JPS59111290A - 半導体ヒ−タの電極形成方法 - Google Patents
半導体ヒ−タの電極形成方法Info
- Publication number
- JPS59111290A JPS59111290A JP21987382A JP21987382A JPS59111290A JP S59111290 A JPS59111290 A JP S59111290A JP 21987382 A JP21987382 A JP 21987382A JP 21987382 A JP21987382 A JP 21987382A JP S59111290 A JPS59111290 A JP S59111290A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- electrode
- semiconductor
- heater
- semiconductor heater
- Prior art date
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- Pending
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- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、セラミンク半導体素子に金属を溶射すること
により電極を形成する方法に関するものである。
により電極を形成する方法に関するものである。
背景技術
従来、例えば正温度特性の半導体ヒータを構成する場合
で、セラミック半導体磁器の多数の貫通孔を有する面に
電極を形成するにあたり、アルミニウム、真ちゅう等の
金属を高温にして吹付ける金属溶射法を適用するのがよ
いことが知られている（特公昭５４−３０１３３号）。
で、セラミック半導体磁器の多数の貫通孔を有する面に
電極を形成するにあたり、アルミニウム、真ちゅう等の
金属を高温にして吹付ける金属溶射法を適用するのがよ
いことが知られている（特公昭５４−３０１３３号）。
然し、この金属溶射法では金属を溶射するだけで電極を
刺着成形するのみであるため、電極層の付着強度が弱く
しかも電極の固有抵抗が大きくて、例えば半導体ヒータ
としての性能に劣りまた使用耐久性に欠けるものになっ
てしまう。
刺着成形するのみであるため、電極層の付着強度が弱く
しかも電極の固有抵抗が大きくて、例えば半導体ヒータ
としての性能に劣りまた使用耐久性に欠けるものになっ
てしまう。
発明の開示
本発明は、斯る欠点を解消し得る半導体ヒータの電極形
成方法を提供すること、を［」的とする。
成方法を提供すること、を［」的とする。
即ち、本発明に係る電極の形成方法においては、電極を
形成す□る金属を溶射刺着した後、その金属層を適宜温
度で加熱焼付けするようにされている。
形成す□る金属を溶射刺着した後、その金属層を適宜温
度で加熱焼付けするようにされている。
発明を実施するための最良の形態
以下、これを図示実施例に基づいて説明すれば、次の通
りである。
りである。
この実施例は半導体ヒータを構成するものであり、中空
円盤形状をしたセラミック半導体素子ｌの多数の貫通孔
を有する表面に電極２を形成することが行なわれている
。
円盤形状をしたセラミック半導体素子ｌの多数の貫通孔
を有する表面に電極２を形成することが行なわれている
。
この電極２は、アルミニウム、真ちゅう等の金属を高温
にし、溶射装置で半導体素子ｌの貫通孔を有する面に吹
（＝４けることにより金属層として形成する。この溶射
処理は、貫通孔の内部にまで金属をイ＝Ｊ着しないよう
にするため、１０°〜６０°の角度より金属を溶射する
ことが望ましい。その溶射処理後、金属層には加熱炉内
で焼付は処理を施す。この加熱処理は金属層を酸化しな
い程度で行うのがよく、具体的には４５０℃〜６００℃
の温度下で１０分程度加熱焼付けすれば足りる。
にし、溶射装置で半導体素子ｌの貫通孔を有する面に吹
（＝４けることにより金属層として形成する。この溶射
処理は、貫通孔の内部にまで金属をイ＝Ｊ着しないよう
にするため、１０°〜６０°の角度より金属を溶射する
ことが望ましい。その溶射処理後、金属層には加熱炉内
で焼付は処理を施す。この加熱処理は金属層を酸化しな
い程度で行うのがよく、具体的には４５０℃〜６００℃
の温度下で１０分程度加熱焼付けすれば足りる。
このように焼付は処理すると、金属層が高密度になり、
金属の固相焼結により半導体素子ｌの表面に強固に付着
ししかも固有抵抗を半減することができる。
金属の固相焼結により半導体素子ｌの表面に強固に付着
ししかも固有抵抗を半減することができる。
このセラミンク半導体Ａは、その両面の電極を金属板材
で形成した給電板Ｂ、Ｃに夫々接触させて挟持し、それ
を耐熱性絶縁樹脂で形成した枠板りに取付は固定するこ
とにより、半導体ヒータを構成するに用いることができ
る。この半導体ヒータでは半導体Ａを介して給電板Ｂ、
Ｃ及び枠板りの開孔を通ずるエアーを吹込み、温風器等
とじてセラミック半導体Ａの発熱を利用できるものであ
るが、この場合でも電極が半導体素子１の表面に強固に
付着しているため、エアーの吹出し側に電極が位置する
ようセラミ、り゛に導体Ａを取＋１け配置しても電極層
が風圧で剥離してしまうことがない。
で形成した給電板Ｂ、Ｃに夫々接触させて挟持し、それ
を耐熱性絶縁樹脂で形成した枠板りに取付は固定するこ
とにより、半導体ヒータを構成するに用いることができ
る。この半導体ヒータでは半導体Ａを介して給電板Ｂ、
Ｃ及び枠板りの開孔を通ずるエアーを吹込み、温風器等
とじてセラミック半導体Ａの発熱を利用できるものであ
るが、この場合でも電極が半導体素子１の表面に強固に
付着しているため、エアーの吹出し側に電極が位置する
ようセラミ、り゛に導体Ａを取＋１け配置しても電極層
が風圧で剥離してしまうことがない。
発明の効果
このように、本発明に係る電極の形成方法に依れば、電
極の付着強度を向上しまた固有抵抗も半減できるため、
半導体ヒータ等としての性能を良好にししかも使用耐久
性を高め得るようになる。
極の付着強度を向上しまた固有抵抗も半減できるため、
半導体ヒータ等としての性能を良好にししかも使用耐久
性を高め得るようになる。
第１図は本発明に係る電極の形成方法を示す説明図、第
２図は同方法で得た半導体素子を組込んだ半導体ヒータ
の斜視図である。 １−電極を形成する半導体素ｒ、２：金属電極層。
２図は同方法で得た半導体素子を組込んだ半導体ヒータ
の斜視図である。 １−電極を形成する半導体素ｒ、２：金属電極層。
Claims (1)
- セラミンク半導体素子の所望面に電極を形成する金属を
溶射付着した後、その金属層を酸化しない程度の温度で
加熱焼伺けしたことを特徴とする半導体ヒータの電極形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21987382A JPS59111290A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体ヒ−タの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21987382A JPS59111290A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体ヒ−タの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111290A true JPS59111290A (ja) | 1984-06-27 |
Family
ID=16742391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21987382A Pending JPS59111290A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体ヒ−タの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111290A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297452A (ja) * | 1986-05-05 | 1987-12-24 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 複雑な幾何形状の高品質プラズマ溶射堆積物の形成方法 |
| JPS63451A (ja) * | 1986-05-05 | 1988-01-05 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 広面積で高品質のプラズマ溶射堆積物を生成する方法 |
| JPH04209877A (ja) * | 1990-12-06 | 1992-07-31 | Kashiyuu Internatl Trading:Kk | ルミネッセンス物品 |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP21987382A patent/JPS59111290A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297452A (ja) * | 1986-05-05 | 1987-12-24 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 複雑な幾何形状の高品質プラズマ溶射堆積物の形成方法 |
| JPS63451A (ja) * | 1986-05-05 | 1988-01-05 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 広面積で高品質のプラズマ溶射堆積物を生成する方法 |
| JPH04209877A (ja) * | 1990-12-06 | 1992-07-31 | Kashiyuu Internatl Trading:Kk | ルミネッセンス物品 |
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