JPS58158950A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS58158950A JPS58158950A JP57041050A JP4105082A JPS58158950A JP S58158950 A JPS58158950 A JP S58158950A JP 57041050 A JP57041050 A JP 57041050A JP 4105082 A JP4105082 A JP 4105082A JP S58158950 A JPS58158950 A JP S58158950A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L2924/11—Device type
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- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/16315—Shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造に関し、特にＣＯＤ等の固体
撮像デバイスに用いる光゛透過キャップを有する半導体
装置の構造に関する。
撮像デバイスに用いる光゛透過キャップを有する半導体
装置の構造に関する。
従来のこの種の半導体装置は、ｉ＠１図に示すように半
導体素子３會実装したセラミ、クパッケージ２の上面に
す７アイヤ等の透光性材料から成るキャップ部材１を樹
脂あるいはガラス性接着剤で封止したものであった。封
止部を拡大して第２図に示す。ところが、このような撮
像素子の内、カラー用の撮像素子では、素子表面に有機
材料から成るフィルターを接着して用るため、前述のよ
うなガラス性接着剤でキャップを封止すると封止温度が
高い（約４００℃）ため、前記フィルターが変質してし
まう。一方、樹脂性接着で封止する際には、封止温度は
、１５０℃程度であり、フィルターの変質の心配はない
が、封止後、高湿度雰囲気中で装置を使用すると、パッ
ケージ内に水分が侵入することがあるため、装置の信頼
性を低くすることになる。
導体素子３會実装したセラミ、クパッケージ２の上面に
す７アイヤ等の透光性材料から成るキャップ部材１を樹
脂あるいはガラス性接着剤で封止したものであった。封
止部を拡大して第２図に示す。ところが、このような撮
像素子の内、カラー用の撮像素子では、素子表面に有機
材料から成るフィルターを接着して用るため、前述のよ
うなガラス性接着剤でキャップを封止すると封止温度が
高い（約４００℃）ため、前記フィルターが変質してし
まう。一方、樹脂性接着で封止する際には、封止温度は
、１５０℃程度であり、フィルターの変質の心配はない
が、封止後、高湿度雰囲気中で装置を使用すると、パッ
ケージ内に水分が侵入することがあるため、装置の信頼
性を低くすることになる。
本発明は上述のような欠点金除去するｔめになされたも
のである。
のである。
本発明の特徴は、キャップ部材にガラス性接着剤によプ
金属フレームを固着させたキャップの金属フレームを金
属ロー材にて、対応するパッケージの金属部に接着した
ことをする半導体装置にある。
金属フレームを固着させたキャップの金属フレームを金
属ロー材にて、対応するパッケージの金属部に接着した
ことをする半導体装置にある。
又、本発明の他の移動は、パッケージの金属部の一部が
金属フレームであり、少なくともキヤ。
金属フレームであり、少なくともキヤ。
プの金属フレームの側面が対応するパッケージの金属フ
レームの側面に金属ロー材にて接着されている半導体装
置にある。
レームの側面に金属ロー材にて接着されている半導体装
置にある。
そしてこれらの半導体装置において、パッケージの金属
フレームのシールすべき側面は金属フレームの上面に比
べ金属ロー材と反応し易い材料で構成することができる
。
フレームのシールすべき側面は金属フレームの上面に比
べ金属ロー材と反応し易い材料で構成することができる
。
次に本発明の実施例金示す。第３図に示すように、透光
性のキャップ部材１に金属フレーム７をガラス性接着剤
６で固着させ几キャ、プを用い、パッケージ２の上に施
したメッキ都９と前記金属フレーム間を金属ロー材８に
て接着した半導体装置である。
性のキャップ部材１に金属フレーム７をガラス性接着剤
６で固着させ几キャ、プを用い、パッケージ２の上に施
したメッキ都９と前記金属フレーム間を金属ロー材８に
て接着した半導体装置である。
このような構造にすると、金属ロー材として低融点金属
を選択することによシ、低温にて気密封止が可能となる
ので、前述のようにフィルター用の樹脂を変質させるこ
ともなく、また、高湿度中で使用しても、パッケージ内
に水分が侵入し、素子の信頼性を低下させる心配もない
。
を選択することによシ、低温にて気密封止が可能となる
ので、前述のようにフィルター用の樹脂を変質させるこ
ともなく、また、高湿度中で使用しても、パッケージ内
に水分が侵入し、素子の信頼性を低下させる心配もない
。
さらに、第４図、第５図に示すように、パッケージ２の
上面にも金属フレーム５を設けた構造とすればシール部
は金属フレーム７の砥面だけでなく側面にまで及びため
、シール部の長さが長くなシ、気密封止に対する信頼性
が高まるだけでなく、封入作業において、キャップとパ
ッケージの位置合せが容易となる。
上面にも金属フレーム５を設けた構造とすればシール部
は金属フレーム７の砥面だけでなく側面にまで及びため
、シール部の長さが長くなシ、気密封止に対する信頼性
が高まるだけでなく、封入作業において、キャップとパ
ッケージの位置合せが容易となる。
＠４図、第５図では透光性キャップ部材１としてコーニ
ング社＃ＣＧＷ＃７０５９ｔ−用い、このキャップ部材
に、コバールフレーム７を低融点ガラス（日本電気ガラ
ス社ｆｉＬｓ−０１１０）６で接層シ、ソの後、コバー
ルにＮｉおよびＡｕメ、キを施し友。
ング社＃ＣＧＷ＃７０５９ｔ−用い、このキャップ部材
に、コバールフレーム７を低融点ガラス（日本電気ガラ
ス社ｆｉＬｓ−０１１０）６で接層シ、ソの後、コバー
ルにＮｉおよびＡｕメ、キを施し友。
一方、パッケージは、タングステンメタライズの上にＮ
Ｉｔ−施した金属層１０の上およびコバールのフレーム
５０表面にＡｕメッキを施し、金属ロー材としてＩ、８
ｔ−介してＮ、雰囲気中で加熱し、金属ロー材を熔かし
てキャップとパッケージを封止した。なお、封止する際
にはＩｎの融点が１５７℃であるため、１７０℃のＮ、
雰囲気のベルト炉を使用した。
Ｉｔ−施した金属層１０の上およびコバールのフレーム
５０表面にＡｕメッキを施し、金属ロー材としてＩ、８
ｔ−介してＮ、雰囲気中で加熱し、金属ロー材を熔かし
てキャップとパッケージを封止した。なお、封止する際
にはＩｎの融点が１５７℃であるため、１７０℃のＮ、
雰囲気のベルト炉を使用した。
このような方法により本発明の半導体装置は容易に製造
でき、かつ、低温にて気密封止ができる。
でき、かつ、低温にて気密封止ができる。
なお上述の実施例においては、キャップ部材１とコバー
フレーム７を接層後にコバーフレーム７にＡｕメ、キ會
施したが、コバーフレーム７のガラス性接漫剤に接着さ
れる面を除いて、予じめ〜メッキを施しておいて、その
後、Ａｕメッキ付のコバーフレーム７ｔ−キャップ部材
１にガラス性接層剤６で接着してもよい。
フレーム７を接層後にコバーフレーム７にＡｕメ、キ會
施したが、コバーフレーム７のガラス性接漫剤に接着さ
れる面を除いて、予じめ〜メッキを施しておいて、その
後、Ａｕメッキ付のコバーフレーム７ｔ−キャップ部材
１にガラス性接層剤６で接着してもよい。
また、上述の実施例において、キャップ側の金属フレー
ム７はバ、ケージ側の金属フレーム５に内接する構造と
なっているが、第６図に示すように金属フレーム７が金
属フレーム５に外接するような構造としてもよい。
ム７はバ、ケージ側の金属フレーム５に内接する構造と
なっているが、第６図に示すように金属フレーム７が金
属フレーム５に外接するような構造としてもよい。
さらに、上述の実施例においては、金属フレーム５の表
面すべてに入Ｕメッキ９′ｆｔ施しであるため、第７図
に示すように封入時に金属ロー材８が金７．Ｊ４フレー
ム５の上面にまではい上ることがある（矢印Ａ）。この
ような欠点を除去するためには、第８図に示すように、
金属フレーム全面ＩＣＮｉ。
面すべてに入Ｕメッキ９′ｆｔ施しであるため、第７図
に示すように封入時に金属ロー材８が金７．Ｊ４フレー
ム５の上面にまではい上ることがある（矢印Ａ）。この
ような欠点を除去するためには、第８図に示すように、
金属フレーム全面ＩＣＮｉ。
Ａ／、Ｃｒ、Ｔｉ等のメッキ１ｉｔ−施しておき、金属
ロー材８が流れるべ１に部分のみにＡｕ、 Ｓｎ、 Ｃ
ｕ。
ロー材８が流れるべ１に部分のみにＡｕ、 Ｓｎ、 Ｃ
ｕ。
λｇ等のロー材とぬれ易込材料をメッキを施す。
このようにすると、前記メッキの施されていない部分に
はＮｉ、 Ｉｙｌ、 Ｏｒ、 Ｔｉ等のロー材とはぬれ
にくい材料が霧出されるため、ロー流れはなくなる。
はＮｉ、 Ｉｙｌ、 Ｏｒ、 Ｔｉ等のロー材とはぬれ
にくい材料が霧出されるため、ロー流れはなくなる。
このような構造とすればＡｕメッキを施した部分だけに
ロー材が流れ外観美のある半導体装置を製造することが
できる。なお、前記説明において、ぬれ易い金属、ぬれ
にくい金ＪｉＪ！は、用すられるロー材によ）異なるた
め、用いるロー材毎にメッキ材料の組合せを考慮する必
要がある。
ロー材が流れ外観美のある半導体装置を製造することが
できる。なお、前記説明において、ぬれ易い金属、ぬれ
にくい金ＪｉＪ！は、用すられるロー材によ）異なるた
め、用いるロー材毎にメッキ材料の組合せを考慮する必
要がある。
第１図、第２図は従来の半導体装置を示す図である。第
３図〜第８図はそれぞれ本発明の実施列による半導体装
置を示す図である。 尚、図において、 １・・・・・・透光性キヤ、プ部材、２・・・・・半導
体索子用容器、３・・・・・・半導体素子、４・・・・
・・ガラス性接着剤あるいは樹脂性接着剤、５・・・・
・・金、Ａフレーム、６・・・・・・ガラス性接着剤、
７・・・・・・金属フレーム、８・・・・・・金属ロー
材、９・・・・・・メタライズ部、１０・・・・・・金
属メッキ１１１・・・・・・金属メッキである。 η ７ 口 Ｚ ｚ え 篤 ３ 図 ｚ Ｓ 口 ′ｆ７７ 図 Ｙ７６ 図
３図〜第８図はそれぞれ本発明の実施列による半導体装
置を示す図である。 尚、図において、 １・・・・・・透光性キヤ、プ部材、２・・・・・半導
体索子用容器、３・・・・・・半導体素子、４・・・・
・・ガラス性接着剤あるいは樹脂性接着剤、５・・・・
・・金、Ａフレーム、６・・・・・・ガラス性接着剤、
７・・・・・・金属フレーム、８・・・・・・金属ロー
材、９・・・・・・メタライズ部、１０・・・・・・金
属メッキ１１１・・・・・・金属メッキである。 η ７ 口 Ｚ ｚ え 篤 ３ 図 ｚ Ｓ 口 ′ｆ７７ 図 Ｙ７６ 図
Claims (4)
- （１） キャップ部材にガラス性接着剤によ）金属フ
レームを固着させたキャップの金属フレームを、金属ロ
ー材にて、対応するパッケージの金属部に接着したこと
奢特徴とする半導体装置。 - （２）パッケージの金属部の一部が金属フレームであシ
、少なくとも前記キャップの金属フレームの側面が対応
するパッケージの金属フレームの側面に金属ロー材にて
接着されていることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の半導体装置。 - （３）パッケージの金属フレームのシールすベキ側面は
金属フレームの上面に比べ金属ロー材と反応し易込材料
で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲！（
２１項記載の半導体装置。 - （４）キャップ部材が透光性材料から成ることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項、第（２）項もしくｉｊ
第（３）項記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041050A JPS58158950A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置 |
| DE8383102496T DE3381269D1 (de) | 1982-03-16 | 1983-03-14 | Halbleiteranordnung mit einem gehaeuse versiegelt durch ein lot mit niedrigem schmelzpunkt. |
| EP19830102496 EP0089044B1 (en) | 1982-03-16 | 1983-03-14 | A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041050A JPS58158950A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158950A true JPS58158950A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12597572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041050A Pending JPS58158950A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0089044B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58158950A (ja) |
| DE (1) | DE3381269D1 (ja) |
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| GB2137547B (en) * | 1983-03-26 | 1986-10-22 | Ferranti Plc | Joints between articles of materials of different coefficients of thermal expansion |
| CA1267468C (en) * | 1983-11-21 | 1990-04-03 | OPTICS MOUNTING | |
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| JP2003512751A (ja) | 1999-10-21 | 2003-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固体撮像装置 |
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| US6839479B2 (en) | 2002-05-29 | 2005-01-04 | Silicon Light Machines Corporation | Optical switch |
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| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6908201B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-06-21 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-support structures |
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| US7057795B2 (en) | 2002-08-20 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-structures with individually addressable ribbon pairs |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6928207B1 (en) | 2002-12-12 | 2005-08-09 | Silicon Light Machines Corporation | Apparatus for selectively blocking WDM channels |
| US6987600B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-01-17 | Silicon Light Machines Corporation | Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer |
| US7057819B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | High contrast tilting ribbon blazed grating |
| US6934070B1 (en) | 2002-12-18 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Chirped optical MEM device |
| US7068372B1 (en) | 2003-01-28 | 2006-06-27 | Silicon Light Machines Corporation | MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor |
| US7286764B1 (en) | 2003-02-03 | 2007-10-23 | Silicon Light Machines Corporation | Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer |
| US6947613B1 (en) | 2003-02-11 | 2005-09-20 | Silicon Light Machines Corporation | Wavelength selective switch and equalizer |
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| US7027202B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corp | Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer |
| US6922273B1 (en) | 2003-02-28 | 2005-07-26 | Silicon Light Machines Corporation | PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings |
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| US7046420B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-05-16 | Silicon Light Machines Corporation | MEM micro-structures and methods of making the same |
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- 1983-03-14 DE DE8383102496T patent/DE3381269D1/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0089044B1 (en) | 1990-02-28 |
| EP0089044A2 (en) | 1983-09-21 |
| DE3381269D1 (de) | 1990-04-05 |
| EP0089044A3 (en) | 1985-09-04 |
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