JPS584988B2 - 帯電状態視認方式 - Google Patents
帯電状態視認方式Info
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- JPS584988B2 JPS584988B2 JP7153179A JP7153179A JPS584988B2 JP S584988 B2 JPS584988 B2 JP S584988B2 JP 7153179 A JP7153179 A JP 7153179A JP 7153179 A JP7153179 A JP 7153179A JP S584988 B2 JPS584988 B2 JP S584988B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、帯電した物体のどの部分に凡そどの程度の帯
電がなされているかを視認する為の方式一般に、帯電し
ては困るような物体が帯電する場合、その物体のどの部
分に帯電しているのか、また、その程度を知ることがで
きれば対策も立て易いし、帯電を除去しようとする際に
効果的に行なうことができる。
電がなされているかを視認する為の方式一般に、帯電し
ては困るような物体が帯電する場合、その物体のどの部
分に帯電しているのか、また、その程度を知ることがで
きれば対策も立て易いし、帯電を除去しようとする際に
効果的に行なうことができる。
例えば、半導体装置を製造するにはリングラフィ技術が
不可欠であり、また、それにはフォト・マスクが不可欠
である。
不可欠であり、また、それにはフォト・マスクが不可欠
である。
通常の製造工程で使用される所謂ワーク・マスクはマス
ク・マスクのパターンを転写して作製される。
ク・マスクのパターンを転写して作製される。
その転写作業は、ガラス基板上に金属膜及びフォト・レ
ジスト膜を順次形成したものの表面、部ち、フォト・レ
ジスト膜上にマスク・マスクを密接して載置し、紫外線
を照射して行なわれる。
ジスト膜を順次形成したものの表面、部ち、フォト・レ
ジスト膜上にマスク・マスクを密接して載置し、紫外線
を照射して行なわれる。
そのような転写作業は、１枚のマスク・マスクで何枚も
のワーク・マスクに対して繰収し実施され、マスク・マ
スクの金属膜パターンの部分は次第に帯電してくる。
のワーク・マスクに対して繰収し実施され、マスク・マ
スクの金属膜パターンの部分は次第に帯電してくる。
そして、遂には転写終了後マスク・マスクとワーク・マ
スクとが密着してしまいその分離に困難を来たすように
なり、湯熱と引剥すことに依りワーク・マスクのフォト
・レジスト膜から金属膜までが損傷されてしまう事故が
しばしば生じている。
スクとが密着してしまいその分離に困難を来たすように
なり、湯熱と引剥すことに依りワーク・マスクのフォト
・レジスト膜から金属膜までが損傷されてしまう事故が
しばしば生じている。
マスク・マスクの帯電は金属膜パターンに依存して変化
するので、どのマスク・マスクも同じ状態に帯電すると
は限らない。
するので、どのマスク・マスクも同じ状態に帯電すると
は限らない。
従って、前記したように、その帯電状態を目視して把握
できれば、その対策、帯電除去を円滑に行なうことがで
きる。
できれば、その対策、帯電除去を円滑に行なうことがで
きる。
本発明は、物体の帯電状態を極めて簡単な装置で視認で
きる方式を提供するものであり、以下これを説明する。
きる方式を提供するものであり、以下これを説明する。
第１図は本発明を実施する装置の一例を表わす要部説明
図である。
図である。
図に於いて、ＰＴは撮像管、ＰＴｌは透明導電膜電極、
ＰＴ２は光導電膜、ＰＴ３はカソード、■ｓは誘電体薄
膜、ＤＰは表示装置、ＭＫは帯電物体をそれぞれ示す。
ＰＴ２は光導電膜、ＰＴ３はカソード、■ｓは誘電体薄
膜、ＤＰは表示装置、ＭＫは帯電物体をそれぞれ示す。
この装置に於ける撮像管ＰＴとしては例えばビジコンに
若干の改造を施して使用することができる。
若干の改造を施して使用することができる。
尚、図示してないが、誘電体薄膜ＩＳと透明導電膜電極
ＰＴＩとの間にはガラス板が介在しても良く、また、誘
電体薄膜Ｉｓとしては例えばポリ塩化ビニリデン系重合
物（例えば商品名サラン：米国ダウ・ケミカル社）を用
いることができる。
ＰＴＩとの間にはガラス板が介在しても良く、また、誘
電体薄膜Ｉｓとしては例えばポリ塩化ビニリデン系重合
物（例えば商品名サラン：米国ダウ・ケミカル社）を用
いることができる。
さて、前記装置に於いて、帯電物体ＭＫを誘電体薄膜■
ｓに押し当てると、物体ＭＫの帯電状態は誘電体薄膜Ｉ
ｓに転移し、更に光導電膜ＰＴ２に転移する。
ｓに押し当てると、物体ＭＫの帯電状態は誘電体薄膜Ｉ
ｓに転移し、更に光導電膜ＰＴ２に転移する。
光導電膜ＰＴ２即ちターゲットに＋電荷が存在するとき
、カソードＰＴａからの電子ビームで該ターゲットを走
査することに依り十電荷は減少する。
、カソードＰＴａからの電子ビームで該ターゲットを走
査することに依り十電荷は減少する。
それと同時に電源から電極ＰＴｔを介して充電が行なわ
れるので、それを信号として表示装置ＤＰに送って表示
させれば良い。
れるので、それを信号として表示装置ＤＰに送って表示
させれば良い。
第２図ａは帯電物体ＭＫの帯電状態を表わす説明図であ
り、この帯電物体ＭＫに前記第１図に関して説明したよ
うな操作を施すと、表示装置Ｄｐに於ける陰極線管ＣＲ
Ｔには第２図すに見られるように白色（高輝度）の表示
が行なわれ、その位置、形状、面積などを見れば帯電物
体ＭＫのどの部分にどの程度の帯電が行なわれているか
視認することができる。
り、この帯電物体ＭＫに前記第１図に関して説明したよ
うな操作を施すと、表示装置Ｄｐに於ける陰極線管ＣＲ
Ｔには第２図すに見られるように白色（高輝度）の表示
が行なわれ、その位置、形状、面積などを見れば帯電物
体ＭＫのどの部分にどの程度の帯電が行なわれているか
視認することができる。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、表示装置に
結合された撮像管に誘電体薄膜を介して帯電物体を押し
当て、その物体の帯電状態を撮像管のターゲットに転移
させてから該ターゲットをカソードからの電子ビームで
走査することに依り前記転移した電荷に基因する信号を
取出して表示装置に送って表示させるようにしているの
で、表示装置の例えば陰極線管には物体の帯電状態に応
じて高輝度と低輝度のパターンが現われる。
結合された撮像管に誘電体薄膜を介して帯電物体を押し
当て、その物体の帯電状態を撮像管のターゲットに転移
させてから該ターゲットをカソードからの電子ビームで
走査することに依り前記転移した電荷に基因する信号を
取出して表示装置に送って表示させるようにしているの
で、表示装置の例えば陰極線管には物体の帯電状態に応
じて高輝度と低輝度のパターンが現われる。
従って物体の帯電状態を容易に目視でき、これにより、
もしマスク・マスクが多量に帯電していることが判明し
た場合、このマスク・マスクを転写に用いないようにす
ることによって信頼性の高いワーキングマスクを得るこ
とができるようになる。
もしマスク・マスクが多量に帯電していることが判明し
た場合、このマスク・マスクを転写に用いないようにす
ることによって信頼性の高いワーキングマスクを得るこ
とができるようになる。
第１図は本発明を実施する装置の一例を表わす要部説明
図、第２図は帯電状態とその表示状態を説明する為の説
明図である。 図に於いて、ＰＴは撮像管、ＰＴｔは透明導電膜電極、
ＰＴ２は光導電膜、ＰＴ３はカソード、Ｉｓは誘電体薄
膜、ＤＰは表示装置、ＭＫは帯電物体、ＣＲＴは陰極線
管である。
図、第２図は帯電状態とその表示状態を説明する為の説
明図である。 図に於いて、ＰＴは撮像管、ＰＴｔは透明導電膜電極、
ＰＴ２は光導電膜、ＰＴ３はカソード、Ｉｓは誘電体薄
膜、ＤＰは表示装置、ＭＫは帯電物体、ＣＲＴは陰極線
管である。
Claims (1)
- １ 撮像管に誘電体薄膜を介して帯電物体を押し当て、
該撮像管のターゲットに該帯電物体の帯電状態を転移さ
せ、該撮像管のカソードからの電子ビームで該ターゲッ
トを走査して前記帯電状態に基因する信号を取出して表
示装置に加え帯電状態のパターンを映出させることを特
徴とする帯電状態視認方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153179A JPS584988B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 帯電状態視認方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153179A JPS584988B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 帯電状態視認方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55163464A JPS55163464A (en) | 1980-12-19 |
| JPS584988B2 true JPS584988B2 (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=13463403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7153179A Expired JPS584988B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 帯電状態視認方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584988B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8530930D0 (en) * | 1985-12-16 | 1986-01-29 | Mansfield P | Inductive circuit arrangements |
| KR20000050249A (ko) * | 2000-05-30 | 2000-08-05 | 신이균 | 정전기 측정시스템 |
-
1979
- 1979-06-07 JP JP7153179A patent/JPS584988B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55163464A (en) | 1980-12-19 |
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