JPS59119538A

JPS59119538A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS59119538A
Application number: JP57234817A
Authority: JP
Inventors: Osamu Kawamoto; 修河本; Masaharu Nishimatsu; 西松　正治; Hiroshi Sugihara; 洋杉原; Yasushi Takasugi; 高杉　康史
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1982-12-25
Filing date: 1982-12-25
Publication date: 1984-07-10
Also published as: FR2538594A1; GB2133315B; GB2133315A; NL189219C; DE3346770C2; DE3346770A1; GB8334186D0; NL8304424A; NL189219B; FR2538594B1; US4592948A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景技術分野本発明は、磁気記録媒体、特にいわゆる斜め蒸Ａ法によ
る連続薄ｌｊＱ型の磁性層を有する磁気記録媒体に関す
る。

先行技術とその問題点ビデオ用、オーディオ用等の磁り記録媒体として、デー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。

このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したＣ０５Ｃｏ−Ｎｉ　、　
Ｃｏ−０、Ｃｏ　−Ｎｉ　−０系等の蒸着膜が最も好適
である。

しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力がイ氏下してしまう。

また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。

さらに、いわゆるドロップアウトも多い。

このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。

例えば、直鎖の飽和脂肪酸ないしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜等である。

しかし、従来のトップコート膜は、いずれも、上記走行
耐久性、スチル耐久性、ドロップアウト等の点で、未だ
不十分な結果しか得られていない。

且　発明の目的本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘッドタッチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐久
性が高く、ドロップアウトの発生の少ない新規なトップ
コート膜を有する、斜め蒸着法による磁性層をもつ磁気
記録媒体を提供することにある。

このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基体上に、ＣＯｌまたはＣＯならびＫＮｉ、Ｃｒおよび
Ｏのうちの１〜３種を含む磁性層を有し、この母性層上
に、下記式で示される化合物からなる膜を有す゛ること
を特徴とする磁気、ｉ己録を基体である。

式　　　ＲＮＨ２［上記式において、Ｒは、炭素原子数１０〜２２の直鎖
の飽和アルキル基である。）１１１　　発明の具体的構
成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体は、基体上に磁性層を有する。

イ厩性層は、Ｃｏを必須成分とし、Ｃｏ　、　’Ｃｏ十
Ｎｉ、Ｃｏ＋０、またはＣｏ　−１−Ｎｉ　−１−Ｑか
らなる。

すなわち、Ｃｏ単独からなってもよく、Ｃ。

とＮｉとからなってもよい。　Ｃｏ　十Ｎｉである場合
、Ｃｏ／Ｎｉの重量比は、１５以上であることが好まし
い。

さらに、ＣＯまたはＣｏ　４−　Ｎｉに加え、０が含ま
れていてもよい。　０が含まれたときには、電磁変換特
性や走行耐久性の点で、より好ましい結果を得る。

このような場合、Ｏ／Ｃｏ（Ｎｒが含まれない場合）あ
るいは０／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子比は０．２以下、特に
０．０１〜０．１であることが好まし℃１．。

一方、磁性層中には、Ｃｏ　、　Ｃｏ、−１−Ｎｉ　、
　Ｃ。

＋０、あるいはＣｏ＋Ｎｉ＋Ｑに加え、Ｃｒが含有され
ると、より一層好ましい結果を得る。

これは、電磁変換特性が向上し、出力およびＳ／Ｎ比が
向上し、さらに膜強度が向上するからである。

このような場合、Ｃｒ　／　Ｃｏ　（Ｎｉが含まれない
場・合）あるいはＣｒ　／　（Ｃｏ＋Ｎｉ　）　（’）
ｆｆｉｔ比は０．００１〜０．１であることが好ましい
。

この場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるイハＣｒ／（Ｃｏ十Ｎｉ
）の重量比は、０．００５〜０．０５であると、より一
層好ましい結果を得る。

なお、このような磁性層中には、さらに、他の（故地成
分、特に遣移金属元素、例えばＦ’ｅ。

Ｍｎ　、　Ｖ　、　Ｚｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｍ
ｏ　、　Ｗ　、　Ｔｉ　、　Ｃｕ　。

Ｚｎ等カー含まれていてもよい。

このような磁性層は、基体の主面の法線に対して、傾斜
した柱状結晶構造の粒子の集合体であることが好ましい
。　これにより電磁変換特性が向上する。

このような場合、各柱状結晶構造の粒子は、基体の主面
の法線に対して、２０〜６０°の範囲で傾斜しているこ
とが好ましい、また、谷柱状結晶粒子は、通常、第１磁性層の厚さ方向
全域に亘る長さをもち、その短径は、一般に５０〜５０
０Ａ程度とされる。

そして、Ｃｏと、必要に応じ添加されるＮ１゜Ｃｒ等は
この柱状結晶自体を構成するものであり、Ｏが添加され
たとき、Ｏは、通常、各柱状結晶粒子の表面に主として
酸化物の形で存在している。

このような磁性層は１通常０．０５〜０．５μｍｎ＝Ｉ
Ｊ）厚さに形成される。

この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に、下地周を介して設けられていて
もよい。

また、（＋Ｂ磁性層１通常、単一の層として形成される
が、場合によっては、中間層を弁して複数の層を積層し
て形成されていてもよい。

このような磁性層は、通常、斜め蒸着法によって形成さ
れる。

用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は３０°以上
とすることが好ましい。

なお、蒸着条件および住処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。　この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中へのＯ導入のための公知の各棹処理法等が
ある。

このような磁性層上には、上記式に示されるモノ直鎖明
相アルキルアミンからなる１１４　カ形成される。

上記式において、１（は、炭素原子数１０〜２２の直鎖
の巨利アルキル基である。

１ｔの炭素原子数が１０未満となると、臨界的に走？ｉ
Ｍ擦が大きくなってしまい、しかもに行耐久性、メチル
耐久性が臨界的に城少し、ドロップアウトも臨界的に増
大してしま５゜また、　Ｉ（の炭素原子数が２２をこえ
ると、臨界的に、ドロップアウトが増大する。

このようなトソフコート膜は、単分子層以上０．３μｍ
以下、より好ましくは０．００５〜０．１ｔ１ｍの厚さ
とされる。

そして、このようなトップコート１戻は、繞ッＨないし
スパッタリンクによって形成することが好ましい。

蒸着ないしスパッタリンクによらず、塗布等によるとき
には、！模厚を５すくして、しかもｊＬ）−な厚さで設
層することがむずかしい。

ナオ、蒸ノｎないしスパッタリングの際の条件は、公知
の条件に従えばよい。

用いる基体には特に制限はないが、特に６丁と５１４１
ユの基体、特にポリエステル、ポリイミド、ポリフ゛ロ
ビレ／等の４４１月旨芽虜のものでキ〕ることか好まし
い。

また、その厚さは、（虫々σ）ものであってよいが、特
に５〜２０μ雷であることが好ましい。

そして、その磁性層形成面の裏向の表面あが好ましい。

これにより、電磁変換特性が向上する。

■　発明の具体的作用効果本発明の磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ甲等の
磁気記録媒体として有用である。

本発明によれば、炭素原子数１０〜２２の直鎖の飽オｌ
アルギル基を有するモノアルキルアミ／からなるトップ
コート１戻を用いるので、走行摩擦が、臨界的に減少す
る。

また、その膜強度、画情性、ヘッドタッチ性もきわめて
商い。

このため、走行耐久性、スチル耐久性が臨界的に向上し
、ドロップアウトが臨界的に減少する。

■　発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例Ｃｏ／ＮｉのＭ量比４のＣｏＮｉ合金、およびＣｏ　／
　Ｎｉ　／　Ｃｒ　ノ重量比７５／２０１５のＣｏ　Ｎ
ｉＣｒ合金を用い、１０μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レ−１−（Ｐｌ：Ｔ）フィルム上に、それぞれ斜め蒸着
法により、磁性層を０，２μ悟厚にて形成し、サンプル
Ａｏおよび１３ｏを作成した。

斜め蒸着における入射角は４５°とし、蒸涜雰囲気は、
ＰＡ、＝２×１Ｏ−２Ｐａ、ＰＯＱ＝］Ｘ］Ｏ”Ｐａと
した。

得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成ヲモチ、
トもニＯ／　（Ｃｏ＋Ｎ１）＝０．０１（原子比）であ
り、基体主面法線に対し、約４００傾斜した、短径０．
Ｏ１μ駕の厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒子
の集合体であった。

また、イオンミリングを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、ＣＯは表面近くで少なく、またＯは化学
シフトしており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、０が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
していることが確認された。

次いで、上記ＡｏおよびＢＯの磁性層上に、各種有機化
合物を蒸発源として、ＰＡ、＝４Ｘ］０　　”Ｐａの雰
囲気にて、’０．０１μ情厚の表１に示されるトラフコ
ート膜を形成して、サンプルＡ１〜Ａ１□および８１〜
Ｂ８を得た。

これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。

１）走行摩擦サンプルの動摩擦係数μを、４０℃、相対湿度８０％で
、初期と５０パス後に測定した。

２）走行耐久性各サンプル忙対し、市販のｖ　’ｉ’　１を装置を用い
て、５０パス試験を行い、４ＭＨｚの信号の減少量（ｄ
Ｂ）を測定した。

３）スチル耐久性市販のＶ　’ｌ’　Ｉｔ装置にて、スチルモードにて、
画像が消失するに至る時間（分）を測定した。

４）ドロップアウト１分間あたりの１６ｄＢ以上の出力低下（個／分）を測
定した。

これらの結果を表１に示す。

ｊｋｌに示される結果から、本発明による臨界的効果が
あきらかである。

出願人　東京電気化学工業株式会社代狸人　弁理士　石　井　陽　− −Ｆ続補装置（自発）昭和５８年１０月　７日１、’に件の表示昭和５７年特許願第２３４８１７号２、発明の名称磁気記録媒体３、補正をする者・１１件との関係　　　　　　　　特許出願人任　　所
　　　　東京都中央区日木橘−丁目１３番１号名　　称
　　　（３０６）　　ティーディーケイ株式会社代表者
　　大　歳　　寛４、代理人　　〒１７１住　　所　　　　東京都豊島区西池袋五丁目１７番１１
号矢部ビル１階　電話　９８８−１６８０明細書のｌｒ
２、特許請求の範囲」の欄およびｆ３、発明の詳細な説
明」の欄６、補正の内容１）明細書の１特許請求の範囲１の欄の記載を別紙のと
おり補正する。

２）明細書の「発明の詳細な説明１の欄の記載を下記の
とおり補正する。

ｉ）第６ページ第７行に、ず０．２以下、特に０．０１
〜０．１」とあるを、Ｆｏ、４５以下、特に０．１５〜
０．４」と補正する。

薗）第７ページ第１２行に、「第１ｊとあるを削除する
。

１ｉｉ）第１１ページ下から４行目に、「０．０１」と
あるを、ｌｌ’０　、２ｊ　と補正する。

２、特許請求の範囲（１）　基体−ヒに、ＣＯ５またはＣｏならびにＮｉ　
、ＣｒおよびＯのうちの１〜３種を含む磁性層を有し、
この磁性層上に、下記式で示される化合物からなる膜を
有することを特徴とする磁気記録媒体。

式　　　　　　　ＲＮＨ２（上記式において、Ｒは、炭素原子数ｌＯ〜２２の直鎖
の２ルキル基である。）（２）　　ｆｌｕが蒸着ないしスパッタリング膜である
特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。

（３）　膜の厚さが０　、３１Ｌｍ以下である特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。

（４）　磁性層がＮｉを含み、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量
比が１．５以上である特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかに記載の磁気記録媒体。

（５）　磁性層がＣｒを含み、Ｃｒ／（ＣｏまたはＣｏ
＋Ｎｉ）の重量比がｏ、ｏｏｔ〜０゜ｌである特許請求
の範囲第１項ないし第４項Ｑり二ｆ」１φごに記載の磁
気記録媒体。

（６）　磁性層がＯを含み、Ｏ／（ＧｏまたはＧｏ＋Ｎ
ｉ）の原子比が０．１ｊ以下である特許請求の範囲第１
項ないし第５項Δ鳳ヱ九ｊに記載の磁気記録媒体。

（７）　磁性層が、基体法線に対して傾斜した柱状結晶
構造粒子の集合体である特許請求の範囲第１項ないし第
６項のいずれかに記載の磁気記録媒体。

（８）　磁性層の厚さが０．０５〜０．５ｐ、ｍである
特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の
磁気記録媒体。

Claims

【特許請求の範囲】１、基体上に、ＣＯｌまたはＣＯならびにＮｉ、Ｃｒお
よび０のうちの１〜３種を含む磁性層を有し、この磁性
層上Ｋ、下記式で示される化合物からなる膜を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。式　　　ＩＬＮＨ２（上記式において、Ｒは、炭素・原子数１０〜２２の直
鎖の飽和アルキル基である。）２、　膜が蒸着ないしス
パッタリング膜である特許請求の範囲第１項に記載の磁
気記録媒体。３、膜の厚さが０．３μ惰以下である特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の磁気記録媒体。４、磁性層がＮｉを含み、Ｃｏ　／　Ｎｉの重量比が１
．５以上である特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。５、磁性層がＣｒを含み、Ｃｒ　／　（ＣｏまたはＣｏ
−１−Ｎｉ）ノ重量比が０．００１〜０．１である特許
請求の範囲第１項ないし第４項に記載の磁気記録媒体。６、磁性層が０を含み、０／（ｃｏまたはＣｏ−１−Ｎ
ｉ　）の原子比が０．２以下である特許請求の範囲第１
項ないし第５項に記載の磁気記録媒体。７、　第１ａｆ性層が、基体法線に対して傾斜した柱状
結晶構造粒子の集合体である特許請求の範囲第１項ない
し第６項のいずれかに記載の磁気記録媒体。８、磁性層の厚さが０．０５〜０．５μ惰である特許請
求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の磁気記
録媒体。