JPS5833551B2 - デンシシヤシンフクシヤキニオケル オ−トバイアスゲンゾウホウホウ - Google Patents
デンシシヤシンフクシヤキニオケル オ−トバイアスゲンゾウホウホウInfo
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- JPS5833551B2 JPS5833551B2 JP50119048A JP11904875A JPS5833551B2 JP S5833551 B2 JPS5833551 B2 JP S5833551B2 JP 50119048 A JP50119048 A JP 50119048A JP 11904875 A JP11904875 A JP 11904875A JP S5833551 B2 JPS5833551 B2 JP S5833551B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 43
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/065—Arrangements for controlling the potential of the developing electrode
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
- Wet Developing In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電子写真複写機におけるオートバイアス現
像方法、特に、帯電、露光を経て現像部に入る感光体の
表面電位を現像液を介して検知し、この検出電位に、演
算増幅器によりコピーの地肌汚れが発生しない程度の数
十ボルトの電位を加算演算し、その出力を現像電極に印
加して、感光体表面に形成された静電潜像の非画像部（
地肌部）に現像液中のトナー粒子が付着することを防止
した電子写真複写機におけるオートバイアス現像方法に
関する。
像方法、特に、帯電、露光を経て現像部に入る感光体の
表面電位を現像液を介して検知し、この検出電位に、演
算増幅器によりコピーの地肌汚れが発生しない程度の数
十ボルトの電位を加算演算し、その出力を現像電極に印
加して、感光体表面に形成された静電潜像の非画像部（
地肌部）に現像液中のトナー粒子が付着することを防止
した電子写真複写機におけるオートバイアス現像方法に
関する。
このようなオートバイアス現像方法により、地肌汚れの
ないコピー画像が得られるとともに、露光量を微調整す
る操作が不要となり、露光ノブを２〜３ステツプに段階
的に変化させる簡単な機構とすることができる利点があ
る。
ないコピー画像が得られるとともに、露光量を微調整す
る操作が不要となり、露光ノブを２〜３ステツプに段階
的に変化させる簡単な機構とすることができる利点があ
る。
しかしながら、高抵抗の現像液を介して、感光体の表面
電位を検出電極により検知するこのようなオートバイア
ス現像方法においては、現像電極にオートバイアス演算
回路により数十ボルト加算された電圧が印加されている
ため、検出電極を現像電極の近くに設けると、現像電極
のバイアス印加電圧が検出電極に漏れて、検出電位が上
ってしまう。
電位を検出電極により検知するこのようなオートバイア
ス現像方法においては、現像電極にオートバイアス演算
回路により数十ボルト加算された電圧が印加されている
ため、検出電極を現像電極の近くに設けると、現像電極
のバイアス印加電圧が検出電極に漏れて、検出電位が上
ってしまう。
また検出電極への漏れ電流の影響を少なくするために、
検出電極を現像電極から遠ざけて感光体進入側に設け、
その間を絶縁体で構成すると、検出電位を感光体表面電
位と一致させることができるが、現像部におけるこの絶
縁体にはバイアス電圧が印加されていないため、静電潜
像の非画像部へのトナー粒子の吸着を防止することがで
きず、地肌汚れをしたコピー画像ができてしまう。
検出電極を現像電極から遠ざけて感光体進入側に設け、
その間を絶縁体で構成すると、検出電位を感光体表面電
位と一致させることができるが、現像部におけるこの絶
縁体にはバイアス電圧が印加されていないため、静電潜
像の非画像部へのトナー粒子の吸着を防止することがで
きず、地肌汚れをしたコピー画像ができてしまう。
したがって、最近においては、検出電極を現像電極から
ある程度遠ざけ、絶縁体の部分に、検出電極を囲むよう
にガード電極を設け、現像電極から漏れてくる電流をこ
のガード電極に流して、検出電極に流れこむのを防止す
る技術が提案されている。
ある程度遠ざけ、絶縁体の部分に、検出電極を囲むよう
にガード電極を設け、現像電極から漏れてくる電流をこ
のガード電極に流して、検出電極に流れこむのを防止す
る技術が提案されている。
ガード電極への電圧印加方法は、従来、アースに接続す
るかまたは検出電位動作範囲の一定電圧を印加していた
が、検出電位Ｖ。
るかまたは検出電位動作範囲の一定電圧を印加していた
が、検出電位Ｖ。
は、第１図に示すように、アースした場合には、符号Ａ
で示すように感光体表面電位Ｖｓよりも低く、また一定
電圧ｖｋ（１００ボルト）を印加した場合には、符号Ｂ
で示すように、感光体表面電位Ｖｓが一定電圧Ｖｋより
も低い範囲では高（、高い範囲では低く検知してしまう
。
で示すように感光体表面電位Ｖｓよりも低く、また一定
電圧ｖｋ（１００ボルト）を印加した場合には、符号Ｂ
で示すように、感光体表面電位Ｖｓが一定電圧Ｖｋより
も低い範囲では高（、高い範囲では低く検知してしまう
。
したがって、従来の方法では、感光体表面電位を忠実に
検知しておらず、結果として、感光体表面電位と現像電
位との差すなわちトナー粒子に働く実効バイアス電圧は
常に一定にならず、オートバイアス機能を十分に発揮す
ることができなかった。
検知しておらず、結果として、感光体表面電位と現像電
位との差すなわちトナー粒子に働く実効バイアス電圧は
常に一定にならず、オートバイアス機能を十分に発揮す
ることができなかった。
この発明の目的は、したがって、上記したようなオート
バイアス現像方法において、検出電極が感光体表面電位
を忠実に検知して、オートバイアス機能が十分に発揮で
きるようにしたオートバイアス現像方法を提供すること
にある。
バイアス現像方法において、検出電極が感光体表面電位
を忠実に検知して、オートバイアス機能が十分に発揮で
きるようにしたオートバイアス現像方法を提供すること
にある。
以下、図面を参照してこの発明を説明する。
第２図は、この発明を適用した現像装置の概略端面図で
、感光体１は、その表面に光導電性絶縁層１ａを有し、
帯電、露光工程を経て、そこに静電潜像が形成されてい
る。
、感光体１は、その表面に光導電性絶縁層１ａを有し、
帯電、露光工程を経て、そこに静電潜像が形成されてい
る。
現像皿は、それぞれの上面が感光体１０周面に沿うよう
に形成された検出電極部２と現像電極部３とで構成され
、感光体１の進入側に検出電極部２を配置するとともに
、この両者の間に一定の間隔を設けて現像液供給口４を
形成しである。
に形成された検出電極部２と現像電極部３とで構成され
、感光体１の進入側に検出電極部２を配置するとともに
、この両者の間に一定の間隔を設けて現像液供給口４を
形成しである。
検出電極部２は、第３図に示すように、絶縁性の基板５
の上面に、検出電極６を囲んでガード電極７，８および
９をそれぞれ間隔を設けて配置しである。
の上面に、検出電極６を囲んでガード電極７，８および
９をそれぞれ間隔を設けて配置しである。
また現像電極部３は、一枚の導電性の板１０か、絶縁性
の基板の上面全面に導電性の被膜を形成して成る。
の基板の上面全面に導電性の被膜を形成して成る。
検出電極６は、フィールド・イフエクト・トランジスタ
等のインピーダンス変換回路１１０入力側に接続されて
おり、ガード電極１，８および９は、インピーダンス変
換回路１１の出力側とともに電圧加算演算増幅器１２０
入力側に接続されている。
等のインピーダンス変換回路１１０入力側に接続されて
おり、ガード電極１，８および９は、インピーダンス変
換回路１１の出力側とともに電圧加算演算増幅器１２０
入力側に接続されている。
また、演算増幅器１２の出力側は、現像電極１０に接続
されている。
されている。
なお、符号１３および１４は、インピーダンス変換回路
１１および演算増幅器１２のそれぞれ電源部を示す。
１１および演算増幅器１２のそれぞれ電源部を示す。
第２図において、その表面に静電潜像を形成された感光
体１が現像皿に進入してくると、現像液槽１５内に貯留
された現像液１６が現像液供給口４から汲み上げられて
、感光体１表面と現像皿上面との間に満たされる。
体１が現像皿に進入してくると、現像液槽１５内に貯留
された現像液１６が現像液供給口４から汲み上げられて
、感光体１表面と現像皿上面との間に満たされる。
ここで、感光体表面電位は現像液を介して検出電極６に
より検知されるが、上記したようにこの検出電位を従来
のように演算増幅器により数十ボルト加算して現像電極
にアウトプットすると現像電極から検出電極へ電流が漏
れて検出電位を高めてしまう。
より検知されるが、上記したようにこの検出電位を従来
のように演算増幅器により数十ボルト加算して現像電極
にアウトプットすると現像電極から検出電極へ電流が漏
れて検出電位を高めてしまう。
この実施例においては、検出電極６により検知された高
インピーダンスな検出電位をインピーダンス変換回路１
１により低インピーダンスに変換して、検出電位と同じ
値の電位をガード電極７，８，９等に印加しであるので
、現像電極１０から漏れた電流は、検出電極６には流れ
ず、ガード電極？、８，９等に流れることになる。
インピーダンスな検出電位をインピーダンス変換回路１
１により低インピーダンスに変換して、検出電位と同じ
値の電位をガード電極７，８，９等に印加しであるので
、現像電極１０から漏れた電流は、検出電極６には流れ
ず、ガード電極？、８，９等に流れることになる。
したがって、検出電極６は、現像電極１０からのノイズ
の影響を受けずに、感光体の表面電位を忠実に検知する
ことができ、これを演算増幅器１２により所定の電位を
加算して現像電極１０にアウトプットすれば、現像電極
１０に、常に安定したオートバイアス機能を発揮させる
ことができる。
の影響を受けずに、感光体の表面電位を忠実に検知する
ことができ、これを演算増幅器１２により所定の電位を
加算して現像電極１０にアウトプットすれば、現像電極
１０に、常に安定したオートバイアス機能を発揮させる
ことができる。
第４図は、上記実施例における感光体表面電位ＶＳと検
出電位Ｖ。
出電位Ｖ。
どの関係を示す図で、感光体表面電位Ｖｓが１００Ｖの
ときは、検出電極に検知される検出電位Ｖ。
ときは、検出電極に検知される検出電位Ｖ。
も１ｏｏｖが検出され、検出電極が感光体表面電位を忠
実に検知していることを示している。
実に検知していることを示している。
したがって、同様にガード電極を使用する場合でも、第
１図の符号Ａで示すようにガード電極をアースに接続す
る場合および符号Ｂで示すようにガード電極に定電圧を
印加する場合に比べ、この発明によるインピーダンス変
換した検出電位をガード電極に印加する場合の方が、感
光体表面電位を忠実に検知することにおいて、遥かに優
れていることを示している。
１図の符号Ａで示すようにガード電極をアースに接続す
る場合および符号Ｂで示すようにガード電極に定電圧を
印加する場合に比べ、この発明によるインピーダンス変
換した検出電位をガード電極に印加する場合の方が、感
光体表面電位を忠実に検知することにおいて、遥かに優
れていることを示している。
以上、この発明によれば、帯電、露光を経て現像部に入
る感光体の表面電位を現像液を介して検出電極により検
知し、この検出電位に、演算増幅器によりコピーの地肌
汚れが発生しない程度の電位を加算演算し、その出力を
現像電極に印加して、感光体表面に形成された静電潜像
の非画像部に現像液中のトナー粒子が付着することを防
止した電子写真複写機におけるオートバイアス現像方法
において、感光体の表面電位を検知する検出電極の周囲
にガード電極を設けるとともに、このガード電極に、検
出電極により検知された検出電位を低インピーダンス変
換した同じ値の電位を印加したので、感光体表面電位を
忠実に検知することができるとともに、オートバイアス
機能を十分に発揮させることができ、露光量を微調整す
る操作が不要となり、露光ノブを２〜３ステツプに段階
的に変化させることができ、使用者にとっては操作性が
向上するとともに、常に地肌汚れのない鮮明なコピーが
得られる。
る感光体の表面電位を現像液を介して検出電極により検
知し、この検出電位に、演算増幅器によりコピーの地肌
汚れが発生しない程度の電位を加算演算し、その出力を
現像電極に印加して、感光体表面に形成された静電潜像
の非画像部に現像液中のトナー粒子が付着することを防
止した電子写真複写機におけるオートバイアス現像方法
において、感光体の表面電位を検知する検出電極の周囲
にガード電極を設けるとともに、このガード電極に、検
出電極により検知された検出電位を低インピーダンス変
換した同じ値の電位を印加したので、感光体表面電位を
忠実に検知することができるとともに、オートバイアス
機能を十分に発揮させることができ、露光量を微調整す
る操作が不要となり、露光ノブを２〜３ステツプに段階
的に変化させることができ、使用者にとっては操作性が
向上するとともに、常に地肌汚れのない鮮明なコピーが
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、ガード電極を用いた従来装置における感光体
表面電位と検出電位との関係を示す図、第２図は、この
発明を適用した現像装置の一実施例を示す概略端面図、
第３図は、上記実施例における現像皿を示す斜視図、第
４図は、上記実施例における感光体表面電位と検出電位
との関係を示す図である。 １・・・・・・感光体、２・・・・・・検出電極部、３
・・・・・・現像電極部、５・・・・・・絶縁性基板、
６・・・・・・検出電極、７゜８．９・・・・・・ガー
ド電極、１０・・・・・・現像電極、１１・・・・・・
インピーダンス変換回路、１２・・・・・・加算演算増
幅器、１３，１４・・・・・・電源部。
表面電位と検出電位との関係を示す図、第２図は、この
発明を適用した現像装置の一実施例を示す概略端面図、
第３図は、上記実施例における現像皿を示す斜視図、第
４図は、上記実施例における感光体表面電位と検出電位
との関係を示す図である。 １・・・・・・感光体、２・・・・・・検出電極部、３
・・・・・・現像電極部、５・・・・・・絶縁性基板、
６・・・・・・検出電極、７゜８．９・・・・・・ガー
ド電極、１０・・・・・・現像電極、１１・・・・・・
インピーダンス変換回路、１２・・・・・・加算演算増
幅器、１３，１４・・・・・・電源部。
Claims (1)
- １ 帯電、露光を経て現像部に入る感光体の表面電位を
現像液を介して検出電極により検知し、この検出電位に
、演算増幅器によりコピーの地肌汚れが発生しない程度
の電位を加算演算し、その出力を現像電極に印加して、
感光体表面に形成された静電潜像の非画像部に現像液中
のトナー粒子が付着することを防止した電子写真複写機
におけるオートバイアス現像方法において、感光体の表
面電位を検知する検知電極の周囲にガード電極を設ける
とともに、このガード電極に、検出電極により検知され
た検出電位を低インピーダンス変換した同じ値の電位を
印加して、感光体の表面電位を忠実に検知することを特
徴とする電子写真複写機におけるオートバイアス現像方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50119048A JPS5833551B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | デンシシヤシンフクシヤキニオケル オ−トバイアスゲンゾウホウホウ |
| GB4033076A GB1561810A (en) | 1975-10-01 | 1976-09-29 | Electrophotographic deveoping processes |
| DE19762643983 DE2643983A1 (de) | 1975-10-01 | 1976-09-29 | Entwicklungsverfahren mit selbstvorspannung bei einem elektrofotografischen kopiergeraet |
| FR7629380A FR2326726A1 (fr) | 1975-10-01 | 1976-09-30 | Procede de developpement a polarisation automatique dans des machines de reprographie par voie electrophotographique |
| CA262,387A CA1066958A (en) | 1975-10-01 | 1976-09-30 | Application of low impedance conversion of detected voltage to guard electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50119048A JPS5833551B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | デンシシヤシンフクシヤキニオケル オ−トバイアスゲンゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5242728A JPS5242728A (en) | 1977-04-02 |
| JPS5833551B2 true JPS5833551B2 (ja) | 1983-07-20 |
Family
ID=14751613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50119048A Expired JPS5833551B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | デンシシヤシンフクシヤキニオケル オ−トバイアスゲンゾウホウホウ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833551B2 (ja) |
| CA (1) | CA1066958A (ja) |
| DE (1) | DE2643983A1 (ja) |
| FR (1) | FR2326726A1 (ja) |
| GB (1) | GB1561810A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4266870A (en) * | 1978-03-09 | 1981-05-12 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatographic apparatus comprising developing bias means |
| US4851317A (en) * | 1987-11-04 | 1989-07-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Laminar flow toning station having conductive and nonconductive elements therein |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2403186C3 (de) * | 1973-01-24 | 1985-11-21 | Kabushiki Kaisha Ricoh, Tokio/Tokyo | Entwicklungsvorrichtung für ein elektrofotografisches Kopiergerät |
| US3892481A (en) * | 1974-06-17 | 1975-07-01 | Savin Business Machines Corp | Automatic development electrode bias control system |
| JPS5810746B2 (ja) * | 1974-12-24 | 1983-02-26 | 株式会社リコー | デンシシヤシンゲンゾウソウチ |
-
1975
- 1975-10-01 JP JP50119048A patent/JPS5833551B2/ja not_active Expired
-
1976
- 1976-09-29 GB GB4033076A patent/GB1561810A/en not_active Expired
- 1976-09-29 DE DE19762643983 patent/DE2643983A1/de active Pending
- 1976-09-30 FR FR7629380A patent/FR2326726A1/fr active Granted
- 1976-09-30 CA CA262,387A patent/CA1066958A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2326726B1 (ja) | 1980-12-19 |
| CA1066958A (en) | 1979-11-27 |
| FR2326726A1 (fr) | 1977-04-29 |
| DE2643983A1 (de) | 1977-04-07 |
| JPS5242728A (en) | 1977-04-02 |
| GB1561810A (en) | 1980-03-05 |
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