JPS59202731A - 光電スイツチ - Google Patents
光電スイツチInfo
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- JPS59202731A JPS59202731A JP58076818A JP7681883A JPS59202731A JP S59202731 A JPS59202731 A JP S59202731A JP 58076818 A JP58076818 A JP 58076818A JP 7681883 A JP7681883 A JP 7681883A JP S59202731 A JPS59202731 A JP S59202731A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光電スイッチに関するものである。
従来、第1図に示すように被検知物体による受光レベル
変化を検出する受光回路1211出力を対数増巾回路−
にて対数増巾し、比較回路□□□にて対故増御するよう
にしたこの種の光電スイ・ンチにおいて、比較回路(至
)の動作レベルを設定する基準電圧V8は電源電圧VC
Of抵抗(Ra)(Rb)にて分圧して形成していた。
変化を検出する受光回路1211出力を対数増巾回路−
にて対数増巾し、比較回路□□□にて対故増御するよう
にしたこの種の光電スイ・ンチにおいて、比較回路(至
)の動作レベルを設定する基準電圧V8は電源電圧VC
Of抵抗(Ra)(Rb)にて分圧して形成していた。
ところで、このような従来例において、対数増中回19
!221の温度ドリフトを補正するために抵抗(Ra
)(Rb)として感温抵抗体を用いて基準電圧vsを対
敗増中回@ツの温度ドリフトに対応して変化させてやる
必要があつ次が、抵抗(Ra)(Rb)に対数増巾回路
−四と同等の温度特性?もたせることは難しく、ま迄、
感熱抵抗体の応答速度が遅い(通常20 sec以上)
ので、対数項中回路ツの温度ドリフト七袖止を適正に行
なうことができな〃・つた。このように対数増巾回路ツ
の温度ドリフトが補正できない場合、この種の比較回V
6tZa+出力にて制御される出力回路、誤動作防止手
段、余裕表示手段などが安定に動作しないという問題が
おった。なお、対欽項中回路固はオペアンプ(G6)と
接合型のタイオード(D)とで形成されており、タイオ
ード(D)の電圧−電流特性を利用して対数増巾特性を
得ている。この場合タイオード(DJの拡散電流Iは1
= I o CeXp(’t V / k T )
−1]似し、q :電気素量、k :ボルッマン定数
となり、順方向では指数関数の項が−1に比べて充分大
きくなるので、 1=Io exp(9V/kT) ・”tl
)となり、順方向電圧■と電流Iとの間に■■in 1 の関係が成立する。こnf第2図に示す0次に(1)式
を書きなおすと、 V==kT/q[: in (1/lo ) 〕とナ
リ、T=3000K(、l!7℃)VCオイてkT/q
は26mVであυ、1℃当当駒約03%(1/凸OO)
の温度ドリフトがある。第5図はシリコンタイオートの
j偵電圧VF−周囲温度Taの特性を示している。
!221の温度ドリフトを補正するために抵抗(Ra
)(Rb)として感温抵抗体を用いて基準電圧vsを対
敗増中回@ツの温度ドリフトに対応して変化させてやる
必要があつ次が、抵抗(Ra)(Rb)に対数増巾回路
−四と同等の温度特性?もたせることは難しく、ま迄、
感熱抵抗体の応答速度が遅い(通常20 sec以上)
ので、対数項中回路ツの温度ドリフト七袖止を適正に行
なうことができな〃・つた。このように対数増巾回路ツ
の温度ドリフトが補正できない場合、この種の比較回V
6tZa+出力にて制御される出力回路、誤動作防止手
段、余裕表示手段などが安定に動作しないという問題が
おった。なお、対欽項中回路固はオペアンプ(G6)と
接合型のタイオード(D)とで形成されており、タイオ
ード(D)の電圧−電流特性を利用して対数増巾特性を
得ている。この場合タイオード(DJの拡散電流Iは1
= I o CeXp(’t V / k T )
−1]似し、q :電気素量、k :ボルッマン定数
となり、順方向では指数関数の項が−1に比べて充分大
きくなるので、 1=Io exp(9V/kT) ・”tl
)となり、順方向電圧■と電流Iとの間に■■in 1 の関係が成立する。こnf第2図に示す0次に(1)式
を書きなおすと、 V==kT/q[: in (1/lo ) 〕とナ
リ、T=3000K(、l!7℃)VCオイてkT/q
は26mVであυ、1℃当当駒約03%(1/凸OO)
の温度ドリフトがある。第5図はシリコンタイオートの
j偵電圧VF−周囲温度Taの特性を示している。
本発明は上記の点に鑑みて為さnたものであジ、対改増
「1]回路の温度ドリフトf )lffl正に補止でき
段′ど0動作が安定な光電スイッチ全提供することを目
的とするものである。
「1]回路の温度ドリフトf )lffl正に補止でき
段′ど0動作が安定な光電スイッチ全提供することを目
的とするものである。
実施例
第4図乃至第6図は領域反射型光重スイッチの一例を示
すもので、被検知物体CX)に対して光ビーム(P)?
投光する投光手段11)と、投光手段+1)がら所定間
隔△Lをもって配設されa@知物体囚)による光ビーム
(P)の反射光(R) k集光する受光用光学系+21
と、受光用光学系(2)の集光面に配設され集光スポッ
ト(S)の位置に対応した位置信号倉出カする位置検出
手段(4)と、′位は検出手段(4)出力に基いて被検
知物体(X)が所定の検知エリア(DE)内に存在する
かどうかを判別して出力回路(6)を制御する測距制御
手段(5)と塗具備し、三角測量方式によって被検知物
体囚までの距離f’z判別して検知エリア(DE)内に
被検知物体閃が存在すnは出力回路(6)を作動させて
物体検知佃号會出力するようにしたものである。ここに
被検知物体(X)に対してパルス*調光よりなる光ビー
ム(P) k投光する投光手段11ンは投光タイミンク
を設定する同期信’jJr発生する発振回路(lO)と
、ドライブ回路(11)と、発光タイオードあるいはレ
ーザータイオードなどの投光素子(喝と、光ビーム(P
)?形成するコンデンサレ、7ズよりなる投光用光学系
贈とで形成されている。投光手段(1)から所定間隔Δ
Lをもって何方に並置さnた受光手段(2)は、投光手
段rtlおよび被検知物体(x)に対して三角測量的に
配置さ扛ており、この受光手段(2)は被検知物体(X
)による反射光(R)’a−集光するための凸レンズよ
りなる受光用光学系(3)と、受光用光学系(3)の集
光面に配設され、集光スポット(S)の位置に対応した
位置信号を出力する位置検出手段(4)とで構成されて
いる。この位置検出手段(4)は、受光用光学系(3)
の来光面内に配設され集光スポット(S)の移動方向に
連設された2個の受光素子(20a)(20b)にて形
成されている。この受光素子(20a)(20b)とし
てはホトトランジスタ、ホトタイオード、太陽′市電、
cdsなどが用いられる。々お、位置検知手段(4)と
して位置検出手段いわゆるPSDi用いても良い。測距
制御手段+51 u、受光素子(2oa)(2ob)か
らの出力電流IA、IBi信号電圧Vよ、VBに増巾変
換する受光回路(21a )(21b )と、オペアン
プ(G3 )およびタイオート(1)1)よりなる対故
増中回路(22a)(22b)と、対奴増中回路(22
a)出力1 n V Aから対数増rf3回路(22b
)出力1 n V B全減算する減算回路123+と、
減算回路啜出力! n V A/ V Bと検知エリア
設定ポリウム(VR)にて設定さn ン’i:tJ))
作レベルVSと?比較して減算回路因)出力l n V
A / V Bが基準レベルvs以下のときHレベル
を出力するコンパレータ(G、)よりなる比軟回路(2
4Iと、投光素子(喝からの光ビームtP)の投光タイ
ミンク(発振回路(lO)から出力される同期信号)に
同期して比較回路嘱出力tサンブリーJり(四部検波)
することにより、被検知物体(x)が検知エリア(LI
E)内に存在するかどうが?確夫に判別するようにした
佑号処理回路例と、信号処理回路Q0から所定期間以上
連続してイ日号が出力された場合あるいは出力されない
場合にのみ出力回路(6)の制御信号?出す積分回路(
26)とで形成され、負荷制御用のリレー、負荷制御用
の半導体スイッチ素子などよりなる出力あるいはしゃげ
1時の電源電圧が予め設定さnた電圧以下のときに出力
回路(6)の誤納作?防止する誤動作防止回路である。
すもので、被検知物体CX)に対して光ビーム(P)?
投光する投光手段11)と、投光手段+1)がら所定間
隔△Lをもって配設されa@知物体囚)による光ビーム
(P)の反射光(R) k集光する受光用光学系+21
と、受光用光学系(2)の集光面に配設され集光スポッ
ト(S)の位置に対応した位置信号倉出カする位置検出
手段(4)と、′位は検出手段(4)出力に基いて被検
知物体(X)が所定の検知エリア(DE)内に存在する
かどうかを判別して出力回路(6)を制御する測距制御
手段(5)と塗具備し、三角測量方式によって被検知物
体囚までの距離f’z判別して検知エリア(DE)内に
被検知物体閃が存在すnは出力回路(6)を作動させて
物体検知佃号會出力するようにしたものである。ここに
被検知物体(X)に対してパルス*調光よりなる光ビー
ム(P) k投光する投光手段11ンは投光タイミンク
を設定する同期信’jJr発生する発振回路(lO)と
、ドライブ回路(11)と、発光タイオードあるいはレ
ーザータイオードなどの投光素子(喝と、光ビーム(P
)?形成するコンデンサレ、7ズよりなる投光用光学系
贈とで形成されている。投光手段(1)から所定間隔Δ
Lをもって何方に並置さnた受光手段(2)は、投光手
段rtlおよび被検知物体(x)に対して三角測量的に
配置さ扛ており、この受光手段(2)は被検知物体(X
)による反射光(R)’a−集光するための凸レンズよ
りなる受光用光学系(3)と、受光用光学系(3)の集
光面に配設され、集光スポット(S)の位置に対応した
位置信号を出力する位置検出手段(4)とで構成されて
いる。この位置検出手段(4)は、受光用光学系(3)
の来光面内に配設され集光スポット(S)の移動方向に
連設された2個の受光素子(20a)(20b)にて形
成されている。この受光素子(20a)(20b)とし
てはホトトランジスタ、ホトタイオード、太陽′市電、
cdsなどが用いられる。々お、位置検知手段(4)と
して位置検出手段いわゆるPSDi用いても良い。測距
制御手段+51 u、受光素子(2oa)(2ob)か
らの出力電流IA、IBi信号電圧Vよ、VBに増巾変
換する受光回路(21a )(21b )と、オペアン
プ(G3 )およびタイオート(1)1)よりなる対故
増中回路(22a)(22b)と、対奴増中回路(22
a)出力1 n V Aから対数増rf3回路(22b
)出力1 n V B全減算する減算回路123+と、
減算回路啜出力! n V A/ V Bと検知エリア
設定ポリウム(VR)にて設定さn ン’i:tJ))
作レベルVSと?比較して減算回路因)出力l n V
A / V Bが基準レベルvs以下のときHレベル
を出力するコンパレータ(G、)よりなる比軟回路(2
4Iと、投光素子(喝からの光ビームtP)の投光タイ
ミンク(発振回路(lO)から出力される同期信号)に
同期して比較回路嘱出力tサンブリーJり(四部検波)
することにより、被検知物体(x)が検知エリア(LI
E)内に存在するかどうが?確夫に判別するようにした
佑号処理回路例と、信号処理回路Q0から所定期間以上
連続してイ日号が出力された場合あるいは出力されない
場合にのみ出力回路(6)の制御信号?出す積分回路(
26)とで形成され、負荷制御用のリレー、負荷制御用
の半導体スイッチ素子などよりなる出力あるいはしゃげ
1時の電源電圧が予め設定さnた電圧以下のときに出力
回路(6)の誤納作?防止する誤動作防止回路である。
なお、受光回路(21a)(21b)は反転アップ(G
1 )および非反転アンj(Gg)r用いて形成され、
パルス光信号のみ全通し直流光信号をカットしたり、特
定の周波数のみを通すバンドパスフィルタ回路全台むも
のである。また、減算回路123)は差動、アンプ(G
4 )にて形成さnている。(7)は受光回路(21a
)出力を基準電圧Vs1に基いて比軟判別するコンパレ
ータ(G6 )よりなる光量制御手段であり、反射光(
R)の光量レベルに基いて被検知物体医)が萩知エリア
(DE)内に存在するかどうか?判別して物体検知信号
Vx’i出力するようにし、皮検知@体(X、lが鏡面
体である場合であっても誤動作?防止できるようになっ
ている。(8)はオペアンプ(G7 )およびタイオー
ド(D2 )よりなる対数増巾回路(80)?用いて形
成される&I$電圧発生手段と・コシパレータ(Cz)
よジなる比軟回l5llと、アンド回路(AND)とで
構成されノイズによる誤動作を防止する誤動作防止手段
であジ、対数増巾回路(22b)から基準電圧78以上
の伯づ′が得らnているかどうかによって、外部ノイズ
あるいは受光回路(21b)に発生する内部ノイズによ
り誤動作しない受光信号I!n■が得らnているかどう
か?判別し、オア回路((JR)k介して伯号処理回路
外に入力される物体検知佃づVX、vX′をアンド回路
(AND )にて阻止自社にしている。
1 )および非反転アンj(Gg)r用いて形成され、
パルス光信号のみ全通し直流光信号をカットしたり、特
定の周波数のみを通すバンドパスフィルタ回路全台むも
のである。また、減算回路123)は差動、アンプ(G
4 )にて形成さnている。(7)は受光回路(21a
)出力を基準電圧Vs1に基いて比軟判別するコンパレ
ータ(G6 )よりなる光量制御手段であり、反射光(
R)の光量レベルに基いて被検知物体医)が萩知エリア
(DE)内に存在するかどうか?判別して物体検知信号
Vx’i出力するようにし、皮検知@体(X、lが鏡面
体である場合であっても誤動作?防止できるようになっ
ている。(8)はオペアンプ(G7 )およびタイオー
ド(D2 )よりなる対数増巾回路(80)?用いて形
成される&I$電圧発生手段と・コシパレータ(Cz)
よジなる比軟回l5llと、アンド回路(AND)とで
構成されノイズによる誤動作を防止する誤動作防止手段
であジ、対数増巾回路(22b)から基準電圧78以上
の伯づ′が得らnているかどうかによって、外部ノイズ
あるいは受光回路(21b)に発生する内部ノイズによ
り誤動作しない受光信号I!n■が得らnているかどう
か?判別し、オア回路((JR)k介して伯号処理回路
外に入力される物体検知佃づVX、vX′をアンド回路
(AND )にて阻止自社にしている。
(9)はオペアンプ(G9)とタイオート(DA)より
なる対数増巾回路(9Q)を用いて形1スさn;)基準
電圧発生手段と、コンパレータ(G、、0)よりなる比
奴回路いり、と、余裕表示部(92)とで形成される余
裕表示手段であり、基に$電比V、は誤動作防止手段(
8)の基′I$電圧v8よりも若干高く設定され、対数
増巾回路(22b)出力1d■が基準電圧V、よりも犬
のとき、余裕表示部(92)が前作して対数増巾回路(
22b)出力!、n vBのレベルが正常動作範囲に対
して余裕のあること?表示する以下、夫施例の1作につ
いて具体的に説明する。いま、被検知物体(X)が第7
図(a)に示すように反射型光電スイッチ(Y) 7>
)ら距pHla、lb、lcの位[a、b、cに存在す
る場合において、集光面内に配設さnた受光系子(20
a)(20b)に対する集光スポット(S)の位置は第
7図(b)のようにな9、被検知物体(X)か光ビーム
(P)の投光方向に移動すると、受光素子(20a)(
20b)に入射する光量の比率が変化することになり、
受光系子(20a)(20b)の出力電流I、、IBは
集光スポット(S)の位置に対応した位置信号となる。
なる対数増巾回路(9Q)を用いて形1スさn;)基準
電圧発生手段と、コンパレータ(G、、0)よりなる比
奴回路いり、と、余裕表示部(92)とで形成される余
裕表示手段であり、基に$電比V、は誤動作防止手段(
8)の基′I$電圧v8よりも若干高く設定され、対数
増巾回路(22b)出力1d■が基準電圧V、よりも犬
のとき、余裕表示部(92)が前作して対数増巾回路(
22b)出力!、n vBのレベルが正常動作範囲に対
して余裕のあること?表示する以下、夫施例の1作につ
いて具体的に説明する。いま、被検知物体(X)が第7
図(a)に示すように反射型光電スイッチ(Y) 7>
)ら距pHla、lb、lcの位[a、b、cに存在す
る場合において、集光面内に配設さnた受光系子(20
a)(20b)に対する集光スポット(S)の位置は第
7図(b)のようにな9、被検知物体(X)か光ビーム
(P)の投光方向に移動すると、受光素子(20a)(
20b)に入射する光量の比率が変化することになり、
受光系子(20a)(20b)の出力電流I、、IBは
集光スポット(S)の位置に対応した位置信号となる。
測距制御手段(5)では、受光回路(21a)(21b
)にてこの出力電流IA、1Bに比例した電圧VA 、
Vb’i形成し、対数増巾回路(22a)(22b)に
て対奴増[IJシた電圧1nVA、fnVBk減算回路
(洛にて減算することにより減算回路嗅から受光素子(
20a)(2ob)に入射する光量の比率の対数値1
n V A/ V Bが出力されることになる。この減
算回路鰐j出力1nVア/V。
)にてこの出力電流IA、1Bに比例した電圧VA 、
Vb’i形成し、対数増巾回路(22a)(22b)に
て対奴増[IJシた電圧1nVA、fnVBk減算回路
(洛にて減算することにより減算回路嗅から受光素子(
20a)(2ob)に入射する光量の比率の対数値1
n V A/ V Bが出力されることになる。この減
算回路鰐j出力1nVア/V。
は被検知物体(X)の移動に応じて友化し、反射型光電
スイッチ(Y)から4N検知物体(x)1での距%lに
対する減算回路(ハ)出力1 n V A / V B
は第8図に示すようになる。したがって、比奴回路(麹
の検知エリア設定ボリウム(VR)にて前作レベル(V
B)を適当に設定することにより、正確な検知エリア(
DE)が容易に設定でき、減算回路(ム)出力I!nV
A/■Bが動作レベル以下となったとき比軟回路124
1出力がHレベルとなり% (illi号処理回路12
5+ i弁して出力回路(6)が作切さnる。この場合
、測距制御手段(5)は、受光素子(20a )(20
1))出力のレベル比?演算し、そのレベル比が予め設
定された前作レベルVSのとき出力回路(6)を作切さ
ゼるようになっておp、被検知物体IX)による反射光
tR)のレベルと関係なく検知エリア(DE)か設定さ
れるようになっているので、検知エリア(DE)の後方
に存在する光反射率の大きい物体による誤前作が防止で
きるとともに、被検知物体(X)の光反射率に関係なく
検知エリア(DE)’z段設定き、さらに投、受光用光
学系0413+の汚nの影響を受けることがない。また
、去施例にあっては誤動作防止手段(8)と余裕表示手
段(9)の基準電圧発生手段?形成する対数増巾回路(
81))(9α)は測距制御手段(5)の対数増巾回路
(22b)と同等のものが用いらnでおり、こnらの対
数増巾回路(22Is ) (80) (90)の温度
ドリフトは等しくなっている。したがって、対数増巾回
路(22b)の温度ドリフトが大きい場合にあっても、
基準電圧発生手段の対数増巾回路(80)(90’)に
も同様の温度ドリフトが発生するので、壽チ呻か′〜コ
ンJ3レータ(Gl)(Gl。)よりなる比較回路の面
入力端子に印加さnる電圧レベルの相対値が変化せず、
誤動作防止手段(8)および余裕表示手段(9)のス質
的な動作しベルが温度によって変化することがなく、安
定な動作が行なわnる。ま尺、コンパレータ(Ga
)(Gl(1)の入力端子から児た入力信号源インピー
タンスも等しくなり、]コンパレータG、)(G1゜)
の入カッへイアスミ流による影9になくすことができる
。すなわち、コン力信号源のインピータンスが等しくな
い場合(従来例の場合)において、入力バイアス′II
i流が温度ドリフトすると、このオフセット電圧の変化
亀が異なることになってコンパレータ(cys)Cax
。
スイッチ(Y)から4N検知物体(x)1での距%lに
対する減算回路(ハ)出力1 n V A / V B
は第8図に示すようになる。したがって、比奴回路(麹
の検知エリア設定ボリウム(VR)にて前作レベル(V
B)を適当に設定することにより、正確な検知エリア(
DE)が容易に設定でき、減算回路(ム)出力I!nV
A/■Bが動作レベル以下となったとき比軟回路124
1出力がHレベルとなり% (illi号処理回路12
5+ i弁して出力回路(6)が作切さnる。この場合
、測距制御手段(5)は、受光素子(20a )(20
1))出力のレベル比?演算し、そのレベル比が予め設
定された前作レベルVSのとき出力回路(6)を作切さ
ゼるようになっておp、被検知物体IX)による反射光
tR)のレベルと関係なく検知エリア(DE)か設定さ
れるようになっているので、検知エリア(DE)の後方
に存在する光反射率の大きい物体による誤前作が防止で
きるとともに、被検知物体(X)の光反射率に関係なく
検知エリア(DE)’z段設定き、さらに投、受光用光
学系0413+の汚nの影響を受けることがない。また
、去施例にあっては誤動作防止手段(8)と余裕表示手
段(9)の基準電圧発生手段?形成する対数増巾回路(
81))(9α)は測距制御手段(5)の対数増巾回路
(22b)と同等のものが用いらnでおり、こnらの対
数増巾回路(22Is ) (80) (90)の温度
ドリフトは等しくなっている。したがって、対数増巾回
路(22b)の温度ドリフトが大きい場合にあっても、
基準電圧発生手段の対数増巾回路(80)(90’)に
も同様の温度ドリフトが発生するので、壽チ呻か′〜コ
ンJ3レータ(Gl)(Gl。)よりなる比較回路の面
入力端子に印加さnる電圧レベルの相対値が変化せず、
誤動作防止手段(8)および余裕表示手段(9)のス質
的な動作しベルが温度によって変化することがなく、安
定な動作が行なわnる。ま尺、コンパレータ(Ga
)(Gl(1)の入力端子から児た入力信号源インピー
タンスも等しくなり、]コンパレータG、)(G1゜)
の入カッへイアスミ流による影9になくすことができる
。すなわち、コン力信号源のインピータンスが等しくな
い場合(従来例の場合)において、入力バイアス′II
i流が温度ドリフトすると、このオフセット電圧の変化
亀が異なることになってコンパレータ(cys)Cax
。
)の動作レベルが変動するという悪影替があった0なお
、コシパレータ(GS)(Gい。)としてNEC社製の
μPC271Ck用いた場合、入力バイアス電流は50
nAであり、その温度ドリフトI/i0〜80℃の間に
おいて40nA程度となる。
、コシパレータ(GS)(Gい。)としてNEC社製の
μPC271Ck用いた場合、入力バイアス電流は50
nAであり、その温度ドリフトI/i0〜80℃の間に
おいて40nA程度となる。
実施例
49図は池の秀施例會示すもので、FJiJ記大施例と
同様の光電スイッチにおいて、余裕表示手段(9)の基
準電圧発成手段を形成する対数増巾回路を誤動作防止手
段(8)の対数増巾回路(8G)t−用いて形成したも
のであり、抵抗(Rs )(Rs )の値を適当に
設定することにより、基準電圧V、、V。
同様の光電スイッチにおいて、余裕表示手段(9)の基
準電圧発成手段を形成する対数増巾回路を誤動作防止手
段(8)の対数増巾回路(8G)t−用いて形成したも
のであり、抵抗(Rs )(Rs )の値を適当に
設定することにより、基準電圧V、、V。
の関係を所定の関係に設定するようになっている。図中
(R3)〜(R6)は抵抗である。
(R3)〜(R6)は抵抗である。
いま、誤動作防止手段(8)では、対数増巾回路(22
b)から出力さnる受光信号レベルがノイズレベルに比
べである程度大きく、最低弁別レベルよりも大きい場合
にのみ面制御手段(5)(7)から出力さnる物体検知
信eVx、Vx’にて出力回路(6)音制御するように
して、外部ノイズおよび内部ノイズによるfA前作全防
止し、さらに余裕表示手段(9)では、対数増巾回路(
22b)から出力さnる受光信号レベルが誤動作防止手
段(8)の動作しベルよりも予め設定さnた余裕量だけ
大きい場合に余袖表示郡(92)全削作させて光軸の調
整誤差、レンズの汚nなどによる受光量の減少tある程
度(約20%)吸収0]龜であることを表示するように
なっており、この誤動作防止手段(8)および余裕表示
手段(9)の動作レベル(すなわち基準電圧V8、V9
)は別々に設定するときわめて曲伸]な作業となるが、
犬施例2にあっては動作レベル設定用ボリウムにて可変
さnる可変電流源U)によって連動して設定できるので
、動作レベルの設定作業が容易になる。
b)から出力さnる受光信号レベルがノイズレベルに比
べである程度大きく、最低弁別レベルよりも大きい場合
にのみ面制御手段(5)(7)から出力さnる物体検知
信eVx、Vx’にて出力回路(6)音制御するように
して、外部ノイズおよび内部ノイズによるfA前作全防
止し、さらに余裕表示手段(9)では、対数増巾回路(
22b)から出力さnる受光信号レベルが誤動作防止手
段(8)の動作しベルよりも予め設定さnた余裕量だけ
大きい場合に余袖表示郡(92)全削作させて光軸の調
整誤差、レンズの汚nなどによる受光量の減少tある程
度(約20%)吸収0]龜であることを表示するように
なっており、この誤動作防止手段(8)および余裕表示
手段(9)の動作レベル(すなわち基準電圧V8、V9
)は別々に設定するときわめて曲伸]な作業となるが、
犬施例2にあっては動作レベル設定用ボリウムにて可変
さnる可変電流源U)によって連動して設定できるので
、動作レベルの設定作業が容易になる。
実施例
第10図はさらに池の犬施例會示すもので、投光手段+
11“から投光さnた拡散光ヂ)の被検知物体医ンによ
る反射光(R)’z受光手段(2)“にて受光し、受光
手段(2)1の受光素子岡出力金受光回路(21)にて
電圧信号に変換するとともに対数増巾回路(2)にて対
数圧縮し、比較回路(至)にて対数増巾回路;24から
出力さnる受光出力VRが予め設定された基#−電圧v
slよりも大きいかどうかを比較判別して出力回路(6
)音制御するようにした拡散反射型の光電スイッチであ
り、被検知物体■)が検知エリア(DE)内に存在する
かどうか七反射光翰)の光量レベルによって判別するよ
うになっており、比軟回路(至)の基準電圧v s#を
対数増巾回路φ0) k用いた基準電圧発生手段にて形
成し、可変電流源U)k変化させることによって検知エ
リア(DE)k設定するようになっている。
11“から投光さnた拡散光ヂ)の被検知物体医ンによ
る反射光(R)’z受光手段(2)“にて受光し、受光
手段(2)1の受光素子岡出力金受光回路(21)にて
電圧信号に変換するとともに対数増巾回路(2)にて対
数圧縮し、比較回路(至)にて対数増巾回路;24から
出力さnる受光出力VRが予め設定された基#−電圧v
slよりも大きいかどうかを比較判別して出力回路(6
)音制御するようにした拡散反射型の光電スイッチであ
り、被検知物体■)が検知エリア(DE)内に存在する
かどうか七反射光翰)の光量レベルによって判別するよ
うになっており、比軟回路(至)の基準電圧v s#を
対数増巾回路φ0) k用いた基準電圧発生手段にて形
成し、可変電流源U)k変化させることによって検知エ
リア(DE)k設定するようになっている。
以下、医施例5の動作について説明する。この種の拡散
型の光電スイッチは反射光@)の受光出力VRが距離l
に対して第11図に変化することを利用し、受光出力■
Rが比較回路例の基準電圧■S′よりも大きくなったと
きに出力回路(6)全動作させるようになっており、一
般に基準電圧■s′が固定化さnていた。したがって、
投光手段fil’から投光される光ビーム(P)の光t
r変化させるか、あるいは受光回路t21+の電流電圧
変換インピータンスを変化させるかによって検知エリア
(DE)’r変えるようになっていた。しかしながら、
前者の方法にあっては検知エリア(DE)T、遠くに設
定した場合において外乱光の影響が大きくなってS/N
が低下するという問題があり、後者にあっても受光回路
シυの変換率を大きくした場合において荻換インヒータ
ンスを呵責するボリウムによる内部ノイズが大さくなっ
てS/N比が低下するという問題があった。夫施例凸に
あっては比較回路例の基準電圧vs′全第11図中点線
で示すように変化させることによって検知エリア(DE
)’を設定するようになっているので、上述のような
問題点が発生することがない。さらに、前記夫施例1.
2の場合と同様基準電圧発生手段七対奴増中回路喰を用
いて形成することにより、対数増巾回路□□□の湿度ド
リフトを補正することができるようになっているので、
温度変化によって出力回路(6)の前作レベルすなわち
検知エリア(DE)が変動することがなく、動作が安定
な光電スイッチが得らnることになる。
型の光電スイッチは反射光@)の受光出力VRが距離l
に対して第11図に変化することを利用し、受光出力■
Rが比較回路例の基準電圧■S′よりも大きくなったと
きに出力回路(6)全動作させるようになっており、一
般に基準電圧■s′が固定化さnていた。したがって、
投光手段fil’から投光される光ビーム(P)の光t
r変化させるか、あるいは受光回路t21+の電流電圧
変換インピータンスを変化させるかによって検知エリア
(DE)’r変えるようになっていた。しかしながら、
前者の方法にあっては検知エリア(DE)T、遠くに設
定した場合において外乱光の影響が大きくなってS/N
が低下するという問題があり、後者にあっても受光回路
シυの変換率を大きくした場合において荻換インヒータ
ンスを呵責するボリウムによる内部ノイズが大さくなっ
てS/N比が低下するという問題があった。夫施例凸に
あっては比較回路例の基準電圧vs′全第11図中点線
で示すように変化させることによって検知エリア(DE
)’を設定するようになっているので、上述のような
問題点が発生することがない。さらに、前記夫施例1.
2の場合と同様基準電圧発生手段七対奴増中回路喰を用
いて形成することにより、対数増巾回路□□□の湿度ド
リフトを補正することができるようになっているので、
温度変化によって出力回路(6)の前作レベルすなわち
検知エリア(DE)が変動することがなく、動作が安定
な光電スイッチが得らnることになる。
本発明は上述のように仮検知物体による支光量変化を検
出する受光回路と、受光回路出力を対数増巾する対数増
巾回路と、対数増巾回路出力の基準電圧に対する大小を
比較判別して出力回路、誤動作防止手段、余裕表示手段
などt制御する比軟回路とt具備した光電スイッチにお
いて、該基準電圧?発生する基準電圧発生手段を上記対
数増巾回路と同等の対数増巾回路を用いて形成したもの
であり、受光回路出力を対故増中する対数増巾回路が温
度ドリフトし7C場合に、比較回路の基準電圧も同様に
温度ドリフトするので、対数増巾回路の温度ドリフトを
適正に補正できて比較回路の動作レベルを一定にでき、
比較回路出力にて制御さnる出力回路、誤動作防止手段
、余裕表示手段などの動作が安定な光電スイッチを提供
することができるという利点がある。
出する受光回路と、受光回路出力を対数増巾する対数増
巾回路と、対数増巾回路出力の基準電圧に対する大小を
比較判別して出力回路、誤動作防止手段、余裕表示手段
などt制御する比軟回路とt具備した光電スイッチにお
いて、該基準電圧?発生する基準電圧発生手段を上記対
数増巾回路と同等の対数増巾回路を用いて形成したもの
であり、受光回路出力を対故増中する対数増巾回路が温
度ドリフトし7C場合に、比較回路の基準電圧も同様に
温度ドリフトするので、対数増巾回路の温度ドリフトを
適正に補正できて比較回路の動作レベルを一定にでき、
比較回路出力にて制御さnる出力回路、誤動作防止手段
、余裕表示手段などの動作が安定な光電スイッチを提供
することができるという利点がある。
第1図は従来例の要61S回路図、第2凶および第5図
は同上の前作説明図、第4図は本発明−夫施例の構成を
示す図、第5凶は同上の要部ブロック回路図、第6図は
同上の要部共体回路例?示す図、第7図および第8図は
同上の動作説明図、第9図は池の夫施例の要部回路図、
第10図はさらに池の去施例の要部回路図、第11凶は
同上の動作説すJ凶である。 1211(21a)(21b)は受光回路、ツ(22a
)(22b)は対数増巾回路、124+ 18υIll
は比べ回路、!0)■)叩)は対数増巾回路である。 第(図 第3図 第4凶
は同上の前作説明図、第4図は本発明−夫施例の構成を
示す図、第5凶は同上の要部ブロック回路図、第6図は
同上の要部共体回路例?示す図、第7図および第8図は
同上の動作説明図、第9図は池の夫施例の要部回路図、
第10図はさらに池の去施例の要部回路図、第11凶は
同上の動作説すJ凶である。 1211(21a)(21b)は受光回路、ツ(22a
)(22b)は対数増巾回路、124+ 18υIll
は比べ回路、!0)■)叩)は対数増巾回路である。 第(図 第3図 第4凶
Claims (1)
- (1)被検知物体による受光量変化を検出する受光回路
と、受光回路出力全対数項中する対数増中回どt制御す
る比較回路と全具備した光電スイッチにおいて、該基準
電圧を発生する基準電圧発生手段を上記対数増巾回路と
同等の対数増巾回路を用いて形成して成る光電スイッチ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58076818A JPS59202731A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 光電スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58076818A JPS59202731A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 光電スイツチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59202731A true JPS59202731A (ja) | 1984-11-16 |
JPH0480566B2 JPH0480566B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=13616249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58076818A Granted JPS59202731A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 光電スイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59202731A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113088A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toppan Printing Co Ltd | 二枚差し検知装置 |
JPS63267638A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Omron Tateisi Electronics Co | 印刷された定形紙葉類の重なり検知装置 |
GB2423818A (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-06 | Agilent Technologies Inc | Tracking the temperature coefficient of a light source |
JP2012147255A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Sharp Corp | センサ装置及び電子機器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5527941U (ja) * | 1978-08-10 | 1980-02-22 | ||
JPS5547466A (en) * | 1978-07-18 | 1980-04-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Light beam alarm device |
JPS55147827A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Signal extracting circuit |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58076818A patent/JPS59202731A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5547466A (en) * | 1978-07-18 | 1980-04-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Light beam alarm device |
JPS5527941U (ja) * | 1978-08-10 | 1980-02-22 | ||
JPS55147827A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Signal extracting circuit |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113088A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toppan Printing Co Ltd | 二枚差し検知装置 |
JPS63267638A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Omron Tateisi Electronics Co | 印刷された定形紙葉類の重なり検知装置 |
GB2423818A (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-06 | Agilent Technologies Inc | Tracking the temperature coefficient of a light source |
US7250806B2 (en) | 2005-03-02 | 2007-07-31 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Apparatus and method for generating an output signal that tracks the temperature coefficient of a light source |
GB2423818B (en) * | 2005-03-02 | 2009-11-11 | Agilent Technologies Inc | Tracking the temperature coefficient of a light source |
JP2012147255A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Sharp Corp | センサ装置及び電子機器 |
US8681192B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sensor device and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0480566B2 (ja) | 1992-12-18 |
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