JPS59139681A - Schottky barrier diode - Google Patents
Schottky barrier diodeInfo
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- JPS59139681A JPS59139681A JP58012717A JP1271783A JPS59139681A JP S59139681 A JPS59139681 A JP S59139681A JP 58012717 A JP58012717 A JP 58012717A JP 1271783 A JP1271783 A JP 1271783A JP S59139681 A JPS59139681 A JP S59139681A
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- JP
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- barrier diode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はショットキバリアダイオード構造に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a Schottky barrier diode structure.
半専体と金属との接触部分に生じるショットキバリア（
ショットキ障壁）の整流作用を利用したショットキバリ
アダイオードは、例えば第１図に示すようにＰ−型Ｓｉ
基板１の上にｎ＋＋埋込層２を介してエピタキシャル成
長させたｎ型Ｓ１層３０表面の一部にＡ１等の金属４を
合金させてショットキバリアを形成したもので、Ａ、１
３部分はアノード電極（Ａ）となる。ｎ型Ｓｉ層の表面
の他部には高濃度拡散によるｎ＋型領領域５つくり、こ
の上にＡＪＩ？等の金属６をオーミック′フンタクトさ
せてカソード電極（Ｋ）とする。上記ショットキバリア
をつくるＡ−ｇ−８ｉ合金部分７はバリア領域の周辺部
で、特に第２図の平面図に示すように四角の隅部（コー
ナー）８で深さ０．５〜１μｍに及ぶアロイビットが集
中し易い。このようなアロイピットのためにその部分８
に電界が集中してリーク電流が増大しその結果ＶＦＩＣ
太きいばらつきを生じて回路動作が不安定となった。Schottky barrier (
A Schottky barrier diode that utilizes the rectifying effect of a Schottky barrier is, for example, a P-type Si diode as shown in Figure 1.
A Schottky barrier is formed by alloying a metal 4 such as A1 with a part of the surface of an n-type S1 layer 30 epitaxially grown on a substrate 1 via an n++ buried layer 2.
The third portion becomes an anode electrode (A). On the other part of the surface of the n-type Si layer, an n+-type region 5 is created by high-concentration diffusion, and AJI? A cathode electrode (K) is formed by applying an ohmic contact to a metal 6 such as the like. The A-g-8i alloy portion 7 forming the Schottky barrier extends to a depth of 0.5 to 1 μm at the periphery of the barrier region, particularly at the square corner 8 as shown in the plan view of FIG. Alloy bits are easy to concentrate. Its part 8 for alloy pit like this
The electric field concentrates on the VFIC and the leakage current increases.
Large variations occurred and circuit operation became unstable.
本発明は上記した欠点を取り除くためになされたもので
、その目的とするところはショットキバリアダイオード
の耐圧安定化を図ることにある一上記目的を達成させる
ため本発明はショットキバリア部の主面形状を鈍角によ
り囲まれた多角形又は円形とすることによりコーナー（
隅部）のアロイビット形成を低減したものである。The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to stabilize the breakdown voltage of a Schottky barrier diode.In order to achieve the above-mentioned purpose, the present invention has been made to A corner (
This reduces the formation of alloy bits at corners).
第３図は本発明によるショットキバリアダイオードのシ
ョットキバリア部の平面パターンの一例を示すものであ
る。FIG. 3 shows an example of a planar pattern of a Schottky barrier portion of a Schottky barrier diode according to the present invention.
ショットキバリアのアロイピットはコーナーが鋭角であ
るほど集中しやすいが、上記の例のようにショットキバ
リア部のパターンを六角形とすることによりコーナーが
鈍角化（９０’−＋ １３５°）され、コーナ一部での
アロイピットの形成が平均化され、したがって電流集中
を防止し、ショットキバリアダイオードのＶＦを安定化
し、リーク電流を減少できる。The sharper the corners are, the easier the alloy pits in the Schottky barrier are to concentrate, but by making the pattern of the Schottky barrier part hexagonal as in the example above, the corners are made obtuse (90'-+135°), and the corners are more concentrated. The formation of alloy pits in the area is averaged out, thus preventing current concentration, stabilizing the VF of the Schottky barrier diode, and reducing leakage current.
第４図は本発明によるショットキバリアダイオードのシ
ョットキバリア部の平面パターンの他の例を示し、この
場合は円形とすることによりコーナーに曲部を有するも
ので、前記例と同様の理由でコーナ一部へのアロイビッ
トの形成を低減できる。FIG. 4 shows another example of the planar pattern of the Schottky barrier portion of the Schottky barrier diode according to the present invention. The formation of alloy bits on the parts can be reduced.
第５図はショットキバリアダイオードにおいて電流−電
圧特性曲線がバリアの形状によって異なる形態を示して
いる。同図において実線はバリア形状が正方形の従来の
場合、破線はバリア形状が円形の場合を示す。正方形の
場合の特性のばらつきはｄで示され、円形の場合の破線
はばらつきのない安定状態をあられしている。FIG. 5 shows a Schottky barrier diode in which the current-voltage characteristic curve differs depending on the shape of the barrier. In the figure, the solid line shows the conventional case where the barrier shape is square, and the broken line shows the case where the barrier shape is circular. The variation in characteristics in the case of a square is indicated by d, and the broken line in the case of a circle indicates a stable state with no variation.
本発明は前記実施例に限定されるものでなく、バリアの
パターンは六角形と限らず六角形その他の角数の多い多
角形であってもよい。又、円形のパターンにかえて長円
形のパターンを用いてもよい。The present invention is not limited to the above embodiments, and the pattern of the barrier is not limited to hexagons, but may be hexagons or other polygons with a large number of corners. Further, an oval pattern may be used instead of the circular pattern.
本発明によればショットキバリアのパターンを代えるこ
とによって電流集中がなくなり、耐圧増加するとともに
製品の歩留りを向上する上で効果がある。According to the present invention, current concentration is eliminated by changing the pattern of the Schottky barrier, which is effective in increasing the withstand voltage and improving the product yield.
本発明はショットキバリアダイオード付ＩＣ１例えばシ
ョットキーＴＴＬ（５ＴＴＬ Ｌ ローパワーショット
キーＴＴＬ （ＬＳＴＴＬ）に適用して最も有効であり
、又、それ以外に高周波ＩＣに応用できる。The present invention is most effective when applied to an IC with a Schottky barrier diode, for example, a Schottky TTL (5TTL, L Low Power Schottky TTL (LSTTL)), and can also be applied to other high frequency ICs.
第１図はショットキバリアダイオードの一例を示す縦断
面図、
第２図は第１図におけるショットキバリアの形状を示す
平面図である。
第３図及び第４図は本発明によるショットキバリアダイ
オードのショットキバリア形状の例を示す平面図である
。
第５図はショットキバリアダイオードの電流電圧特性の
曲線図である。
１・・・Ｐ−型基板、２・・・ｎ＋＋埋込層、３・・・
ｎ型Ｓｉ層、４・・・金属、５・・・ｎ＋型領領域６・
・・金属、７・・合金部分、８・・・隅部（コーナ一部
）。
第 １ 図
第 ３ 図
第 ５ 図FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a Schottky barrier diode, and FIG. 2 is a plan view showing the shape of the Schottky barrier in FIG. 1. 3 and 4 are plan views showing examples of the Schottky barrier shape of the Schottky barrier diode according to the present invention. FIG. 5 is a curve diagram of current-voltage characteristics of a Schottky barrier diode. 1... P- type substrate, 2... n++ buried layer, 3...
n-type Si layer, 4...metal, 5...n+ type region 6.
... Metal, 7. Alloy part, 8. Corner (part of corner). Figure 1 Figure 3 Figure 5
Claims (1)
れた多角形又は円形であることを特徴とするショットキ
バリアダイオード。1. A Schottky barrier diode characterized in that the main surface of the Schottky barrier portion is polygonal or circular surrounded by obtuse angles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012717A JPS59139681A (en) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | Schottky barrier diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012717A JPS59139681A (en) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | Schottky barrier diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139681A true JPS59139681A (en) | 1984-08-10 |
Family
ID=11813181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58012717A Pending JPS59139681A (en) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | Schottky barrier diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139681A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143867A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58012717A patent/JPS59139681A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143867A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device |
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