JPS5857908B2 - 薄膜構造体の形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマスキング法を利用する被膜形成方法に関する
。

被膜は、スパッタリング法または真空付着法により真空
の下に形成される。

本発明は、真空付着法及びスパッタリング法でいろいろ
な基板上に薄膜を付着するためのマスクにも関係がある
。

このマスクは、電着法、無電界付着法またはその他の方
法で形成してもよい。

最近、半導体構造体にある材料の所望のパターンを形成
するに当り、張出し部（以後オーバハングという）を有
するマスクが広く用いられるようになって来た。

オーバハングを有するマスク材料により画成された開口
を通して付着された材料の層は、マスクとの間に間隙が
形成され、これは、オーバハング及び蒸発源の幾何学的
構造に原因すると共に付着層よりもマスクが厚いことに
原因する。

１９７４年５月発刊のＩＢＭＴｅｃｈｉｎｃａｌＤｉｓ
ｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ Ｖｏｌ、１６
、Ａ１２の第３９５４頁にＢｏｈｇ等による’ Ｌｉ
ｆ ｔｏｆｆＭａｓｋ”と題する文献には、ホトレジス
トでは達成できない利点を有し、熱分解酸化シリコンか
ら成るオーバハングを有するリフトオフ・マスクが開示
されている。

この文献によれば、食刻を促進させるように酸化シリコ
ンの食刻率を変えてオーバハングを形成するために、徐
々に温度を上げて３００乃至５００℃で酸化シリコンを
生成している。

弗化水素酸のための仮のマスクとしてホトレジスト層を
使用している。

次いで、ホトレジストを除去した後、該マスクを通して
基板上に薄膜金属を蒸着する。

次いで、酸化シ′リコンをリフトオフする。

このマスク材料の実際の最大の厚さは約１乃至３μであ
る。

マスク材料がかなり厚いと、亀裂及び損傷が引き起され
ることになる。

米国特許第３８４９１３６号明細書には、ホトレジスト
被膜を有する基板が示されている。

ホトレジスト層上の金属層の開口を通して該ホトレジス
ト層を露光過度にする結果、該金属層がホトレジスト層
上に張出る。

真空付着する際に必然的に高温に加熱されると、ホトレ
ジストが流れる傾向があるので、ホトレジストの使用は
好ましくないと言われている。

ホトレジスト層が７μ程度に非常に厚い場合には、マス
クを通して露光及び現像処理した後形成された開口は、
上記米国特許の第１Ｅ図に示されているようなオーババ
ングの価値を無にしがちであるテーパを有する。

このように非常に厚いレジストの場合にはテーパも同様
に大きくなるので、約７μの深さのかなり狭い溝から成
る開口では、実際に利用することになる開口が増々狭ま
ることになる。

従って、本発明の目的は基板上に薄膜構造体を形成する
方法を提供することにある。

本発明によると、サブトラクティブ処理段階の間にリフ
トオフ・マスク材料に良好に接近した微細パターンを形
成することを可能にするために、マスクの底面の開口と
ほぼ同じ大きさかまたはそれよりも小さい上面の開口を
横取する側壁を備えるリフトオフ・マスクが提供される
。

本発明は従来のリフトオフ法とは異なり、オーババング
・エツジを備える金属層は、ホトレジスト若しくは類似
物により支持されなく、高温に耐え、且つ従来技術では
試みられていなかった金属リフトオフ法により基板表面
から除去しうる。

さらに、電気めっき処理法によりリフトオフ・マスクを
形成するアディティブ・プロセスも従来技術とは異なる
。

実際には、このプロセスは、サブトラクティブ法を利用
して金属の被覆層を有するか若しくは有しないホトレジ
ストまたはガラス構造体のオーババングを形成する従来
技術とは逆のプロセスである。

本発明によると、真空の下に所望の材料を付着すること
により薄膜構造体を形成する方法が提供される。

基板上に第１の材料の層を形成し、該材料の層に開口の
パターンを形成する。

次いで、該開口の底面よりも上面において大きなオーバ
バングを有するように該開口に第２の材料即ちリフトオ
フ・マスク材料を付着する。

次いで、第１の材料の層を除去した後、露出されたりフ
トオフ・マスク材料の側壁との間に間隙を残すよう所望
の被覆材料を該基板表面に第１の材料の層の厚さよりも
実質的に薄く付着する。

最後に、食刻法または類似の方法によりリフトオフ・マ
スク材料を除去するのに有効な化学酸液を用いて、該構
造体を処理することにより、リフトオフ・マスク材料及
びその上に付着された被覆材料を除去する。

以下、図面を参照して参考例を説明する。

先ず、第１Ａ図乃至第１Ｇ図を参照するに、基板１０に
は金属の層１１を形成しである。

この層１１は、基板１０に接着して形成しうりかつ電気
めっきのためのめつき基材として役立つ複数の材料の層
であってもよい。

基板１０に高温でＦｅ 、Ｎｉ、ＣｒまたはＣｄの如き
金属を付着する場合には、中間接着層を何んら必要とす
ることなしに接着及びめっき基材の両方共達成される。

しかしながら、めっき基材として任意の温窒でＡｕ 、
Ｃｕ 、 Ｐｄ若しくはＰｔを、または室温でＣｏ若
しくはＮｉＦｅを付着する場合には、該めっき基材を付
着する前に、基板上にＴｉ、Ｔａ。

Ａｌ若しくはＣｒの如き反応性金属から成る中間接着層
を形成する必要がある。

次いで、該層１１上に感光性有機レジスト１２の層を形
成し、紫外線、電子ビーム若しくはＸ線を使用して該レ
ジスト層１２を露光してから現像処理し、基板１０の表
面に達する縦溝から成る開口１４及び１５を形成する。

この開口１４及び１５は、電極リード・パターン若しく
は薄い線縁状のパターンのようなパターンの境界を形成
するためのものである。

次いで、第１Ｂ図に示す如く、開口１４及び１５を金属
の電気めっき層２５で充填して、垂直及び水平のいずれ
の方向にも開口１４及び１５を越えて延びるキノコ型の
オーババングを有する条片の型にマスク材１６及び１７
を形成する。

必要に応じて、開口１４及び１５、即ちマスク材１６及
び１γを極端に広くまたは狭く形成してもよいことは言
うまでもない。

第１Ｄ図及び第１Ｅ図に関連して後に記述する如く、基
板１０から除去すべきマスク材料の除去速度を一層満足
させるために、除去すべき広い領域と狭路との幅の比率
を約２５：１よりも小さくすることが好ましい。

これは、第１Ｅ図に示す如く、層２５及び１９の一様な
除去を達成するのに役立つ。

次いで、第１Ｃ図に示す如く、有機溶剤または、露光及
び現像処理した後プラズマ灰化処理若しくは有機剥、＠
溶液等の従来の方法を利用して、レジスＩ・１２を除去
してオーババング１８を有する電気めっきマスク材１６
及び１７をそのまま残す。

電気めっき金属は均一に付着させる必要があり、しかも
電気めっき浴は良好なマクロ及びミクロ・スローイング
パワを有しなければならない。

スローイングパワによりめっきの均一度を測定する。

変形例として、無電界めっき処理法を利用してもよい。

電気めっき金属は、所望の被覆材料の付着温度（５０乃
至７０００Ｇ）によく耐えうる必要がある。

電気めっきパターンのマスク材１６及び１７は一様なオ
ーババング（約０．１μ乃至５μのキノコ型キヤ、ツブ
）を有しなければならない。

オーババングの大きさは、主として、このリフトオフ・
プロセスで達成されるように設計された最終のパタ７ン
の横及び厚さの寸法により定まる。

第１Ｄ図に示す如き次の段階で付着すべき材料の所望の
厚さよりも最低約２０φ厚く（即ち、厚膜を使用する場
合、少なくとも約０．２５μ厚く）なるようにレジスト
１２の厚さを選択することに注意されたい。

非常に小さな幾何学的構造のために、第１Ｃ図に示す如
く、レジスト１２の上面の上のめつき材料のオーババン
グＯ及び突起部Ｐをレジストの厚さの約５乃至１０優に
形成し、しかもＯとＰとを等しくする必要がある。

レジスト１２を除去した後、スパッタ・エツチング法、
化学食刻法、反応プラズマ・エツチング法若しくは反応
プラズマ・スパック・エツチング法等を利用して、マス
ク材１６及び１７等がない個所の層１１を除去してもよ
い。

次いで、第１Ｄ図を参照するに、金属若しくは誘電体の
如き所望の被覆材料１９の層を蒸着またバスバッタ付着
により形成するための真空被覆マスクとして該マスク材
１６及び１７を用いて、層１１、マスク材１６及び１７
の上に被覆材料１９を付着する。

オーババング１８により、マスク材１６及び１７の側壁
２０が被覆材料１９で殆んど覆われることなく露出され
たままになる。

被覆材料１９を付着した後、化学食刻法、反応プラズマ
食刻法若しくは他の方法を利用して、第１Ｅ図に示す如
くマスク材１６及び１７を構成する電気めっき金属を選
択的に食刻して、殆んど腐食に影響されない所望のパタ
ーンを形成する。

このようにして、マスク材１６及びＪＴの不所望な金属
を層１１からリフトオフする。

微細な条片を形成する場合、または被覆材料１９のある
部分を除去する場合には、第１Ｆ図に示す如く、除去す
べき被覆材料の部分２１を除いてレジスト層２０′を形
成し、次いで、化学食刻法の如きサブトラクティブ法、
またはスパック・エツチング法、反応スパック・エツチ
ング法、イオン・ミーリング法、プラズマ・エツチング
法の如きドライ・プロセス並びに他の適当な方法を利用
して、第１Ｇ図に示す如く該部分２１を除去してもよい
。

電気めっき金属は、例えば（ａ）グループＡｕ ｌ Ｐ
ｔ ＨＰｄ、Ａｇまたは（ｂ）グループＣｕ、Ｚｎ）
Ｎｉ、Ｃｏ。

Ｆｅ 、 Ｃｒ 、 Ｓｎ 、Ｗ、または上記の任意の
元素若しくは上記の任意の元素と他の元素との二元、三
元若しくは四元合金であってもよい。

（ａ）グループの金属は主として金属、または非金属パ
ターン用のリフトオフ・マスクとして使用され、この場
合には、加熱、化学反応専の他の方法を用いて貴金属若
しくは金属から成るマスク・パターンを選択的に除去し
てもよい。

（ｂ）グループの金属は非貴金属類なので広く一般に使
用される。

この（ｂ）グループの金属は、誘電体及びいろいろな貴
金属用のリフトオフ・マスクとして使用してもよい。

本明細書中には、代表的な構造体の例を示しているが、
本発明の方法は、あらゆるタイプの磁性構造体、集積回
路のようなあらゆるタイプの半導体構造、第２レベルの
パッケージング、光及び電気−光構造体並びにその他の
構造体を製造するのに利用できることは言うまでもない
。

所望のパターン１９を誘電体材料で形成する場合には、
所望の被覆材料を付着する前に、スパッタ・エツチング
法、イオン・ミーリング法、プラズマ・エツチング法若
しくは化学食刻法を利用して金属化層を除去する方が好
ましい。

本発明の方法はかなり広範囲に応田できるが、特に、電
磁ヘッド、Ｍ−Ｒヘッドのシールド及び他の目的用のシ
ールド等に使用するための超高周波透磁率を有する、５
ｃｈｏｔｔガラス、５ｉｎ２．Ｓｉ、Ｔｉ若しくはＣｒ
の積層パーマロイ構造体を形成するのに有効である。

この場合には、第２Ａ図乃至第２Ｉ図に示す如く、銅め
っき浴を使用して、電気めっき構造体をかなり微細な条
片に形成できる。

この場合には、過硫酸アンモニウムを使用してＦｅ。

ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｒ、ＮｉＦｅＰｄ等の存在の下に
Ｃｕを選択的に食刻してもよいが、最終の層を、所望の
構造体の付加的な保護膜として役立つ５ｃｈｏｔｔガラ
スにする。

必要に応じて、所望の構造体のエツジが傾斜する（テー
パ付けられる）ような方法で所望の構造体を形成するこ
とにより、後続の製造段階において、オーバレイ構造の
接続リードの絶縁を容易に行なうことができる。

これは、適当な方法で試料を揺動する間に比較的厚い層
を蒸着する方法よりもむしろスパッタ付着法を用いるこ
とにより遠戚される。

パーマロイ積層体即ちパーマロイ／ショット・ガラス／
パーマロイから成る無機構造体を形成するのにドライ・
プロセスを用いる別の参考例を第２Ａ図乃至第２■図に
示す。

第２Ａ図に示す如く、ガラス基板１０上の金属化薄膜１
１上には、パーマロイ及びガラスから戊る所望の積層体
の厚さよりも１μ程度厚い５ｈｉｐｌｅｙレジストの層
１２を形成しである。

第２Ｂ図に示す如く、該レジストを露光してから現像処
理して、好ましくは４乃至６μの厚いレジスト１２に０
．２乃至０．４μの広い開口２４を形成する。

次いで、第２Ｃ図に示す如く、開口２４に電気めっき金
属層２５を形成する。

選択される金属は、パーマロイの存在の下に選択的に容
易に食刻しうるものでなければならない。

銅はこの条件を満たし、ざらにＮｉ−Ｆｅが溶解しない
過硫酸アンモニウム（高ｐＨ７乃至９）を用いて食刻で
きる。

Ｃｒ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＳｎの如き他の金属もめつき用に
適する。

約３乃至７μの厚さまで金属をめっきして、好ましくは
０．２５乃至３μのオーババングを有する断面キノコ型
のマスク材２５を形成する。

次いで、溶剤（Ｓｈｉｐｌｅｙの場合にはアセトン）を
用いて該レジストを除去して第２Ｄ図に示すような構造
体に形成する。

次いで、第２Ｅ図に示す如く、マスク材２５及び露出さ
れた表面１１の上にパーマロイ層１９、ショット・ガラ
ス層２９及びパーマロイ層３９を全体の厚さが２乃至３
μになるように形成する。

パーマロイ層３９の腐食を防ぐために、該層３９の上に
ショット・ガラスの保護層（図示せず）を形成するのが
好ましい。

パーマロイ及び５ｉＦｅとＷ、Ｃｒ、Ｐｄ若しくはＭｏ
等との合金を使用してもよい。

サンド・イツチ状の積層体を表１に示すように構成して
もよい。

変形例として、５ｅｎｄｕｓｔ （重量比でＳｉ９．６
％Ｆ ｅ ｓ ５％ 、 Ａ１５．４１％）を積層する
か若しくは積層することなくスパッタ付着してもよい。

次に第２Ｆ図は、マスク材２５を食刻除去することによ
り、該マスク材上のパーマロイのサンドインチ構造を基
板からリフトオフした結果の構造体を示す。

マスク材が銅から戒る場合には、これらのマスク材を前
述のように食刻する。

マスク材がＺｎから成る場合には、亜硫酸アンモニウム
を食刻液（ｐＨ７乃至９）として使用する。

またマスク材がＣｒから成る場合には、食刻液としてＺ
ｎを付加したＡｌＣｌ３若しくは他の適当なＣｒ食刻液
を使用する。

ヘッドのヨークを構成するパーマロイのサンドインチ構
造体を保護するために、第２Ｇ図に示す如く、開口４０
及び４２並びにこれらの開口の間の条片４１を覆うよう
に５ｈｉｐｌｅｙレジストの層２０′を形成する。

次いで、ＦｅＣｌ３とＨＦとを別々に、若しくはＨＦと
ＦｅＣｌ３との混合液を使用して不所望な部分４３及び
４４を食刻除去して、第２Ｈ図に示すような構造体に形
成する。

次いで、該レジストを除去して、第２■図に示すような
所望のパターンから成る所望のヨーク構造体を形成する
。

この場合には、ダミー構造体が存在しないかまたは所望
の構造体を損うことなくそのまま残るので、ダミ−構造
体を取除く必要がない。

次に第３Ａ乃至第３Ｃ図を参照するに、マスク５３を通
してポジ・レジスト１２に光を照射して、第３Ａ図に示
すような傾斜側壁を有する開口５０のパターンを形成す
るには、いろいろな技法ヲ用いることができる。

使用しうるレジストは、５ｈｉｐｌｅｙ ｐｈｏｔｏｒ
ｅｓｉｓｔ、ＫＴＦＲ及びＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈ
ｙｌｍｅｔｈａｃｒａｌａｔｅ）を含む。

第３Ａ図は、露光から現像処理までの複数の処理段階の
代表的な例を示す。

レジストとしてＰＭＭＡを使用する場合には、電子ビー
ムの照射度を弱くして、現像時間を長く及び／若しくは
現像液の濃度を高くすることにより、第３Ａ図に示すよ
うなパターンに形成できる。

次いで、第３Ｂ図に示す如く金属を付着してマスク材２
５を形成する。

次いで、レジスト１２を除去してから、第３Ｃ図に示す
如く金属１９を真空付着する。

図示していないが、従来の方法を利用してマスク材２５
を食刻除去する。

電子ビーム用レジストがネガレジストの場合には、電子
ビームの強度及び現像時間を調整することにより、この
ような傾斜したエツジ・パターンを形成することができ
る。

レジストとしてＰＭＭＡ及びＰＭＭＡ共重合体を使用す
る場合には、電子ビームの強度を適当に変えかつ適当に
現像することにより、第４Ａ図に示すような傾斜側壁を
有する開口のパターンに形成できる。

第３Ｂ図、第３Ｃ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図から明らか
である如く、上記のいずれの方法も、リフトオフに用い
る無機材料の高温マスクを形成するために使用される適
当なパターン（例えば開口５０若しくは６０）を形成す
るのに有用である。

５ｈｉｐｌｅｙ レジストまたは他のポジレジストの
場合には、第３Ａ図に示すような傾斜側壁は下記の項に
従って形成される。

即ち、（１）焦点をぼかす、または紫外光の照準をずら
す。

（２）レジストと密接に接触しているマスクを除去する
。

（３）かなり厚いレジストを使用する、即ち光ビームの
焦点ぼけ若しくは照準ずれかない場合及びマスクとレジ
ストとの接触が良い場合でも約２μ以上厚くする。

（４）分散する（照準されない）光源を使用する。

（５）上記（ｉ） ＋ （２）及び／若しくは（３）及
び（４）の任意の１つの方法またはこれらを組合せた方
法を用いる。

ＫＴＦＲ，ＫＯＲ（Ｅａｓｔｍａｎ Ｋｏｄａｋ社製の
レジスト）及びその他のネガレジストを使用する場合に
は、上記の（１）乃至（５）の方法またはこれらの任意
の組合せ方法を用いて、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第４Ｂ図
及び第４Ｃ図に示すような傾斜側壁を形成する。

第３Ａ図乃至第３Ｃ図及び第４Ａ図乃至第４Ｃ図に示す
如く、このような傾斜エツジを有するレジスト パター
ンを形成した後、電気めっき処理法、無電界めっき処理
法、蒸着法、スパッタリング法等の如き適当な付着法を
利用して、レジストの開口を充填する。

リフトオフ法により形成される所望の最終の付着層の約
２／３に等しい厚さまたは該最終の付着層の上面から約
０．２５μの範囲内に金属２５または誘電体を付着する
。

第３Ｂ図及び第４Ｂ図に示す如く、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａ１等
の金属または誘電体は逆台形状に形成される。

側壁が傾斜していることにより、キノコ型がレジストの
上に形成される迄、金属または誘電体２５の電着を続け
る必要がない。

リフトオフを達成するためには、逆台形状の開口５０若
しくは６０の形状に応じて、キノコ型のパターンに形成
してもよくまたは形成上なくてもよい。

レジストを除去した後、蒸着法、イオン銃めっき法及び
／若しくはスパッタリング法等を利用して、所望の金属
層、誘電体−磁性体積層または誘電体層を付着する。

リフトオフ・プロセスは第２Ｅ図乃至第２■図または第
１Ｄ図乃至第１Ｇ図に示すように行なわれる。

高温リフトオフ・プロセスにより形成される所望の最終
パターンを腐食することなく、別に選択的に溶解、腐食
または食刻しうるような無機物のリフトオフ材料を選択
することが必要な条件である。

第５Ａ図乃至第５Ｅ図に示す本発明の実施例の方法では
、先ず、Ｓ ｈ ｉ ｐ ｌ ｅ ｙ、 ＫＴＦＲ，Ｐ
ＭＭＡ。

ＰＭＭＡ共重合体若しくは他の任意の熱的に変形可能な
重合体等の如きレジスト１２を、露光及び現像処理し、
次いで反応プラズマ・エツチング法、化学食刻法等を利
用して食刻することにより所望のパターンに形成する。

次いで、レジスト１２がが流れて（表面張力により変形
するような）第５Ｂ図に示すような形を形成するように
、十分に高い温度に該構造体を加熱する。

Ｓｈ ｉ ｐ Ｉ ｅｙレジストの場合では、これは、
該構造体を約１．５０乃至１６０’Ｃに迅速に加熱して
から冷却するかまたは約１００乃至１３０℃に徐々に加
熱してから徐冷する（それでも５ｈｉｐｌｙレジストを
容易に除去させうる時間一温度生産要因を取る）ことに
より達成される。

Ｓｈ ｉ ｐ Ｉ ｅｙレジストを紫外線で露光し、次
いで従来の５ｈｉｐｌｅｙレジスト現像装置を使用して
現像処理するかまたはアセトンの如き従来の食刻液を用
いて該レジストを除去する。

傾斜側壁または無機材料のマスクにわずかなオーバハン
グでさえも形成するのに有用であるレジストを加熱する
ことにより所望の形に形成しうろことが明らかであろう
。

これ以後の処理段階は、第１Ｂ図乃至第１Ｇ図または第
２Ｃ図乃至第２■図に関連して前述した段階とほぼ同じ
である。

反応プラズマ・エツチング法またはスパッタ・エツチン
グ法を利用して有機レジストを簡単に露出することによ
り、円形状エッチまたは傾斜エツジを形成してもよい。

第５Ｃ図に示すように、リフトオフ構造体２５は、第３
Ｂ図及び第４Ｂ図の場合と同様にレジスト、１２の開口
の側壁が傾斜していることにより、略逆台形状に形成さ
れるので、キノコ型がレジスト１２の上に形成される迄
、メッキする必要がなく、レジスト１２の厚さ以下の厚
さにメッキすればよい。

被模材料の層１９は、第５Ｅ図に示すように、レジスト
１２の層を除去した後の露出されたリフト・オフ構造体
２５の側壁との間に間隙を残すように金属層１１上にレ
ジスト１２の層の厚さよりも実質的に薄く蒸着される。

次に、第６Ａ図乃至第６Ｄ図に示す参考例の方法では、
異なる感光度の２つのレジストを使用する。

上面の高感光度レジスト７０はポジレジストであり、そ
の下のレジスト１２はネガレジストである。

下のレジスト層１２は、リフトオフ法により形成すべき
材料の厚さよりも約２５係厚く形成する。

紫外線、電子ビーム若しくはＸ線で露光してから現像処
理した後、第６Ｂ図に示すような構造体に形成する。

次いで、電着法または無電界付着法を利用して、第６Ｃ
図に示すような所望のオーバハングを有する無機材料の
マスクを形成する。

レジスト１２及び７０を除した後、第６Ｄ図に示すよう
に所望の被覆材料１９を付着する これ以後の行程は前述の工程とほぼ同じである。

変形例として、下のネガレジスト層１２として高感度の
レジストを使用してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図乃至第１Ｇ図はレジストの厚さよりもかなりの
深さまでめっきで形成されたオーバハングを用い参考例
のリフトオフ法により薄膜を形成する第１のプロセスを
示す図、第２Ａ図乃至第２１図は第１Ａ図乃至第１Ｇ図
のプロセスに類似した参考列の第２のプロセスを示す図
、第３Ａ図乃至第３Ｃ図はレジストにテーパ付開口を形
成することによりリフトオフ材料にオーバハングを形成
する参考例第３のプロセスを示す図、第４Ａ図乃至第４
Ｃ図はレジストにテーパ付開口を形成することによりリ
フトオフ材料にオーバハングを形成する参考例第３のプ
ロセスを示す図、第５Ａ図乃至第５Ｅ図は第３Ａ図、第
４Ａ図及び第５Ａ図に用いられた形のレジストを加熱し
てレジストのエツジを湾曲させることにより大きなオー
バハングを形成する本発明によるプロセスを示す図、第
６Ａ図乃至第６Ｄ図は２つのレジストを用いてオーバハ
ングを形成する参考例のプロセスを示す図である。 １０・・・・・・基板、１２・・・・・・レジスト層、
１４゜１５・・・・・・開口、１６．１７・・・・・・
リフトオフ・マスク材料、 １ Ｂ−−−−−“オーバ
ハング・エツジ、１９・・・・・・所望の被覆材料、２
０・・・・・・側壁。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属性基板上に熱変形可能なレジストを塗布する工
   程、該レジストを露光し、オーバハングの逆の形態のテ
   ーパ付側壁を有する開口のパターンを形成する工程、該
   レジストを加熱してその開口縁に丸味をもたせる工程、
   金属性のリフトオフ形成材料を上記レジストの厚さ以下
   の厚さにメッキして上記開口底部よりも上部で太くなっ
   ているオーバハング形状のリフトオフ構造体を形成する
   工程、上記リフトオフ構造体のないレジスト部分を除去
   する工程、かく形成された構造体上に上記レジス１−の
   厚さ以上の厚さに被膜材料を真空蒸着させる工程、食刻
   剤により上記リフトオフ材料を除去する工程を含む真空
   蒸着により薄膜構造体を形成する方法。