[go: up one dir, main page]

JPS5848926A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents

絶縁型半導体装置

Info

Publication number
JPS5848926A
JPS5848926A JP14615881A JP14615881A JPS5848926A JP S5848926 A JPS5848926 A JP S5848926A JP 14615881 A JP14615881 A JP 14615881A JP 14615881 A JP14615881 A JP 14615881A JP S5848926 A JPS5848926 A JP S5848926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
plate
insulating member
semiconductor device
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14615881A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6326542B2 (ja
Inventor
Yasutoshi Kurihara
保敏 栗原
Komei Yatsuno
八野　耕明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14615881A priority Critical patent/JPS5848926A/ja
Publication of JPS5848926A publication Critical patent/JPS5848926A/ja
Publication of JPS6326542B2 publication Critical patent/JPS6326542B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁型半導体装置、特に＃！−導俸基捧と、半
導体基体を載置する金属支持体との間が・電気的に絶縁
され、熱的に接続された半導体装置に関する。
半導体装置の一例である高出力トランジスタを複数個搭
載した混成集積回路装置では、数アンペア以上のフレフ
タ電流が流れるが、この際半導体素子としてのトランジ
スタペレットは通常発熱する。この発熱に起因する特性
の不安定性や寿命の加速的劣化を避けるためトランジス
タベレットが許容制限温度を越えて昇温するのを防止し
なければならない。又、混成集積回路装置に搭載される
回路素子、中でも半導体素子としてのトランジスタベレ
ットは他の回路素子と電気的に絶縁されなければならな
い場合が多い。さらに、高度な機能の要求される混成集
積回路装置では搭載された回路素子が外部からの影響、
特に電磁波妨害を受けないようにするための方策や、安
全上の見地から混成集積回路装置の搭載回路素子はその
収納容器から電気的にしゃ断されていなければならない
。
このような要求を満すためには熱伝導性や電気絶縁性は
優れ、限られたスペースに所定の電気回路を構成する回
路素子を搭載できる絶縁板が必要になる。このような絶
縁板の一例として、第１図に示す断面図のように、ヒー
トシンクとしての役割を併せて担う銅の如き金属支持板
１上に鉛−錫系半田等からなる第１の金属ろう２を介し
て絶縁板３を接着し、この絶縁板３の他方の面上に鉛−
錫系半田等からなる第２の金属ろう４を介して銅板の如
き電極板５を接着した構造のものが知られており、混成
集積回路装置はさらに電極板５上に鉛−錫系半田等から
なる第３の金属ろうを介して半導体基体等の回路素子を
一体化し、所定の電気配線や封止処理を施して得ら扛る
。かかる構造の混成集積回路装置において、絶縁板３は
電気絶縁性に優れ併せて高い熱伝導性を兼ね備えている
ことが望ましく、この観点から無機質絶縁物、例えばア
ルミナ、ベリリヤが多用されている。しかしながら、ア
ルミナやベリリヤを除く無機質絶縁物、例えば窒化アル
ミニウム、窒化シリコンは体積抵抗率１０１４Ω・ｍ以
上（室温）と極めて優れた電気絶縁性を有するとともに
、それぞれ熱伝導率０．２’１ｍ／ぼ・Ｃ・ｓ、ｏ、ｏ
３＊／鍜・Ｃ・Ｓ（室温）と良好な熱伝導性を兼ね備え
ており、前述した半導体装置用絶縁板として好ましい性
質を持っている。にもかかわらず、これらの無機質絶縁
物が半導体装置に実用されることは殆んどなかった。こ
の理由は、アルミナやベリリヤに比べて低コスト、均質
かつ量産的に製造するための方法が十分て確立されてい
なかったことの他に、これらの無機質絶縁物と金属との
接着を信頼性高く実現すること、つまりこれら無機質絶
縁物表面に信頼性の高い金属化処理を施すことが極めて
困難であったことにもよる。
本発明の目的は、前述した無機質絶縁物を用いて熱伝導
性に優れた絶縁型半導体装置を提供することにある。
この目的を達成する本発明の絶縁型半導体装置は、支持
部材により支持され、支持部材と反対の側で少なくとも
１つの主平面を有する無機質絶縁部材と、絶縁部材の主
平面上に金属ろうによシ接着された金属板と、金属板の
絶縁部材側と反対側の表面に導電的に接着された少なく
とも１つの半導体基体とを含む半導体装置であり、上記
絶縁部材が窒化アルミニウム、窒化硼素、窒化シリコン
の群から選択された１つを主成分とする物質であり、こ
の絶縁部材の少なくとも金・萬ろうにより金属板を接着
する領域の表面に、モリブデン及びタングステンを含む
粉末金属を還元性雰囲気下で焼結された金属層を含む金
属化領域を有することを特徴とする。
本発明をさらに詳細に説明すると、前述した金属化領域
は、（１）無機質絶縁部材としての窒化アルミニウムや
窒化シリコンとの反応性に富み強固な接着性を有するモ
リブデン及びタングステン混合粉末を印刷法により塗布
し、この際混合粉末の塗布は揮発性有機溶媒といっしょ
に混練してペースト状になされた混合粉末ペーストを厚
さ約６０μｍに印刷して行なわれ、（２）混合粉末ペー
ストを塗布した無機質絶縁部材を還元性フォーミングガ
ス雰囲気（水素１：窒素１０．容量比）中で１３２０Ｃ
（保持時間：２０分間）に加熱して前述の混合粉末ペー
スト中の有機質を揮散させるとともに粉末金属どうしの
焼結と粉末金属と無機質絶縁物との反応を促進せしめ、
（３）無機質絶縁物に一体化された焼結金属上に無電解
ニッケルめっきを施して厚さ３〜５μｍのニッケルめっ
き層を形成し、そしてニッケルめっき層を形成した無機
質絶縁物を水素の如き還元性雰囲気中で８１ＣＩ’（（
保持時間３〜５分間）して形成される。このようにして
金属化された無機質絶縁物の両面には、鉛−錫系半田の
一般的なるの付は法により銅板等の金属板と一体化され
る。一体化された金属板は一方が支持板としての役割を
担い、他方が半導体基体を搭載する導体板やヒートシン
ク板としての役割を担う。
以下、本発明を実施例によシさらに詳細に説明する。
実施例１ 本実施例では、絶縁型トランジスタについて説明する。
第２図は本Ｊ　彪夕１１で得た絶縁型トランジスタの断
面図である。このトランジスタは無機質絶縁部材として
の窒化アルミニウム板１１の両面に焼結して一体化した
モリブデン及びタングステンを含む金属層と同金属層上
にめっき形成したニッケル層とからなる積層金属層１２
を配し、この窒化アルミニウム板１１の一方の主面側に
導体板としての銅板１３と半導体基体としてのシリコン
トランジスタペレット１４を順次積層して鉛−錫系半田
１５により導電的に接着し、他方の主面側に支持板とし
ての鋼板１６を鉛−錫系半田１７によシ接着した構造に
なっている。この際、トランジスタベレット１４のエミ
ッタ及びベース領域をそれぞれ所定の金属端子にアルミ
ニウム細線を介して導電的に接続し、銅板を所定の金属
端子（コレクタ）に導電的に接続し、そしてトランジス
タベレット１４、銅板１３、窒化アルミニウム板１１等
が完全に封止されるようにエポキシ樹脂でモールドして
いる。
以上の構成で得られた絶縁型トランジスタのベレット１
４から銅支持板１６に至る間の熱抵抗は０．８５１Ｔ／
Ｗと良好な放熱性を示し、そして銅板１３と銅支持板１
６間に交流実効値電圧２０００Ｖ［５０Ｈｚ）を連続し
て１０時間印加したが絶縁破壊は生じなかった。又、得
られた絶縁型トランジスタに一５５ｒ（２５分間）−室
温（５分間）−＋１５０Ｃ（２５分間）−室温（５分間
）の温度サイクルを２０００回与えたが熱抵抗の変動は
認められなかった。このように、放熱性や絶縁性に優れ
そして耐温度サイクル性に優れた絶縁型トランジスタが
得られたのは、窒化アルミニウムに接着強度に優れる積
層金属層で金属化処理ができ、金属板との一体化が可能
になったことによる。
実施例２ 本実施例では、実施例１において無機質絶縁部材として
窒化シリコン板を用い、これら無機質絶縁部材に実施例
１と同様の積層金属層を設けて金属化し、実施例１と同
様の構造の絶縁型トランジスタを得た。
以上の構成で得られた絶縁型トランジスタの熱抵抗は１
．２５ｒ／Ｗと良好な放熱性を有しており、そして絶縁
性や耐温度サイクル性は実施例１とほぼ同等であった。
このように、放熱性や絶縁性に優れそして耐温度サイク
ル性に優れた絶縁型トランジスタが得られたのは、窒化
シリコンに接着強度に優れる積層金属、′―で金属化処
理できたため、金属板との一体化が可能になったことに
よる。
実施例３ 本実施例では１０Ａ級インバータの電流制御パワーモジ
ュールを例に採って説明する。
このパワーモジュールは、第３図に示すように、底面に
ニッケルめっきを施した７　０ｍｍＸ　１４０ｍｍＸ３
．２ｍｍのアルミニウム支持板２１と、実施例１と同様
の積層金属層からなる金属化領域を両面に設けた２５ｍ
ｍＸ２５聴Ｘ０．６ｍの窒化アルミニウム板２２１〜２
２６、同じ（１５ｍｍＸ　１５ｍｍＸ０１６關の窒化ア
ルミニウム板２２７，２２８及び同じ＜　１６ｍｍＸ　
１５ｍｍＸ　Ｏ，６ｒｒａｎの窒化アルミニウム板２２
９と、そして表面にニッケルめっきを施した２　３ｍｍ
Ｘ　２３ｍｍＸ　Ｏ，２５ｒｒｒ！ｎのアルミニウム載
置板２３１〜２３６、同じ（１３ｗｎｘ　１３聰×０．
２５咽のアルミニウム載置板’２３７，２３８及び同じ
（１４ｍｍＸ　１３間Ｘ０．２５ｍのアルミニウム載置
板２３９を順次鉛−錫系半田（図示せず）を介して一体
化し、アルミニウム載置板上に鉛−錫系半田（図示せず
）を介してトランジスタ、ダイオード、抵抗、双方向性
サイリスタを搭載して、第４図に示すような混成集積回
路を構成し、エポキシ樹脂からなる封止用ケース（図示
せず）で封止し、さらにケース内を絶縁性樹脂で充填し
てモジュールを得た。このモジュールは第４図に示す電
気回路を構成しているが、一点鎖線で表わした範囲の回
路素子はそれぞれ対応するアルミニウム載置板上に搭載
されている。
以上の構成で得たモジュールのトランジスタ。
ダイオード、双方向性サイリスタの各ペレットとアルミ
ニウム支持板との間の熱抵抗０．６′Ｃ／Ｗ以下であり
、実用上支障のない優れた放熱性を有していることが確
認された。又、同モジュールに実施例１と同様の温度サ
イクルを５０回与えたが、熱抵抗の変動は認められなか
った。さらにアルミニウム載置板とアルミニウム支持板
間に実施例１と同様の交流岨圧を１０時間印加したが、
絶縁破壊は認められなかった。以上のように放熱性が良
いため発熱の著しいパワー素子を多数収納でき、この結
果パワー回路を小型化することが可能になった。
以上説明したように、本発明によれば窒化アルミニウム
、窒化シリコンからなる無機質絶縁板を用いて熱伝導性
に優れた絶縁型半導体装置を得ることができる。これは
、従来極めて困難であった窒化アルミニウムや窒化シリ
コンに金属化できたこと、即ち接着強度に優れ、半田等
の金属ろうによる接着が可能な焼結モリブデン及びタン
グステンを含む積層金属；・謔で無機質絶縁板を金属化
できたため、金属板等との一体化が可能になったことに
よる。又、本発明によれば、無機質絶縁板の金属化処理
には一般的な印刷、焼付けによる金属化の手法を用いる
ことが可能であり、金属化した無機質絶縁板は通常の金
属ろうによるリフロー処理で金属板と一体化することが
できるため、半導体装置の製作が容易である。
なお、本発明において半導体基体を載置する金属板は半
導体装置の主要な導電路を担うものであって、金属ろう
のみで導電路を確保できる場合は金属板を除いても本発
明の目的を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の絶縁型半導体装置の断面図、第２図は本
発明を適用した絶縁型トランジスタの断面図、第３図は
本発明を適用したパワーモジュールの斜視図、第４図は
第３図のパワーモジュールの電気回路である。 １１・・・窒化アルミニウム板、１２・・・積智金属層
、１３・・・銅板、１４・・・シリコントランジスタベ
レン第　　１　　図 第　　３　図 第　　４　Ｖ ２３６　　　　２３η　　　　２３２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、支持部材によシ支持され、この支持部材側２反対側
    で少なくとも１つの主平面を有する無機質絶縁部材と、
    この絶縁部材の上記主平面上に金属ろうにより接着され
    た金属板と、この金属板の上記絶縁部材側と反対側の表
    面に導電的に接着された少なくとも１つの半導体基体と
    を具備し、上記絶縁部材が窒化アルミニウム、窒化シリ
    コンの群から選択された１つを主成分とする物質であり
    、この絶縁部材の少なくとも金属ろうにより金属板を接
    着する領域の表面に、モリブデン及ｏ：ｐンｙステンを
    含む粉末金属を還元性雰囲気下で焼結された金属層を含
    む金属化領域を有することを特徴とする絶縁型半導体装
    置。 ２、特許請求の範囲第１項において、半導体基体が金属
    ろうを介して前記金属化領域に導電的に接着されたこと
    を特徴とする絶縁型半導体装置。
JP14615881A 1981-09-18 1981-09-18 絶縁型半導体装置 Granted JPS5848926A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14615881A JPS5848926A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 絶縁型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14615881A JPS5848926A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 絶縁型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5848926A true JPS5848926A (ja) 1983-03-23
JPS6326542B2 JPS6326542B2 (ja) 1988-05-30

Family

ID=15401437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14615881A Granted JPS5848926A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 絶縁型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5848926A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6032343A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板
EP0235682A2 (en) * 1986-02-20 1987-09-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminium nitride sintered body having conductive metallized layer
JPS62219546A (ja) * 1986-03-19 1987-09-26 Toshiba Corp 半導体装置
JPH01185928A (ja) * 1988-01-21 1989-07-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4965659A (en) * 1987-06-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for a semiconductor structure
US5138439A (en) * 1989-04-04 1992-08-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2000086368A (ja) * 1998-09-16 2000-03-28 Fuji Electric Co Ltd 窒化物セラミックス基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53102310A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Tokyo Shibaura Electric Co Heat conducting base plates
JPS5551774A (en) * 1978-10-06 1980-04-15 Kyoto Ceramic Composition and method for metallizing nonnoxide ceramic body

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53102310A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Tokyo Shibaura Electric Co Heat conducting base plates
JPS5551774A (en) * 1978-10-06 1980-04-15 Kyoto Ceramic Composition and method for metallizing nonnoxide ceramic body

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6032343A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板
JPH0586662B2 (ja) * 1983-08-02 1993-12-13 Tokyo Shibaura Electric Co
EP0235682A2 (en) * 1986-02-20 1987-09-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminium nitride sintered body having conductive metallized layer
JPS62219546A (ja) * 1986-03-19 1987-09-26 Toshiba Corp 半導体装置
US4965659A (en) * 1987-06-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for a semiconductor structure
JPH01185928A (ja) * 1988-01-21 1989-07-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5138439A (en) * 1989-04-04 1992-08-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2000086368A (ja) * 1998-09-16 2000-03-28 Fuji Electric Co Ltd 窒化物セラミックス基板

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6326542B2 (ja) 1988-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8890310B2 (en) Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same
US6029343A (en) Insulated surface mount circuit board construction
US5038194A (en) Semiconductor device
EP0009978A1 (en) Hybrid Type integrated circuit device
US7078795B2 (en) High voltage module and method for producing same
JP2003124400A (ja) 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
EP3958305B1 (en) Power semiconductor module arrangement and method for producing the same
JPH05304248A (ja) 半導体装置
JPS5848926A (ja) 絶縁型半導体装置
CN114762105A (zh) 用于高密度电子器件的部件组件和嵌入
JP4451746B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
JP3255315B2 (ja) 電気絶縁材及びそれを用いた回路基板
JP2004088022A (ja) 大電力用半導体装置
JPS622587A (ja) ハイパワ−用混成集積回路
CN115472585A (zh) 功率半导体模块
JP2662738B2 (ja) セラミックス放熱フィン付半導体装置
JPH08288605A (ja) 金属回路基板
JP3667130B2 (ja) 配線基板モジュール
JP2828553B2 (ja) 半導体装置
JPS5943094B2 (ja) 半導体装置
JPS5835956A (ja) 混成集積回路装置
JP3305574B2 (ja) 配線基板
JP2771567B2 (ja) 混成集積回路
JPH0831546B2 (ja) ハイパワ−用回路基板及びその混成集積回路
US3365536A (en) Circuit module