JPS5851732A - インバ−タの過電流保護装置 - Google Patents
インバ−タの過電流保護装置Info
- Publication number
- JPS5851732A JPS5851732A JP56151190A JP15119081A JPS5851732A JP S5851732 A JPS5851732 A JP S5851732A JP 56151190 A JP56151190 A JP 56151190A JP 15119081 A JP15119081 A JP 15119081A JP S5851732 A JPS5851732 A JP S5851732A
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- Japan
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- inverter
- current
- thyristor
- commutation
- capacitor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社グートターノオフ(G?0 )豐イψスタを主
スィッチ素子とするインバータの過電流保護装置に関す
る。
スィッチ素子とするインバータの過電流保護装置に関す
る。
GTOインバータにおいて、転流失敗が発生すると過大
な事故電流が流れ、この電流がインバータの可・制御電
流を越えるとGTOサイリスタに自己消弧能力が無7〈
々シその、破損を招く、この保護用として従来から、I
IIIIIJK示すようにインパータエNVの直流入力
側にフユーズIFを設け、そO溶断によって電流しゃ断
する回路が採られている0図中、CNVは壊変換器、L
は直流リアクトル、CAll1平滑用コンデンサである
。
な事故電流が流れ、この電流がインバータの可・制御電
流を越えるとGTOサイリスタに自己消弧能力が無7〈
々シその、破損を招く、この保護用として従来から、I
IIIIIJK示すようにインパータエNVの直流入力
側にフユーズIFを設け、そO溶断によって電流しゃ断
する回路が採られている0図中、CNVは壊変換器、L
は直流リアクトル、CAll1平滑用コンデンサである
。
eの従来回路にあっては1.7エーズyの応答性を上妓
るのに限度があり、転流失敗から7ユーズが溶断するま
での時間にはコンデンサ区かもの急峻な放電電流が流れ
てスイッチ素子を破壊する恐れがある。このため、スイ
ッチ素子自体に充分なる電流余裕を持たせゐよう設計す
ることに1うて高価なインバータ構成になる。
るのに限度があり、転流失敗から7ユーズが溶断するま
での時間にはコンデンサ区かもの急峻な放電電流が流れ
てスイッチ素子を破壊する恐れがある。このため、スイ
ッチ素子自体に充分なる電流余裕を持たせゐよう設計す
ることに1うて高価なインバータ構成になる。
また、従来回路では転流失敗時Ky&−ズEFの容断が
ある九め、その都度フ為−ズ0交換を必要とするという
保守上の煩雑さがある。
ある九め、その都度フ為−ズ0交換を必要とするという
保守上の煩雑さがある。
本発明は平滑用コンデンサ上に直列にスイッチを設け、
転流失敗を検出したときに該スイッチをオフ制御し、順
変換器側からの電#lが増加する前にインバータを停止
制御することによ〉、@流失敗時の短絡電流を低く抑え
て回路素子の適切なる体験を可能にし走過電流保護装置
をII供することを目的とする。
転流失敗を検出したときに該スイッチをオフ制御し、順
変換器側からの電#lが増加する前にインバータを停止
制御することによ〉、@流失敗時の短絡電流を低く抑え
て回路素子の適切なる体験を可能にし走過電流保護装置
をII供することを目的とする。
第2図は本発明の一実施例を示す開路■である。
同図において、直流リアクトルちとjンデンを眞ゐダイ
オードD1とコンデンサcdの放電方向に接続されるサ
イリスタTH,とから成るスイッチS1を設け、仁のサ
イリスタTH,の強制転流用として補助サイリスタTH
,と転流コンデシサCIs転流リアクトルLlの直列回
路を該サイリスタTH,K並列に設け、転流コンデンサ
CIの充電用として抵抗R1を設け、インバータエNY
の転流失敗を検出したときにサイリスタ′rH1のオン
ゲート信号を断ちかつ補助サイリスクTH,を点弧させ
、さらにインパータエMYのゲート制御回路GCK運転
停止指令を与える転流失敗検出回路CFDを設ける。
オードD1とコンデンサcdの放電方向に接続されるサ
イリスタTH,とから成るスイッチS1を設け、仁のサ
イリスタTH,の強制転流用として補助サイリスタTH
,と転流コンデシサCIs転流リアクトルLlの直列回
路を該サイリスタTH,K並列に設け、転流コンデンサ
CIの充電用として抵抗R1を設け、インバータエNY
の転流失敗を検出したときにサイリスタ′rH1のオン
ゲート信号を断ちかつ補助サイリスクTH,を点弧させ
、さらにインパータエMYのゲート制御回路GCK運転
停止指令を与える転流失敗検出回路CFDを設ける。
この転流失敗検出回路OFD icおける転流失敗検出
は、第3図に示すようにGTOサイリスタをブリッジア
ーム素子とするインバータ主回路の直流高圧側と低圧側
聞に電流制限用抵抗R−とフォトカプラPCの発光素子
とを直列接続して設け、インバータ主回路の転流失敗に
よる電圧低下を7オトカプラPCの受光素子出力電流変
化として検出する。
は、第3図に示すようにGTOサイリスタをブリッジア
ーム素子とするインバータ主回路の直流高圧側と低圧側
聞に電流制限用抵抗R−とフォトカプラPCの発光素子
とを直列接続して設け、インバータ主回路の転流失敗に
よる電圧低下を7オトカプラPCの受光素子出力電流変
化として検出する。
この方式による転流失敗検出に隈らず、平滑用;ンデン
サ眞の放電□電流を変流器で検出する□40゛やインパ
ータエNYの直流側電流を直11に検出する危ど転流失
敗による主回路電流の龜唆會&増大から適宜検出で−き
ることは勿論であ□る。
サ眞の放電□電流を変流器で検出する□40゛やインパ
ータエNYの直流側電流を直11に検出する危ど転流失
敗による主回路電流の龜唆會&増大から適宜検出で−き
ることは勿論であ□る。
こうした転流失敗検出回路Km−ける検出□備考は図示
しない比較器によるレベル判矯で簀イリスタTH,、T
H,の点弧信号及びゲート制御回路GOへの指令信号ヲ
散出す。 ・こうした構成において、イ
ンバータの通□電運転には順変換器CNVの直流出力を
リアクトルLを通してインパータエNVIIK供給する
と共に、ダイオードD1を通したコンデンサCdの充電
及びサイリスタ′rH1の常時点弧によるコンデンサc
dからの放電がなされて直流電圧vdの平滑、がなされ
る。
しない比較器によるレベル判矯で簀イリスタTH,、T
H,の点弧信号及びゲート制御回路GOへの指令信号ヲ
散出す。 ・こうした構成において、イ
ンバータの通□電運転には順変換器CNVの直流出力を
リアクトルLを通してインパータエNVIIK供給する
と共に、ダイオードD1を通したコンデンサCdの充電
及びサイリスタ′rH1の常時点弧によるコンデンサc
dからの放電がなされて直流電圧vdの平滑、がなされ
る。
このとき、転流コンデンサCIは抵抗式を通し九大きい
時定数で直流電圧vdまで図示極性に充電されていゐ。
時定数で直流電圧vdまで図示極性に充電されていゐ。
インバータ運転中に、何らかの原因による転流失敗があ
ると、転流失敗検出回路CFDはサイリスクTH1の点
弧信号を断ち、補助サイリスタTH,を点弧する。これ
により□、転流失敗発生から急峻に上昇を開始するコン
デンサCdの電流に対して、転流コンデンサOzh転渡
りアクドルL、による振動電流がダイオードD、を通し
て流れサイリスタTH,を逆方向にパイアヌして該サイ
リスタTH1をターンオフさせ、コンデンサCd O放
電電流を■止する。
ると、転流失敗検出回路CFDはサイリスクTH1の点
弧信号を断ち、補助サイリスタTH,を点弧する。これ
により□、転流失敗発生から急峻に上昇を開始するコン
デンサCdの電流に対して、転流コンデンサOzh転渡
りアクドルL、による振動電流がダイオードD、を通し
て流れサイリスタTH,を逆方向にパイアヌして該サイ
リスタTH1をターンオフさせ、コンデンサCd O放
電電流を■止する。
この制御によシ、転流失敗による事故電流は急激に減少
し、以後の電流は順変換器CN舗からOリアクトルLK
よる立上りの遅い事故電流O増加に1にる。
し、以後の電流は順変換器CN舗からOリアクトルLK
よる立上りの遅い事故電流O増加に1にる。
転流失敗検出回路CFDはナイリスタ預sO点弧制御と
同時にゲート制御回路GCK這転停止指令を与え、イン
パータエNVの各G’l’Oサイリスタのターンオフ制
御を冷さしめる。ゲート制御−路GOは運転停止指、令
に対して各GTOサイリスタに最小オンタイムが確保さ
れているときKa直ちにオフ制御するが、GTOサイリ
スタに最小オンタイムが確保されていないときは皺時間
、だけ侍ってオフ制御を行々う。
同時にゲート制御回路GCK這転停止指令を与え、イン
パータエNVの各G’l’Oサイリスタのターンオフ制
御を冷さしめる。ゲート制御−路GOは運転停止指、令
に対して各GTOサイリスタに最小オンタイムが確保さ
れているときKa直ちにオフ制御するが、GTOサイリ
スタに最小オンタイムが確保されていないときは皺時間
、だけ侍ってオフ制御を行々う。
第4図は転流失敗時の事故電流を示し、時刻t。
で転流失敗すると、順変換器CNvからの電@ I(1
゜はりアクドルLKよって抑制されながら緩慢に増大す
るが、コンデンサcdの放電電流層(1,はサイリスタ
THIKよるしゃ断かがいときKは破線で示すようにそ
の抑制リアクタンス分が配線インピーダンスしかないた
め急峻な立上りKなる。この電流変化に対して、時刻t
sにおいて転流失敗の検出によるサイリスタTH1のタ
ーンオフ制御によりインバータINV側への電流層dが
実線で示すように抑制されて時刻1.には順変換器CN
V儒からの電流層のみKなる。この時刻t3がインパー
タエ■のGTOサイリスタに必要とする最小オンタイム
以上とすると、該時刻にGTOサイリスタのオフ制御に
よって事故電流が零になる。
゜はりアクドルLKよって抑制されながら緩慢に増大す
るが、コンデンサcdの放電電流層(1,はサイリスタ
THIKよるしゃ断かがいときKは破線で示すようにそ
の抑制リアクタンス分が配線インピーダンスしかないた
め急峻な立上りKなる。この電流変化に対して、時刻t
sにおいて転流失敗の検出によるサイリスタTH1のタ
ーンオフ制御によりインバータINV側への電流層dが
実線で示すように抑制されて時刻1.には順変換器CN
V儒からの電流層のみKなる。この時刻t3がインパー
タエ■のGTOサイリスタに必要とする最小オンタイム
以上とすると、該時刻にGTOサイリスタのオフ制御に
よって事故電流が零になる。
このように、従来の保護回路がコンデンサCdからの過
大な電流層d3によってGTOナイリスタを破損する恐
れがあるし、仮シに転流失敗を検出してインバータを停
止制御する手段を異見る% GTOサイリスタに必要な
最小オンタイム後に該サイリスタのオフ制御を必要とし
てコンデンサ億かもの過大な電流を抑止てきないで、ナ
イWスタ0可制御電流を越え九オフ制御になってその破
損を招く恐れがある。これに対して、本発−KThいて
は、転流失敗を検出することでコンデンを組の電流路を
断ってインバータ側への放電電流をし中断し、その後K
GTOサイリスタに必要となる最小オンタイムを確保
してそのオフ制御をすることによ)サイリスタの可制御
電流以内でのターンオフを可能にする。
大な電流層d3によってGTOナイリスタを破損する恐
れがあるし、仮シに転流失敗を検出してインバータを停
止制御する手段を異見る% GTOサイリスタに必要な
最小オンタイム後に該サイリスタのオフ制御を必要とし
てコンデンサ億かもの過大な電流を抑止てきないで、ナ
イWスタ0可制御電流を越え九オフ制御になってその破
損を招く恐れがある。これに対して、本発−KThいて
は、転流失敗を検出することでコンデンを組の電流路を
断ってインバータ側への放電電流をし中断し、その後K
GTOサイリスタに必要となる最小オンタイムを確保
してそのオフ制御をすることによ)サイリスタの可制御
電流以内でのターンオフを可能にする。
従って、本発’511によれば、転流失敗発生時にもイ
ンバータのGTOサイリスタに流れる電流を低く抑ええ
運転停止が可能をなり、インバータの定格電mK比して
そのGTOサイリスタに許容される電流を低く設計して
その保護を可能にするという効果がある。換言すればイ
ンバータの信頼性向上を図ることができるし、保護用ヒ
ユーズを不要にしてその交換等の手間を省くことができ
る。
ンバータのGTOサイリスタに流れる電流を低く抑ええ
運転停止が可能をなり、インバータの定格電mK比して
そのGTOサイリスタに許容される電流を低く設計して
その保護を可能にするという効果がある。換言すればイ
ンバータの信頼性向上を図ることができるし、保護用ヒ
ユーズを不要にしてその交換等の手間を省くことができ
る。
第1図は従来のインバータの過電流保護装置を説明する
ための主回路構成図、第2図は本発明の一実施例を示す
要部構成図、第3図は第2図にお叶る転流失敗検出回路
を説明するための図、第4図は本発明における保護動作
を説明するための電流波形図である。 CNV・・・順変換器、工NV・・・インバータ、L・
・・・直流リアクトル、Cd ・・e平滑用ブンデンナ
、OFD・・・転流失敗検出回路、Go −拳・ゲート
制御回路、C1・・・転流コンデンサ、IJI・・・転
流リアクトル。 第1図 第2図 [
ための主回路構成図、第2図は本発明の一実施例を示す
要部構成図、第3図は第2図にお叶る転流失敗検出回路
を説明するための図、第4図は本発明における保護動作
を説明するための電流波形図である。 CNV・・・順変換器、工NV・・・インバータ、L・
・・・直流リアクトル、Cd ・・e平滑用ブンデンナ
、OFD・・・転流失敗検出回路、Go −拳・ゲート
制御回路、C1・・・転流コンデンサ、IJI・・・転
流リアクトル。 第1図 第2図 [
Claims (1)
- ゲートターンオフサイリスIを主スィッチ素子とす為イ
ンバータ主回路の直流儒KMJlljl曹νデンナを備
えるインバータKかいて、上■寧νデン?に直列に設け
てそ0放電電流をし警酔す・Sスイッチと、上記インバ
ータの転流失敗を横1して上記スイッチをオフ制御する
と共に上I!イシパータ主a路を運転停止制御する制御
信置を得ham央敗検出回路とを備え九ことを轡徽七す
島イシパータO過電流保■装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151190A JPS5851732A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | インバ−タの過電流保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151190A JPS5851732A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | インバ−タの過電流保護装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5851732A true JPS5851732A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15513236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56151190A Pending JPS5851732A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | インバ−タの過電流保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851732A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561018A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light beam scanner |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56151190A patent/JPS5851732A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561018A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light beam scanner |
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