直接、若しくは
    りアクタンスを介して接続されたトランジスタとから成
    シ、かつ前記アイソレータの入力端子と出力端子との間
    、出力端子とダミ一端子との間およびダミ一端子と入力
    端子との間のうちの少なくとも一個所にアドミッタンス
    を接続したことを特徴とするトランジスタ増幅器。
JP58095561A 1983-05-30 1983-05-30 トランジスタ増幅器 Pending JPS59221016A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095561A JPS59221016A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 トランジスタ増幅器
CA000455334A CA1215438A (en) 1983-05-30 1984-05-29 Circuit arrangement comprising an isolator integral with an admittance element
EP84106130A EP0127873A1 (en) 1983-05-30 1984-05-29 Circuit arrangement comprising an isolator integral with an admittance element
US06/831,087 US4724399A (en) 1983-05-30 1986-02-20 Circuit arrangement comprising an isolator integral with an admittance element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095561A JPS59221016A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 トランジスタ増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59221016A true JPS59221016A (ja) 1984-12-12

Family

ID=14140997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58095561A Pending JPS59221016A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 トランジスタ増幅器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4724399A (ja)
EP (1) EP0127873A1 (ja)
JP (1) JPS59221016A (ja)
CA (1) CA1215438A (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
CA1215438A (en) 1986-12-16
EP0127873A1 (en) 1984-12-12
US4724399A (en) 1988-02-09

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