JPS5834955B2 - カンジセイスイツチングソシ - Google Patents
カンジセイスイツチングソシInfo
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- JPS5834955B2 JPS5834955B2 JP48008447A JP844773A JPS5834955B2 JP S5834955 B2 JPS5834955 B2 JP S5834955B2 JP 48008447 A JP48008447 A JP 48008447A JP 844773 A JP844773 A JP 844773A JP S5834955 B2 JPS5834955 B2 JP S5834955B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- magnetically sensitive
- current
- output
- magnetization
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/90—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性体にその面内成分を持つ磁場を作用させ
ることにより強磁性体に流れる電流の方向と直交する方
向に起電力が発生するようなプレナホール効果をもつ感
磁性素子に関し、特にこの感磁性素子自体をスイッチン
グ素子として使用しうるようにこの素子に位相判別機能
を賦与したものである。
ることにより強磁性体に流れる電流の方向と直交する方
向に起電力が発生するようなプレナホール効果をもつ感
磁性素子に関し、特にこの感磁性素子自体をスイッチン
グ素子として使用しうるようにこの素子に位相判別機能
を賦与したものである。
感磁性素子として、一般に知られているホール素子は第
1図に示すように、例えばX方向に電流Ixが流れてい
る細長い半導体1の垂直方向に磁場Hzを作用させるこ
とにより、Hz、Txと垂直な方向yに起電力Eyが生
ずるホール効果を使用した素子である。
1図に示すように、例えばX方向に電流Ixが流れてい
る細長い半導体1の垂直方向に磁場Hzを作用させるこ
とにより、Hz、Txと垂直な方向yに起電力Eyが生
ずるホール効果を使用した素子である。
このホール効果素子は半導体であるのに、温度による特
性の変化が大きく、例えば無刷子モータの如く発熱する
装置の検出素子としては不適当で、誤動作を防止するの
が困難であると云う欠点も列挙出来るが、この半導体ホ
ール素子を含む他の感磁性スイッチング素子、つまり磁
気コア、磁気抵抗素子、マグネット、ダイオード等にお
いて、二端子素子では入力信号の正負を判別する場合、
補償電圧又は参照電圧を必要とし、一方間端子素子では
外部回路において例らかの形で位相判別を必要とする。
性の変化が大きく、例えば無刷子モータの如く発熱する
装置の検出素子としては不適当で、誤動作を防止するの
が困難であると云う欠点も列挙出来るが、この半導体ホ
ール素子を含む他の感磁性スイッチング素子、つまり磁
気コア、磁気抵抗素子、マグネット、ダイオード等にお
いて、二端子素子では入力信号の正負を判別する場合、
補償電圧又は参照電圧を必要とし、一方間端子素子では
外部回路において例らかの形で位相判別を必要とする。
本発明は四端子素子に関するもので素子自体に位相判別
機能をもたせたことを特徴とするスイッチング素子であ
る。
機能をもたせたことを特徴とするスイッチング素子であ
る。
素子自体に位相判別機能をもたせると外部回路でその機
能を省略出来るとい゛う経済的な利点のみならず温度変
化に刻しても出力と判別機能が同じ場所で同時に変動し
互に補償し合う様に機能させることが可能になり安定な
素子を提供出来る。
能を省略出来るとい゛う経済的な利点のみならず温度変
化に刻しても出力と判別機能が同じ場所で同時に変動し
互に補償し合う様に機能させることが可能になり安定な
素子を提供出来る。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明するも、まず本
発明に適用して好適な感磁性素子の一例を述べる。
発明に適用して好適な感磁性素子の一例を述べる。
第2図A及びBは感磁性素子10の一例を示す平面図及
び断面図であって、例えばNiが80%、Coが20%
の組成からなる強磁性体2はガラス基板3上に100O
Aの厚みを有し、1關角の形状となるように蒸着され、
又強磁性体2に接し、その上下方向に電流端子4a、4
bが、左右方向に電圧端子5a、5bが有する様にCu
等に導電体がガラス基板3上に形成される。
び断面図であって、例えばNiが80%、Coが20%
の組成からなる強磁性体2はガラス基板3上に100O
Aの厚みを有し、1關角の形状となるように蒸着され、
又強磁性体2に接し、その上下方向に電流端子4a、4
bが、左右方向に電圧端子5a、5bが有する様にCu
等に導電体がガラス基板3上に形成される。
この様に構成された感磁性素子10にあって、一般に第
3図に示す如く強磁性体2に電流を流すと(1)式に表
す様な電界が生ずることが知られている。
3図に示す如く強磁性体2に電流を流すと(1)式に表
す様な電界が生ずることが知られている。
E=ρ、 P+n(j −n )(/’11−/)J−
)+ρxn X j・・・・・・・・・・・・(1) ここでEは電界ベクトル、jは電流密度ベクトル、nは
磁化ベクトルの単位ベクトル、ρ10、ρ工は磁化ベク
トルと平行及び垂直方向の比抵抗、ρXはホール抵抗を
それぞれ表す。
)+ρxn X j・・・・・・・・・・・・(1) ここでEは電界ベクトル、jは電流密度ベクトル、nは
磁化ベクトルの単位ベクトル、ρ10、ρ工は磁化ベク
トルと平行及び垂直方向の比抵抗、ρXはホール抵抗を
それぞれ表す。
全長方形の板状試料を考えその長手方向をX軸、巾方向
をy軸にとり電流をX軸力向に流すと(jx=j 、
j y=j z=0 )、y方向での電界(Ey)は(
1)式より となる。
をy軸にとり電流をX軸力向に流すと(jx=j 、
j y=j z=0 )、y方向での電界(Ey)は(
1)式より となる。
ここでbは試料の巾を表す。第一項は電流、電界、磁化
共にxy面内成分のみの項でありこのことよりプレーナ
ー・ホール効果(磁気抵抗効果)と通称されている。
共にxy面内成分のみの項でありこのことよりプレーナ
ー・ホール効果(磁気抵抗効果)と通称されている。
第二項は通常のホール効果である。
更にこの試料を薄膜にすると形状異方性により(2)式
の第二項はρXの小なることとも相まって第一項に比べ
無視出来る様になる。
の第二項はρXの小なることとも相まって第一項に比べ
無視出来る様になる。
そこで第(2)式の積分を行うと
E y =△p jCO3cpS1ncp=−z△p
35in2 cp・・・・・・・・・・・・・・・(3
) となる。
35in2 cp・・・・・・・・・・・・・・・(3
) となる。
ここで△ρ=(ρ1□−ρ工)、ψは電流と磁化ベクト
ルとのなす角である。
ルとのなす角である。
(3)式を電流I(X方向)と電圧Vyの表現に書き直
すと次のようになる。
すと次のようになる。
まず、試料のZ方向における厚みをCとすると、電流密
度jは、 で表わせる。
度jは、 で表わせる。
従って、今とおけば、
(Ey・
b)はy方向の電圧vyとな
るので、(3)式の両辺にbを掛けると共に、代入して
整理すると、 上式を 素子の形状が正方形の薄膜であると、 であるから、上式は、 b/l−1 となる。
整理すると、 上式を 素子の形状が正方形の薄膜であると、 であるから、上式は、 b/l−1 となる。
(4)式の効果を使った感磁性素子は四端子素子であり
X方向を電流端子、y方向を電圧端子とするものである
。
X方向を電流端子、y方向を電圧端子とするものである
。
今この素子に外部信号磁界が作用すると、その信号磁界
の大きさ、方向により磁化の方向が決りψが決定する。
の大きさ、方向により磁化の方向が決りψが決定する。
このφに応じた出力電圧が(4)式により発生し、これ
を検出すれば信号磁界の方向が検出出来る。
を検出すれば信号磁界の方向が検出出来る。
又この素子は強磁性体で作られているので適当な飽和磁
界を越えた外部信号磁界下で動作させた場合には外部信
号磁界の大きさが多少変動しても、その方向が変らなけ
れば一定の出力信号が得られる特徴をもっている。
界を越えた外部信号磁界下で動作させた場合には外部信
号磁界の大きさが多少変動しても、その方向が変らなけ
れば一定の出力信号が得られる特徴をもっている。
(4)式より明らかな如くこの素子の出力電圧は電流に
比例しψ−±7で最大出力が得られる。
比例しψ−±7で最大出力が得られる。
従ってこの素子をスイッチング素子として使用する場合
には信号磁界の大きさが素子の飽和磁界を越えて充分大
きく且つその方向が素子の電流方向と、±−の角度をな
す様にするのが最も有利である。
には信号磁界の大きさが素子の飽和磁界を越えて充分大
きく且つその方向が素子の電流方向と、±−の角度をな
す様にするのが最も有利である。
この様な使い力をした場合にはψ−+7を例ば”OP+
信号、 −−を゛1″信号とすれば各信ψ= 4 号に対応した出力は となる。
信号、 −−を゛1″信号とすれば各信ψ= 4 号に対応した出力は となる。
今この士の位相を判別する機能を素子にもたせるために
第4図に示す如く電圧端子に不平衡電圧が生ずる様にこ
の電圧端子をX方向に△Xだけ相対的にずらす。
第4図に示す如く電圧端子に不平衡電圧が生ずる様にこ
の電圧端子をX方向に△Xだけ相対的にずらす。
この時の不平衡電圧■y′は入力端子間の間隔、即ちX
方向の長さを11その入力端子間の電気抵抗をRとした
場合 と表わすことが出来る。
方向の長さを11その入力端子間の電気抵抗をRとした
場合 と表わすことが出来る。
ここで△Xを下式
と選んで作られた素子に於ては(5) 、 (6)式の
電圧、■y、■V′が加算され となり出力の有無により位相判別を行うことが出来る。
電圧、■y、■V′が加算され となり出力の有無により位相判別を行うことが出来る。
更にこの素子を定電圧源V。で駆動させるとなり、(7
) 、 (9)式より明らかな如く素子の電気抵抗Rの
温度変化があっても出力の温度変化が補償される。
) 、 (9)式より明らかな如く素子の電気抵抗Rの
温度変化があっても出力の温度変化が補償される。
又電流■は交直両方いずれでもよいが、特に交流で使用
した場合には出力増巾に安価で安定な交流増巾器が使用
出来ること、特別な位相判別器を必要としないことに於
て効果が顕著になる。
した場合には出力増巾に安価で安定な交流増巾器が使用
出来ること、特別な位相判別器を必要としないことに於
て効果が顕著になる。
以上本発明の目的(原理、効果について詳述したが第5
図以下にその実施例について述べる。
図以下にその実施例について述べる。
例えばNiが80%、coが20%の組成になされた上
述の強磁性体2にあって、第5図Aのように、その電流
端子4a、4b間に矢印で示す定電流■を流し、しかも
強磁性体2の磁化方向が電流■の方向に対し右側に45
°(以下これを一45°として説明する)となっていた
とき考える。
述の強磁性体2にあって、第5図Aのように、その電流
端子4a、4b間に矢印で示す定電流■を流し、しかも
強磁性体2の磁化方向が電流■の方向に対し右側に45
°(以下これを一45°として説明する)となっていた
とき考える。
厚み約1ooo人、素子の大きさ17IL7!L角とし
たとき、4a、4b間にIVの電圧をかけて電流を流し
たとするとこのとき電圧端子5a、5b間には上述の組
成による場合では約20mVの電位差、即ち端子5aを
OVとすれば端子5bに一20mVの電圧が得られたも
のとする。
たとき、4a、4b間にIVの電圧をかけて電流を流し
たとするとこのとき電圧端子5a、5b間には上述の組
成による場合では約20mVの電位差、即ち端子5aを
OVとすれば端子5bに一20mVの電圧が得られたも
のとする。
この様な強磁性体2において、磁化の方向を90°ずら
し、つまり、同図Bのように電流■の方向に対し、左側
に45゜(以下これを+45°として説明する)となる
ように磁場Hが作用したものとすれば得られる電圧値は
同じで極性のみ反転するから、端子5aをOVとした場
合、端子5bは+20mVの電圧となる。
し、つまり、同図Bのように電流■の方向に対し、左側
に45゜(以下これを+45°として説明する)となる
ように磁場Hが作用したものとすれば得られる電圧値は
同じで極性のみ反転するから、端子5aをOVとした場
合、端子5bは+20mVの電圧となる。
従って、端子5bについてみれば磁化方向が90°異な
ることによって一20mVから+20mVまでの電圧変
動が生ずる。
ることによって一20mVから+20mVまでの電圧変
動が生ずる。
ところで、磁場Hが作用しない状態で強磁性体2の磁化
方向が電流■の方向と一致しているものと仮定すれば、
電流■を流すことによって強磁性体2の水平方向(電流
■と直交する方向)における両端は等電位面とみなせる
ため今まで説明した各図における電圧端子5a 、sb
の接続状態ではこれらが等電位面の両端に接続されてい
るがために上述の磁化方向では電位差が生じない。
方向が電流■の方向と一致しているものと仮定すれば、
電流■を流すことによって強磁性体2の水平方向(電流
■と直交する方向)における両端は等電位面とみなせる
ため今まで説明した各図における電圧端子5a 、sb
の接続状態ではこれらが等電位面の両端に接続されてい
るがために上述の磁化方向では電位差が生じない。
しかし電圧端子5a 、5bを相対的にその上下方向に
ずらせば、原理的説明のところで述べた様に電圧端子5
a、5bのずれによる不平衡電圧が生ずることになる。
ずらせば、原理的説明のところで述べた様に電圧端子5
a、5bのずれによる不平衡電圧が生ずることになる。
依ってこの不平衡電圧の大きさが丁度第5図A及びBで
説明した電圧変動(4amV)の1/2の値即ち20m
Vとなるように電圧端子5a+5bをずらす。
説明した電圧変動(4amV)の1/2の値即ち20m
Vとなるように電圧端子5a+5bをずらす。
説明の都合上、第6図に示す如く端子5aが中点Pにあ
ったときこれを基準にして端子5bを上方にずらして移
動距離ΔXを得、この場合△Xは強磁性体2の大きさ及
び組成で異るも、第2図で示したように1mm角の形状
であればΔx=20μとなる。
ったときこれを基準にして端子5bを上方にずらして移
動距離ΔXを得、この場合△Xは強磁性体2の大きさ及
び組成で異るも、第2図で示したように1mm角の形状
であればΔx=20μとなる。
このように電圧端子5a、5bをずらすことにより、交
流発振器を作用しても磁化の方向が±45°のいずれか
一方の磁化方向のみ電圧端子5a、5bから出力電圧が
得られ、スイッチング素子として即ち感磁性スイッチン
グ素子20が得られるようになる。
流発振器を作用しても磁化の方向が±45°のいずれか
一方の磁化方向のみ電圧端子5a、5bから出力電圧が
得られ、スイッチング素子として即ち感磁性スイッチン
グ素子20が得られるようになる。
即ち強磁性体2の面内における+45°の方向に面内磁
場Hが作用し、磁化方向が+45°となったときを考え
る。
場Hが作用し、磁化方向が+45°となったときを考え
る。
成る時点で、第7図Aのように電流■が矢印a方向(下
向き)に流れた正の半サイクルでは第5図Bで説明した
ように端子5bには+20mVの出力電圧e1 が生ず
る。
向き)に流れた正の半サイクルでは第5図Bで説明した
ように端子5bには+20mVの出力電圧e1 が生ず
る。
しかし、もともと端子5bには第6図で説明したように
+ 20 m Vの不平衡電圧e2があるため端子5a
。
+ 20 m Vの不平衡電圧e2があるため端子5a
。
5b間の合成出力e (e=e1+e2 )は+40
mVとなる。
mVとなる。
次に、磁化方向を同じくして負の半サイクルでは電流1
はb方向(同図B参照)になる。
はb方向(同図B参照)になる。
電流■が反転すれば出力電圧e1 も反転するから、端
子5bが一20mVとなる。
子5bが一20mVとなる。
この場合、反転した電流■が供給されれば不平衡電圧e
2 も反転し、端子5bで考えればel =−20mV
、 e2ニー20mVとなるから、この結果、合成出
力e(e=e1+e2)は−40mVとなる。
2 も反転し、端子5bで考えればel =−20mV
、 e2ニー20mVとなるから、この結果、合成出
力e(e=e1+e2)は−40mVとなる。
以上のように磁化方向が+45°の場合は40mVの振
巾をもつ交流出力が得られる。
巾をもつ交流出力が得られる。
これらの関係は第8図Aに整理しである。
磁化方向が上述とは逆に一45°になるような面内磁場
Hが作用している場合はどうであろうか。
Hが作用している場合はどうであろうか。
合同図Cのようにa方向に電流■を流せば第5図Aで示
したと同様な観点から端子5bには一20mVの出力電
圧e1が生ずるため、不平衡電圧e2の重畳された合成
出力eはOVとなる。
したと同様な観点から端子5bには一20mVの出力電
圧e1が生ずるため、不平衡電圧e2の重畳された合成
出力eはOVとなる。
電流がb方向に流れている同図りの状態では端子5aの
出力電圧e1は20mV、そして、不平衡電圧e2は2
0mVとなるため端子5bの電圧はOVとなる。
出力電圧e1は20mV、そして、不平衡電圧e2は2
0mVとなるため端子5bの電圧はOVとなる。
第8図Bに以上の事柄を整理しである。これらの関係に
より磁化方向が+45°のときのみ入力電流■に比例し
た出力電圧eが得られる。
より磁化方向が+45°のときのみ入力電流■に比例し
た出力電圧eが得られる。
このように電圧端子5a 、sbを所定の距離△Xだけ
移動させることにより一方の磁化方向のときのみ出力が
得られるようになるから、位相判別機能を賦与出来、ス
イッチング動作を行うことが出来、例えばこの感磁性ス
イッチング素子は無刷子モークの磁束検出に使用して好
適である。
移動させることにより一方の磁化方向のときのみ出力が
得られるようになるから、位相判別機能を賦与出来、ス
イッチング動作を行うことが出来、例えばこの感磁性ス
イッチング素子は無刷子モークの磁束検出に使用して好
適である。
第9図はその一例で同図のように発振器11を接続し、
合成出力eを増巾器12で増巾すると共に整流回路13
を介してモータの界磁巻線14に印加する。
合成出力eを増巾器12で増巾すると共に整流回路13
を介してモータの界磁巻線14に印加する。
モしてモータの回転子(図示せず)には感磁性スイッチ
ング素子20に90°異る磁場トfが作用するように磁
界発生源を設は置けば、磁界発生源例えば着磁方向の異
る磁石の通過によって感磁性スイッチング素子20が感
応し、界磁巻線14に電圧が供給される界磁巻線が3個
ある3極の交流モータの場合はこの回路系15を3つ用
意し、夫々を駆動すればよい。
ング素子20に90°異る磁場トfが作用するように磁
界発生源を設は置けば、磁界発生源例えば着磁方向の異
る磁石の通過によって感磁性スイッチング素子20が感
応し、界磁巻線14に電圧が供給される界磁巻線が3個
ある3極の交流モータの場合はこの回路系15を3つ用
意し、夫々を駆動すればよい。
なお、本発明の要旨とは直接関係ないが、第6図に示し
た感磁性スイッチング素子20の製法の一例を示すと、
まず3mm×7mrnのガラス板3を用意しその上面に
Ni−Co合金の強磁性体2を全面に蒸着し、その後電
極となるCuとAuとの合金即ち導電体をマスクを用い
て蒸着する。
た感磁性スイッチング素子20の製法の一例を示すと、
まず3mm×7mrnのガラス板3を用意しその上面に
Ni−Co合金の強磁性体2を全面に蒸着し、その後電
極となるCuとAuとの合金即ち導電体をマスクを用い
て蒸着する。
然る後ホトエツチングによって所望とする電極を残して
エツチング除去すれば20μの移動距離△Xを有した目
的とする感磁性スイッチング素子20を製出しうるもの
である。
エツチング除去すれば20μの移動距離△Xを有した目
的とする感磁性スイッチング素子20を製出しうるもの
である。
以上の如く本発明では単にプレーナー・ホール効果を持
つ強磁性体2の電圧端子5a 、sbを所望の距離迭旦
・lだけ移動させることにより、所R 定の磁化力向に対しては必ず出力電圧を零にすることが
できるので、この発明では任意の大きさの磁界の中で、
ある特定の磁化方向を極めて簡単且つ正確に判別するこ
とができる。
つ強磁性体2の電圧端子5a 、sbを所望の距離迭旦
・lだけ移動させることにより、所R 定の磁化力向に対しては必ず出力電圧を零にすることが
できるので、この発明では任意の大きさの磁界の中で、
ある特定の磁化方向を極めて簡単且つ正確に判別するこ
とができる。
そのため、この発明に係る素子は位相判別機能があり、
よってスイッチング素子として使用することが出来、こ
の場合、出力は交流なので温度ドリフト等の影響を受け
ないからその特性が安定する。
よってスイッチング素子として使用することが出来、こ
の場合、出力は交流なので温度ドリフト等の影響を受け
ないからその特性が安定する。
周波数特性も安定になる。
その構成も簡単であるから安価になる。
因みに従来使用されているホール素子は高価であると共
に温度特性が悪い。
に温度特性が悪い。
ソニーマグネットダイオード(SMD:商品名)につい
ても同様なことが言える。
ても同様なことが言える。
なお上述の例では不平衡電圧e2を得るため移動距離△
Xを20μとしたが、これは強磁性体2の組成、その厚
み、大きさ等によって異り、要は使用せんとする強磁性
体2に応じて不平衡電圧e2が得られる様に移動距離△
Xを適宜選定すればよい。
Xを20μとしたが、これは強磁性体2の組成、その厚
み、大きさ等によって異り、要は使用せんとする強磁性
体2に応じて不平衡電圧e2が得られる様に移動距離△
Xを適宜選定すればよい。
従って、第3図A及びBに示す各端子5a 、sb間の
数値は説明のための一例に過ぎない。
数値は説明のための一例に過ぎない。
又この構造によって得た素子を直流電流によって直流出
力を得るように使うことはもちろん可能である。
力を得るように使うことはもちろん可能である。
第1図はホール素子の説明に供する斜視図、第2図Aは
本発明に適用しうる感磁性素子の具体的構成の一例を示
す平面図、同図Bはその断面図、第3図及び第4図は感
磁性素子の作用を説明するための模型図、(第5図は本
発明の説明に供する感磁性素子の平面図、)第6図は本
発明による感磁性スイッチング素子の一例を示す平面図
、第7図はその作用説明に供する模型図、第8図は第7
図の説明により得られるスイッチング作用を整理した合
成出力の図、第9図は本発明の一実施例を示す回路系で
ある。 2は強磁性体、■は電流、Hは面内磁場、Eは出力電圧
、4a 、4bは電流端子、5a 、sbは電圧端子、
10は感磁性素子、20は感磁性スイッチング素子、△
Wは移動距離、11は交流発振器、14は界磁巻線であ
る。
本発明に適用しうる感磁性素子の具体的構成の一例を示
す平面図、同図Bはその断面図、第3図及び第4図は感
磁性素子の作用を説明するための模型図、(第5図は本
発明の説明に供する感磁性素子の平面図、)第6図は本
発明による感磁性スイッチング素子の一例を示す平面図
、第7図はその作用説明に供する模型図、第8図は第7
図の説明により得られるスイッチング作用を整理した合
成出力の図、第9図は本発明の一実施例を示す回路系で
ある。 2は強磁性体、■は電流、Hは面内磁場、Eは出力電圧
、4a 、4bは電流端子、5a 、sbは電圧端子、
10は感磁性素子、20は感磁性スイッチング素子、△
Wは移動距離、11は交流発振器、14は界磁巻線であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一対の入出力端子を夫々有した磁気抵抗効果を呈する
薄模の強磁性体より成る感磁性素子を有し、上記一対の
入力端子は所定間隔lを介して設けられ、上記入力端子
間の抵抗をRとし、上記感磁性素子に加えられる磁化の
方向に対する比抵抗の並行成分と垂直成分の差をAρと
し、また上記感磁性素子のy方向及び2方向の長さを夫
々b。 Cとして、Aρ−一仁A Rとおいたとき、上記−1)
C 対の出力端子は上記入力端子間に流れる電流の力JR、
。 向において−・lたけ相対的にずらして設けらR れ、−力の磁化方向のときのみ該出力端子から所定の出
力電圧が得られるようにすることにより位相判別機能を
付与するようにしたことを特徴とする感磁性スイッチン
グ素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP48008447A JPS5834955B2 (ja) | 1973-01-19 | 1973-01-19 | カンジセイスイツチングソシ |
GB28874A GB1452392A (en) | 1973-01-19 | 1974-01-03 | Magneto-sensitive devices |
DE2402103A DE2402103A1 (de) | 1973-01-19 | 1974-01-17 | Magnetosensitiver schalter |
CA190,441A CA1017070A (en) | 1973-01-19 | 1974-01-18 | Magneto-sensitive device |
FR7401835A FR2214985B1 (ja) | 1973-01-19 | 1974-01-18 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP48008447A JPS5834955B2 (ja) | 1973-01-19 | 1973-01-19 | カンジセイスイツチングソシ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS4998164A JPS4998164A (ja) | 1974-09-17 |
JPS5834955B2 true JPS5834955B2 (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=11693365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP48008447A Expired JPS5834955B2 (ja) | 1973-01-19 | 1973-01-19 | カンジセイスイツチングソシ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5834955B2 (ja) |
CA (1) | CA1017070A (ja) |
DE (1) | DE2402103A1 (ja) |
FR (1) | FR2214985B1 (ja) |
GB (1) | GB1452392A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1973
- 1973-01-19 JP JP48008447A patent/JPS5834955B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-01-03 GB GB28874A patent/GB1452392A/en not_active Expired
- 1974-01-17 DE DE2402103A patent/DE2402103A1/de active Pending
- 1974-01-18 CA CA190,441A patent/CA1017070A/en not_active Expired
- 1974-01-18 FR FR7401835A patent/FR2214985B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2214985B1 (ja) | 1978-01-06 |
GB1452392A (en) | 1976-10-13 |
CA1017070A (en) | 1977-09-06 |
DE2402103A1 (de) | 1974-07-25 |
FR2214985A1 (ja) | 1974-08-19 |
JPS4998164A (ja) | 1974-09-17 |
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