JPS58199862A - マグネトロン形スパツタ装置 - Google Patents
マグネトロン形スパツタ装置Info
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- JPS58199862A JPS58199862A JP8233682A JP8233682A JPS58199862A JP S58199862 A JPS58199862 A JP S58199862A JP 8233682 A JP8233682 A JP 8233682A JP 8233682 A JP8233682 A JP 8233682A JP S58199862 A JPS58199862 A JP S58199862A
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- Japan
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- magnetic
- sputtering
- magnetic field
- plasma
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、マグネトロン形スパッタ装置に関し、特に
ターゲットとして磁性体材料を用いろ場合に関する。
ターゲットとして磁性体材料を用いろ場合に関する。
（背景技術）
スパッタは、物体をイオンで衝撃し、この結果放出され
ろ物体表面からの原子や分子を、目的とする基板の表面
上に付着させ、薄膜を形成する技術である。この技術は
応用分野が広く、健来から℃・ろいろな研究が行なわれ
ている。このうち、マグネトロン形スパッタは高速低温
スパッタとも呼□ ばれ、従来の２極スパツタ等の欠点−（１）付着速度が
０１１μｍ１ｍ１ｎ以下と極めて遅い、 （２）電子が
基体と衝突することにより、基体の温度上昇が激しい（
薮百度にも達する）−に着目して生まれたもので、その
特徴は、電場に対して直交するような磁場をターゲット
の表面上に設けて、アルゴンなどの稀ガスイオンを有す
るプラズマを高密度にする点にある。従来のマグネトロ
ン形スパッタ装置の基本的な構成を第１図に示す。１は
チャンバで装置全体を真空に保つ。２は基板で、この表
面上にスパッタされた原子又は分子が付着することによ
って薄膜が形成される。３はターゲットで、スパッタさ
れる材料である。目的とする薄膜に応じ種々の材料が選
択されろ。４はプラズマ集束マグネットで、ターゲット
３０表面上°に基板２とターゲット３との間に作用する
電場に対して直交する磁場を与えろ。この磁場の作用に
より、たとえばアルコンガスを有するプラズマは、第１
図の５と６に示すように、ターゲット表面上に凸形の高
密度プラズマ領域を形成する。この様子を第２図に示す
。同図において９はスパッタされる領域、１０は磁場、
１１は基板２とターゲット３との間に印加されろターゲ
ット電圧（通常７００ボルト程度）によって形成される
電界、１２はプラズマ中の電子の動きを示す。プラズマ
は磁場１０の作用によりターゲット表面上に閉じ込めら
れるので、高密度プラズマとなり大きなイオン電流を流
すことができ、スパッタの高速化が達成されろ。更に磁
場１ｏと市。
ろ物体表面からの原子や分子を、目的とする基板の表面
上に付着させ、薄膜を形成する技術である。この技術は
応用分野が広く、健来から℃・ろいろな研究が行なわれ
ている。このうち、マグネトロン形スパッタは高速低温
スパッタとも呼□ ばれ、従来の２極スパツタ等の欠点−（１）付着速度が
０１１μｍ１ｍ１ｎ以下と極めて遅い、 （２）電子が
基体と衝突することにより、基体の温度上昇が激しい（
薮百度にも達する）−に着目して生まれたもので、その
特徴は、電場に対して直交するような磁場をターゲット
の表面上に設けて、アルゴンなどの稀ガスイオンを有す
るプラズマを高密度にする点にある。従来のマグネトロ
ン形スパッタ装置の基本的な構成を第１図に示す。１は
チャンバで装置全体を真空に保つ。２は基板で、この表
面上にスパッタされた原子又は分子が付着することによ
って薄膜が形成される。３はターゲットで、スパッタさ
れる材料である。目的とする薄膜に応じ種々の材料が選
択されろ。４はプラズマ集束マグネットで、ターゲット
３０表面上°に基板２とターゲット３との間に作用する
電場に対して直交する磁場を与えろ。この磁場の作用に
より、たとえばアルコンガスを有するプラズマは、第１
図の５と６に示すように、ターゲット表面上に凸形の高
密度プラズマ領域を形成する。この様子を第２図に示す
。同図において９はスパッタされる領域、１０は磁場、
１１は基板２とターゲット３との間に印加されろターゲ
ット電圧（通常７００ボルト程度）によって形成される
電界、１２はプラズマ中の電子の動きを示す。プラズマ
は磁場１０の作用によりターゲット表面上に閉じ込めら
れるので、高密度プラズマとなり大きなイオン電流を流
すことができ、スパッタの高速化が達成されろ。更に磁
場１ｏと市。
場１１が直交して作用するので、プラズマ中の電子は１
２に示すようにサイクロイド運動をする。電子は基板２
と衝突することが少なくなり、基板２の温度上昇を防止
することができろ。
２に示すようにサイクロイド運動をする。電子は基板２
と衝突することが少なくなり、基板２の温度上昇を防止
することができろ。
このような従来のマグネトロン形スパッタ装置では、タ
ーゲット材料として、磁性体材料、非磁性体材料を問わ
ずスパッタをすることができる。
ーゲット材料として、磁性体材料、非磁性体材料を問わ
ずスパッタをすることができる。
ただし、磁性体材料を使用するときは、ターゲツト材３
の厚さ乙を数耐程度にしなければならない。
の厚さ乙を数耐程度にしなければならない。
これは磁性体材料は真空に比べて高い透磁率を有するた
め、厚さ１１を非磁性体材料を使用する場合のように厚
く（通常１（ｍ程度）したのでは、プラズマ集束マグネ
ットから発生する磁束がほとんどターゲットの内部を通
り、ターゲット３の表面上に作用する磁界が極めて弱い
ものとなり、この磁界によって形成されるプラズマを高
密度とすることができなくなるためである。従って、タ
ーゲットの厚さを薄くすることによりターゲット自身の
磁気回路的な磁気抵抗を大きなものとし、ターゲット内
部を通ることができない”もれ磁束°′によって高密度
プラズマを形成する。
め、厚さ１１を非磁性体材料を使用する場合のように厚
く（通常１（ｍ程度）したのでは、プラズマ集束マグネ
ットから発生する磁束がほとんどターゲットの内部を通
り、ターゲット３の表面上に作用する磁界が極めて弱い
ものとなり、この磁界によって形成されるプラズマを高
密度とすることができなくなるためである。従って、タ
ーゲットの厚さを薄くすることによりターゲット自身の
磁気回路的な磁気抵抗を大きなものとし、ターゲット内
部を通ることができない”もれ磁束°′によって高密度
プラズマを形成する。
しかしながら、従来のマグネトロン形スパッタ装置は、
ターゲット材料としてこのような磁性体材料をスパッタ
する場合には、ターゲット材料の使用効率が非磁性体材
料をスパッタする場合に比べて約１／１０程度と極めて
悪いという問題がある。
ターゲット材料としてこのような磁性体材料をスパッタ
する場合には、ターゲット材料の使用効率が非磁性体材
料をスパッタする場合に比べて約１／１０程度と極めて
悪いという問題がある。
この問題点を第３図を用いて説明する。第３図は第２図
に示すターゲット３とプラズマ集束マグネット４のＸ−
Ｘ方向の断面図である。同図において、１３ａ ＋ １
４ ａ ＋ １５ａはそれぞれプラズマ集束マグネット
４によって形成されるターゲット３０表面上の磁界の強
度分布の変化の様子を示し、破線１３ｂ。
に示すターゲット３とプラズマ集束マグネット４のＸ−
Ｘ方向の断面図である。同図において、１３ａ ＋ １
４ ａ ＋ １５ａはそれぞれプラズマ集束マグネット
４によって形成されるターゲット３０表面上の磁界の強
度分布の変化の様子を示し、破線１３ｂ。
］４ｂ、１５ｂは磁界強度分布が１３ａ 、 １４ａ
＋ １５ａのときのターゲット３のスパッタされる状態
を示す。スパッタ開始直後の磁界強度分布は、１３ａに
示すように、その中心部Ａ１がゆるやかに盛り上がった
凸形となる。ターゲット３上に形成される高密度プラズ
マは、この磁界の強度分布１３ａに対応して集束するの
で、ターゲット３はこの強度分布１３ａに対応した形で
スパッタされ、１３ｂに示すように、ターゲット中心部
Ｂ、が周辺部に比べて比較的多くスバ、りされる。この
と鍍ターゲットの中心部での磁気抵抗は、ターゲット中
心部を通る磁束に対するターゲット中心部の断面積が減
少しているので、スパッタ開始前の磁気抵抗に比べて増
大する。一方プラズマ集束マグネット４の磁束φは一定
である。従って、今までターゲットの中心部の内部を通
っていた磁束の一部は、中心部の磁気抵抗の増大に応じ
て、ターゲット中心部付近からも小磁束となる。従って
ターゲット中心部表面上における磁界の強度は強まり、
磁界の強度分布は１３ａから１４ａに変化する。すなわ
ち、その中心部Ａ２ の強度は一層強まるので、ターゲ
ット中心部付近のプラズマ集束密度は一段と高まり、タ
ーゲット中心部は周辺部に）比べてより強くスパッタさ
れ、１４ｂに示すようになる。さらに、スパッタが進行
すれば、上記の効果が加速され、ターゲット中心部の磁
気抵抗の増大により中心部付近からのもれ磁束が多（な
り、磁界の強度分布は１５ａのようになる。この磁束に
よりターゲットは、中心部が極部的にスパッタされ１５
ｂのようになる。このように、ターゲットとして磁性体
材料を用いた場合には、ターゲット表面上の磁界の強度
分布が時間とともに変化し、ターゲット中心部の磁界強
度が加速度的に強まる結果、ターゲツト材は中心部が極
部的にスパッタされて消耗し材料の使用効率が極めて悪
いという問題点がある。すなわち、ターゲットの厚さが
所定値になったときは、ターゲットを交換しなければな
らないからである。通常非磁性体材料の使用効率が４０
〜５０チ程度であるのに対して、磁性体材料の使用効率
は４〜５チ以下で゛ある。
＋ １５ａのときのターゲット３のスパッタされる状態
を示す。スパッタ開始直後の磁界強度分布は、１３ａに
示すように、その中心部Ａ１がゆるやかに盛り上がった
凸形となる。ターゲット３上に形成される高密度プラズ
マは、この磁界の強度分布１３ａに対応して集束するの
で、ターゲット３はこの強度分布１３ａに対応した形で
スパッタされ、１３ｂに示すように、ターゲット中心部
Ｂ、が周辺部に比べて比較的多くスバ、りされる。この
と鍍ターゲットの中心部での磁気抵抗は、ターゲット中
心部を通る磁束に対するターゲット中心部の断面積が減
少しているので、スパッタ開始前の磁気抵抗に比べて増
大する。一方プラズマ集束マグネット４の磁束φは一定
である。従って、今までターゲットの中心部の内部を通
っていた磁束の一部は、中心部の磁気抵抗の増大に応じ
て、ターゲット中心部付近からも小磁束となる。従って
ターゲット中心部表面上における磁界の強度は強まり、
磁界の強度分布は１３ａから１４ａに変化する。すなわ
ち、その中心部Ａ２ の強度は一層強まるので、ターゲ
ット中心部付近のプラズマ集束密度は一段と高まり、タ
ーゲット中心部は周辺部に）比べてより強くスパッタさ
れ、１４ｂに示すようになる。さらに、スパッタが進行
すれば、上記の効果が加速され、ターゲット中心部の磁
気抵抗の増大により中心部付近からのもれ磁束が多（な
り、磁界の強度分布は１５ａのようになる。この磁束に
よりターゲットは、中心部が極部的にスパッタされ１５
ｂのようになる。このように、ターゲットとして磁性体
材料を用いた場合には、ターゲット表面上の磁界の強度
分布が時間とともに変化し、ターゲット中心部の磁界強
度が加速度的に強まる結果、ターゲツト材は中心部が極
部的にスパッタされて消耗し材料の使用効率が極めて悪
いという問題点がある。すなわち、ターゲットの厚さが
所定値になったときは、ターゲットを交換しなければな
らないからである。通常非磁性体材料の使用効率が４０
〜５０チ程度であるのに対して、磁性体材料の使用効率
は４〜５チ以下で゛ある。
（発明の目的）
この発明は、このような問題点に着目してなされたもの
で、プラズマ集束マグネットの内部にターゲット表面上
の磁界強度をターゲットのスパッタ率に従って変化させ
ることにより上記問題点を解決することを目的とする。
で、プラズマ集束マグネットの内部にターゲット表面上
の磁界強度をターゲットのスパッタ率に従って変化させ
ることにより上記問題点を解決することを目的とする。
（発明の構成及び作用）
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第４図はこの発明の一実施例を示す図である。
この発明は従来のマグネトロン形スパッタ装置において
、プラズマ集束マグネットの内部に電磁石１６ 、１７
又は高透磁率磁性体材料１８ 、１９を設けた構成であ
る。以下第１実施例として電磁石を設けた場合、及び第
２実施例として高透磁率磁性体材料を設けた場合につい
てそれぞれ説明する。
、プラズマ集束マグネットの内部に電磁石１６ 、１７
又は高透磁率磁性体材料１８ 、１９を設けた構成であ
る。以下第１実施例として電磁石を設けた場合、及び第
２実施例として高透磁率磁性体材料を設けた場合につい
てそれぞれ説明する。
第５図は電磁石を用いた第１実施例を示す図である。説
明の都合上、第５図の右側部分のマグネットに着目して
説明する。電磁石１６は、プラズマ集束マグネット４内
部に、電流を流すことによって生ずる磁束の方向がプラ
ズマ集束マグネットの磁束に対して逆方向となるように
設置する。コイルに流す電流は端子ｈ１とｈ２を介して
供給する。
明の都合上、第５図の右側部分のマグネットに着目して
説明する。電磁石１６は、プラズマ集束マグネット４内
部に、電流を流すことによって生ずる磁束の方向がプラ
ズマ集束マグネットの磁束に対して逆方向となるように
設置する。コイルに流す電流は端子ｈ１とｈ２を介して
供給する。
次に作用を説明する。、いまターゲットか第５図の加に
示すようにターゲット中心部が周辺部に比べて多くスパ
ッタされている状態を考える。従来の装置では、前述し
たようにターゲット中心部の磁気抵抗の時間の経過に伴
なう増加によりターゲット中心部の磁界強度が加速度的
に強まり、ターゲット３は破１ｊ１２１に示すように中
心部が極部的にスパッタされろ。
示すようにターゲット中心部が周辺部に比べて多くスパ
ッタされている状態を考える。従来の装置では、前述し
たようにターゲット中心部の磁気抵抗の時間の経過に伴
なう増加によりターゲット中心部の磁界強度が加速度的
に強まり、ターゲット３は破１ｊ１２１に示すように中
心部が極部的にスパッタされろ。
ターゲット２０のような状態のとき、電磁石１６に電流
を流し、ターゲット中心部Ｐを通るプラズマ集束マグネ
ット４かも生じた磁束φ−中心部の断面積の減少により
時間と伴に減少するーに対して反対方向の磁束φ１を与
える場合を考える。中心部Ｐでは磁束φのうち電磁石１
６からの磁束φ、に相当する磁束か打ち消される。従っ
て、今まで中心部Ｐ付近においてもれ磁束となってター
ゲット上に表面磁界を形成していた磁束のうちφ１に相
当する量がターゲット中心部Ｐを通る。言い換えれば、
ターゲット中心部Ｐの磁気抵抗が、みかげ上減少したこ
とになる。従って、φ１の大きさを適当な値にすれは、
ターゲット上の表面磁界は乙に示すような中心部Ｑが凹
形に（ぼんだ強度分布を示し、ターゲット表面全体にわ
たりほぼ均一に作用する。すなわち、プラズマの集束状
態もこの強度分布に対応するので、ターゲット３をほぼ
一様にスパッタすることができる。磁束φ、の大きさは
、ターゲットのスパッタ率に応じて変化させることによ
り適切な値を設定する。
を流し、ターゲット中心部Ｐを通るプラズマ集束マグネ
ット４かも生じた磁束φ−中心部の断面積の減少により
時間と伴に減少するーに対して反対方向の磁束φ１を与
える場合を考える。中心部Ｐでは磁束φのうち電磁石１
６からの磁束φ、に相当する磁束か打ち消される。従っ
て、今まで中心部Ｐ付近においてもれ磁束となってター
ゲット上に表面磁界を形成していた磁束のうちφ１に相
当する量がターゲット中心部Ｐを通る。言い換えれば、
ターゲット中心部Ｐの磁気抵抗が、みかげ上減少したこ
とになる。従って、φ１の大きさを適当な値にすれは、
ターゲット上の表面磁界は乙に示すような中心部Ｑが凹
形に（ぼんだ強度分布を示し、ターゲット表面全体にわ
たりほぼ均一に作用する。すなわち、プラズマの集束状
態もこの強度分布に対応するので、ターゲット３をほぼ
一様にスパッタすることができる。磁束φ、の大きさは
、ターゲットのスパッタ率に応じて変化させることによ
り適切な値を設定する。
次に高透磁率磁性体材料１８．１９を用いた第２実施例
について、第６図に基づいて説明する。高透磁率磁性体
材料としては、例えばｓＩ″ｒ′１ＣＯ（サマリングコ
バルト）系等の材料がある。いまターゲット３が同図の
２４に示すようにスパッタされている状態を考えろ。従
来の装置を用いたのでは、前述したように磁界の強度分
布は２７のように、又、ターゲットは５のようになる。
について、第６図に基づいて説明する。高透磁率磁性体
材料としては、例えばｓＩ″ｒ′１ＣＯ（サマリングコ
バルト）系等の材料がある。いまターゲット３が同図の
２４に示すようにスパッタされている状態を考えろ。従
来の装置を用いたのでは、前述したように磁界の強度分
布は２７のように、又、ターゲットは５のようになる。
ターゲットが２４のような状態のときに、ターゲットの
中心部Ｐに高透磁率磁性体材料１８があると、この材料
がない場合における中心部Ｐ伺近からもれ磁束となって
いた磁束のうち、その一部φ２がこの材料１８の内部を
通る。言うまでもなく、真空に比べてこの材料１８の透
磁率に基づく磁気抵抗が極めて小さいからである。従っ
て中心部Ｐの磁気抵抗は、高透磁率磁性体材料１８を設
けたことにより実質上手さなものとなり、中心部Ｐ付近
からのもれ磁束の量が減少する結果、磁界の強度分布は
２６に示すようにその中心部Ｑが凹形にくぼんだ形とな
る。磁束φ２の大きさは、ターゲットのスパッタ率に応
じて変化させろ。この操作は高透磁率磁性体材料１８の
透磁率μＳが熱によって変化することを利用して行なう
。
中心部Ｐに高透磁率磁性体材料１８があると、この材料
がない場合における中心部Ｐ伺近からもれ磁束となって
いた磁束のうち、その一部φ２がこの材料１８の内部を
通る。言うまでもなく、真空に比べてこの材料１８の透
磁率に基づく磁気抵抗が極めて小さいからである。従っ
て中心部Ｐの磁気抵抗は、高透磁率磁性体材料１８を設
けたことにより実質上手さなものとなり、中心部Ｐ付近
からのもれ磁束の量が減少する結果、磁界の強度分布は
２６に示すようにその中心部Ｑが凹形にくぼんだ形とな
る。磁束φ２の大きさは、ターゲットのスパッタ率に応
じて変化させろ。この操作は高透磁率磁性体材料１８の
透磁率μＳが熱によって変化することを利用して行なう
。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明によればターゲット表面上
の磁界強度をスパッタ率に合わせて変化させターゲット
表面上においてほぼ均一となるようにしたため、ターゲ
ット全体をほぼ一様にスパッタすることが可能となり磁
性体材料の使用効率を上げることができる。更にスパッ
タされる領域と基板との相対的距離がほぼ等しくなり、
スパッタ法の特徴である広面積スパッタによる膜の均一
性を向上させろことができる。
の磁界強度をスパッタ率に合わせて変化させターゲット
表面上においてほぼ均一となるようにしたため、ターゲ
ット全体をほぼ一様にスパッタすることが可能となり磁
性体材料の使用効率を上げることができる。更にスパッ
タされる領域と基板との相対的距離がほぼ等しくなり、
スパッタ法の特徴である広面積スパッタによる膜の均一
性を向上させろことができる。
第１図は従来のマグネトロン形スパッタ装置の構造図、
第２図は第１図の装置め動作を説明するだめの図、第３
図は第１図の装置においてターゲットとして磁性体材料
を用いた場合におけろ磁界強度分布とスパッタされろ状
態を説明するための図、第４図はこの発明の実施例を示
す図、第５図は電磁石を用いた場合の動作を説明するた
めの図、第６図は高透磁率材料を用いた場合の動作を説
明するだめの図である。 ２・・・基板 ３・・・ターゲット ４・・・プラズマ集束マグネット １０・・・磁界 １１・・・電界 １６ 、１７・・・電磁石 １８ 、１９・・・高透磁率磁性体材料特許出願人 東京電気化学工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 −
第２図は第１図の装置め動作を説明するだめの図、第３
図は第１図の装置においてターゲットとして磁性体材料
を用いた場合におけろ磁界強度分布とスパッタされろ状
態を説明するための図、第４図はこの発明の実施例を示
す図、第５図は電磁石を用いた場合の動作を説明するた
めの図、第６図は高透磁率材料を用いた場合の動作を説
明するだめの図である。 ２・・・基板 ３・・・ターゲット ４・・・プラズマ集束マグネット １０・・・磁界 １１・・・電界 １６ 、１７・・・電磁石 １８ 、１９・・・高透磁率磁性体材料特許出願人 東京電気化学工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 −
Claims (3)
- （１） 基板とターゲット間に作用する電場に直交す
るＳ場をフラズマ集束マグネットで与えろことによって
ターゲットの表面上に高畜度プラズマを形成し、該プラ
ズマ中のアルゴンイオンによって前記ターゲットのスパ
ッタを行なうマグネトロン形スパッタ装置にオ６いて、
前記磁場のターゲット表面上におけろ磁界強度をターゲ
ットのスパッタ率に合わせて変化させる手段を、前記プ
ラズマ集束マグネットの内部に設げたことを特徴とする
マグネトロン形スパッタ装置。 - （２）前記磁場のターゲット表面上におけろ磁界強度を
ターゲットのスパッタ率に合わせて変化させろ手段か、
電磁石であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の装置。 - （３）前記磁場のターゲット表面上におけろ磁界強度を
ターゲットのスパッタ率に合わせて変化させる手段が、
高透磁率磁性体材料であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233682A JPS58199862A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | マグネトロン形スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233682A JPS58199862A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | マグネトロン形スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199862A true JPS58199862A (ja) | 1983-11-21 |
Family
ID=13771713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8233682A Pending JPS58199862A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | マグネトロン形スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199862A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274074A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Shimadzu Corp | スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ |
| JPS6338576A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS63157866A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-06-30 | Mitsubishi Kasei Corp | マグネトロンスパツタ装置の磁場調節方法 |
| JPH01108375A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-25 | Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
| JPH01116071A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Tokyo Electron Ltd | スパッタリング装置 |
| CN102610470A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控管和半导体设备 |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP8233682A patent/JPS58199862A/ja active Pending
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| JPS63157866A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-06-30 | Mitsubishi Kasei Corp | マグネトロンスパツタ装置の磁場調節方法 |
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