JPS59175138A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59175138A JPS59175138A JP4973483A JP4973483A JPS59175138A JP S59175138 A JPS59175138 A JP S59175138A JP 4973483 A JP4973483 A JP 4973483A JP 4973483 A JP4973483 A JP 4973483A JP S59175138 A JPS59175138 A JP S59175138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- isolation
- oxide film
- isolation region
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 abstract description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に電界効
果形トランジスタ等の半導体素子の素子間分離領域の形
成方法に係るもので、半導体素子の微細化、高密度化に
適した半導体装置の製造方法を提供するものである。
果形トランジスタ等の半導体素子の素子間分離領域の形
成方法に係るもので、半導体素子の微細化、高密度化に
適した半導体装置の製造方法を提供するものである。
従来、電界効果形トランジスタ等の半導体素子の素子間
分離領域の形成方法としては、第1図(A)〜(D)に
示すものがあった。こ4らの図において、1はシリコン
等の半導体基板、2は酸化シリコン膜、3は窒化シリフ
ン膜、4はレジスト、7は素子間分離領域、8は活性化
領域、9は分離酸化膜、10は選択酸化後にできるバー
ズビークと呼ば4る形状の酸化膜゛の尾゛状の領域であ
る。
分離領域の形成方法としては、第1図(A)〜(D)に
示すものがあった。こ4らの図において、1はシリコン
等の半導体基板、2は酸化シリコン膜、3は窒化シリフ
ン膜、4はレジスト、7は素子間分離領域、8は活性化
領域、9は分離酸化膜、10は選択酸化後にできるバー
ズビークと呼ば4る形状の酸化膜゛の尾゛状の領域であ
る。
次に第1図(A)〜(D)の半導体素子の素子間分離に
ついて説明する。従来使用さjている半導体素子の素子
間分離は、活性化領域8の窒化シリコン膜3を使った選
択酸化法により行わね、前述の第1図rA)〜(D)に
示すような工程が行ゎ4る。
ついて説明する。従来使用さjている半導体素子の素子
間分離は、活性化領域8の窒化シリコン膜3を使った選
択酸化法により行わね、前述の第1図rA)〜(D)に
示すような工程が行ゎ4る。
すなわち半導体基板1上の窒化シリコン膜3の下に半導
体基板1と窒化シリコン膜3との熱膨張係数の差から生
じるストレスを緩和するために、一般的忙は酸化シリコ
ン膜2が投げらjる (第1図(A))。素子間分離は
厚い分離酸化膜9で形成さ4てい・るが(第1図(D)
)、この分離酸化膜9を形成する際、例えば高温の酸素
雰囲気で長時間行わねる。すなわち、窒化シリコン膜3
を形成後、レジスト4に素子間分離パターンを形成し、
これを現像処理して素子間分離領域7を形°成しく第1
図CB))、次いでレジスト4をマスクとして窒化シリ
コン膜3をエツチングする(第1図(C))。
体基板1と窒化シリコン膜3との熱膨張係数の差から生
じるストレスを緩和するために、一般的忙は酸化シリコ
ン膜2が投げらjる (第1図(A))。素子間分離は
厚い分離酸化膜9で形成さ4てい・るが(第1図(D)
)、この分離酸化膜9を形成する際、例えば高温の酸素
雰囲気で長時間行わねる。すなわち、窒化シリコン膜3
を形成後、レジスト4に素子間分離パターンを形成し、
これを現像処理して素子間分離領域7を形°成しく第1
図CB))、次いでレジスト4をマスクとして窒化シリ
コン膜3をエツチングする(第1図(C))。
窒化シリコン膜3が形成されている活性化領域8は酸素
の拡散が少なく、はとんど半導体基板1と反応はせず、
窒化シリコン膜3のない素子間分離領域(フィールド領
域)7は酸素と反応して分離酸化膜9が形成さ4る(第
1図(D))。
の拡散が少なく、はとんど半導体基板1と反応はせず、
窒化シリコン膜3のない素子間分離領域(フィールド領
域)7は酸素と反応して分離酸化膜9が形成さ4る(第
1図(D))。
この反応で素子間分離領域7に形成さ4た分離酸化膜9
(酸化シリコン膜)は、その約1/2 程度盛り上が
る。同時に前記窒化シリコン膜3の端部は分離酸化膜9
がくい込んで、いわゆるバーズビークと呼ばjる酸化膜
の足状の領域10が形成さ4る。
(酸化シリコン膜)は、その約1/2 程度盛り上が
る。同時に前記窒化シリコン膜3の端部は分離酸化膜9
がくい込んで、いわゆるバーズビークと呼ばjる酸化膜
の足状の領域10が形成さ4る。
上記したような分離酸化膜9のくい込み(バーズビーク
)VCより、例えば1μmの膜厚の分離酸化膜9を形成
した場合、約0.5μmのくい込みが活性化領域Bの両
側から生じる。このため超LSI、例えば256にビッ
トやIMビットRAM等の半導体素子の微細化、高密度
化が困難となる。
)VCより、例えば1μmの膜厚の分離酸化膜9を形成
した場合、約0.5μmのくい込みが活性化領域Bの両
側から生じる。このため超LSI、例えば256にビッ
トやIMビットRAM等の半導体素子の微細化、高密度
化が困難となる。
この発明は、上記欠点を除去するためになさねたもので
、素子間分離領域を厚いポリイミド等の高分子膜を利用
して素子間分離領域以外の酸化シリコン膜を選択的にエ
ツチングすることにより、分離酸化膜のくい込みの少な
い、かつ従来に比べて平坦な分離用の絶縁膜が形成でき
る半導体装置の製造方法を提供するものである。以下こ
の発明の一実施例を第2図(A)〜(G) Kついて説
明する。
、素子間分離領域を厚いポリイミド等の高分子膜を利用
して素子間分離領域以外の酸化シリコン膜を選択的にエ
ツチングすることにより、分離酸化膜のくい込みの少な
い、かつ従来に比べて平坦な分離用の絶縁膜が形成でき
る半導体装置の製造方法を提供するものである。以下こ
の発明の一実施例を第2図(A)〜(G) Kついて説
明する。
まず、第2図(A)のように半導体基板1上にレジスト
4を形成した後、素子間分離パターンを元または電子ビ
ームにより形成し、現像処理して素子間分離領域7を形
成し、RI E (Reactive Iona
Etching) 等により素子間分離領域
7の半導体基板1をエツチングする。このエツチングは
フッ素系ガスを使用する場合が多く、例え−+? 0.
5μmエツチングするためには、CF4+02ガスを1
3Pa 、 0.5 W/em’の条件で約5分行う
必要がある。
4を形成した後、素子間分離パターンを元または電子ビ
ームにより形成し、現像処理して素子間分離領域7を形
成し、RI E (Reactive Iona
Etching) 等により素子間分離領域
7の半導体基板1をエツチングする。このエツチングは
フッ素系ガスを使用する場合が多く、例え−+? 0.
5μmエツチングするためには、CF4+02ガスを1
3Pa 、 0.5 W/em’の条件で約5分行う
必要がある。
次いで第2図(B)のようにレジスト4を除去した後、
第2図(C)のようにCVD法またはスパッタまたは電
子ビーム(EB)等忙よりシリコン酸化膜等の絶縁膜5
を低温でデポジットする。
第2図(C)のようにCVD法またはスパッタまたは電
子ビーム(EB)等忙よりシリコン酸化膜等の絶縁膜5
を低温でデポジットする。
次忙第2図(D)のように、絶縁膜5の全面に高粘度の
ポリイミド等の高分子膜6を塗布した一後、素子間分離
領域7上のみに高分子膜6′が残るよう忙他の高分子膜
6を酸素プラズマ−!たはRIE等で第2図(E)のよ
うに除去する。
ポリイミド等の高分子膜6を塗布した一後、素子間分離
領域7上のみに高分子膜6′が残るよう忙他の高分子膜
6を酸素プラズマ−!たはRIE等で第2図(E)のよ
うに除去する。
次いで第2図(F)のように、高分子膜6′をマスクと
して酸化シリコン膜等の絶縁膜5をプラズマまたはウェ
ットケミカル法により除去し、さらに第2図(G)のよ
うに前記高分子膜6′を除去することにより素子間分離
が行わ4分離酸化膜5′が形成される。なお、プラズマ
エツチングを使用する場合は(CF4+H2)混合ガス
を、ウェットエツチング法を使用する場合はHF等で行
う。
して酸化シリコン膜等の絶縁膜5をプラズマまたはウェ
ットケミカル法により除去し、さらに第2図(G)のよ
うに前記高分子膜6′を除去することにより素子間分離
が行わ4分離酸化膜5′が形成される。なお、プラズマ
エツチングを使用する場合は(CF4+H2)混合ガス
を、ウェットエツチング法を使用する場合はHF等で行
う。
このようにこの発明は、素子間分離領域7を高温で長時
間酸化する工程がないため、従来のような分離酸化膜9
のくい込み、すなわちバーズビークのないものが得られ
る。従来の分離酸化膜9の形成はtooo℃前後の高温
処理を行うのに比べて、この発明の方法ではシリコン酸
化膜等の絶縁膜5をCVD法でG1500℃〜800℃
、蒸着法では100℃前後で行うため、従来法による問
題は生じない。
間酸化する工程がないため、従来のような分離酸化膜9
のくい込み、すなわちバーズビークのないものが得られ
る。従来の分離酸化膜9の形成はtooo℃前後の高温
処理を行うのに比べて、この発明の方法ではシリコン酸
化膜等の絶縁膜5をCVD法でG1500℃〜800℃
、蒸着法では100℃前後で行うため、従来法による問
題は生じない。
シリコン酸化膜等の絶縁膜5の厚さは、エツチングで形
成した素子間分離領域7の深さと同程度であjば良い。
成した素子間分離領域7の深さと同程度であjば良い。
CVD法または蒸着法によるシリフン酸化膜等の絶縁膜
5は低温で形成さ4ているため密度が小さく、厚膜のエ
ツチングも前記したようにプラズマ法でもウェットケミ
カル法でも容易忙行5ことができる。
5は低温で形成さ4ているため密度が小さく、厚膜のエ
ツチングも前記したようにプラズマ法でもウェットケミ
カル法でも容易忙行5ことができる。
なお、分離酸化膜5′の密度を上げ従来法の分離酸化膜
9に近付けるため忙分離酸化膜5′の形成後、窒素また
は酸素雰囲気中で熱処理しても良い。この場合は、分離
酸化膜5′の厚さを素子間分離領域7の深さよりも厚く
しておき密度を上げたとき素子間分離領域7の深さに等
しくなるようにする必要がある。
9に近付けるため忙分離酸化膜5′の形成後、窒素また
は酸素雰囲気中で熱処理しても良い。この場合は、分離
酸化膜5′の厚さを素子間分離領域7の深さよりも厚く
しておき密度を上げたとき素子間分離領域7の深さに等
しくなるようにする必要がある。
!、た、酸素ガスを使ったRIEKより高分子膜6を除
去すると(第2図CF))、素子間分離領域7上以外の
高分子膜6が除去されても、素子間分離領域7の高分子
膜6′は厚いため残存する。この高分子膜6′をマスク
にシリフン酸化膜等の絶縁膜5のエツチングが可能とな
る。また、この方法はセルファラインになっており、写
真製版もいらず高精度の素子間分離が可能である。
去すると(第2図CF))、素子間分離領域7上以外の
高分子膜6が除去されても、素子間分離領域7の高分子
膜6′は厚いため残存する。この高分子膜6′をマスク
にシリフン酸化膜等の絶縁膜5のエツチングが可能とな
る。また、この方法はセルファラインになっており、写
真製版もいらず高精度の素子間分離が可能である。
また、ポリイミド等の高分子膜6は高粘度のものがよく
、素子間分離領域7が十分埋まる程度のものが良い。
、素子間分離領域7が十分埋まる程度のものが良い。
第3図(A)〜(G)はこの発明の他の実施例を示すも
ので、素子間分離領域7のシリコン基板1′のエツチン
グを行った後、薄い熱酸化膜2′をあらかじめ形成した
もので、その熱酸化膜2′上にこの発明の低温酸化膜で
あるシリコン酸化膜等の絶縁膜5を形成する。こねによ
4ば、シリコンとの界面が安定化し、素子特性の信頼性
を向上させることができる。
ので、素子間分離領域7のシリコン基板1′のエツチン
グを行った後、薄い熱酸化膜2′をあらかじめ形成した
もので、その熱酸化膜2′上にこの発明の低温酸化膜で
あるシリコン酸化膜等の絶縁膜5を形成する。こねによ
4ば、シリコンとの界面が安定化し、素子特性の信頼性
を向上させることができる。
以上説明したように、この発明によ4ば低温酸化膜であ
るシリコン酸化膜等の絶縁膜の形成と素子間分離領域に
残ったポリイミド等の高分子膜とセルファライン化さi
たエツチング法により高精度の素子間分離領域を形成す
ることができ、従来法によるバーズビークをなくすこと
が可能となり、超LSI等半導体装置の高密度化が可能
となる。
るシリコン酸化膜等の絶縁膜の形成と素子間分離領域に
残ったポリイミド等の高分子膜とセルファライン化さi
たエツチング法により高精度の素子間分離領域を形成す
ることができ、従来法によるバーズビークをなくすこと
が可能となり、超LSI等半導体装置の高密度化が可能
となる。
また、素子間分離領域に薄い熱酸化膜を形成したものは
シリコンとの界面が安定化し、素子特性の信頼性の向上
をはかることかで蛍る等の利点が得られる。
シリコンとの界面が安定化し、素子特性の信頼性の向上
をはかることかで蛍る等の利点が得られる。
第1図(A)〜(D)は従来の半導体装置の製造方法を
示す断面図、第2図(A)〜(G)はこの発明の一実施
例の半導体装置の製造方法を示す断面図、第3図(A)
〜(G)はこの発明の他の実施例の半導体装置の製造方
法を示す断面図である。 図中、1は半導体基板、2は酸化シリコン膜、3は窒化
シリフン膜、4はンジスト、5は絶縁膜、6.6′は高
分子膜、7は素子間分離領域である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −(外1名) 第1図 第2図 第3図 ぐ2
示す断面図、第2図(A)〜(G)はこの発明の一実施
例の半導体装置の製造方法を示す断面図、第3図(A)
〜(G)はこの発明の他の実施例の半導体装置の製造方
法を示す断面図である。 図中、1は半導体基板、2は酸化シリコン膜、3は窒化
シリフン膜、4はンジスト、5は絶縁膜、6.6′は高
分子膜、7は素子間分離領域である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −(外1名) 第1図 第2図 第3図 ぐ2
Claims (4)
- (1)半導体基板上にレジストを用いて半導体素子の素
子間分離パターンを形成する工程、前記素子間分離パタ
ーンのレジストをマスクとして素子間分離領域の半導体
基板をエツチングする工程、前記レジストを除去した後
、全面に低温で絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜上に
高分子膜を塗布する工程、ドライエツチング忙より前記
素子間分離領域以外の高分子膜を除去する工程、前記素
子間分離領域上に残った高分子膜をマスクとして前記絶
縁膜をプラズマまたはウェットケミカル法により除去す
る工程、その後、前記高分子膜を除去する工程を含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (2)絶縁膜の厚さは、素子間分離領域の深さと同程度
にすることを特徴とする特許請求の範囲第+1j項記載
の半導体装置の製造方法。 - (3)高分子膜は粘度の高いポリイミド樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の半導体装
置の製造方法。 - (4)素子間分離領域にあらかじめ薄い熱酸化膜を形成
しておくことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4973483A JPS59175138A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4973483A JPS59175138A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59175138A true JPS59175138A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12839416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4973483A Pending JPS59175138A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59175138A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4876217A (en) * | 1988-03-24 | 1989-10-24 | Motorola Inc. | Method of forming semiconductor structure isolation regions |
US5173439A (en) * | 1989-10-25 | 1992-12-22 | International Business Machines Corporation | Forming wide dielectric-filled isolation trenches in semi-conductors |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP4973483A patent/JPS59175138A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4876217A (en) * | 1988-03-24 | 1989-10-24 | Motorola Inc. | Method of forming semiconductor structure isolation regions |
US5173439A (en) * | 1989-10-25 | 1992-12-22 | International Business Machines Corporation | Forming wide dielectric-filled isolation trenches in semi-conductors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5661049A (en) | Stress relaxation in dielectric before metallization | |
US5518950A (en) | Spin-on-glass filled trench isolation method for semiconductor circuits | |
US4333964A (en) | Method of making integrated circuits | |
JP3619597B2 (ja) | 半導体装置の絶縁膜形成方法 | |
US4292156A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
JPH0216574B2 (ja) | ||
JP2001319968A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US4746625A (en) | A method of manufacturing semiconductor elements-isolating silicon oxide layers | |
JPS61117850A (ja) | 集積回路装置のみぞ分離処理方法 | |
JPS59175138A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61256649A (ja) | 素子分離領域の形成方法 | |
JPS59165434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09326391A (ja) | 素子分離酸化膜の製造方法 | |
JPS59135743A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS59175135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59175137A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5747357A (en) | Modified poly-buffered isolation | |
JPS618944A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS5882532A (ja) | 素子分離方法 | |
JP2822211B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59175136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2975496B2 (ja) | 素子分離構造の形成方法 | |
JPS5928358A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5931215B2 (ja) | 絶縁層の形成方法 | |
JPH049380B2 (ja) |