JPS59170270A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59170270A JPS59170270A JP4259983A JP4259983A JPS59170270A JP S59170270 A JPS59170270 A JP S59170270A JP 4259983 A JP4259983 A JP 4259983A JP 4259983 A JP4259983 A JP 4259983A JP S59170270 A JPS59170270 A JP S59170270A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- particles
- ion gun
- substrate holder
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、膜形成装置に関する。
従来、半導体基板の表面に所望の薄膜が形成されている
。而して、従来の膜形成装置は、真空蒸着法やスパッタ
リング法にょシ薄膜の形成を行っている。また、膜厚の
均一な薄膜を形成するために、薄膜の堆積中に基板を加
熱する技術手段が採用されている。
。而して、従来の膜形成装置は、真空蒸着法やスパッタ
リング法にょシ薄膜の形成を行っている。また、膜厚の
均一な薄膜を形成するために、薄膜の堆積中に基板を加
熱する技術手段が採用されている。
しかしながら、第１図に示す如く、薄膜１の形成される
半導体基板２の表面は、素子の微細化に伴って多数の凹
凸部３を有する。このため、薄膜１の形成時に半導体基
板２を加熱しても、凹凸部３にて形成される段差のとこ
ろで、膜厚が極めて薄くなったシ、著しい場合には切断
される。
半導体基板２の表面は、素子の微細化に伴って多数の凹
凸部３を有する。このため、薄膜１の形成時に半導体基
板２を加熱しても、凹凸部３にて形成される段差のとこ
ろで、膜厚が極めて薄くなったシ、著しい場合には切断
される。
このように凹凸部３を有する半導体基板２の表面に、所
望の薄膜１を良好なステッゾ力バレイノの下に形成でき
ない。その結果、高品質の半導体装置を提供できガい問
題があった。
望の薄膜１を良好なステッゾ力バレイノの下に形成でき
ない。その結果、高品質の半導体装置を提供できガい問
題があった。
本発明は、基板の表面に良好なステｙｆ力バレイジで所
定の薄膜を形成して高品質の半導体装置を得ることがで
きる膜形成装置を提供することをその目的とするもので
ある。
定の薄膜を形成して高品質の半導体装置を得ることがで
きる膜形成装置を提供することをその目的とするもので
ある。
本発明は、同一工程で薄膜の堆積及びエツチング処理を
施す機構を設けたことにより、基板の表面に良好なステ
ップ力バレイジで所定の薄膜を形成して、高品質の半導
体装置を得ることができる膜形成装置でおる。
施す機構を設けたことにより、基板の表面に良好なステ
ップ力バレイジで所定の薄膜を形成して、高品質の半導
体装置を得ることができる膜形成装置でおる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中１０は、薄膜１３が形成される半導体基板１
ノを保持する基板ホルダーである。基板ホルダー１０の
前方には、基板ホルダー１０の前方には、基板ホルダー
１ｏ上の半導体基板１ノに対向するようにして、ターゲ
ット１２が設けられている。ターゲット１２は、形成す
る薄膜１３と同じ材質、例えばアルミニウムで形成され
ている。ターゲット１２の前方には、これと対向して第
１イオン銃１４が設けられている。第１イオン銃１４は
、例えばアルゴンイオンのような粒子１６をターゲット
１２の表面に照射して、ターゲット１２の表面から半導
体基板１ノの表面にスパッター粒子１７を放出させるよ
うになっている。また、基板ホルダー１０の前方には、
基板ホルダー１ｏ上の半導体基板１ノに対向するように
して、第２イオン銃１８が設けられている。第２イオン
銃１８は、例えばアルゴンイオンのような粒子１９を半
導体基板１１の表面に照射して、半導体基板表面に堆積
した薄膜１３をエツチングするようになっている。
ある。図中１０は、薄膜１３が形成される半導体基板１
ノを保持する基板ホルダーである。基板ホルダー１０の
前方には、基板ホルダー１０の前方には、基板ホルダー
１ｏ上の半導体基板１ノに対向するようにして、ターゲ
ット１２が設けられている。ターゲット１２は、形成す
る薄膜１３と同じ材質、例えばアルミニウムで形成され
ている。ターゲット１２の前方には、これと対向して第
１イオン銃１４が設けられている。第１イオン銃１４は
、例えばアルゴンイオンのような粒子１６をターゲット
１２の表面に照射して、ターゲット１２の表面から半導
体基板１ノの表面にスパッター粒子１７を放出させるよ
うになっている。また、基板ホルダー１０の前方には、
基板ホルダー１ｏ上の半導体基板１ノに対向するように
して、第２イオン銃１８が設けられている。第２イオン
銃１８は、例えばアルゴンイオンのような粒子１９を半
導体基板１１の表面に照射して、半導体基板表面に堆積
した薄膜１３をエツチングするようになっている。
このように構成された膜形成装置２ｏは、第１イオン銃
１４から放出された粒子ノロが、ターゲット１２に衝突
してスパッター粒子１７を叩き出す。スパッター粒子１
２は、半導体基板１１の表面に付着して薄膜１３を堆積
する。一方、この堆積処理と併行して第２イオン銃１８
からエツチング用の粒子１９が、半導体基板１１の表面
に向けて放出される。このため、半導体基板１１の表面
では、スフ４ツター粒子１７による薄膜１３の堆積処理
と、エツチング用の粒子１９によるこの薄膜１３のエン
チング処理とが同時に行われる、ここで、スパッター粒
子１７による薄膜１３の堆積速度を、エツチング用の粒
子１９によるエツチング速度よシも大きく設定しておく
と、半導体基板１１の表面では、凸部１１ａで凹部１１
ｂよりも早い速度で薄膜１３のエツチング処理が進行す
ることになる。
１４から放出された粒子ノロが、ターゲット１２に衝突
してスパッター粒子１７を叩き出す。スパッター粒子１
２は、半導体基板１１の表面に付着して薄膜１３を堆積
する。一方、この堆積処理と併行して第２イオン銃１８
からエツチング用の粒子１９が、半導体基板１１の表面
に向けて放出される。このため、半導体基板１１の表面
では、スフ４ツター粒子１７による薄膜１３の堆積処理
と、エツチング用の粒子１９によるこの薄膜１３のエン
チング処理とが同時に行われる、ここで、スパッター粒
子１７による薄膜１３の堆積速度を、エツチング用の粒
子１９によるエツチング速度よシも大きく設定しておく
と、半導体基板１１の表面では、凸部１１ａで凹部１１
ｂよりも早い速度で薄膜１３のエツチング処理が進行す
ることになる。
しかも、凸部１１ａでスパッタリングされた粒子は、半
導体基板１ノの表面に再付着する。このため、薄膜１３
の膜厚は、凹凸部１１ｂ・１１ａの段差を次第に小さく
するように、段差部で局部的に増大する。その結果、所
定の処理時間後には、第３図に示す如く、凹凸部１１ｂ
１１１ａを有する半導体基板１１の表面に、極めご良好
なステンプカバレイ・ゾの下に均一な膜厚の薄膜１３を
形成することができる。
導体基板１ノの表面に再付着する。このため、薄膜１３
の膜厚は、凹凸部１１ｂ・１１ａの段差を次第に小さく
するように、段差部で局部的に増大する。その結果、所
定の処理時間後には、第３図に示す如く、凹凸部１１ｂ
１１１ａを有する半導体基板１１の表面に、極めご良好
なステンプカバレイ・ゾの下に均一な膜厚の薄膜１３を
形成することができる。
なお、実施例の膜形成装置２０の他にも、第４図に示す
如く、基板ホルダー１０’に、回転モータ２１を取付け
ると共に、薄膜１３の堆積用のスパッター粒子１７の照
射を受ける半導体基板１１′を保持する領域と、堆積さ
れた薄膜１３をエツチングするイオン粒子１９の照射を
受ける半導体基板１１“を保持する領域とを設けたもの
を採用した膜形成装置２０’としても良い。この膜形成
装置２０′では、２枚の半導体基板１１′。
如く、基板ホルダー１０’に、回転モータ２１を取付け
ると共に、薄膜１３の堆積用のスパッター粒子１７の照
射を受ける半導体基板１１′を保持する領域と、堆積さ
れた薄膜１３をエツチングするイオン粒子１９の照射を
受ける半導体基板１１“を保持する領域とを設けたもの
を採用した膜形成装置２０’としても良い。この膜形成
装置２０′では、２枚の半導体基板１１′。
１１”の夫々に、薄膜１３の堆積とエツチングとが別々
に行われ、所定の処理時間後に基板ホルダー１０’を回
転して各々の半導体基板１１′。
に行われ、所定の処理時間後に基板ホルダー１０’を回
転して各々の半導体基板１１′。
１ノ“で堆積処理とエツチング処理が交互に行われる。
この操作の繰返しによって、凹凸部１１ｂ。
１１ａを有する半導体基板１１’ 、 １１“の表面に
良好なステップ力バレイジで、均一な膜厚の薄膜１３を
形成することができる。
良好なステップ力バレイジで、均一な膜厚の薄膜１３を
形成することができる。
また、ターゲットを例えばシリコンの如く、堆積する薄
膜を形成する元素の一部の元素で構成し、ターゲットの
周囲をＯイオンや０２雰囲気で囲んでターダノト部とす
ることによシ、所謂化成ス・ゼソターによって所望の元
素からなる薄膜を基板上に形成するようにしても良い。
膜を形成する元素の一部の元素で構成し、ターゲットの
周囲をＯイオンや０２雰囲気で囲んでターダノト部とす
ることによシ、所謂化成ス・ゼソターによって所望の元
素からなる薄膜を基板上に形成するようにしても良い。
以上説明した如く、本発明に係る膜形成装置によれば、
基板の表面に良好なステソグカバレイジで所定の薄膜を
形成して＾品質の半導体装置を容易に得ることができる
ものである。
基板の表面に良好なステソグカバレイジで所定の薄膜を
形成して＾品質の半導体装置を容易に得ることができる
ものである。
第１図は、従来の膜形成装置にて形成はれた薄膜の状態
を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例の概略構成
を示す説明図、第３図は、同実施例の装置にて形成され
た薄膜の断面図、第４図は、本発明の他の実施例の概略
構成を示す説明図である。 １０・・・基板ホルダー、１１．１１’、１１″・・・
半導体基板、１ ’１ ａ・・・凸部、ｌｌｂ・・・凹
部、１２・・・ターゲット、１３・・・薄膜、１４・・
・第１イオン銃、１６・・・粒子、１７・・・スパッタ
ー粒子、１８・・・第２イオン銃、１９・・・粒子、２
０．２０’・・・薄膜形成装置、２１・・・回転モータ
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦号１１図 矛２図 ：ＪＰ３図
を示す断面図、第２図は、本発明の一実施例の概略構成
を示す説明図、第３図は、同実施例の装置にて形成され
た薄膜の断面図、第４図は、本発明の他の実施例の概略
構成を示す説明図である。 １０・・・基板ホルダー、１１．１１’、１１″・・・
半導体基板、１ ’１ ａ・・・凸部、ｌｌｂ・・・凹
部、１２・・・ターゲット、１３・・・薄膜、１４・・
・第１イオン銃、１６・・・粒子、１７・・・スパッタ
ー粒子、１８・・・第２イオン銃、１９・・・粒子、２
０．２０’・・・薄膜形成装置、２１・・・回転モータ
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦号１１図 矛２図 ：ＪＰ３図
Claims (2)
- （１）薄膜形成用の基板を保持する基板ホルダーと、該
基板ホルダー上の基板に対向して設けられた薄膜形成部
材を供給するターゲット部と、該ターゲット部に対向し
て設けられ該ターゲット部に向けてス・セッター粒子放
出用のイオンを照射する第１イオン銃と、前記基板ホル
ダー上の前記基板に対向して設けられ、エツチング用の
イオンを放出する第２イオン銃とを具備することを特徴
とする膜形成装置。 - （２）基板ホルダーが回転自在に設けられており、該基
板ホルダーには、堆積用のスパッター粒子の照射を受け
る基板の保持領域と、エツチング用のイオンの照射を受
ける基板保持領域とが各々独立して形成されている称許
請求の範囲第１項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259983A JPS59170270A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259983A JPS59170270A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170270A true JPS59170270A (ja) | 1984-09-26 |
Family
ID=12640513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4259983A Pending JPS59170270A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170270A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0177115A1 (en) * | 1984-09-04 | 1986-04-09 | The Standard Oil Company | Dual ion beam deposition of amorphous semiconductor films |
| JPS6196721A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 被膜形成方法 |
| JPS61210190A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Nippon Denso Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6261315A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 分子線エピタキシ−装置 |
| WO1987002713A1 (en) * | 1985-10-31 | 1987-05-07 | Ncr Corporation | A method for forming an abrasion resistant coating on a transparent substrate |
| JPS63255356A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Canon Electronics Inc | 薄膜形成方法 |
| US4874493A (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of deposition of metal into cavities on a substrate |
| JP2021088733A (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105550A (ja) * | 1973-12-11 | 1975-08-20 | ||
| JPS5825475A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Nec Corp | スパツタ装置 |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP4259983A patent/JPS59170270A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5825475A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Nec Corp | スパツタ装置 |
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| JPH0559985B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1993-09-01 | Nippon Denso Co | |
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