JPS58219564A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又は５ｅＫＡｓ、
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄｓを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体蝶、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がアル。一方、アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ）’を母材として用いた電子写真感光
体が近年釦なって提案されている。ａ−８ｔは、５ｔ−
８ｉの結合手が切れたいわゆるダングリングボンドを有
しておシ、この欠陥に起因してエネルギーギャップ内に
多くの局在準位が存在する。このために、熱励起担体の
ホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担
体が局在準位にトラップされて光導電性が悪くなってい
る。そこで、上記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償して５ｉ
ＫＨを結合させることｋよって、ダングリングボンドを
埋めることが行なわれる。

このような７モルフ、、アス水素化シリコン（以下、ａ
−８ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１
０９Ω−副であって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からな
る感光体祉表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。

そこで、このよりなａ−８ｉ：Ｈに電位保持能を付与す
べく高抵抗化するために、その製法としていわゆるグロ
ー放電分解法が採用されることがある。しかしこの方法
では、製膜速度が遅く、また膜厚を厚くつけるとコスト
高となるという欠点がある。

他方、ａ−８ｉを高抵抗化するには、ａ−８ｉ膜を不純
物ドーピングによシ真性化することや、基板−アモルフ
ァス炭化シリコン層−アモルファスシリコン層−表面電
荷ブロッキング層の積層体の如くサンドイッチ構造に形
成することが考えられる。

しかしながらこの場合にも、上記した問題点を充分に解
消てき々い上に、上記サンドイッチ構造の感光体は通常
の電子写真プロセスに使用したときに画像中に微細な白
斑点が生じ易いことが分った。

本発明者は、こうした問題点を生ぜしめる１つの大きな
要因として、ａ−８一層等を設ける基板の表面状態（具
体的には表面粗さ）が関与していることをつき止めた。

即ち、ａ−８ｔ系感光体を特にグロー放電分解法に従っ
て作成する場合、従来の基体では表面粗さが大きい（例
えば２μｍｓ程度と大きい）ために１その粗さＫよって
基板表面上のａ−８ｔ層のミクロ構造が悪影響を受け、
欠陥が多く生じ易い。これは、ａ−８ｔ層がＳｅ系感光
体の場合とは異なって著しく薄く（特に数１０μｍ以下
に）設けられることにも依るものである。この結果、ａ
−８ｔ層の電気抵抗は上昇せず、かつ暗減衰も大きくな
るという欠点がある。

これを防止するために、ａ　−Ｓ　ｉ層下に電荷ブロッ
キング層を敷く仁とが一案であるが、このブロッキング
層は更に薄いために一ヒ記した欠陥が生じ易く、基板の
表面粗さの影響を受けて実用に供し得なくなる。

本発明は、こうした状況に鑑み、薄いａ−８ｔ系感光層
を有する感光体においても基板の表面状態の影響を大幅
に軽減させ、画質を向上させると同時に、ブロッキング
層を良好に形成し得て各静電特性等を向上させた感光体
を提供することを目的とするものである。

この目的を達成するために、本発明の感光体祉、アルミ
ニウム合金からなる基体上に、アモルファスシリコン系
感光層が設けられている感光体において、前記アルミニ
ウム合金がマンガンを１．０〜１．５重量％含有するか
、或いはマグネシウムを２．２〜５．０重量％含有して
いることを特徴とするものである。

で測定したときの凹凸の最大高さ）、望ましくは０．１
〜１．２μｍｓとなるようにすれば上記した問題点を基
本的に解消できるとの観点に立脚し、このためにそのよ
うに表面加工が可能となるのは本発明による上記組成の
アルミニウム合金を用いることが必須不可欠であること
がはじめて見出されたのである。つまり、基体の組成と
して１．０〜１．５（重量）％の”１７ガ７　（Ｍｎ　
）か又は２．２〜５．０（重量）チのマグネシウム（Ｍ
ｇ　）を含有していることが極めて重要であシ、これら
のＭｎ又はＭｇが上記範囲外の含有量であると基体表面
が表面加工時に研磨すじを生じ易く、目的とする表面粗
さが全く得られないことが分ったのである。

このように、本発明によって基体材料の組成を特定のも
のに選択すれば、基体の表面を上記した表面粗さに容易
かつ精度良く加工できる。従って、基体上に形成するａ
−Ｓｉ系感光層は基体の表面状態の影響を受けることは
なくなシ、静電特性を向上させることができる。これに
反し、これまで使用されている基体材料では表面の加工
性が悪いために表面粗さを上記範囲に設定することが極
めて困難であり、次の如き問題を回避し得ない。即ち、
本発明以外のアルミニウム合金基体では表面粗さがしば
しば１．５μｍｓを越えるため、画偉に白斑点が生じや
すく、且つ基体からの電荷の注入が多くなって暗減衰が
著しく増大してしまう傾向があるか、或いは表面粗さが
しばしば０．０５μｍｓ未満であるから、逆に鏡面化し
、却って基体に対する膜付きが悪くなる。

本発明の基体材料によって得られる上記表面粗さ楼ｆ覗
蕃釉寺範囲は、膜厚の薄い（特に５μｍ〜４０μｍ　）
　ａ　Ｓｉ系感光層を設ける場合に極めて効果的である
。つまり、ａ−Ｓｉ系感光層は厚さが薄い故に基体の表
面粗さの影響を受けるが、上記の如くに粗さ範囲を設定
することによって、充分に高抵抗で膜質の良いａ−Ｓｉ
層を形成てきるのである。

上記した暗減衰の減少及び白斑点の防止等の効果は、特
に基体表面に接して電荷ブロッキング層を設ける場合に
顕著である。この電荷ブロッキング層は基体からのホー
ルや電子の注入を防止して表面帯′Ｗ！、電位を保持す
る作用があるが、上記した基体の表面粗さ範囲によって
良好な状態で基体表面に設けることができるため、ブロ
ッキング機能が充二分に発揮されることになる。こうし
たブロッキング層ａｓｏＸ〜１μｍ、望ましくは４００
Ｘ〜５０００　Ｘの膜厚を有しているのがよいが、５０
久未満では効果不充分であシ、１μｍを越えるど厚すぎ
て残留電位が残る原因となる。ブロッキング層は絶縁性
物質、或いは周期表第ＨＡ族又は第ＶＡ族元素が高濃度
にドープされたアモルファスシリコン系半導体層からな
っているのが望ましい。このようなブロッキング層によ
って、上記の暗減衰、白斑点の減少、帯電電位の向上の
他に、高感度化、感光体の薄膜化、基体との接着性向上
の効果が得られる。

また、この電荷ブロッキング層上に、真性化されたアモ
ルファスシリコン系感光層が設けられるのがよく、マた
、アモルファス炭化シリコン又はアモルファス窒化シリ
コンからなる電荷輸送層が設けられ、更にこの電荷輸送
層上にアモルファスシリコン系感光層が設けられるのが
よい。

また、上記の如くに基体の表面粗さを所定範囲に調整後
、基体の表面に表面酸化、特に陽極酸化によって特に厚
さ５０＾〜５０００　Ｘのアルミニウム酸化物被膜が形
成され、この酸化物被膜上に前記感光層が設けられてい
ることが望ましい。即ち、陽極酸化によって基体表面に
充分に厚いアルミニ１ウム酸化物被膜が形成されている
と同時に、その膜厚範囲を上記した範囲に特定すれば、
ａ−８ｉ系感光体におけるブロッキング作用を効果的に
発揮せしめ、以って暗減衰郷の各特性を満足なものに向
上させることができる。特にａ−８ｉ系感光層は本来比
抵抗が低くてそれ自体としての性能は不十分であるが、
本発明における上記酸化物被膜によって電荷注入をブロ
ッキングして帯電電位を高く保持でき、更に基体に対す
る接着力も大きくすることができる。このためには、上
記酸化物被膜の膜厚を５０Ｘ〜５０００　Ａの範囲に特
定することが重要である。上記酸化物被膜は陽極酸化に
よるものであるから、膜厚が均一なものとなっている。

しかも、基体に対する上層の接着性も増大させることが
できる。

また、上記の陽極酸化に代えて、特に基体の表面粗さが
上記範囲に特定されている場合には、基体の表面にグロ
ー放電処理により特に厚さ１５Ｘ〜１０００　Ａ　＜望
ましくは５０λ〜５００＾）のアル之ニウム酸化物被膜
が形成されるのもよい。この被膜も一定の電荷ブロッキ
ング作用をなすと同時に、上層の基体に対する接着性向
−トの役割も果１２ている。しかも、グロー放電処理に
よるものであるから、次のａ−８ｉ系感光層を引続いて
同じグロー放電装置によって形成でき、従って感光体の
製造に際して連続処理が可能であって他の工程を追加す
る必要がなく、また他の工程を追加する場合に生じがち
な基体の汚染が防止され、かつ形成される膜自体が均一
なものとなる。

本発明における基体は金属又はその合金からなっていて
よいが、その表面粗さは次の加工方法（ａ）〜（ｅ）の
いずれかにより得ることができる。

（８）、基体の外周円筒面と砥石とを接触せしめた状態
で、基体及び砥石を夫々回転させながら砥石を所定の方
向へ送り、これによって前記外周円筒面を研磨する方法
（以下、８Ｍ法と称する二本出願人による特開昭５６−
１５０７５５号、特開昭５６−ｉ５０７５４号、特願昭
５６−２５６３５号）（ｂ）、基体表面に砥石を比較的
弱い力で押付け、前記砥石に振幅の小さい振動を与える
と同時に所定方向への送りをかけ、これＫよって前記基
体表面を研磨する方法（以下、ＳＦ法と称する：例えば
特開昭５３−１３４２４号による方法）（ｃ）、基体表
面に研磨剤を吹付けることによって前記基体表面をとぎ
上げする方法（例えば液体ホーニング法：例えば特開昭
５１−５８９５４号による方法） 次に、本発明による感光体の例を図面に基いて詳細に説
明する。

第１図には、本発明によるアルミニウム合金からなる支
持体（基板）１上に、公知の陽極酸化技術又はグロー放
電処理によってアルミニウム酸化物被膜（アルミナｈｔ
ｘｏｓ　）　２が厚さ５ｏ＾〜５ｏｏ。

人＜　％Ｋ　４００　Ａ　〜５０００　Ｘ　＞　又ハ１
５　Ａ　〜１０００＾（特に５０Ｘ〜５００＾）に形成
され、この被膜２上に厚さ５〜４０μｍと薄いａ−８ｉ
系感光層、特Ｋａ−８ｉ：Ｈ層３が設けられた感光体が
示されている。

また、第２図の如くに、ａ−８ｉ系（例えばａ−８ｔ　
、　ａ−８ＬＧｏ　）感光層３と上記酸化物被膜２との
間に、ａ−８ｔ系（特にａ−８ｉＣ又はａ−８ＩＮ）か
らなる電荷輸送層４を厚さ５０００＾〜３５μｍに設け
ると、表面の電位保持及び光キヤリア輸送能が増大し、
高感度で残留電位の少ない感光体が得られる。

更に、第２図に一点鎖線で示すように、ａ−８ｉ系感光
層３下に、基板１０表面に接して厚さ５０Ｘ〜１μｍの
電荷ブロッキング層５が付加的に設けられるとよい。こ
のブロッキング層５は、上述した不純物が高濃度にドー
プされたＰ型（更にはＰ＋型）又はＮ型（更にはＮ＋型
）　ａ−８ｉ　、　ａ−８ｉＣ又はａ−３ｉＮからなっ
ていてよい。第３図では、第２図の電荷輸送層を設けず
、上記ブロッキング層５を介在せしめているが、第２図
と同様にブロッキング効果は向上する。このドープドａ
−８ｉ系ブロッキング層の場合には、上層のａ−８ｉ系
感光層と同じプロセス（特にグロー放電分解法）で形成
でき、製造が容易となる。ドープされる不純物としてボ
ロン等の周期表第■Ａ族元素を用い、グロー放電時に供
給する反応ガス流量比を例えばＢ２Ｈ＠／　５ｉｎ４＝
　１００〜１００，０００　ｐｐｍ　（望ましくは１，
０００〜１０．０００　ｐｐｍ　）とすれば、Ｐ型（更
にｕｐ＋型）ブロッキング層を作成できるが、これは感
光体表面を正帯電させて用いる場合に基板からの電子の
注入を防止するのに好適である。また、ドープされる不
純物としてリン等の周期表第ｖＡ族元素を用い、グロー
放電時の流量比を例えばＰＨｓ／５ｉＨ４＝　１００〜
１０，０００　ｐｐｍとすれば、感光体表面を負帯電さ
せる際に基板からのホールの注入を防止するＮ型（更に
はＮ＋型）ブロッキング層を作成できる。

上記の不純物ドープドブロッキング層３上のａ−８ｉｉ
感光層をポロン等の周期表第ｍＡ族元素のドーピング（
グロー放電時の流量比ｔｉｌｈＨｓ／Ｓ　ｉ■■４＝　
１０〜５００　ｐｐｍ　）　Ｋよシ真性化すれば、高抵
抗の感光層とな・シ、電位減衰の防止等を図ることがで
きる。

本発明において、基体１として用いるＡＡ　−Ｍ　ｎ基
又１−１−１Ａｔ−系合金としては、ＪＩＳ規格の下記
のものが望ましい。

Ｊ　Ｉ　Ｓ　３００３　　　　Ｍｎ　１．０〜１．５チ
Ｊ　Ｉ　８３２０３　　　　Ｍｎ　１．０〜１．５９６
Ｊ　Ｉ　８３００４　　　　Ｍｎ　１．０〜１．５チＪ
　Ｉ　８３０Ｇ５　　　　Ｍｍ　１．０〜１．８チＪ　
Ｉ　Ｓ　５０５２　　　Ｍｇ　２．２〜２．８チＪＩＳ
５６５２　　　Ｍｇ２．２〜２．８９ＧＪＩＳ５１５４
　　　Ｍｇ３．１〜３．９％Ｊ　Ｉ　８５２５４　　　
　Ｍｇ　３．１〜３．９１Ｊ　Ｉ　８５４５４　　　　
Ｍｇ　２．４〜３．０　％Ｊ　Ｉ　Ｓ　５０８２　　　
　Ｍｇ　４．０〜５．〇−Ｊ　Ｉ　８５１８２　　　Ｍ
ｇ　４．０〜５．０％Ｊ　Ｉ　Ｓ　５０８３　　　　Ｍ
ｇ　４．０〜４．９　％ＪＩＳ５０８６　　　　Ｍｇ３
．５〜４．５９ｇこうしたＡｔ系合金を基体に用いる仁
とによって成形加工が容易となシ、表面粗さを均一にコ
ントロールでき、基体−ａ−８ｉ系系材層の界面特性が
向上する結果、電荷ブロッキング効果が著しく改善され
る。他のＭ合金（ＡＬ−Ｃｕ系、Ａｔ−Ｓ量系、ＡＡ−
Ｚｎ系）や純ＡＡを用いた場合に比べて、高い初期電位
と暗減衰の減少、良好な繰返しコピー特性の得られる感
光体を提供できる。

次に、上記した感光体を作成するに当シ、基板１の表面
を表面粗さ０．０５〜１，５μｍｓＫ加工する研磨方法
を第４図〜第６図について説明する。

第４図に示す例は特開昭５６−１５０７５５号等による
ものであって、円筒状又は円柱状の基体材料゛１をその
中心軸Ｘを例えば水平としてその周ＤＫ回転せしめ、こ
の基体材料１の外周表面に、前記中心軸Ｘと直交する平
面とθ°〜４５°の種々の角度をもつ回転軸Ｙの周Ｆ）
Ｋ回転する砥石１２の端面な接触せしめ、更にこの砥石
１２を中心軸Ｘの方向に走行せしめ、これにより前記基
体材料１０表面を研磨して電子写真感光体用基体を製造
する。前記砥石１２の回転軸Ｙは必ずしも前記中心軸Ｘ
と交わる必要はなく、第５図に示すように回転軸Ｙが前
記中心軸Ｘと外れる状態であってもよい。

図示の装置において、砥石１２は、略々その中央部にお
ける例えば水平な支点１３において支持体１４によシ枢
支さ九た揺動自在なバー１５の一端に設けられ、このパ
ー１５はその他端に例えば固定された重錘１６及び必要
に応じてＭＵパー１５の長さ方向に移動可能な圧接力調
整用重錘１７を有し、前記重錘１６の重量の大きさ及び
調整用重錘１７の位置を調整することによシ、前記砥石
１２０基体材料ＩＫ対する圧接力を調整することができ
る。又砥石１２の中心軸Ｘの方向の走行社、例えば前記
支点１３を有する支持体１４をレール等の走行路上に配
置することによって達成することができる。そして前記
砥石１２ｔｊ：、例えば重錘１６を兼ねるモーター等に
よシ駆動される。

次に１砥石による基体材料の研磨状況を第６図について
説明する。基体材料１の中心軸Ｘと直交する平面と砥石
１２０回転軸Ｙとのなす角１９ｔｌｊ４５゜となるよう
に砥石１２を設定するのがよい。このような研磨方法で
は、軸Ｙを中心にして、その投影図上での両側において
砥石Ｋかかる力の不均衡がなく、したがってこのような
不均衡によって生ずる砥石の振動がなく安定した作動が
得られる。

このように、第６図忙示すように砥石を配置するとと即
ち、砥石の回転軸を投影図上で傾けて設定することは、
研磨作業中の砥石の安定性を得るうえで好適であって前
記したθは最大４５°に至る種々の値を取りうる。斯か
る研磨装置としては、例えば特公昭５１−４６３１５号
公報に記載されたものがあシ、その代表的な具体例とし
ては、三興機械株式会社製の「円筒研削鏡面仕上機」を
あげることができる。また使用される砥石としては、研
磨用砥石として一般に使用される砥石を使用することが
できる。その具体例としては、日本特珠研砥株式会社製
のｒＰＶＡ砥石」やｒＦＢＢ砥石」等を挙げることがで
きる。これらの砥石の種類によって、得られる表面粗さ
を種々変えることができる。

このようＫして研磨すれば、主として円筒状又は円柱状
の基体材料の表面を高い寸法精度で研磨することができ
、得られる基体として、表面の面粗度が電子写真感光体
用基体の面粗度として好適な０．０５〜１．５μｍｓの
ものを容易かつ確実に製造することができる。また、得
られる基体の表面粗さのバラツキはほとんど全く認めら
れず、研磨条件を同一とする限シ、常に一定の表面を得
ることができると共に、真円の円柱状表面を有し、うね
りのない基体が得られる。

なお、本実施例における基体（又は基板）の表面粗さは
、表面粗さ針（例えば株式会社　東京精密製）やサーフ
コムＩＣ型連続指示針（通常は、２５５ｍ幅をスキャン
し、最高の山と谷の間隔μｍ１又は次の高さの山と谷の
間隔μｍを計るもの）で測定してよい。

以下、上記の研磨方法を含む３通シの加工方法を基体表
面に施す場合の例を説明する。

例１　（８Ｍ法） 外径１２０ｍ、長さ３４０　ｗａｇのアルミニウム管体
を基体材料とし、下記の条件で表面加工を行なった。゛
加工装置二円筒研削鏡面仕上機 砥石：　ｒ　ＰＶＡ−１５００Ｊ　（外径２００霞、厚
み５０ｍ、取付用中心穴径５０鱈（錘紡社製） 砥石の回転数：　８００　ｒ、ｐ、ｍ。

砥石の送シ速度：０．７ｍ／分 砥石の圧接カニ４０１１１ 基体中心軸に直交する平面と砥石回転軸のなす角度θ：
４５゜ 基体材料の回転周速度ニア５ｍ／分 研磨回数：往復１回 研磨液：ｒＰＶＡ研磨液研磨液Ｊ　（日本グリース社１
１） 得られた加工済管体線、表面粗度が０．８μｍｓの均一
な面粗度を有し、外径が１２０，００３■であシ、波長
９３０ｎｍの光の反射率が２４チのものであった。

例２（ＳＦ・法） 次の条件で上記アルミニウム管体を加工した。

加工装置：旋盤ｒＬＰＴ−３５０型」　（ワシノ機械社
製）超仕上装置ｒＴ−８Ｅ １４０型」（東洋工業社製） 砥　石：　ｒ　ＦＢ　Ｂ−ＧＣ１０００Ｊ　（日本特殊
研砥社製）。

砥石の振動数：　１５００　Ｃ／分 砥石の圧接カニ０．６細／− 基体材料の回転周速ｖＩＬ：ｘｓｏｍ／分砥石の送り速
度：５００ｍ／分 研磨回数：１回 研磨液：水道水 得られた基体の表面粗さは０．８μｍｓであった。

また、下記の条件で液体ホーニング法に従って、上記ア
ルミニウム管体を加工してもよい。

加工装置：ｒＦ−ｓ型」（不二精機製造所社製）研磨剤
：珪石粉末「÷２０００４ 加工液：水道水（研磨剤／加工液＝４：１（重量）） 空気圧：３．０砺− ノズルと基体材料との距離＝８０− 吹付角度−６０度 ノズル口径：直径８□３− 上記の如くに表面研磨され１５表面粗さを種々変えた各
基体上に、グロー放電法又は陽極酸化によってＡｌｔＯ
ｓ層を形成し、更にグロー放電法によって必要とあれば
ブロッキング層、キャリア輸送層を形成し、更にａ−８
ｉ系感光層を形成した。

グロー放電装置としては、第７図に示す本のを使用して
よい。

この装置２１の真空槽ｎ内では、上記した基板１が基板
保持部Ｕ上に固定され、ヒーター５で基板１を所定温度
に加熱し得るよう罠なっている。基板１に対向して高周
波電極ｎが配され、基板１との間にグロー放電が生ぜし
められる。々お、図中の（９）、３１．３２．３３．３
７、羽、３９．４４．４６．４８は各バルブ、４１はＳ
　ｉｎ４又はガス状シリコン化合物の供給源、４２けＢ
ｘＨｓ或いはＰＨｓ、０２、ＣＨ４又社父性状炭素化合
物の供給源、４３はＡｒ又はＨｚ等のキャリアガス供給
源である。このグロー放電装置において、まず支持体で
ある例えばＡｔ基板１０表面を清浄化した後に真空槽ｎ
内に配置し、真空槽ｎ内のガス圧が１０″Ｔｏｒｒとな
るようにバルブ４６を調節して排気し、かつ基板１を所
定温度、例えば３０〜４００℃に加熱保持する。次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４
又社ガ又状ガス状シリコン化合物凪Ｈ６或いはＰＨｓ。

０２、ＣＨ４又はガス状炭素化合物を適当量希釈した混
合ガスを真空槽ｎ内に導入し、例えば０．０１〜１０　
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源加により高周波電圧（
例えば１３．５６　ＭＨｙ、　）を印加する。これによ
って、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水素を含む
ボロンドープドａ−８ｉ：Ｈ又はａ−８ｉＣ：Ｈを上記
の層２．３又は４として基板１上に堆積させる。々お、
酸化物被膜２の形成時には、０２ガスの導入下でグロー
放電処理すればよい。

本例において１．−上記の酸化物被膜２社例えば次の如
き条件で形成することができる。

処理液　リン酸三ナトリウム水溶液 液温２０℃ 処理時間　１０秒〜５分 電流密度　１−Ａ／ｄゴ なお、酸化物被膜２の膜厚は次の方法で測定可能である
。

（１）、干渉顕微鏡を使用。

単色光を照射し、ニーートリングの数を数え、公知の計
算式から算定する。

（２）、テーラーホブリン社製のタリスチップ測定器を
使用。

（３）、エリプソメーターを使用。

偏光されたヘリウム−ネオンレーザ−光を照射し、偏光
が回転するのを計る。

上記の如くにして得られる各感光体について、基体の加
工性、コピ一時の白斑点の有無を下記表に示す。なお、
このテストに当っては、川口電気社ａエレクトロメータ
、及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機（小西六写真工業■製）
によシ性能テストを行なった。

（以下余白、次頁へ続く） なお、上記表中、白斑点について ◎　白斑点全くなし ○　、白斑点一部のみに発生 Δ　白斑点部分的に発生 ×　白斑点全面に発生 上記した結果によれば、本発明に従って表面粗さ０．０
５〜１茸のＡＬ−Ｍｎ系又はＡｔ−Ｍｇ系の基体上に各
層を設けた場合には基体の研磨加工が良好となシ、かつ
感光体の画質がすべて良好となり、更にブロッキング層
（特にＡｔ２０ｓ層とａ−８ｉＣ層との組合せ）を設け
ると更に特性が良くなることが分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図、第２図
、第３図は感光体の各側の断面図、 第４図及び第５図社研磨装置の各概略図、第６図は基体
及び砥石部分の縦断面図、第７図はグロー放電装置の概
略断面図 である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・基板（基体） ２・・・・・・・・・Ａｔ５Ｏｓ層 ３・・・・・・・・・ａ−８ｉ系感光層４・・・・・・
・・・電荷輸送層 ５・・・・・・・・・ブロッキング層 １２・・・・・・・・・砥石 １６・・・・・・・・・重錘 １７・・・・・・・・・調整用重錘 である。 代理人　弁理士　　掻　坂　　　宏 第１図 第２図 第３図 第　４　凶 第５図 第６図 第７図 （自発）＝１ニー系プ５ネ市ｊＴニア（１，事４／１の
表示 昭和５７年　　特許　同第１６２４２２号２、発明の名
称 感　　　光　　　体 ３、補正をする有 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 住　所　東京都立川市柴１圃町３−９−１’７鈴木ビル
２階６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳ｌ！１１な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書箱５頁６〜７行目の「そこで・・・・・
・製法とし−ζ」を１このようなａ−３ｉ：Ｉｆの製法
として」と訂ｉＥＬます。 （２）、同第５頁１２行目のｒａ−３ｉを高抵抗化する
には」をｒａ−３ｉｌｌを電位保持能の付与のために高
抵抗化するには」と訂正しまず。 （３）、同第５頁１４〜１５行目の「アモルファス炭化
シリコン層・・・・・・・・・表面電荷ブロッキング屑
」を［アモルファス水素化炭化シリコン屓−アモルファ
ス水素化シリコン屓−表面改質層、１と訂正しまず。 （４）、同第６頁２行目、８行目及び１４４行目［ａ−
３’ｉＪをｒ　ａ　−Ｓ　ｉ　：　ＨＪと夫々訂正しま
ず。 （５）、同第６頁９行目の「ａ−３ｉｌ膏」を［ａ−３
ｉｉ感光体−１と訂正します。 （６）、同第６頁ｌＯ〜１１行目の［著しく薄く　（特
に数１０μｍ以下に）］を「薄く　（特に４０μ鋼以下
に）」と訂正しまず。 （７）、同第６頁１２行目のｒ’ａ−３ｔ屓の電気抵抗
」を［ａ−８ｉｉ感光体の帯電電位−１と訂正しまず。 （８）、同第８頁下から４行目の「白斑点」を［白斑点
や研磨ずじの跡」と訂正しまず。 （９）、同第９頁９行目の「高抵抗で膜質の良い　−ａ
−ｓｉｌＷＪを「帯電能が高くて膜質の良いａ−’−３
ｉ系感光層」と訂正しまず。 （１０）　、同第１０頁１１行目及び１４〜１５行目の
「アモルファスシリコン系感光層」を「アモルファスシ
リコン系感光層及び表面改質層」と夫々訂正しまず。 （１１）、同第１０頁１２〜１３行目の［アモルファス
炭花シリニ１ン又はアモルファス窒化シリコン］を［ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ：１ン、
又はアモルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリ、
：１ンＪとｉ１１正しまず。 （１２）　、同第１１１頁７行目１性能」を「゛帯電性
能」と訂正しまず。 （１３）　、同第１３真下から４行目の「と薄い」を１
の」と訂正しまず。 （１４）　、同第１３頁２〜１行目の［ａ　ＳＩ、ａ−
５ｉ　Ｇ　（＋　、１をｒａ−３ｉ：ＩＩ、ａ　−３’
ｉ　Ｇ　ｅ　：　ＩＩＪと訂正しま１゜ （１５）　、同第１４４頁１行目ｒａ−３ｉＣ又はａＳ
ｉＮＪをｒａ−３ｉ　Ｃ：　Ｈ又はａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　
：　１１　ＪＩＩ正します。 （１６）　、同第１４４頁３行目「及び光キヤリア輸送
」を削除しまず。 （１７）　、同第１４頁６〜７行目のｒａ−３ｉ系感光
屑３下に」をｒａ−３ｉ系重電荷輸送４下に」と訂正し
まず。 （１８）　、同第１４頁１１〜１２行目のｒａ−３ｉ、
、ａ−３ｉ　Ｃ又はａ−３ｉＮＪをｒａ−３ｉ：Ｉｔ、
ａ−５ｉ　Ｃ：　Ｈ又はａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｉ（、
或いはＡ　ｊ！　２０．１．５ｉ０２又はＳｉＯ等の絶
縁性物質」と１正しまず。 （１９）　、同第２２頁下から２行目のｒａ−３ｉｉ感
光層Ｊをｒａ−３ｉｉ感光層及び表面改質！−」と訂正
しまず。 （２０）　、同第２３頁９〜１１行目のｒ　Ｉ）　Ｈ、
、・・・・・・供給源である。」をｒ　Ｐ　Ｈａの供給
源、４３はＣＩＩ　４又はガス状炭素化合物の供給源で
ある。なお、図示省略したが、０２供給源や、Ａｒ又は
Ｎ２等のキ十リアガス供給源も同様に設番ノられている
。」と１正しまず。 （２１）、同第２３頁下から２行目の「０２」を削除し
まず。 （２２）　、同第２４頁５行目のｒｉ＃２．３又は４」
を「層３又は４．５」と訂正します。 （２３）、同第２４頁１４行目〜第２５頁３行目の［な
お、酸化物被膜・・・・・・・・・するのを８１る。」
を削除しまず。 （２４）　、同第２５頁３行目と４行目との間に下記の
記載を加入しまず。 記 「なお、電荷ブ１コツキング屓５や表面改質層はグ１コ
ー放電法以外の例えば蒸着法で形成された５ｉ０２膜等
からなっていてよい。また、上記ＣＨ４に代えてＮ２又
はＮｌｌ３を供給ずれば、ａ−３ｉＮ　：　Ｈを形成す
るごとができる。」（２５）　、同第２５頁６行目の「
示す。」を［示す。 画像評価に当たっては、ドラム用のグロー放電装：〃に
よって作製されたドラム状感光体を使用した。」と訂正
します。 一以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルミニウム合金からなる基体上に、アモルファス
   シリコン系感光層が設けられている感光体において、前
   記アルミニウム合金がマンガンを１．０〜１．５重ｉ＃
   、チ含有するか、或いはマグネシウムを２，２〜５．０
   重量％含有していることを特徴とする感光体。 ２、アルミニウム合金からなる基体の表面粗さが！で− ０．０５〜１，５Ｓとなっている、特許請求の範囲の第
   １項に記載した感光体。 ３、基体の表面が所定の表面粗さとなるように調整され
   た後、表面酸化によって前記基体の表面にアルミニウム
   酸化物被膜が形成される、特許請求の範囲の第１項又は
   第２項に記載した感光体。 ４、アモルファスシリコン系感光層の最下層として厚さ
   ５０人〜１μｍの電荷ブロッキング層を有する、特許請
   求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感
   光体。 ５、電荷プロツキ７７層が絶縁性物質からなっている、
   特許請求の範囲の第４項に記載した感光体。 ６、周期表第ＨＡ族又は第ＶＡ族元素が高濃度にドープ
   されたアモルファスシリコン系半導体層によりて電荷ブ
   ロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の第４
   項に記載した感光体。 ７、電荷ブロッキング層上に、真性化されたアモルファ
   スシリコン系感光層が設けられている、特許請求の範囲
   の第６項に記載した感光体。 ８、電荷ブロッキング層上にアモルファス窒化シリコン
   又はアモルファス窒化シリコンからなる電荷輸送層が設
   けられ、更にこの電荷輸送層上にアモルファスシリコン
   系感光層が設けられている、特許請求の範囲の第６項に
   記載した感光体。 ９、基体表面が次の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれか
   の方法で加工されている、特許請求の範囲の第１項〜第
   ７項のいずれか１項に記載した感光体。 （８）、基体の外周円筒面と砥石とを接触せしめた状態
   で、前記基体及び前記砥石を夫々回転させながら前記砥
   石を所定の方向へ送り、これによって前記外周円筒面を
   研磨する方法、 （ｂ）、基体表面に砥石を比較的弱い力で押付け、前記
   砥石如振幅の小さい振動を与えると同時に所定方向への
   送りをかけ、これによって前記基体表面を研磨する方法
   、 （ｅ）、基体表面に研磨剤を吹付けることによりて前記
   基体表面をとぎ上げする方法。 １０、アルオニウム酸化物被膜が陽極酸化によって厚さ
   ５０久〜５０００ＸＫ形成されている、特許請求の範囲
   の第３項〜第９項のいずれか１項に記載した感光体。 １１、アルミニウム酸化物被膜がグロー放電処理によっ
   て厚さ１５Ｘ〜ｔｏｏｏ　Ｘに形成されている、特許請
   求の範囲の第３項〜第９項のいずれが１項に記載した感
   光体。　　　　　１