JPS59100269A - 真空蒸着用素子 - Google Patents
真空蒸着用素子Info
- Publication number
- JPS59100269A JPS59100269A JP20924982A JP20924982A JPS59100269A JP S59100269 A JPS59100269 A JP S59100269A JP 20924982 A JP20924982 A JP 20924982A JP 20924982 A JP20924982 A JP 20924982A JP S59100269 A JPS59100269 A JP S59100269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- crucible
- heat shield
- deposited film
- heat shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着用素子、特にコイル状発熱体の内側に
耐熱性ルツボを付設し該発熱体の外周側に熱遮蔽体を付
設する真空蒸着用素子の改良に関するものである。
耐熱性ルツボを付設し該発熱体の外周側に熱遮蔽体を付
設する真空蒸着用素子の改良に関するものである。
第１図は従来の真空蒸着用素子の一例を示す断面図であ
る。同図において、１はセラミックルツボ、２はタング
ステンの単線または撚り合せ線を渦巻き状に巻設してな
る発熱体、２ａ、２ｂはその電源供給端子、３は発熱体
２の内外局部全面にセラミック粉体を焼結固定してなる
熱遮蔽体であり、この熱遮蔽体３の内側部分には碗状の
前記セラミックルツボ１が形成されている。
る。同図において、１はセラミックルツボ、２はタング
ステンの単線または撚り合せ線を渦巻き状に巻設してな
る発熱体、２ａ、２ｂはその電源供給端子、３は発熱体
２の内外局部全面にセラミック粉体を焼結固定してなる
熱遮蔽体であり、この熱遮蔽体３の内側部分には碗状の
前記セラミックルツボ１が形成されている。
しかしながら前述した構成による真空蒸着用素子におい
て、ルツボ１、発熱体２および熱遮蔽体３は、ともに焼
結して一体的に構成されているので、初回の昇温時にお
いて発熱体２の熱変形および熱膨張量の差によって生じ
る応力により、セラミック扮末の焼結体からなるルツボ
１および熱遮蔽体３にクラックが発生しやすくなり、真
空蒸着用素子本来の機能が得られなくなるという欠点が
あった。また、文献、例えばＪ．Ｅ．Ｈｏｖｅ．Ｗ．Ｃ
．Ｒｉｌｅｙ著Ｍｏｄｅｒｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓおよび
Ｈｅｎｒｙ Ｈ．Ｈａｕｓｎｅｒ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｇ．
Ｂｏｗｍａｎ著Ｆｕｎｄａ ｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｒ
ｅｔｒａｅｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓに記載されて
いるように、一般に金属酸化物セラミックと耐熱金属と
を接触させて高温度にすると、還元反応が起ることが証
明されている。したがって、前述した真空蒸着用素子に
おいて、セラミックルツボ１および熱遮蔽体３に用いら
れる材料としでのアルミナと、発熱体２としてのタング
ステンとの組合せの例をあげると、タングステン発熱体
２に通電発熱させ、この発熱温度が１５００℃ 程度に
達すると、次式で示すような還元反応が起ることは実験
的に再現性をもって確認できる。
て、ルツボ１、発熱体２および熱遮蔽体３は、ともに焼
結して一体的に構成されているので、初回の昇温時にお
いて発熱体２の熱変形および熱膨張量の差によって生じ
る応力により、セラミック扮末の焼結体からなるルツボ
１および熱遮蔽体３にクラックが発生しやすくなり、真
空蒸着用素子本来の機能が得られなくなるという欠点が
あった。また、文献、例えばＪ．Ｅ．Ｈｏｖｅ．Ｗ．Ｃ
．Ｒｉｌｅｙ著Ｍｏｄｅｒｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓおよび
Ｈｅｎｒｙ Ｈ．Ｈａｕｓｎｅｒ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｇ．
Ｂｏｗｍａｎ著Ｆｕｎｄａ ｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｒ
ｅｔｒａｅｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓに記載されて
いるように、一般に金属酸化物セラミックと耐熱金属と
を接触させて高温度にすると、還元反応が起ることが証
明されている。したがって、前述した真空蒸着用素子に
おいて、セラミックルツボ１および熱遮蔽体３に用いら
れる材料としでのアルミナと、発熱体２としてのタング
ステンとの組合せの例をあげると、タングステン発熱体
２に通電発熱させ、この発熱温度が１５００℃ 程度に
達すると、次式で示すような還元反応が起ることは実験
的に再現性をもって確認できる。
Ａｌ２Ｏ３＋Ｗ→Ａｌ２Ｏ３−ｘ＋ＷＯｘ・・（１）Ａ
ｌ２Ｏ３＋Ｗ→２Ａｌ＋ＷＯ３・・（２）なお、前記（
１）式はタクングステン発熱体２の温度が１５００℃〜
１９００℃、（２）式は１９００℃を越える場合をそれ
ぞれ示したものである。これらの式において、この反応
生成物であるＡｌ、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３−ｘ、ＷＯｘは
いずれも導電性が高く、しかも極めて蒸発しやすいもの
であり、したがつて、発熱体２の線間絶縁が破壊される
とともに前記反応生成物が蒸着膜に混入するという重大
な欠点をさせることはできなかった。さらには、真空蒸
着用素子の初回使用時ににルツボ１の内部に蒸発試料が
残留する場合、この残留量を測定しない限り添加量を決
められないので、蒸着条件の制御が不可能となる。特に
蒸着試料が複合材、合金等で構成されかつ該構成成分を
選択蒸発する場合、残留試料の成分比が変化するために
蒸着膜が初回との再現性が得られないという欠点があっ
た。
ｌ２Ｏ３＋Ｗ→２Ａｌ＋ＷＯ３・・（２）なお、前記（
１）式はタクングステン発熱体２の温度が１５００℃〜
１９００℃、（２）式は１９００℃を越える場合をそれ
ぞれ示したものである。これらの式において、この反応
生成物であるＡｌ、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３−ｘ、ＷＯｘは
いずれも導電性が高く、しかも極めて蒸発しやすいもの
であり、したがつて、発熱体２の線間絶縁が破壊される
とともに前記反応生成物が蒸着膜に混入するという重大
な欠点をさせることはできなかった。さらには、真空蒸
着用素子の初回使用時ににルツボ１の内部に蒸発試料が
残留する場合、この残留量を測定しない限り添加量を決
められないので、蒸着条件の制御が不可能となる。特に
蒸着試料が複合材、合金等で構成されかつ該構成成分を
選択蒸発する場合、残留試料の成分比が変化するために
蒸着膜が初回との再現性が得られないという欠点があっ
た。
したがって、本発明は前述した従来の欠点を改善するた
めになされたものであり、その目的とするところは、セ
ラミックルツボ、発熱体の高温発熱部および熱遮蔽体を
相互に非接触状態で組合せて構成することにより、熱遮
蔽体のクラックおよび反応生成物の発生を防止させ、高
品質の蒸着膜が再現性良く得られる真空蒸着用素子を提
供することにある。
めになされたものであり、その目的とするところは、セ
ラミックルツボ、発熱体の高温発熱部および熱遮蔽体を
相互に非接触状態で組合せて構成することにより、熱遮
蔽体のクラックおよび反応生成物の発生を防止させ、高
品質の蒸着膜が再現性良く得られる真空蒸着用素子を提
供することにある。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による真空蒸着用素子の一実施例を示す
断面図であり、図中同一符号は同一または相当部分を示
すものとする。同図に訃いて、渦巻状に巻設された発熱
体２の高温発熱部の外周部には、熱遮蔽体３が配設され
でおり、この熱遮蔽体３の外面の全面部分には金貨、メ
ッシュ４が埋設されている。また、この熱遮蔽体３の開
口端には、その一部に発熱体２の端子２ａ、２ｂが橋絡
されるとともに、後述するルツボな安定に支持させるリ
ング状の支持体５が一体的に固着配置されている。この
場合、この支持体５は金属メッシュ４にアルミナ６を塗
布、焼結してリング状に形成されるとともに、前記熱遮
蔽体３の開口端上の端子２ａ，２ｂと当接する部分には
金属メッシュ４が設けられておらず、アルミナ６のみで
形成され、他の部分、つまり、端子２ａ、２ｂの引き出
し部を除く内部には金属メッシュ４が埋設されており、
熱遮蔽体３の開口端に対してアルミナ６を塗布焼成して
固着されている。また、前記発熱体２のコイル状の高温
発熱部内には、セラミック製のルツボ７が着脱可能な状
態で配設され、この場合、このルツボ７は外周面全面が
発熱体２のコイル内周面に接解するように配置されて前
記リング状の支持体５により支持されている。
断面図であり、図中同一符号は同一または相当部分を示
すものとする。同図に訃いて、渦巻状に巻設された発熱
体２の高温発熱部の外周部には、熱遮蔽体３が配設され
でおり、この熱遮蔽体３の外面の全面部分には金貨、メ
ッシュ４が埋設されている。また、この熱遮蔽体３の開
口端には、その一部に発熱体２の端子２ａ、２ｂが橋絡
されるとともに、後述するルツボな安定に支持させるリ
ング状の支持体５が一体的に固着配置されている。この
場合、この支持体５は金属メッシュ４にアルミナ６を塗
布、焼結してリング状に形成されるとともに、前記熱遮
蔽体３の開口端上の端子２ａ，２ｂと当接する部分には
金属メッシュ４が設けられておらず、アルミナ６のみで
形成され、他の部分、つまり、端子２ａ、２ｂの引き出
し部を除く内部には金属メッシュ４が埋設されており、
熱遮蔽体３の開口端に対してアルミナ６を塗布焼成して
固着されている。また、前記発熱体２のコイル状の高温
発熱部内には、セラミック製のルツボ７が着脱可能な状
態で配設され、この場合、このルツボ７は外周面全面が
発熱体２のコイル内周面に接解するように配置されて前
記リング状の支持体５により支持されている。
このような構成によれば、発熱体２は熱遮蔽体３内に埋
設されず、内側に配設され、しかも熱遮蔽体３および支
持体５内に金属メッシュ４を埋設したことによって、発
熱体２の高温加熱による熱遮蔽体３のクラックの発生を
防止できるとともに、熱遮蔽体３内に導電性の反応生成
物の発生がなくなるので、発熱体２の線間絶縁が保持で
き、しかも蒸着膜への導電性反応生成物の混入を皆無と
することができる。また、ルツボ７を別体で着脱可能な
構成としたことによって、可換性となるので、一定条件
で多数回の使用が可能となり、蒸着条件の制御が極めて
容易となる。また、このような構成によれば、熱遮蔽体
３の加熱温度が約１５００℃以上となると、ガラス質の
反応生成物が生じて好ましくないので、約１５００℃以
下の比較的低温度における蒸着膜の形成において極めて
良好である。
設されず、内側に配設され、しかも熱遮蔽体３および支
持体５内に金属メッシュ４を埋設したことによって、発
熱体２の高温加熱による熱遮蔽体３のクラックの発生を
防止できるとともに、熱遮蔽体３内に導電性の反応生成
物の発生がなくなるので、発熱体２の線間絶縁が保持で
き、しかも蒸着膜への導電性反応生成物の混入を皆無と
することができる。また、ルツボ７を別体で着脱可能な
構成としたことによって、可換性となるので、一定条件
で多数回の使用が可能となり、蒸着条件の制御が極めて
容易となる。また、このような構成によれば、熱遮蔽体
３の加熱温度が約１５００℃以上となると、ガラス質の
反応生成物が生じて好ましくないので、約１５００℃以
下の比較的低温度における蒸着膜の形成において極めて
良好である。
第３図は本発明による真空蒸着用素子の他の実施例を示
す断面図であり、前述の図と同記号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、第２図と異なる
点は、発熱体２の高温発熱部が熱遮蔽体３と離間して非
接触状態で配置されるとともに、該高温発熱部の中央部
分が耐熱性支持部材８を介して熱遮蔽体３に支持固定さ
れて発熱体２が高温度で自重変形するの防止している。
す断面図であり、前述の図と同記号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、第２図と異なる
点は、発熱体２の高温発熱部が熱遮蔽体３と離間して非
接触状態で配置されるとともに、該高温発熱部の中央部
分が耐熱性支持部材８を介して熱遮蔽体３に支持固定さ
れて発熱体２が高温度で自重変形するの防止している。
また、ルツボ７を支持する支持体５が発熱体２のコイル
軸方向に高さＨを高くして形成され、ルツボ７が発熱体
２の高温発熱部と離間して非接触状態で配設されている
。
軸方向に高さＨを高くして形成され、ルツボ７が発熱体
２の高温発熱部と離間して非接触状態で配設されている
。
また、このように構成される真空蒸着用素子は次のよう
にして形成されする。すなわぢ、まず、予め所要形状に
成形された金属メッシュ４０内部にアルミナ粉末焼結体
からなる熱遮蔽体３を挿入し、その内部に発熱体２を組
込む。そして、この熱遮蔽体３の開口端にリング状の支
持体５を載置し、この両者の接合部分にアルミナ６を塗
布した後、アルミナの融点温度で焼成し、焼結すること
によって、第３図に示すような金属メッシュ４が熱遮蔽
体３内に埋設され、さらに熱遮蔽体３と支持体５とが固
着された真空蒸着用素子が形成される。
にして形成されする。すなわぢ、まず、予め所要形状に
成形された金属メッシュ４０内部にアルミナ粉末焼結体
からなる熱遮蔽体３を挿入し、その内部に発熱体２を組
込む。そして、この熱遮蔽体３の開口端にリング状の支
持体５を載置し、この両者の接合部分にアルミナ６を塗
布した後、アルミナの融点温度で焼成し、焼結すること
によって、第３図に示すような金属メッシュ４が熱遮蔽
体３内に埋設され、さらに熱遮蔽体３と支持体５とが固
着された真空蒸着用素子が形成される。
このような構成においても、発熱体２、熱遮蔽体３およ
びルツボ７が相互に離間し、非接触状態で近接配置され
る構成となるので、前述と全く同等の効果が得られると
ともに、熱遮蔽体３を構成するアルミナの融点２２００
℃近傍まで昇温可能となるので約１５００℃以上の比較
的高温度までガラス質の反応生成物を発生することなく
、蒸着が可能となる。また、ルツボ７は発熱体に接触し
ない構成となるので、金属製のルツボを使用することが
できる。
びルツボ７が相互に離間し、非接触状態で近接配置され
る構成となるので、前述と全く同等の効果が得られると
ともに、熱遮蔽体３を構成するアルミナの融点２２００
℃近傍まで昇温可能となるので約１５００℃以上の比較
的高温度までガラス質の反応生成物を発生することなく
、蒸着が可能となる。また、ルツボ７は発熱体に接触し
ない構成となるので、金属製のルツボを使用することが
できる。
なお、前述した実施例において、支持体５は金属メッシ
ュ４にアルミナ６を塗布焼結して構成した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、金
属メッシュ４が埋設されていないセラミック製の支持体
を用いても前述と全く同等の効果が得られることが勿論
である。
ュ４にアルミナ６を塗布焼結して構成した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、金
属メッシュ４が埋設されていないセラミック製の支持体
を用いても前述と全く同等の効果が得られることが勿論
である。
以上説明したように本発明による真空蒸着用素子によれ
ば、発熱体、熱遮蔽体およびルツボを非接触状態で組合
せて構成したことにより、熱遮蔽体のクラックおよび反
応生成物の発生を防止させ、蒸着条件の制御が可能とな
り、高品質の蒸着膜が再現性良く得られるという極めて
優れた効果を有する。
ば、発熱体、熱遮蔽体およびルツボを非接触状態で組合
せて構成したことにより、熱遮蔽体のクラックおよび反
応生成物の発生を防止させ、蒸着条件の制御が可能とな
り、高品質の蒸着膜が再現性良く得られるという極めて
優れた効果を有する。
第１図は従来の真空蒸着用素子の一例を示す断面図、第
２図は本発明による真空蒸着用素子の一実施例を示す断
面図、第３図は本発明による真空蒸着用素子の他の実施
例を示す断面図である。 ２・・・・発熱体、３・・・・熱遮蔽体、４・・・・金
属メッシュ、５・・・・支持体、６・・・・アルミナ、
７・・・・ルツボ。 憤１；′［出鴫人 株式全村東京カソード（ｉ７１究所
伏仰人山川政樹（ほか１名） 第１図 第２図 第３図 ３６
２図は本発明による真空蒸着用素子の一実施例を示す断
面図、第３図は本発明による真空蒸着用素子の他の実施
例を示す断面図である。 ２・・・・発熱体、３・・・・熱遮蔽体、４・・・・金
属メッシュ、５・・・・支持体、６・・・・アルミナ、
７・・・・ルツボ。 憤１；′［出鴫人 株式全村東京カソード（ｉ７１究所
伏仰人山川政樹（ほか１名） 第１図 第２図 第３図 ３６
Claims (2)
- （１）コイル状に巻設された発熱体と、前記発熱体の外
周部近傍に配置された熱遮蔽体と、前記熱遮蔽体内に埋
設された金属メッシュと、前記発熱体のコイル内に着脱
可能に配設されたルツボとを備えたことを特徴とする真
空蒸着用素子。 - （２）前記熱遮蔽体内に金属メッシュを埋設させたこと
を特徴とする特許請求のの範囲第１項記載の真空蒸着用
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20924982A JPS59100269A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 真空蒸着用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20924982A JPS59100269A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 真空蒸着用素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100269A true JPS59100269A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16569823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20924982A Pending JPS59100269A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 真空蒸着用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100269A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0682124A1 (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-15 | SOCIETA' ITALIANA VETRO- SIV-SpA | Process and apparatus for the deposition of thin electrochromic layers |
| EP0982411A2 (en) * | 1998-08-26 | 2000-03-01 | TDK Corporation | Evaporation source, apparatus and method for the preparation of organic EL device |
| US7022223B2 (en) | 2003-05-13 | 2006-04-04 | Tesomas Holdings Llc | Methods and systems for removing floating solid waste from the surface of a watercourse |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP20924982A patent/JPS59100269A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0682124A1 (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-15 | SOCIETA' ITALIANA VETRO- SIV-SpA | Process and apparatus for the deposition of thin electrochromic layers |
| EP0982411A2 (en) * | 1998-08-26 | 2000-03-01 | TDK Corporation | Evaporation source, apparatus and method for the preparation of organic EL device |
| EP0982411A3 (en) * | 1998-08-26 | 2001-02-28 | TDK Corporation | Evaporation source, apparatus and method for the preparation of organic EL device |
| US6296894B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-10-02 | Tdk Corporation | Evaporation source, apparatus and method for the preparation of organic El device |
| US7022223B2 (en) | 2003-05-13 | 2006-04-04 | Tesomas Holdings Llc | Methods and systems for removing floating solid waste from the surface of a watercourse |
| US7314571B2 (en) | 2003-05-13 | 2008-01-01 | Tesomas Holdings Llc | Methods and systems for removing floating solid waste from the surface of a watercourse |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2197284T3 (es) | Procedimiento de fabricacion de un elemento de calentamiento de ceramica. | |
| US2215587A (en) | Rodlike heating element | |
| JPH10324571A (ja) | 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法 | |
| KR20170115551A (ko) | 소결 재료로 제작되는 부품, 특히 치과 부품을 위한 소결로 | |
| US20130213955A1 (en) | Apparatus For Heating Moldings | |
| JPH07190362A (ja) | セラミックスグロープラグ | |
| JPS59100269A (ja) | 真空蒸着用素子 | |
| JPH11153493A (ja) | シース構造体 | |
| US4052153A (en) | Heat resistant crucible | |
| US2105166A (en) | Electrical heating element | |
| JP2021526032A (ja) | 加熱被覆を有するエアロゾル発生装置 | |
| JP2604944B2 (ja) | 半導体ウエハー加熱装置 | |
| US2966430A (en) | Electric resistance elements | |
| JPH01289089A (ja) | セラミック発熱体 | |
| JP3563566B2 (ja) | 小型電気炉 | |
| US6741632B1 (en) | Ultra high temperature rapid cycle induction furnace | |
| US2308459A (en) | Electrical heating element | |
| US3227911A (en) | Indirectly heated cathodes | |
| JPH0487181A (ja) | セラミックヒータ及びその製造法 | |
| JPH07190361A (ja) | 自己制御型グロープラグ | |
| JP3050262B2 (ja) | セラミック製グロープラグ | |
| JPS5837675B2 (ja) | メンハツネツタイノ セイゾウホウホウ | |
| JPH02152190A (ja) | 放熱管 | |
| JPH07119968A (ja) | セラミックス発熱体及びその製造方法 | |
| JPS63285891A (ja) | 炭化珪素発熱体 |