JPS59168680A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59168680A JPS59168680A JP58042641A JP4264183A JPS59168680A JP S59168680 A JPS59168680 A JP S59168680A JP 58042641 A JP58042641 A JP 58042641A JP 4264183 A JP4264183 A JP 4264183A JP S59168680 A JPS59168680 A JP S59168680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode film
- photosemiconductor
- photoelectric conversion
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起
電力装置の製造方法に関する。
電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来技術
光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起電力装置
、所謂太陽電池として第１図に示す如き構造のものが現
存する。祈る光起電力装置は、ガラス・耐熱プラスチッ
ク等の透光性絶縁基板（１］上に、透光性の第１電極膜
（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）、−ｙモルファスシリコン等
のＰＩＮ接合の如き半導体接合を有する膜状光半導体膜
（３ａ）（３ｂ）（５Ｃ）及び第２電極膜ｃ４ａ）Ｃ４
ｂ）＜４Ｃ）を各々積層せしめた光電変換領域（５ａ）
（５ｂ）（５Ｃ）を電気的に直列接続することによって
、各光重変換領域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）で発生した
光起電力が相加された直列出力が得られる。
、所謂太陽電池として第１図に示す如き構造のものが現
存する。祈る光起電力装置は、ガラス・耐熱プラスチッ
ク等の透光性絶縁基板（１］上に、透光性の第１電極膜
（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）、−ｙモルファスシリコン等
のＰＩＮ接合の如き半導体接合を有する膜状光半導体膜
（３ａ）（３ｂ）（５Ｃ）及び第２電極膜ｃ４ａ）Ｃ４
ｂ）＜４Ｃ）を各々積層せしめた光電変換領域（５ａ）
（５ｂ）（５Ｃ）を電気的に直列接続することによって
、各光重変換領域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）で発生した
光起電力が相加された直列出力が得られる。
この様な装置に於いて、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（５ａ）（５ｂ）（
５ｃＥ７）総ｔｊｊ［の占める割合いである。然るに各
光電変換領域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）の隣接間隔に必
然的に存在する分離領域（６ａｂ）（６ｂＣ）は上記面
積割合いを低下させる。
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（５ａ）（５ｂ）（
５ｃＥ７）総ｔｊｊ［の占める割合いである。然るに各
光電変換領域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）の隣接間隔に必
然的に存在する分離領域（６ａｂ）（６ｂＣ）は上記面
積割合いを低下させる。
従って、光利用効率を向上するには各光電変換領Ｍ（５
ａ ）（５ｂ）（５Ｃ）の隣接間隔である分離領域（６
ａｂ、）（６ｂＣ）を小さくせねばならない。
ａ ）（５ｂ）（５Ｃ）の隣接間隔である分離領域（６
ａｂ、）（６ｂＣ）を小さくせねばならない。
特１ノ目昭５７−１２５６８号公報に開示ぴれだ先行技
術は、レーザビーム照射による膜の焼き切りで、上記隣
接間隔を設けるものであり、加工精度が優れたその技法
は上記の課題を解決する上で極めてイ〕゛効である。
術は、レーザビーム照射による膜の焼き切りで、上記隣
接間隔を設けるものであり、加工精度が優れたその技法
は上記の課題を解決する上で極めてイ〕゛効である。
！＠１図に示された光起車力装萌に放て、直列接続され
る光電変換領域の接続形態は、隣接間隔に露出した第１
電極１１かＣ２ｂ）Ｃ２Ｃ）上にその隣接間隔の艮手力
向に亘って左隣りの第２電極１模（４ａ、）（４ｂ）が
延在することによって実現されており、従って、分割配
置された複数の第１電極膜（２ａ ） （２１） ）
（２Ｃ）上に全面に旦ッて共通に被着された光半導体膜
をレーザビームの照射により除去する際、第１電ＭＩＩ
Ｑ（２ｂ）（２Ｃ）の左端面を隣接する第２電極暎（４
ａ）（４ｂ）との接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）として露
出しなければならない。
る光電変換領域の接続形態は、隣接間隔に露出した第１
電極１１かＣ２ｂ）Ｃ２Ｃ）上にその隣接間隔の艮手力
向に亘って左隣りの第２電極１模（４ａ、）（４ｂ）が
延在することによって実現されており、従って、分割配
置された複数の第１電極膜（２ａ ） （２１） ）
（２Ｃ）上に全面に旦ッて共通に被着された光半導体膜
をレーザビームの照射により除去する際、第１電ＭＩＩ
Ｑ（２ｂ）（２Ｃ）の左端面を隣接する第２電極暎（４
ａ）（４ｂ）との接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）として露
出しなければならない。
然し乍ら、第１電極暎（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）を形成
する酸化スズＳ ｎ ０２ 、酸化インジウム■ｎ２０
５、酸化インジクムスズＩｎ２Ｏ５５ｎ０２等の透光性
尋電桐は約４００〜６００℃以上の高温になると、シー
ト抵抗が激増することが判明した。
する酸化スズＳ ｎ ０２ 、酸化インジウム■ｎ２０
５、酸化インジクムスズＩｎ２Ｏ５５ｎ０２等の透光性
尋電桐は約４００〜６００℃以上の高温になると、シー
ト抵抗が激増することが判明した。
例えば、応用物理第４９巻第１刃１９８０年第２頁乃至
第１６頁、勝部能之他、「真空ｇ４法による１ｎ２０５
透明導電膜」、によればシート抵抗８０Ω／−が４５０
℃に於いて２にΩ／ ｃｒｌｌ Ｋ激増することが報告
されている。即ち、上述の如くレーザビームの照射によ
り第１電極膜（２ｂＨ２ｃ）の左＠面の接続部（２ｂ′
）（２Ｃ′）を光半導体膜の焼き切りで露出せしめると
、祈る接続部（２ｂ′バ２Ｃ′）表向はレーザビームに
よって局ｆ４１ｓ（ｔＪに加熱される結果、その表向に
抵抗層が形成される危惧を有していた。従って、光利用
効率を向上する上で有効なレーザビームの照射は、第１
電極ｆＦＪ （２ｂ ） （２ｃ ） ｏ接続部（２ｂ
’） （２Ｃ’）麦＋ｆｒＪＫ抵抗層を形成するために
、電力損失が増大する此の種光起′市力装置としては好
ましくない欠点を合せ持っている。
第１６頁、勝部能之他、「真空ｇ４法による１ｎ２０５
透明導電膜」、によればシート抵抗８０Ω／−が４５０
℃に於いて２にΩ／ ｃｒｌｌ Ｋ激増することが報告
されている。即ち、上述の如くレーザビームの照射によ
り第１電極膜（２ｂＨ２ｃ）の左＠面の接続部（２ｂ′
）（２Ｃ′）を光半導体膜の焼き切りで露出せしめると
、祈る接続部（２ｂ′バ２Ｃ′）表向はレーザビームに
よって局ｆ４１ｓ（ｔＪに加熱される結果、その表向に
抵抗層が形成される危惧を有していた。従って、光利用
効率を向上する上で有効なレーザビームの照射は、第１
電極ｆＦＪ （２ｂ ） （２ｃ ） ｏ接続部（２ｂ
’） （２Ｃ’）麦＋ｆｒＪＫ抵抗層を形成するために
、電力損失が増大する此の種光起′市力装置としては好
ましくない欠点を合せ持っている。
更に、第２図の如く第２電極＠（４ａ）が直列接続を実
現すべく隣接間隔に露出した第１電＠１．１摸（２ｂ）
の接続部（２ｂ’、）に延出する際、当該光電変換領域
（５ａ）を形成する光半導体膜（３ａ）の側面と当接し
、例えばＰＩＮ接合を有する場合、Ｐ型層（３ｐ）Ｎ型
層（６ｎ）とが電気的に接触することになり、該側面に
於いて僅かながらも不所望なリーク電流が発生する。
現すべく隣接間隔に露出した第１電＠１．１摸（２ｂ）
の接続部（２ｂ’、）に延出する際、当該光電変換領域
（５ａ）を形成する光半導体膜（３ａ）の側面と当接し
、例えばＰＩＮ接合を有する場合、Ｐ型層（３ｐ）Ｎ型
層（６ｎ）とが電気的に接触することになり、該側面に
於いて僅かながらも不所望なリーク電流が発生する。
←・）発明の目的
本発明は祈る点に鑑み為されたものであって、その目的
は光利用効率を向上せしめる上で有効な１７ −）１’
ヒームのｖｌｊさエネルギビームの使用を、電力損失を
増大させることなく可能ならしめると共に、Ｎ’＋るエ
ネルギビームを利用１ノＣ不所望なリーク電流の発生を
抑圧することＫある。
は光利用効率を向上せしめる上で有効な１７ −）１’
ヒームのｖｌｊさエネルギビームの使用を、電力損失を
増大させることなく可能ならしめると共に、Ｎ’＋るエ
ネルギビームを利用１ノＣ不所望なリーク電流の発生を
抑圧することＫある。
（暑 発明の構成
零亮例光起瀉力装置の袈Ｉｉ＋ｆ方法は、各複数の光電
変換領域毎に分割された第１電極ｆｌｕ上に全面に亘っ
て連続的に光半導体膜を被着しｌζ後、訪光半導体１陸
を窒素ガス雰囲気中でのエネルギビームの照射により各
光重変換領域毎に分離し、被覆状態にあった第１電極膜
の第２電極膜と接続されるべき接続部を露出せしめると
共に、上記分離せしめられた光半導体層の…１ｊ面を上
記窒素カスとエネルギビームとの熱による熱窒化反応に
ょシ絶滌処理し、該絶縁処理部を介して上記第２電極膜
を電気的ンこ延出せしめ、露出した第１電極１漢の接続
部に接続する、構成にある。
変換領域毎に分割された第１電極ｆｌｕ上に全面に亘っ
て連続的に光半導体膜を被着しｌζ後、訪光半導体１陸
を窒素ガス雰囲気中でのエネルギビームの照射により各
光重変換領域毎に分離し、被覆状態にあった第１電極膜
の第２電極膜と接続されるべき接続部を露出せしめると
共に、上記分離せしめられた光半導体層の…１ｊ面を上
記窒素カスとエネルギビームとの熱による熱窒化反応に
ょシ絶滌処理し、該絶縁処理部を介して上記第２電極膜
を電気的ンこ延出せしめ、露出した第１電極１漢の接続
部に接続する、構成にある。
（ホ））実施例
第６図乃至第５図は本発明製造方法を説明する為の模式
図及び要部拡大断面図で、第６図の工程ではガラス製の
絶縁基板（１）上に、分割された５ｎ０２の第１電極膜
（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）の全面を覆う如くアモルファ
スシリコンから成る光半導体膜（３）が−知のシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電により被着される。折る
光半導体膜１３）はその内部に膜面と平行なＰＩＮ接合
を含み、従ってより具体的には、先ずｒ型の光半導体膜
が被着され、次いでＩｕ及びＮ型の光半導体膜が順次積
層被着される。
図及び要部拡大断面図で、第６図の工程ではガラス製の
絶縁基板（１）上に、分割された５ｎ０２の第１電極膜
（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）の全面を覆う如くアモルファ
スシリコンから成る光半導体膜（３）が−知のシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電により被着される。折る
光半導体膜１３）はその内部に膜面と平行なＰＩＮ接合
を含み、従ってより具体的には、先ずｒ型の光半導体膜
が被着され、次いでＩｕ及びＮ型の光半導体膜が順次積
層被着される。
この様にして全面に旦って共通に被着された光半導体層
１；３）はレーザビーム（ＬＢ）の照射により各光電変
換＠域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）毎に分離せしめられる
が、所るレーザビーム（ＬＢ）の照射は吹出しノズル＋
、７）から図中矢印の如く吐出された窒素カス雰囲気中
で行なわれる。即ち、祈る窒素ガス雰囲気中でのレーザ
ビーム（ＬＢ）照射は、木発り」者らの第１電極膜（２
ｂ）（２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）に於ける抵
抗層の形成はレーザビーム（ＬＢ）の照射により融点以
上に温度上昇した接続部（２１）’）（２Ｃ’）の表面
が周囲の酸素と反応し、安定した結晶構造が崩れたこと
に起因している、との考察に基いて為されたものである
。
１；３）はレーザビーム（ＬＢ）の照射により各光電変
換＠域（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）毎に分離せしめられる
が、所るレーザビーム（ＬＢ）の照射は吹出しノズル＋
、７）から図中矢印の如く吐出された窒素カス雰囲気中
で行なわれる。即ち、祈る窒素ガス雰囲気中でのレーザ
ビーム（ＬＢ）照射は、木発り」者らの第１電極膜（２
ｂ）（２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）に於ける抵
抗層の形成はレーザビーム（ＬＢ）の照射により融点以
上に温度上昇した接続部（２１）’）（２Ｃ’）の表面
が周囲の酸素と反応し、安定した結晶構造が崩れたこと
に起因している、との考察に基いて為されたものである
。
従って、第４図に示す如くレーザビーム（ＬＢ）の照射
によって光半導体膜（３）が除去され露出せしめられた
第１電極膜（２ｂ）（２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ
’）表面には酸素との加熱反応を原因とした抵抗層は形
成されるに至らない。
によって光半導体膜（３）が除去され露出せしめられた
第１電極膜（２ｂ）（２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ
’）表面には酸素との加熱反応を原因とした抵抗層は形
成されるに至らない。
一方、上記レーザビーム（ＬＢ）の照射により光半導体
膜（３）が焼損除去される過程に流いて、６光電変換領
域（５λ）Ｃ５ｂ）（５Ｃ）を形成すべく分離せしめら
れた各光半導体膜（３ａ）（３ｂ）（ろＣ）の側面は雰
囲気カスである窒素とレーザビーム（ＬＢ）の焼損熱と
によって熱窒化反応し、例えばアモルファスシリコンに
あっては窒化シリコンの如き絶縁性の窒化膜１８１＋８
＋・・・を形成する。即ち、レーザビーム（ＬＢ）の照
射により光半導体層（３）は分離と側面に於ける絶縁処
理が同時に施される。
膜（３）が焼損除去される過程に流いて、６光電変換領
域（５λ）Ｃ５ｂ）（５Ｃ）を形成すべく分離せしめら
れた各光半導体膜（３ａ）（３ｂ）（ろＣ）の側面は雰
囲気カスである窒素とレーザビーム（ＬＢ）の焼損熱と
によって熱窒化反応し、例えばアモルファスシリコンに
あっては窒化シリコンの如き絶縁性の窒化膜１８１＋８
＋・・・を形成する。即ち、レーザビーム（ＬＢ）の照
射により光半導体層（３）は分離と側面に於ける絶縁処
理が同時に施される。
この様にして分離された各光半導体膜（３ａ）（３１ｊ
）（３Ｃ）上に第２電極膜を全面に亘って連続的に被着
せしめ、然る後第２電極膜（４ａ）（４ｂ）を隣接する
光半導体膜（３ｂ）（３Ｃ）から露出した第１電極暎（
２ｂ）（２ｃ）の接続部（２１）’ ） （２Ｃ’ ）
に１０接延出せしめるべくエツヂング若しくはレーザビ
ームの照射によりバク一二シグするｇこのパクーニング
に於いて、第５図に示す如く上記第２電極膜（４ａ）か
ら延出せる延出部Ｃ４１’ ）は、当該光電変換頭載（
５３つの光半導体膜（ろａ）側面と直接接触せず、」二
記熱窒化反応により形成された窒化膜＋３１から成る絶
縁処理部を介して延出し、隣接の第１電極１摸（２ｂ）
の接続部Ｃ２ｂ’）と直接電気的に結合する。
）（３Ｃ）上に第２電極膜を全面に亘って連続的に被着
せしめ、然る後第２電極膜（４ａ）（４ｂ）を隣接する
光半導体膜（３ｂ）（３Ｃ）から露出した第１電極暎（
２ｂ）（２ｃ）の接続部（２１）’ ） （２Ｃ’ ）
に１０接延出せしめるべくエツヂング若しくはレーザビ
ームの照射によりバク一二シグするｇこのパクーニング
に於いて、第５図に示す如く上記第２電極膜（４ａ）か
ら延出せる延出部Ｃ４１’ ）は、当該光電変換頭載（
５３つの光半導体膜（ろａ）側面と直接接触せず、」二
記熱窒化反応により形成された窒化膜＋３１から成る絶
縁処理部を介して延出し、隣接の第１電極１摸（２ｂ）
の接続部Ｃ２ｂ’）と直接電気的に結合する。
尚、上ｇＱｖ；１ ’１４ｔｋｌｈ４ （２” ） （
２Ｃ） ト第２ ％極膜（４ａ）（４ｂ、）とは該第２
電極膜（４ａ）（４ｂ）が面接接続部（２ｂ′）（２Ｃ
′）！、で延出することによって、複数の光電変換領域
（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）は電気的に直列関係になるべ
く接続せしめられていたが、両電極膜（４ａ）（２ｂ）
、（４１） ） （２Ｃ）とを専用の接続電極膜により
間接的に電気結合しても良い。斯る構造であっても第２
電極膜（４ａ）（４ｂ）は接続電極膜によって電気的に
延出せしめら与たことになり、上記接続電極膜も当然窒
化膜（８）・・・の絶縁処理部を介し−Ｃ第１電極暎＜
２ｂ）Ｃ２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）に延出す
る。
２Ｃ） ト第２ ％極膜（４ａ）（４ｂ、）とは該第２
電極膜（４ａ）（４ｂ）が面接接続部（２ｂ′）（２Ｃ
′）！、で延出することによって、複数の光電変換領域
（５ａ）（５ｂ）（５Ｃ）は電気的に直列関係になるべ
く接続せしめられていたが、両電極膜（４ａ）（２ｂ）
、（４１） ） （２Ｃ）とを専用の接続電極膜により
間接的に電気結合しても良い。斯る構造であっても第２
電極膜（４ａ）（４ｂ）は接続電極膜によって電気的に
延出せしめら与たことになり、上記接続電極膜も当然窒
化膜（８）・・・の絶縁処理部を介し−Ｃ第１電極暎＜
２ｂ）Ｃ２Ｃ）の接続部（２ｂ’）（２Ｃ’）に延出す
る。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、光半導体膜に覆
われた第１電極膜の第２電極膜と接続されるべき接続部
は、窒素ガス雰囲気中でのエネルギビームの照射によっ
て露出せしめられるので、接続部表向に於ける抵抗層は
酸素かなくなることによって形成されるに至らず、所る
抵抗層による電力損失の増加を」イ」＜ことなく加工精
度に富むエネルギービームの使用が６丁能となり、光利
用効率を向上せしめることができる。更に、上記窒素ガ
ス雰囲気中でのエネルギビームによる分割論］一時、第
２電極膜の電気的延出部と当接せる光半導体膜の側面は
熱窒化反応により絶縁処理されるので、上記光半導体膜
の側面にぬけるリーク電流の発生をも抑圧することがで
きる。
われた第１電極膜の第２電極膜と接続されるべき接続部
は、窒素ガス雰囲気中でのエネルギビームの照射によっ
て露出せしめられるので、接続部表向に於ける抵抗層は
酸素かなくなることによって形成されるに至らず、所る
抵抗層による電力損失の増加を」イ」＜ことなく加工精
度に富むエネルギービームの使用が６丁能となり、光利
用効率を向上せしめることができる。更に、上記窒素ガ
ス雰囲気中でのエネルギビームによる分割論］一時、第
２電極膜の電気的延出部と当接せる光半導体膜の側面は
熱窒化反応により絶縁処理されるので、上記光半導体膜
の側面にぬけるリーク電流の発生をも抑圧することがで
きる。
第１図は基本的な光起電力装置の要部斜視図、第２図は
従来例の要部拡大断面図、第６図並びに第４図は本発明
製造方法を説明するための模式図、第５図は本発明によ
り製造された光起電力装置の要部拡大断面図、を犬々示
している。 （１） ・・・絶縁基板、（２’ａ ） （２ｂ ）
（２Ｃ） −・・第１電極膜、１３１ （３ａ ） （
３ｂ ） （３Ｃ） −光半導体１娘、（４ａ ） （
４ｂ ） （４Ｃ） −・・第２電極膜、（５ａ ）
（５ｂ ） （５Ｃ）−・・光電変換領域、Ｂ７） −
・・吹出しノズル、１８）・・・窒化膜、（ＬＢ）・・
・レーデビーム。 第１ンｊ 第２図 図
従来例の要部拡大断面図、第６図並びに第４図は本発明
製造方法を説明するための模式図、第５図は本発明によ
り製造された光起電力装置の要部拡大断面図、を犬々示
している。 （１） ・・・絶縁基板、（２’ａ ） （２ｂ ）
（２Ｃ） −・・第１電極膜、１３１ （３ａ ） （
３ｂ ） （３Ｃ） −光半導体１娘、（４ａ ） （
４ｂ ） （４Ｃ） −・・第２電極膜、（５ａ ）
（５ｂ ） （５Ｃ）−・・光電変換領域、Ｂ７） −
・・吹出しノズル、１８）・・・窒化膜、（ＬＢ）・・
・レーデビーム。 第１ンｊ 第２図 図
Claims (1)
- ｔｌ） 絶縁表面を有する基板上に設けられた複数の
光電変換領域は、上記基板から積層された第１電極暎、
光半導体膜及び第２電極膜を少くとも含み、上記第１の
電極膜に他の光電変換＠域の第２電極膜が電気的に接続
され複数の光電変換領域からそれらの直列出力を得る光
起電力装置の製造方法に於いて、各複数の光電変換領域
毎に分割された第１電極膜上に全面に巨って連続的に光
半導体膜を被着した後、該光半導体膜を窒素ガス雰囲気
中でのエネルギビームの照射により各光電変換領域毎に
分離し、被覆状恵にあった第１電極膜の第２電極膜と接
続されるべき接続部を露出せしめると共に、上記分離せ
しめられた光半畔体層の側面を上記窒素カスとエネルギ
ビームとの熱による熱窒化反応により絶縁処理し、該絶
縁処理部を介して上記第２電極膜を電気的に延゛出せし
め、露出した第１電極膜の接続部に接続することを特徴
とした光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042641A JPS59168680A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042641A JPS59168680A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168680A true JPS59168680A (ja) | 1984-09-22 |
| JPH0445990B2 JPH0445990B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=12641635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042641A Granted JPS59168680A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168680A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198685A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| JP2009158861A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2010064549A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP58042641A patent/JPS59168680A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198685A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製法 |
| JPH0550871B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1993-07-30 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
| JP2009158861A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2010064549A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| CN102239571A (zh) * | 2008-12-04 | 2011-11-09 | 三菱电机株式会社 | 薄膜光电变换装置的制造方法 |
| JPWO2010064549A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| US8507310B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-08-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing thin-film photoelectric conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445990B2 (ja) | 1992-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2004204637B2 (en) | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method | |
| US4517403A (en) | Series connected solar cells and method of formation | |
| US5385614A (en) | Series interconnected photovoltaic cells and method for making same | |
| CN111341875A (zh) | 一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器 | |
| JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS59168680A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| CN111933747A (zh) | 面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法 | |
| JPS60260166A (ja) | 光電・熱電エネルギ−変換装置 | |
| JPH0476227B2 (ja) | ||
| JP4127994B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS59161081A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH0566754B2 (ja) | ||
| JP2004186443A (ja) | 透光性薄膜太陽電池及び透光性薄膜太陽電池モジュール | |
| JPH0638512B2 (ja) | 光電変換半導体装置 | |
| JP2006203056A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH069251B2 (ja) | 光電変換半導体装置作製方法 | |
| JPS59132686A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH03132080A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6261376A (ja) | 太陽電池装置 | |
| JPS59220979A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6265480A (ja) | 薄膜太陽電池装置 | |
| JPS6158278A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPS62198171A (ja) | 光電変換半導体装置 | |
| JPH0476226B2 (ja) | ||
| JPH0758797B2 (ja) | 光電変換半導体装置の作製方法 |