JPS58199576A - 発光ダイオ−ド表示器 - Google Patents
発光ダイオ−ド表示器Info
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- JPS58199576A JPS58199576A JP57082022A JP8202282A JPS58199576A JP S58199576 A JPS58199576 A JP S58199576A JP 57082022 A JP57082022 A JP 57082022A JP 8202282 A JP8202282 A JP 8202282A JP S58199576 A JPS58199576 A JP S58199576A
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- emitting diode
- light emitting
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に複数色を発光する発光ダイオードに好適な
明るいドツトマトリクス型の発光ダイオード表示器に関
する。
明るいドツトマトリクス型の発光ダイオード表示器に関
する。
従来ドットマトリクス型の発光ダイオード表示器は第1
図に示すように基板(101)に行導体(111)(1
11)・・・と列導体(113)(+13)・・・とを
設け、その一方に発光ダイオード(103)(+03)
・・・を載置し金属細線(104)(104)・・・で
配線を施こしていた。
図に示すように基板(101)に行導体(111)(1
11)・・・と列導体(113)(+13)・・・とを
設け、その一方に発光ダイオード(103)(+03)
・・・を載置し金属細線(104)(104)・・・で
配線を施こしていた。
しかし複数色を出すため2乃至3種類の発光ダイオード
を用いたシ、第2図に示すように発光色の異なる複数の
PN接合(311[を有した発光ダイ゛オードを用いる
と行又は列の導体が色毎の複数本必要となる。この時給
電路となる端子等は基板( 101)の裏面におくとし
ても、表面には発光ダイオード(103)(103)・
・・の載置部(114)(N4)・・・と金属細線(1
04)(104)・・・のワイヤボンド部(N5)(1
15)・・・が必要となるが、ドツトピッチを広げると
選択点灯した時表示が間伸びして不自然となるので、狭
い部分に多くの露出導体(N4)(114)・・・(
1 15)(115)・・・が必要となる。これをさけ
るために発光ダイオード同志を直接金属細線で結ぶステ
ッチボンドがあるが、1行(又は1列)の発光ダイオー
ド数が10個以上になると金属細線の抵抗値が無視でき
なくなり輝度むらを生じる。
を用いたシ、第2図に示すように発光色の異なる複数の
PN接合(311[を有した発光ダイ゛オードを用いる
と行又は列の導体が色毎の複数本必要となる。この時給
電路となる端子等は基板( 101)の裏面におくとし
ても、表面には発光ダイオード(103)(103)・
・・の載置部(114)(N4)・・・と金属細線(1
04)(104)・・・のワイヤボンド部(N5)(1
15)・・・が必要となるが、ドツトピッチを広げると
選択点灯した時表示が間伸びして不自然となるので、狭
い部分に多くの露出導体(N4)(114)・・・(
1 15)(115)・・・が必要となる。これをさけ
るために発光ダイオード同志を直接金属細線で結ぶステ
ッチボンドがあるが、1行(又は1列)の発光ダイオー
ド数が10個以上になると金属細線の抵抗値が無視でき
なくなり輝度むらを生じる。
さらにこのようなドツトマトリクス型の発光ダイオード
は駆動電流のデユーティ比が小さくなるので暗くなりや
すいから光反射器を設けたいが、上述の如く導体の占め
る面積が多いと光反射器を増付けにくい。
は駆動電流のデユーティ比が小さくなるので暗くなりや
すいから光反射器を設けたいが、上述の如く導体の占め
る面積が多いと光反射器を増付けにくい。
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、行(又は
列)導体の露出部分を2列(又は2行)で兼用し、それ
によって生じた空間に帯状の反射羽根を列(又は行)方
向に取りつけることで生産作業性をも同一ヒさせるもの
で、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
列)導体の露出部分を2列(又は2行)で兼用し、それ
によって生じた空間に帯状の反射羽根を列(又は行)方
向に取りつけることで生産作業性をも同一ヒさせるもの
で、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第2図は本発明実施例の発光ダイオード表示器の平面図
(a)と側面図(b)で、(1)はセラミック、プラス
ティック、積層プリント基板等からなる基板である。図
の例では4×4ドツトマトリクスの列をとっておシ、8
本の行導体α11 till・・・α21a2)・・・
と4木の列導体+i:i [131・・・とを有してい
る。(2+ +21・・・はアルミニウム薄板等からな
る光反射羽根で、ホットスタンプ等により行導体α11
till・・・上に電気的導通を保ちながら固着しで
ある。この光反射羽根+21 (2+・・・は、帯状の
薄板を2ケ所折り曲げて1つ1つの羽根を)ヒ成しても
よいし長尺の薄板を順次折り曲げて1行分の羽根を形成
してもよいが、列方向には羽根を形成しないで開放して
おく方が、単に羽根が取扱い易くなるのみでなく後述す
る金属+il’ffl線が扱い易い。一方この状態で行
導体t121 flZ・・・と列導体u3)u、q・・
・のワイヤボンドをするための露出部l−・・・が光反
射羽根(21+21・・・の両脇に位置するよう導体f
121 +121・・・[13)+! +113)・・
・のびき廻しあるいは光反射羽根+21 (2)・・・
の巾をあらかじめ足めておく。(3) +31・・は第
2図に示したと同じ発光ダイオードで、光反射器NU
+21 +2+・・・の上に載置し固着されている。こ
の発光ダイオード(3)(3)・・・は発光色の異なる
2つのPN接合(311(32を有しており、そのPN
接合(311(390間に段部と電極(33)を設け、
この電極(33)を中心に上側のPN接合(31)に電
流を流すと例えば赤色1.下側のPN接合(321に電
流を流すと例えば緑色に発光するが、1行毎に方向を逆
にして載置しである。(41+4+・・・は発光ダイオ
ード(3)(3)ト導体f12) +121−(13)
113) ・Oi山部t]4) 041 ・・・とを
結ぶ金属細線で、列方向にワイヤボンドされている。
(a)と側面図(b)で、(1)はセラミック、プラス
ティック、積層プリント基板等からなる基板である。図
の例では4×4ドツトマトリクスの列をとっておシ、8
本の行導体α11 till・・・α21a2)・・・
と4木の列導体+i:i [131・・・とを有してい
る。(2+ +21・・・はアルミニウム薄板等からな
る光反射羽根で、ホットスタンプ等により行導体α11
till・・・上に電気的導通を保ちながら固着しで
ある。この光反射羽根+21 (2+・・・は、帯状の
薄板を2ケ所折り曲げて1つ1つの羽根を)ヒ成しても
よいし長尺の薄板を順次折り曲げて1行分の羽根を形成
してもよいが、列方向には羽根を形成しないで開放して
おく方が、単に羽根が取扱い易くなるのみでなく後述す
る金属+il’ffl線が扱い易い。一方この状態で行
導体t121 flZ・・・と列導体u3)u、q・・
・のワイヤボンドをするための露出部l−・・・が光反
射羽根(21+21・・・の両脇に位置するよう導体f
121 +121・・・[13)+! +113)・・
・のびき廻しあるいは光反射羽根+21 (2)・・・
の巾をあらかじめ足めておく。(3) +31・・は第
2図に示したと同じ発光ダイオードで、光反射器NU
+21 +2+・・・の上に載置し固着されている。こ
の発光ダイオード(3)(3)・・・は発光色の異なる
2つのPN接合(311(32を有しており、そのPN
接合(311(390間に段部と電極(33)を設け、
この電極(33)を中心に上側のPN接合(31)に電
流を流すと例えば赤色1.下側のPN接合(321に電
流を流すと例えば緑色に発光するが、1行毎に方向を逆
にして載置しである。(41+4+・・・は発光ダイオ
ード(3)(3)ト導体f12) +121−(13)
113) ・Oi山部t]4) 041 ・・・とを
結ぶ金属細線で、列方向にワイヤボンドされている。
図からも明らかな如く列導体03) 113)・・・に
接続される金属細線+4) (41・・・は2列毎に1
つの露出部側0」・・・でよい。
接続される金属細線+4) (41・・・は2列毎に1
つの露出部側0」・・・でよい。
同図の例では列導体[131[131−・・は電極(3
3)に配線されているので列側か色に対しての共通配線
となり、行導体a]lI′111・・・が緑用配紗、行
導体αz02)・・・が赤用配線となっている。また光
反射羽根+21 (21・・・は列方向には開放されて
いるので金属細線(4) +41・・・が光反射羽根+
21 +21・・・に接触する事はかい。また発光ダイ
オード+31 +3+・・・の回きが列毎に変わるやで
発光の中心がずれるように感じるが発光ダイオード(3
) +31・・・の大きさは1辺300乃至500μm
と小さいのでほとんど問題とならない上、発光ダイオー
ド(3) (3)がガリウム燐等であわば結晶が発光色
に対して略透明なので焚際上中心は、ずれ々い。
3)に配線されているので列側か色に対しての共通配線
となり、行導体a]lI′111・・・が緑用配紗、行
導体αz02)・・・が赤用配線となっている。また光
反射羽根+21 (21・・・は列方向には開放されて
いるので金属細線(4) +41・・・が光反射羽根+
21 +21・・・に接触する事はかい。また発光ダイ
オード+31 +3+・・・の回きが列毎に変わるやで
発光の中心がずれるように感じるが発光ダイオード(3
) +31・・・の大きさは1辺300乃至500μm
と小さいのでほとんど問題とならない上、発光ダイオー
ド(3) (3)がガリウム燐等であわば結晶が発光色
に対して略透明なので焚際上中心は、ずれ々い。
以上の如く本発明は基板と、基板上に多数整列載置され
その整列方向に略直交する方向に開放した光反射羽根と
、その光反射羽根の両脇の基板上に露出して設けられた
導体と、光反射羽根のおのおのに載置固着された発光ダ
イオードと、光反射羽根の整列方向と略直交する方向に
発光ダイオードと導体とを結ぶ金属計1線とを具備した
発光ダイオード表示器であるから、基板上の露出導体が
少なく出来るので光反射羽根を取伺ける事が出来、表示
輝度が向上するしこの表示器の製造も容易にできる。
その整列方向に略直交する方向に開放した光反射羽根と
、その光反射羽根の両脇の基板上に露出して設けられた
導体と、光反射羽根のおのおのに載置固着された発光ダ
イオードと、光反射羽根の整列方向と略直交する方向に
発光ダイオードと導体とを結ぶ金属計1線とを具備した
発光ダイオード表示器であるから、基板上の露出導体が
少なく出来るので光反射羽根を取伺ける事が出来、表示
輝度が向上するしこの表示器の製造も容易にできる。
第1図は従来の表示器の平面図、第2図は発光ダイメー
トの正面図、第3図は本発明実施例の発光ダイオード表
示器の平面図(a)と側面図(b)である。 il+−・・基板、11111111 ・112) +
12)−1131[13) −・−・−導体、114)
Q4+ −・・・・・(導体の)露出部、(21(2
+・・・・・・光反射羽根、(3++31・・・・・・
発光ダイオード、+41(4)・・・・・・金属細線。
トの正面図、第3図は本発明実施例の発光ダイオード表
示器の平面図(a)と側面図(b)である。 il+−・・基板、11111111 ・112) +
12)−1131[13) −・−・−導体、114)
Q4+ −・・・・・(導体の)露出部、(21(2
+・・・・・・光反射羽根、(3++31・・・・・・
発光ダイオード、+41(4)・・・・・・金属細線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板と、基板−ヒに多数整列載置されその整列方向
に略直交する方向に開放した光反射羽根と、その光反射
羽根の両脇の基板上に露出して設けられた導体と、光反
射羽根のおのおのに載置固着された発光ダイオードと、
光反射羽根の整列方向と略直交する方向に発光ダイオー
ドと導体とを結ぶ金属細線とを具備した事を特徴とする
発光ダイオード表示器。 2)前記発光ダイオードは複数のPN接合を有し、かつ
その結晶体は発光色に対し略透明である事を特徴とする
特許 発光ダイオード表示器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082022A JPS58199576A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082022A JPS58199576A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58199576A true JPS58199576A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13762894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57082022A Pending JPS58199576A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58199576A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6413743U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
US4990971A (en) * | 1988-09-23 | 1991-02-05 | Valeo Vision | Light emiting diode network |
EP1735844A1 (en) * | 2004-03-18 | 2006-12-27 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57082022A patent/JPS58199576A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6413743U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
US4990971A (en) * | 1988-09-23 | 1991-02-05 | Valeo Vision | Light emiting diode network |
EP1735844A1 (en) * | 2004-03-18 | 2006-12-27 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
EP1735844A4 (en) * | 2004-03-18 | 2011-07-27 | Phoseon Technology Inc | MICRORE FLUSHERS ON A SUBSTRATE FOR A HIGH-DENSITY LED ARRAY |
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