JPS59160368A - 静電像読み出し方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は画像情報を静電像保持体に静゛毛的に記録し、
その記録された静電像を電気信号として読出す方法に関
するものである。

静電像保持体上に画像を静電像として記録し、その静電
像を時系列の電気４８号として読出す彷法は、例えは特
開昭５４−３１２１９号公報、特表昭５［（−５０（１
７０４号公報等に記載されている。

従来知られている静電像読出しブラ法は、上記公報に開
示されているように、絶縁層と光導電層を導電層で挾ん
だ構成の静電像保持体の絶縁層に保持された記録静電像
を、二つの導電層を外部で短絡させることにより光導電
層に転位させ、転位した静電像を光走査して放電させ、
放電電流を信号として読出すものである。このように導
電層が絶縁層と光導電層を全面に渡り覆っており、導電
層を外部短絡させると瞬時に全面に渡って静電像の転位
が起り、次いで走う〒されるまでに時間的な遅れがある
。特に静電像保持体の面積か広い場合に走査終端に近づ
くほど遅れか酷くなり、その間に静電電荷が減衰してし
まい、十分なＳ／Ｎ比か得られないことになる。一方、
走査速度を上けることは、光導電層のキャリアの移動時
間や、光導電層の暗比抵抗率と誘電率で決まる暗放電時
定数等の制限から限界がある。それゆえ解像性−をあげ
ようとして光点走査富度を大きくすることにも限界がで
てくる。

例えば、光導電層にＳｅを使用した場合、Ｓｅの暗比抵
抗率は約１０１２Ω・ｍ、比誘電率は約６．３て、真空
の誘電率は８．８５５Ｘ　１０−”であるから、暗時定
数ｔｃとすると、ｔｃ−真空の誘電率×比誘電率×比抵
抗率＝　８．８５５Ｘ　ｔ　Ｏ−１２Ｘ　６　。

３Ｘ１０’　２　＝６０　Ｃ秒）となる。今、静電像保
持体の面積を３００＋ｎｍＸ　３００ｍｍとし１ｏｄｏ
ｔ／ｍｍの光点走査をすると、全面で（３００×１０）
２−９ＸＩＯ６ケ所の光点照射をする必要がある。

一方、光点が照射されて、放電電流が流れ終るまでに約
５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−６秒必要とするから、静電像保持体の
全面積の光点走査を終えるのにｔ　＝　９　Ｘ　１０’
Ｘ　５　Ｘ　１０−’″−４５（秒）の時間が必要とな
る。

この時間ｔと暗時定数ｔｃを比較した場合、略同程度と
なる。従って、光点走査が後で行なわれる箇所から検出
される電気信号については、暗放電によって失われた電
荷量を補止する必要か生ずる。また、同一ケ所を数回走
査して夫りの箇所の潜像強度に応じたアナログ量に変換
しようとする場合も、時間的余裕がなくなる。総じて、
静電潜像を転位後直ちに光点走査して、電気信号に変換
することを完了させなければならないという不都合があ
る。

本発明は上記の不都合を解消することを目的とする。

この目的を達成するだめの本発明は、少なくとも表面絶
縁層・１と、電磁波により励起されて導電性を持つ半導
体層２と、導電体層３とを持つ静電像保持体１０の表面
に、一様に帯電する一次工程（ａ）と、静電像保持体１
０に像形成の電磁波Ｌ１を照射すると共に前記−次工程
の帯電極性と逆極性又は交流の帯電をして静電像を形成
する二次工程（ｂ）と、静電像保持体に一様に電磁波Ｌ
２を照射して半導体層間の電荷を消滅させる三次工程（
Ｃ）と、静電像保持体の表面を順次を除電して該静電像
を半導体層間に転位させる四次工程（ｃｌ）と、転位さ
れた静電像を電磁波Ｌ３で走査して静電電荷を放電させ
その放電電流を信号として読出す三次工程（ｅ）とから
なる静電像読出し方法である。

以下本発明を図面の記載に基き詳細に説明する。

第１図は絶縁層１、光導電層２及び導電性基板３を基本
構成とする静電像保持体１０に絶縁層ｌ側から像照躬す
る場合を示している。

先ず一次工程（ａ）の一様帯電の極性は、光導電層２か
Ｐ型半導体のときは負に、ｎ型半導体のときは正に選択
してコロナ帯電する。実施例ではｎ型半導体を使用し、
コロナ帯電器４により負に帯電する。このとき導電性基
板３からの電荷注入が不十分のために光導電層２内の分
極が十分でない場合、帯電と略同時に光照射を行なう。

次に第二工程（ｂ）として、−次帯電と逆極性のコロナ
帯電即ち正又は交流ＡＣ帯電をコロナ帯電器５により施
すと同時に、原画像Ｌ１を照射する。右半分が明部で左
半分が暗部であることを示す。明部では光導電層２が導
通しているため帯電による正電荷が絶縁層ｌの表面に帯
電されるが、暗部では光導電層２は導通していないため
光導電層２の正電荷に引かれた絶縁層１の表面の負電荷
が残る。

次の第三工程（Ｃ）で、静電像保持体１０に一様に光Ｌ
２を照射すると光導電層２は導通するため、原画像に応
じた静電潜像が、絶縁層１上に形成される。

この静電潜像を読出す場合第四工程（ｄ）て、接地され
た導電性ゴムローラ６を絶縁層１の表面に押圧して回転
移動させると、絶縁層１の表面の電荷が除電され、新た
に電界が誘起され静電像の電荷が光導電層２に転位され
る。第五工程（ｅ）に示すように除電された部分から直
ちに光Ｌ３により走査していくと、原画像の明暗に応じ
た放電が起り、電気信号が導電層３から出力される。電
気信号は原画像の暗部の濃度が大きいところほど、電気
信号は大きｔなる。

この信号はオペアンプ（図示せず）等に入力して増ＩＪ
され画像信号源となる。

以上説明したごとく本発明の静電像読出し方法によれば
、絶縁層１が導電性物質と接触して′いな聾〉 いため、工程（Ｃ）の段階での全露光は従来の方法のよ
うに光点走査をする必要がない。工程（ｄ）及び（ｅ）
ては静電像電荷を光導電層・２に転位させたところから
順次読み出してゆくため、大面積の画像でも、暗減衰の
補正をする必要かない。

また光点走査音度を必要なだけ細かくすることか可能で
、情報量の密な電気信号を１）ることが出来、解像力の
高い画像の読出しが可能である。ざらに静′７１１！：
潜像が絶縁層上に形成されており、導電性物質と接触し
ていないため、静電潜像電荷か長期に亘って安定であり
、画像メモリとして使用した場合に有益な方法である。

なお静電潜像か形成された後、信号を読み出す際に前述
例では導電性ローラ６で除電したが他の除電手段例えば
コロナ放電器、溶剤含浸布による拭しよく、針状電極等
の手段で行っても良い。

前述例に於ける光Ｌ１・Ｌ２・Ｌ３は、可視光に限られ
るものではない。光導電層２に照射された場合に、光導
電層２を励起して導電性を持たせるような波長の電磁波
であれば良い。

第２図にはこのような光り、をＸ線にした実施例を示し
ている。

前述例の第二工程（ｂ）で像形成の電磁波の照射光がＸ
線である場合、像のぼけを防ぐため被写体を像保持体に
出来るだけ近づけて置く必要かある。従ってコロナ帯電
器５側に被写体が置かれる場合は帯電器の高さ、被写体
の置き台と帯電器との空げき、帯電器と静電像保持体と
の間の空げきの分だけ被写体か静電像保持体から離れて
解像度が悪くなってしまう。それゆえ、第２図に示すよ
うに静電像保持体１１の基板９側に被写体○を置くよう
にすると解像度の高いＸ線透過像が得られる。

また静電像保持体１１の構造としては基板９側からＸ線
を照射するとの理由から、基板９はＸ線透過率の高いも
のを選択する必要がある。基板９が絶縁性のものであれ
ば、導電層８を積層する必要がある。さらに光導電層２
と導電層８の間には電荷が導電層８に流出するのを防止
するため、障壁層７を挿入する必要がある。

潜像形成方法は、基板９側から像照射する場合は一次工
程（ａ）で、光導電層２がｐ型なら１次帯電の極性を正
に選択し、絶縁層１側から一様に光照射しながら、コロ
ナ帯電する。次に第二工程（ｂ＞で−次帯電とは逆極性
コロナ帯電又はＡＣ帯電をすると同時にＸ線Ｌｘを被写
体Ｏを通して静電像保持体に照射する。一様に光を１１
（（則する工程（Ｃ）、静電潜像を読み出す工程（ｄ）
、（ｅ）は第１図に示す実施例ど同様である。

上記各実施例では像担持体の半導体層かｐ型半導体であ
る場合について説明したがｎ型半導体である場合は帯電
電荷は正負を°逆にすることが〃１′ましい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用する静電像読出し方法の実施例の
工程説明図、第２図は別な実施例の工程説明図である。 ■は絶縁層、２は半導体層、３は導電層、１０は静電像
保持体である。 代　　　　理　　　　人　　　　イ晶　　　　　　　１
）　　　　　　勧　、−−ユ：（Ｃｔ）　　　　　　　
　、（ｂ） 第２図 （ｏ）（ｂ）（ｃ） 第１図 （ｃ）　　　　（ｄ）　　　　（ｅ） （ｄ）　　　　（ｅ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも表面絶縁層と、電磁波により励起され
   て導電性を持つ半導体層と、導電体層とを持つ静電像保
   持体の表面に、一様に帯電する一次工程と、 該静電像保持体に、像形成の電磁波を照射すると共に、
   前記−次工程の帯電極性と逆極性又は交流の？ｆ′Ｉ電
   をして静電像を形成する二次工程と、該静電像保持体に
   、一様に′・Ｅ磁波を照射する三次」工程と、 該静電像保持体の表面を順次除電して該静電像を米導体
   層間に転位させる四次工程と、転位°された静電像を電
   磁波で走査して静゛１に電荷を放電させ、その放電電流
   を信号として読出す五次工程とからなる静電像読出し方
   法。