JPS583297A - レ−ザの駆動方式 - Google Patents
レ−ザの駆動方式Info
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- JPS583297A JPS583297A JP10112281A JP10112281A JPS583297A JP S583297 A JPS583297 A JP S583297A JP 10112281 A JP10112281 A JP 10112281A JP 10112281 A JP10112281 A JP 10112281A JP S583297 A JPS583297 A JP S583297A
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- laser
- output
- threshold value
- circuit
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は動作１１１１Ｏ変動に起因するレーず出力′″
め変動音補償しうるレーザの駆動方式に−する。
め変動音補償しうるレーザの駆動方式に−する。
プリンタ等において、亭導体し−ｆｔＭ％Ａられたもの
が開発されている。その亭導体し−ずは第ｉｌｌに示す
ように１そＯ動作ｉｉ＊が高くなるにつれて点線で示す
ように％性−纏がシフトす為。
が開発されている。その亭導体し−ずは第ｉｌｌに示す
ように１そＯ動作ｉｉ＊が高くなるにつれて点線で示す
ように％性−纏がシフトす為。
このような亭導体し−ずの温ＩＦ特性において、その駆
動電流設定んらの制御もしなければ、温度が上昇するに
つれてその出力は低下し、逆に温度が下降すれば出力は
増大する。従って、このような特性を有する九め、半導
体レーずは温度に対する安定度が悪いばかシでなく、そ
の寿命もＩＩ％Ａ。
動電流設定んらの制御もしなければ、温度が上昇するに
つれてその出力は低下し、逆に温度が下降すれば出力は
増大する。従って、このような特性を有する九め、半導
体レーずは温度に対する安定度が悪いばかシでなく、そ
の寿命もＩＩ％Ａ。
また、上述特性の半導体レーｆを用いえプリンタの印字
品質は他の補償手段管用いなかつえなら温度によって変
わるという不具合ｔＩｉ避出来１にい。
品質は他の補償手段管用いなかつえなら温度によって変
わるという不具合ｔＩｉ避出来１にい。
本発明は上述し艷ような半導体レーＶＯｑ性に鑑みて創
案されたもので、その目的はレーず出力【その駆動電Ｒ
１＆定回路ヘフイードパツタし、その値によって駆動電
Ｒを制御し、以って安定したレーザ出力を発生させ、ま
た、レーザの長寿命化【適威しうるレーザの駆動方式を
提供することにある。
案されたもので、その目的はレーず出力【その駆動電Ｒ
１＆定回路ヘフイードパツタし、その値によって駆動電
Ｒを制御し、以って安定したレーザ出力を発生させ、ま
た、レーザの長寿命化【適威しうるレーザの駆動方式を
提供することにある。
以下、添付ＳＯＷ管参照しながら本発明の一実施例を欽
−する。
−する。
第２１１１１は本発明の回路構成図である。第２図にお
いて、１はレーザ例えば半導体レーザであシ、これは駆
動電流設定１路２により駆動され、そのレーず出力が例
えばプリンタで用いられたとするとｋｓＢ図に示すよう
Ｋその出力は多面体Ｚラー３で反射され、結像レンズ４
を経て感光ドラム５へ照射されつ＼、その掃引起点（例
えば、ドラム５の左ＩＩＭ）て反射されたレーザ光はＺ
ツー６で反射され、スリン）７ｔ−経て受光素子例えば
ホトダイオード８で受光される。
いて、１はレーザ例えば半導体レーザであシ、これは駆
動電流設定１路２により駆動され、そのレーず出力が例
えばプリンタで用いられたとするとｋｓＢ図に示すよう
Ｋその出力は多面体Ｚラー３で反射され、結像レンズ４
を経て感光ドラム５へ照射されつ＼、その掃引起点（例
えば、ドラム５の左ＩＩＭ）て反射されたレーザ光はＺ
ツー６で反射され、スリン）７ｔ−経て受光素子例えば
ホトダイオード８で受光される。
この受光され良光量を表わす電圧がその出力に現われる
。その出力端は第２図に示すようにモニタ検出回路９及
び増幅器ｌＯの入力へ接続されている。
。その出力端は第２図に示すようにモニタ検出回路９及
び増幅器ｌＯの入力へ接続されている。
モニタ検出回路９の出力は第１及び第２の比較１１１ｉ
１１１１，１２の入力へ接続されており、これらの回路
１１．１２には各別に基準電圧発生回路１３から上限ス
レッショールド値ｖＨ及び下限スレッショールド値Ｖｔ
、が供給される。上記２つの比較回路１１．１２（２）
出力Ｖ ＧＴ 、 ＶＬＧＴ Ｆｉ／ｌ’ｌ’ −ト１
４の入力へＩｉ級され、該ノアゲートの出力はアンプダ
ウンカウンタ−５のカウントイネーブルＣＩへ接続され
ている。第１の比較回路１１の出力はカウンター５のア
ップダウン制御入力（ＵＰ／１）Ｎ）へ接続されている
。
１１１１，１２の入力へ接続されており、これらの回路
１１．１２には各別に基準電圧発生回路１３から上限ス
レッショールド値ｖＨ及び下限スレッショールド値Ｖｔ
、が供給される。上記２つの比較回路１１．１２（２）
出力Ｖ ＧＴ 、 ＶＬＧＴ Ｆｉ／ｌ’ｌ’ −ト１
４の入力へＩｉ級され、該ノアゲートの出力はアンプダ
ウンカウンタ−５のカウントイネーブルＣＩへ接続され
ている。第１の比較回路１１の出力はカウンター５のア
ップダウン制御入力（ＵＰ／１）Ｎ）へ接続されている
。
増幅器１０の出力は反転回路１６へｗｋＭ、され、その
出力即ちビームデテクト１ＤＩＩ４はカウンター５のク
ロツクムカＣＬへ接続されている。
出力即ちビームデテクト１ＤＩＩ４はカウンター５のク
ロツクムカＣＬへ接続されている。
また、カウンター５が４ビツトカクンメであり、その最
低位桁′ｆｒＰ０とし、願次に高位になるにつれてその
各桁をそれぞれＰｌ、Ｐ、、Ｐ、 とする場合に５そ
の最高位桁であるＰ５に印字モードゲート（ブトＮＴ
ＭＤ ）信号が供給されるように構成され、レーザ準備
完了（Ｌ翼ＤＹ）信号がカワンメ１５のプリセ畜れてい
る。崗、ＰＯ，Ｉ’、、Ｐ、は接地されている。
低位桁′ｆｒＰ０とし、願次に高位になるにつれてその
各桁をそれぞれＰｌ、Ｐ、、Ｐ、 とする場合に５そ
の最高位桁であるＰ５に印字モードゲート（ブトＮＴ
ＭＤ ）信号が供給されるように構成され、レーザ準備
完了（Ｌ翼ＤＹ）信号がカワンメ１５のプリセ畜れてい
る。崗、ＰＯ，Ｉ’、、Ｐ、は接地されている。
カウンタ１５が４ビツトカウンタである場合にそ０４ビ
青出力Ｑ６ ｅＪ ａＱｌ ｅＱ５はディジタル−アナ
・グ（Ｄ／ム）変換器１７￥を経て駆動電流設 一定回
路２の例えばバイアス電流設定回路１８の入力へ接続ｉ
れ、その出力は半導体レーず１へ接続されている。また
、半導体レーザ１は交流駆動回路１９の出力へ接続ｉれ
ている。
青出力Ｑ６ ｅＪ ａＱｌ ｅＱ５はディジタル−アナ
・グ（Ｄ／ム）変換器１７￥を経て駆動電流設 一定回
路２の例えばバイアス電流設定回路１８の入力へ接続ｉ
れ、その出力は半導体レーず１へ接続されている。また
、半導体レーザ１は交流駆動回路１９の出力へ接続ｉれ
ている。
交流駆動１路１９はオアゲート２０を経てビームデテク
“□トゲー） （ＢＤＤ’ｒ ＧＴ ）信号及びビイデ
オ（ｖｔ纏・Ｏ）信号を受けるように構成されている。
“□トゲー） （ＢＤＤ’ｒ ＧＴ ）信号及びビイデ
オ（ｖｔ纏・Ｏ）信号を受けるように構成されている。
上述し是ように構成される本発明回路の動作１説−する
。
。
プリンタの動作開始時には、カウンタＩＳのＰ３及びＰ
ＩＫはローレベルの信号が入シ、カウンタ１５の各−は
＠Ｏ”Ｋ−にットされた状態にされ、バイアス電流設定
回路１８は零に設定されＩｄ＠はデテタシゲート（ｌＤ
Ｄ’ｒＧテ）信号もビデオ（Ｖｌｄ＠ｏ）信号も供給さ
れてい亀いからＩａ・も零である。従って、半導体レー
ザｌには電ｌ１ｌｌｌは流れない（第４図の（４−７）
参ｊｌ）。
ＩＫはローレベルの信号が入シ、カウンタ１５の各−は
＠Ｏ”Ｋ−にットされた状態にされ、バイアス電流設定
回路１８は零に設定されＩｄ＠はデテタシゲート（ｌＤ
Ｄ’ｒＧテ）信号もビデオ（Ｖｌｄ＠ｏ）信号も供給さ
れてい亀いからＩａ・も零である。従って、半導体レー
ザｌには電ｌ１ｌｌｌは流れない（第４図の（４−７）
参ｊｌ）。
この状態において プリンタかもＰＩＩＮＴＭＤ信号が
カウンタ１５のｐ、ｔ’ｌ”″にセットすると、バイア
ス電流設定回路１８１経て半導体レーザｌに電流Ｉｄｃ
ｔ＆す（第４図の（４−１）及び（４−７）参ｊｌ）。
カウンタ１５のｐ、ｔ’ｌ”″にセットすると、バイア
ス電流設定回路１８１経て半導体レーザｌに電流Ｉｄｃ
ｔ＆す（第４図の（４−１）及び（４−７）参ｊｌ）。
−ｔｌ、テ、ｌＤＤ？Ｇ’！’＠号（第４１１０（４−
３）参１ｌｌＩ［）がオアゲート２（）を経て交流駆動
回路１９に入ると、第４図の（４−７）Ｋ示すように半
導体レーザＩＫ流れる電流！は■１＠分だけ増大して半
導体レーザｌはＩＩＩ ＩＩＫ示すような特性１ｌｌｌ
Ｉのスレッショールド値（折れ−ｍｌ）を超えて増大す
るので、そこから発寒出力デ・Ｗが放出される。その出
力かきラー６を介して受光素子（ホトダイオード）８１
Ｃ達し、セ二メ検出［１ｍ１９から出力電圧（Ｖｐｈｏ
ｔＯ）が出力される。また、プリンタからＬ虱ＤＹ信号
（第４１１の（４−２）が入力ＰＩへ供給されてＰ５ｘ
″１″の状態からＯカウントが可能と′される。
３）参１ｌｌＩ［）がオアゲート２（）を経て交流駆動
回路１９に入ると、第４図の（４−７）Ｋ示すように半
導体レーザＩＫ流れる電流！は■１＠分だけ増大して半
導体レーザｌはＩＩＩ ＩＩＫ示すような特性１ｌｌｌ
Ｉのスレッショールド値（折れ−ｍｌ）を超えて増大す
るので、そこから発寒出力デ・Ｗが放出される。その出
力かきラー６を介して受光素子（ホトダイオード）８１
Ｃ達し、セ二メ検出［１ｍ１９から出力電圧（Ｖｐｈｏ
ｔＯ）が出力される。また、プリンタからＬ虱ＤＹ信号
（第４１１の（４−２）が入力ＰＩへ供給されてＰ５ｘ
″１″の状態からＯカウントが可能と′される。
この時、Ｖｐｈｏｔｏ（Ｖ、Ｌ ｌｋらば第２の比験器
１２からハイレベル信号ｖＬＧ↑が発生するが、第１の
比較器１１から嬬ローレベル信号が出ている。従って、
ノアゲート１４かもカウンター５の入力Ｃ冨ヘローレベ
ルの信号が供給されカウント可能と畜れると共に、第１
０比ｔＩＲ１ｉ１１１からカウンター５の入力（ＵＰ／
Ｄ）Ｊ）へローレベルの信号が供給されてカウンタ１５
ｔ−カウントアツプモードにする。
１２からハイレベル信号ｖＬＧ↑が発生するが、第１の
比較器１１から嬬ローレベル信号が出ている。従って、
ノアゲート１４かもカウンター５の入力Ｃ冨ヘローレベ
ルの信号が供給されカウント可能と畜れると共に、第１
０比ｔＩＲ１ｉ１１１からカウンター５の入力（ＵＰ／
Ｄ）Ｊ）へローレベルの信号が供給されてカウンタ１５
ｔ−カウントアツプモードにする。
これと同時的Ｋ、ホトダイオード８の出力信号が増幅−
１０，そして反転回路１８を経てＩＤ信号とな〕（第４
図の（４−４）及び第Ｓ図の（５−１））、カウンター
５０入力ＣＬへ入力される。
１０，そして反転回路１８を経てＩＤ信号とな〕（第４
図の（４−４）及び第Ｓ図の（５−１））、カウンター
５０入力ＣＬへ入力される。
従って、カウンターｌｓはカウントアツプされ、とれに
伴ってバイアス電ｆＩＬ設定回路１８によ）半導体レー
ザーの駆動電流管増大させる。
伴ってバイアス電ｆＩＬ設定回路１８によ）半導体レー
ザーの駆動電流管増大させる。
このような電［１の階段状の増大即ち、 Ｉｄｃ−１−
Δ１ ＋ Ｉａｅ、 １値ｅ＋２Δｌ□＋Ｉａａ、−
・、：Ｉｄｅ＋ヌ１１＋Ｉａｃ（第４Ｅｔ）Ｃ４−７）
及び第５図ｏｒ５−４）参ＷＩＡ）Ｋよって半導体レー
ザーの発光出力Ｐｏｖが増大すると、 Ｖｐｈｏｔ・
も増大する（嬉・図番ＩＩＩ）。
Δ１ ＋ Ｉａｅ、 １値ｅ＋２Δｌ□＋Ｉａａ、−
・、：Ｉｄｅ＋ヌ１１＋Ｉａｃ（第４Ｅｔ）Ｃ４−７）
及び第５図ｏｒ５−４）参ＷＩＡ）Ｋよって半導体レー
ザーの発光出力Ｐｏｖが増大すると、 Ｖｐｈｏｔ・
も増大する（嬉・図番ＩＩＩ）。
そして、Ｖｐｈ＠ｔｏがＶＬ 會麺えゐと、鎮２の比較
回路１２からはハイレベルの信号Ｖ、Ｇ？は発生しなく
なる。ｔた、ＶｐｈｏｔｏがｙＬとｖＩとＯＸＫある（
ｌＩ４＠１２）（４−６）、第１ＳＩＩＯＣ８−３））
＠シ、第１の比較回路１１からもハイレベルの信号ＶＨ
ＧＴ ｉｆ発生し＆ＩＡ。従ッテ、ＶＬＧ？＋ＹＨＧ’
ｌ’ （第５図の（５−２））がローレベルと１ｋ）、
ノアゲート１４の出カババイレベルと１１）、カウンタ
ＩＳＯカウント動作を停止させる。その結果として、バ
イアス電＃ｌＷ＆足回路１８社上記カウンタ１５のカウ
ント値によって決オゐ電流値に１持される。
回路１２からはハイレベルの信号Ｖ、Ｇ？は発生しなく
なる。ｔた、ＶｐｈｏｔｏがｙＬとｖＩとＯＸＫある（
ｌＩ４＠１２）（４−６）、第１ＳＩＩＯＣ８−３））
＠シ、第１の比較回路１１からもハイレベルの信号ＶＨ
ＧＴ ｉｆ発生し＆ＩＡ。従ッテ、ＶＬＧ？＋ＹＨＧ’
ｌ’ （第５図の（５−２））がローレベルと１ｋ）、
ノアゲート１４の出カババイレベルと１１）、カウンタ
ＩＳＯカウント動作を停止させる。その結果として、バ
イアス電＃ｌＷ＆足回路１８社上記カウンタ１５のカウ
ント値によって決オゐ電流値に１持される。
オた、動作温度が低く１にると、半導体レーザの特性上
その出力が増大しようとするが、増大し大発光出力はホ
トダイオード８で受光され、モニメ検出胞ＩＩ９からＶ
Ｈよシ高％ＡＶｐｋｏｔｏ 出力【発生させる。従っ
て、第１０比較器１１からハイレベルの信号ＶＨＧＴが
発生し、ノアグー）１４からローレベルの信号を発生さ
せてカウンタ１５０カウント動作！ｌｌ！給させると同
時に１そのカウント動作ｔカウントダｔンモードにする
。これによシ、１０１１号が発生する度毎に、力９ンメ
１ｓのカラン）１１１ｔ＊クントダウンさせる。従って
、中導体し−ずＩＫ流れる電＠Ｉは第５図０（５−４’
）に示すように道滅して％ｐ ＠ ％Ｖｐｋｅｔｏ カ
ＶＨトＶＬ トｔ）ＨＫ入ったところで、電流゛ｌはそ
の値に１持される。
その出力が増大しようとするが、増大し大発光出力はホ
トダイオード８で受光され、モニメ検出胞ＩＩ９からＶ
Ｈよシ高％ＡＶｐｋｏｔｏ 出力【発生させる。従っ
て、第１０比較器１１からハイレベルの信号ＶＨＧＴが
発生し、ノアグー）１４からローレベルの信号を発生さ
せてカウンタ１５０カウント動作！ｌｌ！給させると同
時に１そのカウント動作ｔカウントダｔンモードにする
。これによシ、１０１１号が発生する度毎に、力９ンメ
１ｓのカラン）１１１ｔ＊クントダウンさせる。従って
、中導体し−ずＩＫ流れる電＠Ｉは第５図０（５−４’
）に示すように道滅して％ｐ ＠ ％Ｖｐｋｅｔｏ カ
ＶＨトＶＬ トｔ）ＨＫ入ったところで、電流゛ｌはそ
の値に１持される。
上述のように、半導体レーザ１０出力？４１１Ｆ ｃｘ
Ｑｋ＠ｔｏ が予め設定された下限スレッシロールド値
マＬと上限スレッシ璽−ルド値ｖＨとの間から外れて−
る即ち、その起動時にも又温度変化時にも、そＯＩｉ光
出力を所定のレベルに安定化させ得る。このこと社プリ
ンタにおいては印字品質音高１１Ｋｍ持し得ることＫｌ
る。を友、上述のような安定しえ出力制御ｔなしうろこ
とは半導体レーずＯ寿命を延杜すことにも愈る。
Ｑｋ＠ｔｏ が予め設定された下限スレッシロールド値
マＬと上限スレッシ璽−ルド値ｖＨとの間から外れて−
る即ち、その起動時にも又温度変化時にも、そＯＩｉ光
出力を所定のレベルに安定化させ得る。このこと社プリ
ンタにおいては印字品質音高１１Ｋｍ持し得ることＫｌ
る。を友、上述のような安定しえ出力制御ｔなしうろこ
とは半導体レーずＯ寿命を延杜すことにも愈る。
盲良、上述のような動作において、何んらかの原因によ
３１．ＩＤ信号が一定周期毎に現われない場合には、Ｉ
Ｄアラーム（第４図の（４−５）’）が発生する。これ
に応答してＬＩＤＹ僅号が１ちる（第４図の（４−ｚ）
）＊むれによ）１、力９ンｐｌｓはプ９−ｋｙ）状態へ
ＩＨＩｉｌ しｍ チｐ、ｓ＊”ｌ”、？。、Ｐ□、Ｐ
よｍ ＠Ｑ”と１瓢半導体レーずｌの駆動電流■はｌ櫨
＠まで落ちる。重重プリンＩが印字モードゲート（Ｐ虱
ＮＹＭＤ） ＠ｌを１−レベルにする（第４１１の（４
−１） ）と、カウンタ１５は零になるから、菖４図の
（４−７）に示すように半導体レーザ１の駆動電流！は
零となる。
３１．ＩＤ信号が一定周期毎に現われない場合には、Ｉ
Ｄアラーム（第４図の（４−５）’）が発生する。これ
に応答してＬＩＤＹ僅号が１ちる（第４図の（４−ｚ）
）＊むれによ）１、力９ンｐｌｓはプ９−ｋｙ）状態へ
ＩＨＩｉｌ しｍ チｐ、ｓ＊”ｌ”、？。、Ｐ□、Ｐ
よｍ ＠Ｑ”と１瓢半導体レーずｌの駆動電流■はｌ櫨
＠まで落ちる。重重プリンＩが印字モードゲート（Ｐ虱
ＮＹＭＤ） ＠ｌを１−レベルにする（第４１１の（４
−１） ）と、カウンタ１５は零になるから、菖４図の
（４−７）に示すように半導体レーザ１の駆動電流！は
零となる。
このように、上述駆動ループ−路Ｋｌｌｌｌｌｌｌ号が
供給されない、例えば、回路の開放があっても半導体レ
ーず１に過大電流なＩｌｌず、その安全性が確保される
。
供給されない、例えば、回路の開放があっても半導体レ
ーず１に過大電流なＩｌｌず、その安全性が確保される
。
上記実施ｆ％ｌＦｉ、半導体レー半導プレータに用いる
使用濃境について説明し九が、これに制限されるもので
社ない。ｔた、他のレーずでも半導体レーずと類似０４
１性を有するもＯであれば、本発明を適用しうる。
使用濃境について説明し九が、これに制限されるもので
社ない。ｔた、他のレーずでも半導体レーずと類似０４
１性を有するもＯであれば、本発明を適用しうる。
以上の１！−かも明らか危ように１本実＠によれば次の
効果が得られる。
効果が得られる。
■ レーザ出力を安定化させ得る。
■ レーザの寿命を長くしうる。
■ プリンタに用いた場合Ｋａ印字品質の向上に寄与す
る等である。
る等である。
第１図は半導体レーずの瓢変特性園、鎮２図は本発明ｏ
ｉｉｕｉｓ戚図、第３１１ ａ ｌｚ −ｆ ”ｊ Ｖ
７１０概略図、第４８１半導体レーずＯ駆動電流制御
のための各種液形図、第５ＩＩｌは半導体レーザＯ動作
温度が異なる場合Ｏ第４図とＩＩＩ似Ｏ閣、第６図社半
導体レーザの駆動電流−出力特性Ｉである。 図中、１は半導体レーず、２轢駆動電流設定回路、１８
社バイアス電電流量定薔、１ｇは交流駆動回路、８は受
光素子、９は毫二！検出１１１！、１０は増幅器、１１
社籐ｌの比較回路、１２社第２０比較回路、１３は基準
電圧発生１１ｍ１，１１！は反転回路、１６はアツプダ
ウンカウンメ、１７Ｈム／Ｄ変換器である。 特許出鵬人 富士通株式会社 代理人弁理士 松 岡 宏ｖＩＡｍ！−コＪＩＩＩ
図 第２図
ｉｉｕｉｓ戚図、第３１１ ａ ｌｚ −ｆ ”ｊ Ｖ
７１０概略図、第４８１半導体レーずＯ駆動電流制御
のための各種液形図、第５ＩＩｌは半導体レーザＯ動作
温度が異なる場合Ｏ第４図とＩＩＩ似Ｏ閣、第６図社半
導体レーザの駆動電流−出力特性Ｉである。 図中、１は半導体レーず、２轢駆動電流設定回路、１８
社バイアス電電流量定薔、１ｇは交流駆動回路、８は受
光素子、９は毫二！検出１１１！、１０は増幅器、１１
社籐ｌの比較回路、１２社第２０比較回路、１３は基準
電圧発生１１ｍ１，１１！は反転回路、１６はアツプダ
ウンカウンメ、１７Ｈム／Ｄ変換器である。 特許出鵬人 富士通株式会社 代理人弁理士 松 岡 宏ｖＩＡｍ！−コＪＩＩＩ
図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）駆動電流設定−路を有するレーずの駆動方式におい
て、上記レーザのレーず光【モニタし、その出力値が上
限スレッシ冒−ルド値と下限スレツシー−ルド値との間
にあるように上配駆動電５ｉｔ５ｉ！回路Ｏバイアス電
流を制御するように構成したことｔ特徴とするレーザの
駆動方式。 ２）上記レーずを半導体レーザとし良ことを特徴とする
特許−求の範ｌＩ館１項記蒙のレーずの駆動方式。 ３）駆動電ＩＩＷ＆定回路をバイアス電流設定回路とし
たこと１＊徴とする特許請求の範囲第ｉｌｌ又ハ第３項
記載のレーずの駆動方式。 ４）上記レーずのレーず光ｔプリンタの掃引起点ＫＩｌ
ｌ射し、そＯ反射ｙｔｔ光電素子で受光モニタするよう
に構成したことｔ４Ｉ黴とする特許請求の範−第１項、
第２項又は第３項記載ＯレーザＯ駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112281A JPS583297A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | レ−ザの駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112281A JPS583297A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | レ−ザの駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583297A true JPS583297A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14292262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112281A Pending JPS583297A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | レ−ザの駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583297A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59113355U (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-31 | 古河電気工業株式会社 | アルミ製羽子板端子の銅厚メツキ用絶縁カバ− |
| JPS59174847A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4734914A (en) * | 1985-03-15 | 1988-03-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Stabilized laser apparatus |
| US4856011A (en) * | 1985-01-30 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser control circuit |
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Citations (2)
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1981
- 1981-06-29 JP JP10112281A patent/JPS583297A/ja active Pending
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