JPS5823336A - 記録情報再生装置 - Google Patents
記録情報再生装置Info
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- JPS5823336A JPS5823336A JP11915281A JP11915281A JPS5823336A JP S5823336 A JPS5823336 A JP S5823336A JP 11915281 A JP11915281 A JP 11915281A JP 11915281 A JP11915281 A JP 11915281A JP S5823336 A JPS5823336 A JP S5823336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- light
- beam splitter
- scanning element
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜導波路型走査素子を用いて情報が記録さ
れた記録体から情報を再生するための記録情報再生装置
に関するものである。
れた記録体から情報を再生するための記録情報再生装置
に関するものである。
本出願人は既に薄膜導波路型輝点走査素子による記録情
報再生装置を幾つか提案している。これらの提案は主と
して輝点走査素子の端面に情報記録体を接触して情報な
再生する機構を採用している。然しながら、これらの方
式は記録体の走行による機械的摩擦（二より輝点走査素
子及び記録体の損傷等の虞れが多分にある。
報再生装置を幾つか提案している。これらの提案は主と
して輝点走査素子の端面に情報記録体を接触して情報な
再生する機構を採用している。然しながら、これらの方
式は記録体の走行による機械的摩擦（二より輝点走査素
子及び記録体の損傷等の虞れが多分にある。
本発明の目的は、前記問題点を解消するため書＝、非接
触方式により記録体から情報を再生し、部材の損傷を皆
無とする記録情報再生装置を提供すること（二あり、そ
の要旨は、薄膜導波路に入射する光束を偏向走査しその
端面から射出する走査素子からの射出光を磁気光学効果
を有する記録体に照射し、その反射光から記録情報を再
生する装置に於いて、前記走査素子と記録体との間に配
置した光を分割するビームスプリッタ及び走査素子の射
出光を記録体に結像する光学系と、記録体からの反射に
際し記録情報を偏光角として有し、前記ビームスプリッ
タにより分割された反射光を偏光角を区別して受光する
光検出部とを具備することを特徴とするものである。
触方式により記録体から情報を再生し、部材の損傷を皆
無とする記録情報再生装置を提供すること（二あり、そ
の要旨は、薄膜導波路に入射する光束を偏向走査しその
端面から射出する走査素子からの射出光を磁気光学効果
を有する記録体に照射し、その反射光から記録情報を再
生する装置に於いて、前記走査素子と記録体との間に配
置した光を分割するビームスプリッタ及び走査素子の射
出光を記録体に結像する光学系と、記録体からの反射に
際し記録情報を偏光角として有し、前記ビームスプリッ
タにより分割された反射光を偏光角を区別して受光する
光検出部とを具備することを特徴とするものである。
従来から輝点走査装置としては、ポリゴン回転鏡やガル
バーミラー等でレーず光束を偏向させ、ｆ−θ レンズ
により光束を集光させる装置が知られている。これら装
置に於いては、各部材が個々独立しかつ相互に一定光路
間隔を必要とするために装置が大型化する等の欠点を有
する。
バーミラー等でレーず光束を偏向させ、ｆ−θ レンズ
により光束を集光させる装置が知られている。これら装
置に於いては、各部材が個々独立しかつ相互に一定光路
間隔を必要とするために装置が大型化する等の欠点を有
する。
薄膜導波路を用いる輝点走査素子については、本出願人
１；より特願昭５６−９２９３９号として出願したもの
であり、従来のバルク型ムル偏向器を用いた走査装置に
比較しても、高速走査及び広偏向角、高分解能走査が可
能であり、かつ小型で低コストという点でも秀れている
。
１；より特願昭５６−９２９３９号として出願したもの
であり、従来のバルク型ムル偏向器を用いた走査装置に
比較しても、高速走査及び広偏向角、高分解能走査が可
能であり、かつ小型で低コストという点でも秀れている
。
第１図は輝点走査素子１の一実施例であり、Ｘ２平面に
置かれた例えばＬ １ＮｂＯ，にオプ酸リチウム）の圧
電性基盤２の上に高屈折率の薄膜導波路３が形成され、
この導波路６の端面に設置された半導体レーザー４より
射出された光束を、直接導波路６中；；導くようになっ
ている。圧電性の基盤１上には第１、第２の薄膜レンズ
５．６及び表面弾性波トランデューサとしての櫛の歯状
電極７（以下ＩＤＴと称する）が設けられている。半導
体レーザー４より薄膜導波路Ｓζ：直接結合された光束
Ｌ１は第１の薄膜レンズ５により平行光束り、とされる
。周波数が連続的に変化する所謂チャーブト信号が印加
されたＩＤＴ ７より圧電効果によって生じ、はぼＸ方
向に進行する表面弾性波Ｗと交差した光束り、はブラッ
グ回折される。その回折角、即ち偏向角は、表面弾性波
ＷのピップつまりＩＤＴ７に印加される信号の周波数に
より変化する。回折光り、は、薄膜導波路６の端面８に
輝点Ｓを形成するように配置された第２の薄膜レンズ６
により集光され、端面８上で輝点走査が行なわれる。
置かれた例えばＬ １ＮｂＯ，にオプ酸リチウム）の圧
電性基盤２の上に高屈折率の薄膜導波路３が形成され、
この導波路６の端面に設置された半導体レーザー４より
射出された光束を、直接導波路６中；；導くようになっ
ている。圧電性の基盤１上には第１、第２の薄膜レンズ
５．６及び表面弾性波トランデューサとしての櫛の歯状
電極７（以下ＩＤＴと称する）が設けられている。半導
体レーザー４より薄膜導波路Ｓζ：直接結合された光束
Ｌ１は第１の薄膜レンズ５により平行光束り、とされる
。周波数が連続的に変化する所謂チャーブト信号が印加
されたＩＤＴ ７より圧電効果によって生じ、はぼＸ方
向に進行する表面弾性波Ｗと交差した光束り、はブラッ
グ回折される。その回折角、即ち偏向角は、表面弾性波
ＷのピップつまりＩＤＴ７に印加される信号の周波数に
より変化する。回折光り、は、薄膜導波路６の端面８に
輝点Ｓを形成するように配置された第２の薄膜レンズ６
により集光され、端面８上で輝点走査が行なわれる。
基盤１は圧電効果を有し超音波の伝搬効率の点からＬｉ
Ｎｂ０１ （７）他１： ＬＩＴａＯ，（タンタル酸リ
チウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等が考えられる。導波路
６は、ＬｉＮｂ０． の基盤２の場合はＴＩを約１０
００℃の高温１士拡散して基盤２上Ｃ二歌声馬の厚さで
形成する。
Ｎｂ０１ （７）他１： ＬＩＴａＯ，（タンタル酸リ
チウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等が考えられる。導波路
６は、ＬｉＮｂ０． の基盤２の場合はＴＩを約１０
００℃の高温１士拡散して基盤２上Ｃ二歌声馬の厚さで
形成する。
又、１ｉＴａＯｓ 基盤の場合は、Ｎｂ又はＴＩを同
様（＝拡散して得られる。第１及び第２の薄膜レンズ５
及び６と１．−Ｃは、ｌ１ｌｉ Ｑｕｎｔｓａ＊ Ｅｌ
ｅｃｔ ｖｏｌ Ｑ）２−１６、Ｐ１２９．１９７７
（ｂｙ Ｄ、Ｗ、Ｖａｊｃｅｙ ＆■ａｎ Ｅ、 Ｗｏ
ｏｄ ）にも示されているモードインデックスレンズ（
ｍｏｄｅ １ｎｄｅｘ １ｅｎｓ） 、 ＩＬｔ ＊プ
ルクＶＶズ（Ｌｕｎｅｂｕｒｇ １ｅｎｓ ）、′ジオ
デ４’）クレンメ（ｇｅｏｄｅｓｉｃ １ｅｎｓ ）等
が適している。特に後者の２種のレンズ１；より廻論解
偉限界に近い性能が得られている。
様（＝拡散して得られる。第１及び第２の薄膜レンズ５
及び６と１．−Ｃは、ｌ１ｌｉ Ｑｕｎｔｓａ＊ Ｅｌ
ｅｃｔ ｖｏｌ Ｑ）２−１６、Ｐ１２９．１９７７
（ｂｙ Ｄ、Ｗ、Ｖａｊｃｅｙ ＆■ａｎ Ｅ、 Ｗｏ
ｏｄ ）にも示されているモードインデックスレンズ（
ｍｏｄｅ １ｎｄｅｘ １ｅｎｓ） 、 ＩＬｔ ＊プ
ルクＶＶズ（Ｌｕｎｅｂｕｒｇ １ｅｎｓ ）、′ジオ
デ４’）クレンメ（ｇｅｏｄｅｓｉｃ １ｅｎｓ ）等
が適している。特に後者の２種のレンズ１；より廻論解
偉限界に近い性能が得られている。
一方、情報記録体としては現在まで数多くの材料が知ら
れている。例えばフォトレジストやサーモプラスチック
のように表面の凹凸で情報を記録する材料や、 Ｌｉ
Ｎｂ０ｈ結晶のように内部屈折率の変化で情報を記録す
る材料や、金属薄膜が被覆されレーザビームの熱で薄膜
を蒸発させる所謂ヒートモード型の記録材料等がある。
れている。例えばフォトレジストやサーモプラスチック
のように表面の凹凸で情報を記録する材料や、 Ｌｉ
Ｎｂ０ｈ結晶のように内部屈折率の変化で情報を記録す
る材料や、金属薄膜が被覆されレーザビームの熱で薄膜
を蒸発させる所謂ヒートモード型の記録材料等がある。
これらの記録体からの情報再生は記録体に光を照射し、
干渉や反射率の違いによる反射光又は透過光の光量の変
化を光検出器で受けることにより行なっている。
干渉や反射率の違いによる反射光又は透過光の光量の変
化を光検出器で受けることにより行なっている。
更には最近に至りアモルファス磁性薄膜による情報記録
、再生の研究が盛んに行われている。この記録材はＧｄ
Ｃ０％ＧｄＦ＠、ＴｂＦ句、ＧｄＴｂＦｅ 等がよく知
られており、基板、シート、テープ等にスパッタ法等を
用いて作成される。記録法は先ず磁性体の磁区の向きを
厚さ方向に同一の向きに揃えておき、レーザビーム等を
集光したスポットで熱を加えて平衡状態とし、周囲の磁
界により磁区の向きを反転することにより行なわれる。
、再生の研究が盛んに行われている。この記録材はＧｄ
Ｃ０％ＧｄＦ＠、ＴｂＦ句、ＧｄＴｂＦｅ 等がよく知
られており、基板、シート、テープ等にスパッタ法等を
用いて作成される。記録法は先ず磁性体の磁区の向きを
厚さ方向に同一の向きに揃えておき、レーザビーム等を
集光したスポットで熱を加えて平衡状態とし、周囲の磁
界により磁区の向きを反転することにより行なわれる。
再生は磁気光学効果としてよく知られている反射光又は
透過光の偏光面の回転を利用し、検光子を通すことによ
る光量の変化を利用する。本発明に係る再生装置（二つ
いては、前記のアモルファス磁性薄膜を記録体として使
用し、以下にその説明をするが、前に説明した他の記録
体がらの再生に関しても有効である。
透過光の偏光面の回転を利用し、検光子を通すことによ
る光量の変化を利用する。本発明に係る再生装置（二つ
いては、前記のアモルファス磁性薄膜を記録体として使
用し、以下にその説明をするが、前に説明した他の記録
体がらの再生に関しても有効である。
第２図は本発明に係る情報再生装置の基本的な構成図を
示し、輝点走査素子１の構成は第１図と同様である。Ｉ
ＤＴ ７に印加される交流電場により生ずる表面弾性波
Ｗによって偏向された光束り、は、第２の薄膜レンズ６
により走査素子１の射出端面８に輝点Ｓとして集光する
ようになっている。射出端面８の射出側には、光路に沿
って偏光子１１、ビームスプリッタ１２、第１のレンズ
系１６、テープなどのように走行する記録体１４が配列
されており、第１のレンズ系１３は走査素子１の輝点Ｓ
が記録体１４にＭ１倍の倍率で結像するような幾何学的
位置関係を有している。又、ビームスプリッタ１２の反
射面側、即ち、前記光路の直交方向には検光子１５、第
２のレンズ系１６、光検出器１７が配置されている。こ
の反射光路内には第１のレンズ系１６による輝点Ｓの共
役点Ｔが存在し、第２のレンズ系１６は共役点Ｔに於け
る点像をＭ。
示し、輝点走査素子１の構成は第１図と同様である。Ｉ
ＤＴ ７に印加される交流電場により生ずる表面弾性波
Ｗによって偏向された光束り、は、第２の薄膜レンズ６
により走査素子１の射出端面８に輝点Ｓとして集光する
ようになっている。射出端面８の射出側には、光路に沿
って偏光子１１、ビームスプリッタ１２、第１のレンズ
系１６、テープなどのように走行する記録体１４が配列
されており、第１のレンズ系１３は走査素子１の輝点Ｓ
が記録体１４にＭ１倍の倍率で結像するような幾何学的
位置関係を有している。又、ビームスプリッタ１２の反
射面側、即ち、前記光路の直交方向には検光子１５、第
２のレンズ系１６、光検出器１７が配置されている。こ
の反射光路内には第１のレンズ系１６による輝点Ｓの共
役点Ｔが存在し、第２のレンズ系１６は共役点Ｔに於け
る点像をＭ。
倍の倍率で光検出器１７に結像するようになっている。
今、表面弾性波Ｗにより走査される輝点８の走査幅の両
端位置をＪ２、札とし、その間隔なノとする。この輝点
Ｊ１は第２図に点線で示すように、輝点に１は直線で示
すような光路で進行し、第１のレンズ系１３によりＭ３
倍の倍率で記録材１４上に輝点Ｊｈ狗として結像され、
このときの走査幅、却も輝点Ｊ、とに、の間隔はＭＩｌ
で表わされる。
端位置をＪ２、札とし、その間隔なノとする。この輝点
Ｊ１は第２図に点線で示すように、輝点に１は直線で示
すような光路で進行し、第１のレンズ系１３によりＭ３
倍の倍率で記録材１４上に輝点Ｊｈ狗として結像され、
このときの走査幅、却も輝点Ｊ、とに、の間隔はＭＩｌ
で表わされる。
走査素子１から輝点Ｓとして射出された光束は、偏光子
１１で直線偏光され、ビームスプリッタ１２を直進し、
第１のレンズ系１３により記録体１４上に照射される。
１１で直線偏光され、ビームスプリッタ１２を直進し、
第１のレンズ系１３により記録体１４上に照射される。
そして記録体１４で反射された光は、カー（Ｋｅｒｒ）
効果としてよく知られているように、情報として記録さ
れた磁区の向きにより、偏光面が入射光束の偏光面に対
し＋θｋ 又は−θにだけ回転される。通常、薄膜導波
路６をＴＭ或いはＴＩシングルモー′ド型導波路として
作成しておげば、導波路６から射出される光束は直線偏
光と考えられるが、伝播中の散乱等の影響、導波路６の
不完全性により偏光状態が乱れる虞れがあるために、望
ましくは第２図に示すように走査素子１の射出端面８の
直後に偏光子１１を配置することが好適である。カー回
転を受けた反射光は、再び第１、のレンズ１３を通過し
ビームスプリッタ１２により入射光路と分離して反射さ
れ、検光子１５を通り第２のレンズ系１６により、共役
点Ｔに於ける点像Ｊ１、Ｋ、をＭ８倍の倍率で輝点光検
出器１７に結像する。検光子１５は後述する所定の位置
とすることにより特定の偏光成分のみを通過させ、記録
情報っまり磁区の向きを区別して光検出器１７に光束を
伝導することになる。
効果としてよく知られているように、情報として記録さ
れた磁区の向きにより、偏光面が入射光束の偏光面に対
し＋θｋ 又は−θにだけ回転される。通常、薄膜導波
路６をＴＭ或いはＴＩシングルモー′ド型導波路として
作成しておげば、導波路６から射出される光束は直線偏
光と考えられるが、伝播中の散乱等の影響、導波路６の
不完全性により偏光状態が乱れる虞れがあるために、望
ましくは第２図に示すように走査素子１の射出端面８の
直後に偏光子１１を配置することが好適である。カー回
転を受けた反射光は、再び第１、のレンズ１３を通過し
ビームスプリッタ１２により入射光路と分離して反射さ
れ、検光子１５を通り第２のレンズ系１６により、共役
点Ｔに於ける点像Ｊ１、Ｋ、をＭ８倍の倍率で輝点光検
出器１７に結像する。検光子１５は後述する所定の位置
とすることにより特定の偏光成分のみを通過させ、記録
情報っまり磁区の向きを区別して光検出器１７に光束を
伝導することになる。
今、−記録体１４に記録されている情報トラック長を１
１、輝点走査素子１の射出端面８での走査幅をｌ、第１
のレンズ系１Ｓの倍率なＭ、とするとき、次式が満足さ
れている。
１、輝点走査素子１の射出端面８での走査幅をｌ、第１
のレンズ系１Ｓの倍率なＭ、とするとき、次式が満足さ
れている。
右＝ＭＩｌ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ （１）記録体１４により反射し、
ビームスプリッタ１２で分離された光束は、第２のレン
ズ系１６の前の共役点Ｔで輝点Ｊ、 、 Ｋ、と等倍の
点像Ｊ、 、Ｋ、を作る。第１のレンズ系１３の倍率は
、記録体１４に記録する記録領域の走査幅と輝点サイズ
に応じて拡大系、縮小系を選択することができる。光検
出器１７の受光部の長さを６とし、第２のレンズ系１６
で点像Ｊ５、Ｋ、を受光部上に輝点Ｊａ 、Ｋａとして
結像する倍率なＭ、とすると、次式の関係が満足されて
いる。
・・・・・・・・・ （１）記録体１４により反射し、
ビームスプリッタ１２で分離された光束は、第２のレン
ズ系１６の前の共役点Ｔで輝点Ｊ、 、 Ｋ、と等倍の
点像Ｊ、 、Ｋ、を作る。第１のレンズ系１３の倍率は
、記録体１４に記録する記録領域の走査幅と輝点サイズ
に応じて拡大系、縮小系を選択することができる。光検
出器１７の受光部の長さを６とし、第２のレンズ系１６
で点像Ｊ５、Ｋ、を受光部上に輝点Ｊａ 、Ｋａとして
結像する倍率なＭ、とすると、次式の関係が満足されて
いる。
６≧３４１ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ （２）通常高速応答の光検出器は
ビンフォトダイオードのように受光面積が小さいので、
輝点走査幅ｊはそれよりも大きい場合が多く、（２）式
を満足する鳩はＭ、〈１であることが有効な場合が多い
。勿論、走査幅ｊと受光部の長さｌ！がｌ≦６を満足す
る場合には、光検出器１７に結像さえ得られれば第２の
レンズ系１６は省略しても支障はない。第１のレンズ系
１３は光束が記録体１４に向う場合：二拡大系であり、
記録体１４から反射され点像Ｊ、、Ｋ。
・・・・・・・・・ （２）通常高速応答の光検出器は
ビンフォトダイオードのように受光面積が小さいので、
輝点走査幅ｊはそれよりも大きい場合が多く、（２）式
を満足する鳩はＭ、〈１であることが有効な場合が多い
。勿論、走査幅ｊと受光部の長さｌ！がｌ≦６を満足す
る場合には、光検出器１７に結像さえ得られれば第２の
レンズ系１６は省略しても支障はない。第１のレンズ系
１３は光束が記録体１４に向う場合：二拡大系であり、
記録体１４から反射され点像Ｊ、、Ｋ。
を形成する場合は縮小系である。従って上記説明に於い
て、Ｍ１≧１の場合はレンズ系１６．１６を合成して縮
小系であると考えてよい。
て、Ｍ１≧１の場合はレンズ系１６．１６を合成して縮
小系であると考えてよい。
第２図に示した構成は、輝点走査素子１がＴＥ０
モード型の導波路構造であり、このような導波路３から
射出する光束の偏光面はビームスプリッタ１２に対しＰ
偏光として入射する。ビームスプリッタ１２は偏光特性
を有し、Ｐ偏光入射の透過率は大きく、従ってＰ偏光成
分の反射率は小さい。
射出する光束の偏光面はビームスプリッタ１２に対しＰ
偏光として入射する。ビームスプリッタ１２は偏光特性
を有し、Ｐ偏光入射の透過率は大きく、従ってＰ偏光成
分の反射率は小さい。
又、Ｓ偏光入射の反射率は大であり、従って８偏光成分
の透過率は小さいものとして作製されている。第６図（
ａ）に示すように、入射光束は記録体１４による反射の
際に、記録体１４の磁化の向きに従って＋θＫ又は−〇
にの回転を受ける。記録体１４から反射された光束は、
第６図にベクトル人、にとして示し、偏光面はそれぞれ
＋θＫ又は−θに回転されており、ビームスプリッタ１
２に対する光束のＰ偏光振幅成分ａ、は反射光束の振幅
をａとすると、 町＝暑ｃＯｓ（±θＩＬ） ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（２）となり、８偏光振幅成分１
．は、 ａ、 ＝ ｍ ５ｔｉ（±θｋ）………・…曲間（４）
である。
の透過率は小さいものとして作製されている。第６図（
ａ）に示すように、入射光束は記録体１４による反射の
際に、記録体１４の磁化の向きに従って＋θＫ又は−〇
にの回転を受ける。記録体１４から反射された光束は、
第６図にベクトル人、にとして示し、偏光面はそれぞれ
＋θＫ又は−θに回転されており、ビームスプリッタ１
２に対する光束のＰ偏光振幅成分ａ、は反射光束の振幅
をａとすると、 町＝暑ｃＯｓ（±θＩＬ） ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（２）となり、８偏光振幅成分１
．は、 ａ、 ＝ ｍ ５ｔｉ（±θｋ）………・…曲間（４）
である。
ビームスプリッタ１２の８成分振幅反射率を’ａｓ１
Ｐ成分振幅反射率をｒ、とすると、反射された光束は第
３図（ｂ）のように示すことができ、Ｐ成分の振幅は’
Ｐ”Ｐｓ８成分の振幅はｒ、 Ｊｌ、となる。従って入
射偏光面からの回転角±９は、 −（±９ ） ＝ ’ｓ ”ｇ／ｒｖ ”Ｐ ＝ （ｒ
ｓ／ｒｐ）ｍ（±θＫ）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（５）となる。前述したよう；二ｒ、＜
ｒ、であるから、−（±ψ） ＞１−（±θＫ） ・
・・・・・・・・・・・・・曲・・曲・・・（６）とな
り、角やはθにより大となる。一般にθには０．４度程
度であり、このような小さな偏光角の違いを検光子１５
で分離するためには、消光比が１０−４〜１０−６程度
の高性能で高価な検光子が必要である。ここでｒ、＝９
５％、ｒ、＝５％、θに＝０．４度とすると、６）式よ
りψ中７．６度となり約１９倍の角度増幅が得られ、検
光子１５に課せられる性能は緩和される。従って、検光
子１５の角度の設定が十分な精度で可能となる。
３図（ｂ）のように示すことができ、Ｐ成分の振幅は’
Ｐ”Ｐｓ８成分の振幅はｒ、 Ｊｌ、となる。従って入
射偏光面からの回転角±９は、 −（±９ ） ＝ ’ｓ ”ｇ／ｒｖ ”Ｐ ＝ （ｒ
ｓ／ｒｐ）ｍ（±θＫ）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（５）となる。前述したよう；二ｒ、＜
ｒ、であるから、−（±ψ） ＞１−（±θＫ） ・
・・・・・・・・・・・・・曲・・曲・・・（６）とな
り、角やはθにより大となる。一般にθには０．４度程
度であり、このような小さな偏光角の違いを検光子１５
で分離するためには、消光比が１０−４〜１０−６程度
の高性能で高価な検光子が必要である。ここでｒ、＝９
５％、ｒ、＝５％、θに＝０．４度とすると、６）式よ
りψ中７．６度となり約１９倍の角度増幅が得られ、検
光子１５に課せられる性能は緩和される。従って、検光
子１５の角度の設定が十分な精度で可能となる。
第４図は第２図に示した構成の変形例を示し、走査素子
１とレンズ系１３の間にグランティラー、グラントムソ
ン、偏光ビームスプリッタ等の偏光２ 素子２０、ＹＩＧ、希土類、ドープガラス等の旋光する
ためのファラデイ回転素子２１が配置されている。そし
て偏光素子２０の反射面側のレンズ系１３による射出端
面８の共役点Ｔには光検出器１７が配置されている。
１とレンズ系１３の間にグランティラー、グラントムソ
ン、偏光ビームスプリッタ等の偏光２ 素子２０、ＹＩＧ、希土類、ドープガラス等の旋光する
ためのファラデイ回転素子２１が配置されている。そし
て偏光素子２０の反射面側のレンズ系１３による射出端
面８の共役点Ｔには光検出器１７が配置されている。
走査素子１から射出する光束の偏光方向を第５図（ａ）
のイとし、偏光素子２０の透過軸をイの方向に配置する
。ファラデイ回転素子２１（：偏光面がθに／２回転す
るように磁界をかけ光束を通過させると、（ａ）の口に
示すように偏光面はθに／２だけ回転する。記録体１４
から反射された光束は、第５図（ｂ）に示すように、そ
の偏光面は口の状態から更に＋θＫ又は−θに回転し、
八或いは二の状態となる。
のイとし、偏光素子２０の透過軸をイの方向に配置する
。ファラデイ回転素子２１（：偏光面がθに／２回転す
るように磁界をかけ光束を通過させると、（ａ）の口に
示すように偏光面はθに／２だけ回転する。記録体１４
から反射された光束は、第５図（ｂ）に示すように、そ
の偏光面は口の状態から更に＋θＫ又は−θに回転し、
八或いは二の状態となる。
反射光が再びファラデイ回転素子２１を通過すると、二
、ハは更にθに／２だけ偏光面の回転を受け、第５図（
Ｃ）に示すようになる。このとき二は入射偏光面と同一
偏光方向であることは明らかである。
、ハは更にθに／２だけ偏光面の回転を受け、第５図（
Ｃ）に示すようになる。このとき二は入射偏光面と同一
偏光方向であることは明らかである。
再び偏光素子２０に戻った光束のうち、第５図（ｄ）に
示すようにニの偏光方向光束は走査素子１の方向に通過
し、への偏光方向を持つ光束の入射偏光３ 面に垂直な方向の偏光成分ホのみが反射されて光検出器
１７に向うことになる。ここで第２図に示した第２のレ
ンズ系１６は、走査幅ｌが光検出器１７の受光部長より
小さい場合には必要としない。
示すようにニの偏光方向光束は走査素子１の方向に通過
し、への偏光方向を持つ光束の入射偏光３ 面に垂直な方向の偏光成分ホのみが反射されて光検出器
１７に向うことになる。ここで第２図に示した第２のレ
ンズ系１６は、走査幅ｌが光検出器１７の受光部長より
小さい場合には必要としない。
従って第４図の光検出器１７には、偏光角が記録体１４
により＋θＫに回転されたとき、偏光素子２０から反射
分離される光束が存在し、他の場合は０となり、この原
理により磁気記録情報の再生を行なえることになる。
により＋θＫに回転されたとき、偏光素子２０から反射
分離される光束が存在し、他の場合は０となり、この原
理により磁気記録情報の再生を行なえることになる。
第６図の実施例は、第２図に示した実施例に於いて、輝
点Ｓを結像する第２の薄膜レンズ６を除去した走査素子
１を使用し、その直後にンリンドリ力ルレンズ３０を配
置したものである。この場合に、走査素子１からの射出
光束の広がりは、その平面方向と垂直方向：；分離して
考えると、垂直方向（：於いては導波路３の厚さは概略
数、ａｍであるため、射出端面８の回折の影響で数１０
度の広がり角を有する。又、水平方向に於いては、はぼ
平行光束であるため、第１のレンズ系１３による集光点
は水平、垂直方向で異なることになる。従４ つて（／９ンドリカルレンズ６０を用いて重置方向の光
束を平行光束としている０反射光束はビームスプリッタ
１２により取り出され、検光子１５、縮小レンズ系１６
を介して光検出器１７に導びがれるようになっている。
点Ｓを結像する第２の薄膜レンズ６を除去した走査素子
１を使用し、その直後にンリンドリ力ルレンズ３０を配
置したものである。この場合に、走査素子１からの射出
光束の広がりは、その平面方向と垂直方向：；分離して
考えると、垂直方向（：於いては導波路３の厚さは概略
数、ａｍであるため、射出端面８の回折の影響で数１０
度の広がり角を有する。又、水平方向に於いては、はぼ
平行光束であるため、第１のレンズ系１３による集光点
は水平、垂直方向で異なることになる。従４ つて（／９ンドリカルレンズ６０を用いて重置方向の光
束を平行光束としている０反射光束はビームスプリッタ
１２により取り出され、検光子１５、縮小レンズ系１６
を介して光検出器１７に導びがれるようになっている。
この実施例ではシリンドリカルレンズ３０を配すること
により、走査素子１に於ける集光用の薄膜レンズ６を省
略することが可能となる。この利点は微小な例えば２〜
１μ篇程度の輝点Ｓを、結像するための薄膜レンズ６の
製造技術が現在の段階では相当に困難であり、この薄膜
レンズ６を除去することによって、安価な走査素子１を
製造することが可能になる点にある。
により、走査素子１に於ける集光用の薄膜レンズ６を省
略することが可能となる。この利点は微小な例えば２〜
１μ篇程度の輝点Ｓを、結像するための薄膜レンズ６の
製造技術が現在の段階では相当に困難であり、この薄膜
レンズ６を除去することによって、安価な走査素子１を
製造することが可能になる点にある。
以上説明したように本発明による情報再生装置では、薄
膜導波路型走査素子と通常のレンズ系との組合せにより
情報再生が可能であることを一説明した。この効果は前
記配置を採用することで、記録体と走査素子との機械的
接触を回避することが可能となり、部材の損傷などを皆
無とすることができる利点を有する。
膜導波路型走査素子と通常のレンズ系との組合せにより
情報再生が可能であることを一説明した。この効果は前
記配置を採用することで、記録体と走査素子との機械的
接触を回避することが可能となり、部材の損傷などを皆
無とすることができる利点を有する。
５
図面は本発明に係る情報再生装置の実施例を示し、第１
図は輝点走査素子の斜視図、第２図は再生装置の構成図
、第３図（１）、（ｂ）は記録状態の光学的読み出しの
説明図、第４図は再生装置の他の構成図、第５図（ａ）
、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は記録状態の光学的読み出し
の説明図、第６図（ａ）は再生装置の他の平面的構成図
、Φ）は側面的構成図である。 符号１は走査素子、２は基盤、３は薄膜導波路、４は半
導体レーザー、５．６は薄膜レンズ、７は櫛の歯状電極
、８は射出端面、１１は偏光子、１２はビームスプリッ
タ、１３．１６はレンズ系、１４は記録体、１５は検光
子、１７は光検出器、２０は偏光素子、２１はファラデ
ィ回転素子、３０はシリンドリカルレンズである。 特許出願人 キャノン株式会社第３１！１ （Ｃ１） 第４１！１ （ｂ） １５ａｌｌ
図は輝点走査素子の斜視図、第２図は再生装置の構成図
、第３図（１）、（ｂ）は記録状態の光学的読み出しの
説明図、第４図は再生装置の他の構成図、第５図（ａ）
、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は記録状態の光学的読み出し
の説明図、第６図（ａ）は再生装置の他の平面的構成図
、Φ）は側面的構成図である。 符号１は走査素子、２は基盤、３は薄膜導波路、４は半
導体レーザー、５．６は薄膜レンズ、７は櫛の歯状電極
、８は射出端面、１１は偏光子、１２はビームスプリッ
タ、１３．１６はレンズ系、１４は記録体、１５は検光
子、１７は光検出器、２０は偏光素子、２１はファラデ
ィ回転素子、３０はシリンドリカルレンズである。 特許出願人 キャノン株式会社第３１！１ （Ｃ１） 第４１！１ （ｂ） １５ａｌｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 簿膜導波路に入射する光束を偏向走査しその端面
から射出する走査素子からの射出光を磁気゛ 光学効果
を有する記録体に照射し、その反射光から記録情報を再
生する装置に於いて、前記走査素子と記録体との間に配
置した光を分割するビームスプリッタ及び走査素子の射
出光を記録体に結像する光学系と、記録体からの反射に
際し記録情報ｉ偏光角として有し、前記ビームスプリッ
タにより分割された反射光を、偏光角を区別して受光す
る光検出部とを具備することを特徴とする記録情報再生
装置。 ２ 前記光学系を拡大レンズ系とする特許請求の範囲第
１項記載の記録情報再生装置。 ＆ ビームスプリッタと光検出器との間Ｃ二縮小レンズ
系を配置した特許請求の範囲第２項記載の記録情報□再
生装置。 ４、前記ビームスプリッタと記録体との間に旋光機構を
挿入した特許請求の範囲第１項記載の記録情報再生装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11915281A JPS5823336A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 記録情報再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11915281A JPS5823336A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 記録情報再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823336A true JPS5823336A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14754199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11915281A Pending JPS5823336A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 記録情報再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823336A (ja) |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP11915281A patent/JPS5823336A/ja active Pending
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