JPS59202633A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
- Publication number
- JPS59202633A JPS59202633A JP58076953A JP7695383A JPS59202633A JP S59202633 A JPS59202633 A JP S59202633A JP 58076953 A JP58076953 A JP 58076953A JP 7695383 A JP7695383 A JP 7695383A JP S59202633 A JPS59202633 A JP S59202633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- mask
- pattern
- light
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この分明は、同−設計パターンを有する２枚のマスク（
レティクル）のパターン名比較することによって、パタ
ーン欠陥を検出する／（ターン検査装置に関するもので
ある。
レティクル）のパターン名比較することによって、パタ
ーン欠陥を検出する／（ターン検査装置に関するもので
ある。
半導体装置の製造において用いられるフォトマスクは、
半導体素子の性能およびその製造歩留りに大きな影響を
与えるため、そのパターン検査は極めて重要である。
半導体素子の性能およびその製造歩留りに大きな影響を
与えるため、そのパターン検査は極めて重要である。
従来、これらのフォトマスクの自動検査の方式として、
１枚のフォトマスク上に隣設する同一）（ターン上をフ
ライングスポットが走査し、それによって得た信号を比
較する隣設チップ比較方式や、設計データを変換して得
た検査用ＣＡＤデータと、イメージセンサでとらえた実
パターンとを比較するデータ参照方式等が採用されてい
る。しかし、縮小投影型露光装置に用いられるレティク
ルは、設計パターンに対して１０倍、あるいは５倍に拡
大されたパターンを有するために、／ティクル上に同一
パターンが複数個配置できない場合があり、従来の隣設
チップ比較方式の検査鉄部が適用できない。また、デー
タ参照方式の場合には、検査データ作成のための時間を
要し、さらに高価なデータ作成装置を必要とする。
１枚のフォトマスク上に隣設する同一）（ターン上をフ
ライングスポットが走査し、それによって得た信号を比
較する隣設チップ比較方式や、設計データを変換して得
た検査用ＣＡＤデータと、イメージセンサでとらえた実
パターンとを比較するデータ参照方式等が採用されてい
る。しかし、縮小投影型露光装置に用いられるレティク
ルは、設計パターンに対して１０倍、あるいは５倍に拡
大されたパターンを有するために、／ティクル上に同一
パターンが複数個配置できない場合があり、従来の隣設
チップ比較方式の検査鉄部が適用できない。また、デー
タ参照方式の場合には、検査データ作成のための時間を
要し、さらに高価なデータ作成装置を必要とする。
これらの問題を解決するために、隣設チップ比較方式の
応用として同一パターンを有する２枚のマスク（レティ
クル）を同一ステージに載せ、１枚を基準試料、もう１
枚を被検査試料として比較検査する方式が提案されてい
る。しがし、この方式モは、１枚のマスク（レティクル
）サイズが最大５〜６インチ０ であるため、ステージ
サイズを最低１０〜】２インチ０ と極めて大形化する
必要がある。このために、ステージの精度（直線度。
応用として同一パターンを有する２枚のマスク（レティ
クル）を同一ステージに載せ、１枚を基準試料、もう１
枚を被検査試料として比較検査する方式が提案されてい
る。しがし、この方式モは、１枚のマスク（レティクル
）サイズが最大５〜６インチ０ であるため、ステージ
サイズを最低１０〜】２インチ０ と極めて大形化する
必要がある。このために、ステージの精度（直線度。
直交度等）を向上させることが極めて難しくなる。
さらに、ステージの上部に配置された発光部から出た光
を５〜６インチ離れたそれぞれの被検査試料上に分離し
て照射させるために、複雑な光学系が必要となり、当然
光学系の歪みも大きくなる。
を５〜６インチ離れたそれぞれの被検査試料上に分離し
て照射させるために、複雑な光学系が必要となり、当然
光学系の歪みも大きくなる。
これらの原因のために、２枚のマスク（レティクル）を
同一ステージに載せ、これらを比較する方式はパターン
欠陥を検出する能力に劣り、実用上極めて問題となって
いる。
同一ステージに載せ、これらを比較する方式はパターン
欠陥を検出する能力に劣り、実用上極めて問題となって
いる。
この発明は、上述の点にかんがみなされたもので、フォ
トマスクの検査、％ＫＮ用パターンの１０倍、５倍等の
拡大されたパターンを有するマスク（レティクル）のバ
タ丁ン欠陥検査を高精度に、しかも簡便に行うことがで
きるパターン検査装置を提供することを目的とするもの
である。
トマスクの検査、％ＫＮ用パターンの１０倍、５倍等の
拡大されたパターンを有するマスク（レティクル）のバ
タ丁ン欠陥検査を高精度に、しかも簡便に行うことがで
きるパターン検査装置を提供することを目的とするもの
である。
このような目的を達成するため、この発明のパターン検
査装置は、被検査試料または基準マスクを載置した載置
テーブルを塔載するＸ−Ｙテーブル、発光部および受光
部を備えた２台の検査ステーションと、受光部が得た被
検査試料または基準マスクの光学像をそれぞれ電気信号
に変換する変換器と、これら両変換器によって変換され
た電気信号を比較する比較器と、載置テーブルが塔載さ
れたＸ−Ｙテーブルを制御するステージ制御部とから構
成したものである。以下図面に基づいてこの発明の一実
施例を具体的に説明する。
査装置は、被検査試料または基準マスクを載置した載置
テーブルを塔載するＸ−Ｙテーブル、発光部および受光
部を備えた２台の検査ステーションと、受光部が得た被
検査試料または基準マスクの光学像をそれぞれ電気信号
に変換する変換器と、これら両変換器によって変換され
た電気信号を比較する比較器と、載置テーブルが塔載さ
れたＸ−Ｙテーブルを制御するステージ制御部とから構
成したものである。以下図面に基づいてこの発明の一実
施例を具体的に説明する。
この図で、１はパターン検査装置で、パルスモータ２に
より相互に直交する方向に移動可能なＸ−Ｙテーブル３
を有し、このＸ−Ｙテーブル３上には被検査試料である
マスク（レティクル）４が載置された載置テーブル５が
塔載されている。さらに、載置テーブル５の上方には発
光部であるフライングスポットスキャナ６を配置し、下
方に受光部であるフォトマルＴを配置しである。以上で
第１の検査ステーション１が構成される。
より相互に直交する方向に移動可能なＸ−Ｙテーブル３
を有し、このＸ−Ｙテーブル３上には被検査試料である
マスク（レティクル）４が載置された載置テーブル５が
塔載されている。さらに、載置テーブル５の上方には発
光部であるフライングスポットスキャナ６を配置し、下
方に受光部であるフォトマルＴを配置しである。以上で
第１の検査ステーション１が構成される。
したがって、被検査試料であるマスク（レティクル）４
の光学像は、マスク（レティクル）４の透過光によるパ
ターンである。光学像は、変換器８によって電気信号に
変換される。
の光学像は、マスク（レティクル）４の透過光によるパ
ターンである。光学像は、変換器８によって電気信号に
変換される。
一方、比較用ハターンを有する基準マスク（レティクル
）９は、第１の検査ステーションＩと同様な機構を有す
る第２の検査ステーション■の載置テーブル５上に載置
され、もう一方の変換器８によって基準マスク（レティ
クル）９の光学像は、電気信号に変換される。被検査試
料であるマスク（レティクル）４および基準マスク（レ
ティクル）９から得られた電気信号は、比較器１ｏによ
って比較され、差異信号、すなわちパターン欠陥の信号
が抽出される。この時、両Ｘ−Ｙテーブル３は、ステー
ジ制御器１１によって制御され全く同様な動きを同時に
行っている。
）９は、第１の検査ステーションＩと同様な機構を有す
る第２の検査ステーション■の載置テーブル５上に載置
され、もう一方の変換器８によって基準マスク（レティ
クル）９の光学像は、電気信号に変換される。被検査試
料であるマスク（レティクル）４および基準マスク（レ
ティクル）９から得られた電気信号は、比較器１ｏによ
って比較され、差異信号、すなわちパターン欠陥の信号
が抽出される。この時、両Ｘ−Ｙテーブル３は、ステー
ジ制御器１１によって制御され全く同様な動きを同時に
行っている。
以上の実施例は、透過光の信号比較によるものについて
説明したが、反射信号の比較によっても可能であること
はもちろんである。
説明したが、反射信号の比較によっても可能であること
はもちろんである。
以上説明したように、この発明によれは、従来の２枚の
マスク（レティクル）比較検査装置に比較して検査ステ
ーションが小形化され、これによりステージ精度が向上
され、さらに、光学像の歪みが改善され、欠陥検出精度
の著しい向上が期待できる。さらにこの発明によれは５
２つの検査ステーションを同一場所に設置する必要がな
いので、被検査試料と基準マスクが同時に同一場所に存
在する必要がなく、検査機能の向上が期待できる利点か
ある。
マスク（レティクル）比較検査装置に比較して検査ステ
ーションが小形化され、これによりステージ精度が向上
され、さらに、光学像の歪みが改善され、欠陥検出精度
の著しい向上が期待できる。さらにこの発明によれは５
２つの検査ステーションを同一場所に設置する必要がな
いので、被検査試料と基準マスクが同時に同一場所に存
在する必要がなく、検査機能の向上が期待できる利点か
ある。
図面はこの発明の一実施例を示すパターン検査装置の構
成図である。 図中、１はパターン検査装置、２はパルスモ−タ、３は
Ｘ−Ｙテーブル、４は被検査試料であるマスク（Ｖティ
クル）、５は載置テーブル、６はフライングスポットス
キャナ、Ｔはフォトマル、８は変換器、９は基準マスク
（Ｖティクル）、１０は比較器、１１はステージ制御器
である。
成図である。 図中、１はパターン検査装置、２はパルスモ−タ、３は
Ｘ−Ｙテーブル、４は被検査試料であるマスク（Ｖティ
クル）、５は載置テーブル、６はフライングスポットス
キャナ、Ｔはフォトマル、８は変換器、９は基準マスク
（Ｖティクル）、１０は比較器、１１はステージ制御器
である。
Claims (1)
- 被検査試料または基準マスクのどちらか一方がそれぞれ
載置される載置テーブルを塔載した２台のＸ−Ｙテーブ
ルと、発光部と受光部とを有し、前記発光部から照射さ
れた光が前記被検査試料または基準マスクな透過または
反射して受光部に入射する光路を形成し得るように前記
２台のＸ−Ｙテーブルにそれぞれ配置してなる第１およ
び第２の２台の検査ステーションと、これら第１および
第２の検査ステーションのそれぞれの受光部で得た光学
像をそれぞれ電気信号に変換する変換器と、前記両変換
器によって変換された電気信号を比較する比較器と、前
記第１および第２の検査ステーションのＸ−Ｙテーブル
を同一に制御するステージ制御器とから構成されたこと
を特徴とするパターン検量装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076953A JPS59202633A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | パタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076953A JPS59202633A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | パタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202633A true JPS59202633A (ja) | 1984-11-16 |
Family
ID=13620138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076953A Pending JPS59202633A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | パタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114154A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Hitachi Ltd | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 |
| JP2018025565A (ja) * | 2009-01-26 | 2018-02-15 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58076953A patent/JPS59202633A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114154A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Hitachi Ltd | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 |
| JP2018025565A (ja) * | 2009-01-26 | 2018-02-15 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
| US10605744B2 (en) | 2009-01-26 | 2020-03-31 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
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